DOI: 10.15330/pcss.16.4.711-715

Г.М. Окрепка, В.М. Томашик

Селективне травлення монокристалів Zn_хCd_1-хTe

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,м. Київ, пр. Науки 41; e-mail:tomashyk@isp.kiev.ua

Селективне травлення – метод експрес-контролю дефектів структури в монокристалах напівпровідників. У статті наведено огляд літературних відомостей про селективне травлення монокристалів ZnxCd1-xTe. Інформацію систематизовано у вигляді таблиці, в якій наведено кількісний і якісний склад селективних травників і інформацію про дефекти, яку можна одержати після обробки ними.
Ключові слова: хімічне травлення, тверді розчини, селективне травлення, травник, ямки травлення.

 Література

[1] V.K. Komar', A.S. Gerasimenko, D.P. Nalivajko, Funkcional'nye materialy dlja nauki i tehniki: Sbornik statej, Har'kov, 167 (2001).
[2] V.N. Tomashik, Neorgan. mater. 31(3), 313 (1995).
[3] M. Inoue, I. Teramoto, S. Takayanagi, J. Appl. Phys. 33(8), 2578 (1962).
[4] Y.-C. Lu, R.K. Route, D. Elwell, R.S. Feigelson, J. Vac. Sci. Technol. A. 3(1), 264 (1985).
[5] N.N. Kolesnikov, A.A. Kolchin, D.L. Alov, J. Cryst. Growth. 174, 256 (1997).
[6] U. Gilabert, A.B. Trigubo, N.E. Walsoe de Reca, Materials Science and Engineering 27, 11 (1994).
[7] J. C. Clark, E. D. Jones, P. Capper, J. B. Mullin, Journal of Materials Science: Materials in Electronics 9, 397 (1998).
[8] K. Guergouri, E. Teyar, R. Triboulet, J. Cryst. Growth. 216, 127 (2000).
[9] R.K. Bagai, Geeta Mohan, G.L. Seth, W.N. Borle, Journal of Crystal Growth 85, 386 (1987).
[10] I. Hahnert, M. Schenk, Journal of Crystal Growth 101, 251 (1990).
[11] K. Nakagawa, K. Maeda, S. Takeuchi, Appl. Phys. Lett. 34(9), 574 (1979).
[12] D. Rose, K. Durose, W. Palosz [and others], J. Phys. D.: appl. Phys. 31, 1009 (1998).
[13] A. Hossain, A.E. Bolotnikov, G.S. Camarda [and others], Journal of Crystal Growth 310, 4493 (2008).
[14] Yang Jianrong, Gu Huiming, Chen Xinqiang [and others], Journal of Crystal Growth 234, 337 (2002).
[15] R. Watson, K. Durose, A. J. Banister, [and others], Materials Science and Engineering 16, 113 (1993).
[16] B. Wermke, M. Mühlberg, A. Engel, P. Rudolph, Crystal Res. Technol. 24, 365 (1989).
[17] A. Hossaina, A.E. Bolotnikova, G.S. Camardaa, [and others], Journal of Crystal Growth 312, 1795 (2010).
[18] M. Muhlberg, P. Rudolph, C. Genzel [and others], Journal of Crystal Growth 101, 275 (1990).
[19] M.A. Kovalec, N.I. Kuchma, E.S. Nikonjuk, Fiz. i him. obrab. materialov 3, 125 (1987).
[20] A. Szczerbakow, J. Domagala, D. Rose [and others], J. Cryst. Growth 191, 673 (1998).
[21] P.D. Brown, K. Durose, G.J. Russell, J. Woods, Journal of Crystal Growth 101, 211 (1990).
[22] A. Iller ,G. Karczewski, G. Kolmhofer, [and others], Cryst. Res. Technol. 33, 401 (1998).