DOI: 10.15330/pcss.16.3.481-486

В.А. Одарич

Еліпсометричні дослідження окислення природного сколу селеніду цинку

Київський національний університет імені Тараса Шевченка, проспект Глушкова 6, м. Київ, 03127, Україна, е-mail: wladodarych@narod.ru

Проведено тривалі (до одного року) вимірювання еліпсометричних параметрів світла, відбитого від поверхні свіжовиготовлених сколів селеніду цинку, в атмосферних умовах. Виявлено, що процес взаємодії поверхні сколів із повітрям складається з двох етапів. На першому етапі тривалістю до трьох тижнів формується шар із оптичними сталими, що дещо менші за оптичні сталі селеніду цинку, із товщиною до 7 нм. На другому етапі від одного місяця до року проявляється зовнішній прозорий шар із показником заломлення приблизно 1,4 і товщиною до 2,5 нм. Здогадно, зовнішній шар містить суміш нестійких оксидів і повітря.
Ключові слова: еліпсометрія, окислення поверхні, селенід цинку.

 Література

[1] И. В. Корнеева, А. В. Новоселова, Ж. неорг. химии 5(11), 2265 (1960).
[2] Н.Д. Степанова, И.П. Калинкин, В.А. Соколов, Изв. АН СССР. Неорганические материалы 11(6), 1030 (1975).
[3] М.П. Кулаков, А.В. Фадеев, Неорг. материалы 19(3), 347 (1983).
[4] Ю.А. Загоруйко, Модифікація фізичних властивостей широкозонних напівпровідників А2В6 для отримання термостабільних елементів та гетероструктур для оптоелектроніки. Автореферат диссертації докт. фіз.-мат наук, Харків 2003.
[5] В.А. Одарич, О.Я. Кофлик, З.З. Янчук, Укр. фіз. ж. 42(1), 88 (1997).
[6] О.В. Вакуленко, В.А. Одарич, Т.А. Погребняк, Укр. фіз. журнал 39(9/10), 998 (1994).
[7] D.E. Aspnes, A.A. Studna, Phys. Rev.B, 27(2), 985 (1983).
[8] В.А. Макара, В.А. Одарич, Т.Ю. Кепич, Т.Д. Преображенская, О.В. Руденко, Технология и конструирование в электронной аппаратуре 3(81), 40 (2009).
[9] M. Aven, D.T.F. Marple, B. Segall, J. Appl. Phys. Suppl. 32(10), 2261 (1961).
[10] D.T.F. Marple, J. Appl. Phys. Suppl 35(3), 539 (1964).
[11] S. Adashi, T. Tagushi, Phys. Rev. B, 43(12), 9569 (1991).
[12] D.E. Aspnes, J.B. Theeten, F. Hottler, Phys. Rev. B., 20(8), 3292 (1979).
[13] Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров УФН, 177(6), 619 (2007).
[14] Д. Вудлаф, Т. Делчар, Современые методы исследования поверхности (Мир, Москва, 1989).
[15] X. W. Sum, H. S. Kwok, J. Appl. Phys. 86(1), 408 (1999).