DOI: 10.15330/pcss.16.4.654-657

В.М. Камінський¹, Т.І. Братаніч², З.Д. Ковалюк¹, В.Б. Боледзюк¹, В.І. Іванов¹, В.В. Нетяга¹

Низькочастотні імпедансні дослідження воденьмісних шаруватих кристалів GaSe

¹Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича Національної академії наук України, Чернівецьке відділення, вул. І. Вільде 5, м. Чернівці, 58001, Україна, e-mail chimsp@ukrpost.ua
²Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича Національної академії наук України, вул. Кржижановського, 3, Київ, 03680, Україна

Досліджено структура, електричні і діелектричні властивості воденьмісних кристалів селеніду галію. Показано що, механізм АС-провідності вздовж кристалографічної осі C в області 10³–10⁵ Гц має стрибковий характер. Розраховані параметри зонної теорії стрибкової провідності. Отримані частотні залежності компонент ε' і ε'' діелектричної проникності в H_xGaSe.
Ключові слова: селенід галію, стрибкова провідність, діелектрична проникність.

 Література

[1] G. Alefel'd, I. Fel'kl', Vodorod v metallah (Mir, Moskva, 1981).
[2] B.P. Tarasov, N.F. Gol'dshleger, A.P. Moravskij, Uspehi himii 70(2), 149 (2001).
[3] D. O'Hara, Inorganic intercalation compounds (In: Inorganic Compounds. Wiley, London, 1996).
[4] V.M. Kaminskij, Z.D. Kovaljuk, M.N. Pyrlja, S.V. Gavryljuk, V.V. Netjaga, Neorg. mat. 41(8), 907 (2005).
[5] L.M. Kulikov, A.A. Semenov-Kobzar', N.B. Kjonig i dr., Dopovіdі NAN Ukraїni, Serіja Materіaloznavstvo 1, 102 (2006).
[6] V.M. Kamіns'kij, Z.D. Kovaljuk, V.V. Netjaga ta іn., Fіzika і hіmіja tverdogo tіla 11(2), 367 (2010).
[7] J.S. Terhell, Progress in Crystal Growth and Characterization 7(1–4), 55 (1983).
[8] S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov, Zhurnal radiojelektroniki 8, 1 (2011).
[9] S.N. Mustafaeva, Neorg. mat. 30(5), 619 (1994).
[10] N. Mott, Je. Djevis, Jelektronnye processy v nekristallicheskih veshhestvah (Mir, Moskva, 1982).
[11] J. Stahіra, O. Fljunt, Ja Fіjala 2(1), 136 (1998).