DOI: 10.15330/pcss.16.3.599-605

С.П. Новосядлий, В.С. Гузік

Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бета-транзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, м. Іванл-Франківськ, 76018, Україна

Серед напівпровідників на широті використання в мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем арсенід був і залишився основним матеріалом. Разом з тим почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми в силу високої рухливості носіїв заряду мають частотний діапазон функціонування недосягаючий для мікросхем на основі кремнію (Si).
Ключові слова: супер бета-транзистор, гетероструктура, арсенід галію, кремній, реактори електронно-циклотронного резонансу.

 Література

[1] С.П. Новосядлий,Суб-і наномікроннатехнологія структур ВІС (Місто НВ, Івано-Франківськ,2010).
[2] Арсенідгалію в мікроелектроніці. Під ред. Д. Айнсоруна, (1988).
[3] С.П. Новосядлий, Фізика і хімія твердого тіла 3(4), 710 (2002).
[4] У. Тілл, Интегральниесхеми. Материалы, приборы, изготовление. Пер с анг, под..ред. М.В. Гальнезна (Мир, Москва, 1981).
[5] С.П. Новосядлий, В.М. Бережанський, Східно-Європейський журнал передовихтехнологій 1(25), 40 (2007).
[6] С.П. Новосядлий, Східно-Європейський журнал передовихтехнологій 4/5(64), 1(2013).
[7] С.П. Новосядлий, Ю.В. Возняк, Фізика і хімія твердого тіла 2(13), 416(2012).