DOI: 10.15330/pcss.16.2.420-424

С.П. Новосядлий, А.І. Терлецький, О.Б. Фрик

Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ

Розглянуто особливості технологічних процесів формування n- та p-канальних польових транзисторів Шотткі на р-GaAs із самосуміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму, які можуть бути використані для створення швидкодіючих комплементарних логічних схем. Описано низькотемпературну технологію реактивного осадження нітриду вольфраму методом ВЧ-магнетронного розпилення вольфрамової мішені в азотно-аргоновій плазмі.
Ключові слова: арсенід галію, польові транзистори Шотткі, нітрид вольфраму, силіцид вольфраму.

 Література

[1] Новосядлий С. П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий. - Івано-Франківськ : Сімик. - 2003. – 370 с.
[2] Новосядлий С. П. Суб- і наномікронна технологія структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий. - Івано-Франківськ : Місто НВ. - 2010. - 455 с.
[3] Новосядлий С. П. Моделювання субмікронної та нанотехнологій на основі тестових структур [Текст] / С. П. Новосядлий, В. М. Вівчарук, С. М. Вертепний // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. - 2009. - № 1(7). - С. 26-39.
[4] Новосядлий С. П. Сучасні твердофазні технологічні процеси в субмікронній технології ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. - 2010. 3/7(45). - С. 52-60.
[5] Новосядлий С. П. Польові транзистори з бар’єром Шотткі (ПТЗШ) на основі напівізолюючих підкладок GaAs, імплантованих ретроградно багатозарядними іонами селену [Текст] / С. П. Новосядлий, Т. Р. Сорохтей // Металофізика і новітні технології. - 2011. - № 2(4). - С. 17-19.
[6] Новосядлий С. П. Дослідження ефективності гетерних технологій в структурах GaAs [Текст] / С. П. Новосядлий, С. М. Марчук, Т. Р. Сорохтей , Ю. В. Возняк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - № 2(13). - С. 416-428.
[7] Новосядлий С. П. Фізико-технологічні аспекти багатозарядної імплантації арсенід галію в структурах приладів і схем [Текст] / С. П. Новосядлий, Л. В. Мельник, Т. П. Кіндрат // Східно-Європейський журнал новітніх технологій. - 2013. - №5/5(65). - С. 29-36.
[8] Новосядлий С. П. Технологія епітаксійного формування силіцидів для підвищення швидкодії ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Матеріали ІІІ Міжнародної науково-практичної конференції "Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано- та мікроелектроніки". - 24-26 жовтня 2013. - Чернівці. - Україна. - С. 167.