DOI: 10.15330/pcss.16.3.469-474

Г.П. Гайдар¹, П.І. Баранський²

Визначення ступеня однорідності кристалів n-Ge за даними вимірів магнітоопору в класично слабких магнітних полях

1Інститут ядерних досліджень НАН України, пр. Науки, 47, Київ, 03680, Україна, e mail: gaydar@kinr.kiev.ua 2Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки, 45, Київ, 03028, Україна

У широкому інтервалі значень питомого опору 0,0212 <r < 35 Ом*см на кристалах n-Ge відомої кристалографічної орієнтації експериментально підтверджено передбачуване теорією співвідношення . Запропоновано використовувати експериментально вимірювані відхилення від співвідношення , які пов'язані з неоднорідністю кристалів, для якісної оцінки ступеня неоднорідності у просторовому розподілі легуючих домішок у досліджуваних зразках.
Ключові слова: германій, ступінь однорідності, питомий опір, магнітне поле, магнітоопір.

 Література

[1] М.Г. Мильвидский, Известия ВУЗов. Материалы электронной техники (1), 1 (2000).
[2] Н.Н. Герасименко, Ю.Н. Пархоменко, Кремний – материал наноэлектроники (Техносфера, Москва, 2007).
[3] П.І. Баранський, О.Є. Бєляєв, Г.П. Гайдар, В.П. Кладько, А.В. Кучук, Проблеми діагностики реальних напівпровідникових кристалів (Наукова думка, Київ, 2014).
[4] S. Oda, Materials Science and Engineering B 101 (1–3), 19 (2003).
[5] J. Vanhellemont, E. Simoen, J. Electrochem. Soc. 154 (7), H572 (2007).
[6] F. Seitz, Phys. Rev. 79 (2), 372 (1950).
[7] B. Abeles, S. Meiboom, Phys. Rev. 95 (1), 31 (1954).
[8] C. Goldberg, W.E. Howard, Phys. Rev. 110 (5), 1035 (1958).
[9] П.І. Баранський, А.В. Федосов, Г.П. Гайдар, Фізичні властивості кристалів кремнію та германію в полях ефективного зовнішнього впливу (Надстир'я, Луцьк, 2000).
[10] P.I. Baranskii, I.S. Buda, I.V. Dakhovskii, A.G. Samoilovich, phys. stat. sol. (b) 67 (1), 291 (1975).
[11] П.И. Баранский, И.С. Буда, И.Д. Даховский, В.В. Коломоец, Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках (Наукова думка, Киев, 1977).
[12] А.Г. Самойлович, И.С. Буда, И.В. Даховский, ФТП 7(4), 859(1973). ДЭ 750 от 2 декабря 1972.