Фізика і хімія твердого тіла

 

2015   Том 16   №2

Обкладинка

Зміст

Редакційна
Колегія

 
 

DOI: 10.15330/pcss.16.2.335-340

В.В. Ромака1, П. Рогль2, Л.П. Ромака3, Ю.В. Стадник3, Р.О. Корж1, В.Я. Крайовський1, Т.М. Ковбасюк1, Н.В. Цигилик1

 Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb. II. Особливості кристалічної та електронної структур

1Національний університет “Львівська політехніка”, вул. С. Бандери, 12, Львів, 79013, Україна, e-mail:romakav@lp.edu.ua;
2Інститут фізичної хімії Віденського університету, вул. Верінгерштрасе, 42, Відень, А-1090, Австрія, e-mail:peter.franz.rogl@univie.ac.at;
3Львівський національний університет ім. І.Франка, вул. Кирила і Мефодія, 6, Львів, 79005, Україна, e-mail: romakal@franko.lviv.ua;

Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, х = 0 – 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлена природа донорів у n-VFeSb («апріорне легування») як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Отриманий результат лежить в основі технології отримання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSbз максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.
Ключові слова: напівпровідник, електропровідність, електронна структура.

Повна версія статті .pdf
На головну 

 Література

[1] В.А. Ромака, П. Рогль, Ю.В. Стадник,Д. Качаровський, Л.П. Ромака, Р.О. Корж, В.Я. Крайовський, А.М. Горинь, Фіз. хім. тв. тіла, (направлена до друку 04.2014 р.).
[2] V.V. Romaka, P. Rogl, L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Grytsiv, O. Lakh, V. Krayovsky, Intermetallics 35, 45 (2013).
[3] В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стадник, Інтерметалічні напівпровідники; властивості та застосування (Львівська політехніка, Львів, 2011).
[4] Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос, Электронные свойства легированных полупроводников (Наука, Москва, 1979).
[5] T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal, Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7 378-381, 118 (2001).
[6] M. Schroter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann,G.G. Reddy, Phys. Rev. B 52, 188 (1995).
[7] V.L. Moruzzi, J.F. Janak, A.R. Williams, Calculated electronic properties of metals (Pergamon Press, NY, 1978).
[8] Chenguang Fu, Hanhui Xie, Yintu Liu, T.J. Zhu, Jian Xie, X.B. Zhao, Intermetallics 32, 39 (2013).