DOI: 10.15330/pcss.16.2.413-419

С.П. Новосядлий, І.М. Луцький

Шляхи підвищення швидкодії GaAs–полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ–схем

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна

Немає сумніву, що використання технологій польових транзисторів із зотвором Шотткі на GaAs для формування швидкодіючих ВІС має велику перспективу. Не менші перспективи відкриваються перед унікальною за своїми властивостями СЛГТ – технологією для проектування сучасних ВІС/НВІС. У випадку застосування СЛГТ можна задовільнити 3 головні технологічні критерії: швидкодію, низьку споживану потужність і техноло–гічність процесу виготовлення складних структур ВІС.
Ключові слова: Селективно легований гетеротранзистор, польовий транзистор Шотткі, епітаксія.

 Література

[1] С.П. Новосядлий, Суб-і наномікронна технологія структур ВІС. Монографія (Місто НВ, Івано-Франківськ, 2010).
[2] С.П. Новосядлий, Mathlab в радіофізиці і електроніці. Навчальний посібник з грифом МОН України (Сімик, Івано-Франківськ, 2013).
[3] С.П. Новосядлий, Р.Б. Атаманюк, Фізика і хімія твердого тіла 10(1), 205 (2009).
[4] С.П. Новосядлый, В.М. Вивчарук, Технология и конструирование в электронной аппаратуре 3(81), 35 (2009).
[5] С.П. Новосядлий, В.М. Вівчарук, С.М. Вертепний, Восточно-Европейский журнал передових технологий. 1/7(37), 26 (2009).
[6] С.П. Новосядлий, В.М. Вівчарук, В.П. Перегінський, Фізика і хімія твердого тіла10(4), 957 (2009).
[7] С.П. Новосядлий, С.М. Марчук, Т.Р. Сорохтей, Ю.В. Возняк, Фізика і хімія твердого тіла 13(2), 416 (2012).
[8] С.П. Новосядлий, Т.П. Кіндрат, Т.Р.Сорохтей, Ю.В. Возняк, Фізика і хімія твердого тіла 13(3), 618 (2012).
[9] С.П. Новосядлий, Л.В. Мельник, Т.П. Кіндрат, В.М. Варварук, Східно-Європейський журнал новітніх технологій 4/5(64), 1 (2013).