DOI: 10.15330/pcss.16.2.293-296

Я.П. Салій, О.І. Наливайчук, М.В. Рейкало

Кінетика процесів росту наноструктур PbTe:Bi на слюді

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76018, Україна, E-mail:saliyyaroslav@gmail.com

У роботі проаналізовано результати досліджень атомно-силовою мікроскопією топології поверхні епітаксійних наноструктур плюмбум телуриду легованого бісмутом, вирощених із парової фази методом гарячої стінки на сколах (0001) слюди - мусковіт марки СТА. Встановлено особливості кінетики процесу формування поверхневих нанокристалічних пірамід, визначено температурні умови переважання вагнерівського мономолекулярного механізму росту. Встановлено, що епітаксійний ріст поверхневих нанокластерів РbТе:Bi за температур осадження 150 – 200 ⁰С здійснюється за вагнерівським механізмом якщо час осадження менший 15 хв.
Ключові слова: розподіл, наноструктури, телурид свинцю, кінетика процесу росту.

 Література

[1] Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова,. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI (Наука, Москва, 1975).
[2] Р.Д. Венгренович, Б.В. Іванський, А.В. Москалюк, Фізика і хімія твердого тіла 10(1), 19 (2009).
[3] Л.С. Палатник, М.Я. Фукс, В.М. Косевич, Механизм образования и субструктура конденсированных пленок (Наука, Москва, 1972).