DOI: 10.15330/pcss.16.4.675-678

O.O. Гаврилюк, О.Ю. Семчук, Б.В. Литовченко

Теоретичні та експериментальні дослідження лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx

Інститут хімії поверхні ім.О.О.Чуйка НАН України, вул. Генерала Наумова, 17, 03164, Київ, Україна, e-mail:gavrylyuk.oleksandr@gmail.com

В даній роботі було досліджено розповсюдження температурних профілів та вплив температури на формування наночастинок кремнію в нестехіометричних плівках SiOx після лазерного відпалу. З залученням параболічного рівняння теплопровідності було проведено математичне моделювання формування температурних профілів в нестехіометричній плівці SiOx після лазерного відпалу. Показано, що температура 1800 К на поверхні SiOx достатня для розділення речовини плівки на діоксид кремнію і його наночастинки. ІЧ-дослідження підтвердили таке розмежування.

 Література

[1] T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, S. Hasegawa, J. Appl. Phys. 83, 2228 (1998).
[2] K. Sato, T. Izumi, M. Iwase, Y. Show, H. Morisaki, T. Yaguchi, T. Kamino, J. Appl. Surf. Sci. 216, 376 (2003).
[3] T. van Buuren, L. N. Dinh, L. L. Chase, W. J. Siekhaus, L. J. Terminello, J. Phys. Rev. Lett. 80, 3803 (1998).
[4] M. Zacharias, J. Bläsing, P. Veit, L. Tsybeskov, K. Hirschman, P. M. Fauchet, J. Appl. Phys. Lett. 74, 2614 (1999).
[5] O.L. Bratus’, A.A. Evtukh, O.S. Lytvyn, M.V. Voitovych, V.О. Yukhymchuk, Semiconductor Physics, J. Semiconductor Phys., Quantum Electronics & Optoelectronics, 14, 247 (2011).
[6] L. Patrone, D. Nelson, V. I. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Giorgio, J. Appl. Phys. 87, 3829 (2000).
[7] T. Díaz-Becerril, G. García-Salgado, A. Coyopol, E. Rosendo-Andrés, H. Juárez, J. Mater. Sci. Forum. 636-637, 444 (2010).
[8] A.V. Lykov, The theory of thermoconductivity (Vyscha shkola, Moscow, 1967).
[9] О.О. Gavrylyuk, O.Yu. Semchuk, O.L. Bratus, A.A. Evtukh, O.V. Steblova, L.L., J. Appl. Surf. Sci. 302, 213 (2014).
[10] O.O. Gavrylyuk, O.Yu. Semchuk, O.V. Steblova, A.A. Evtukh, L.L. Fedorenko, J. Ukrainian journal of phys. 59, 712 (2014).
[11] O.O. Gavrylyuk, O.Yu. Semchuk, O.V. Steblova, A.A. Evtukh, L.L. Fedorenko, O.L. Bratus, S.O. Zlobin, M. Karlsteen, J. Appl. Surf. Sci. 336, 217 (2015).
[12] O.V. Steblova, A.A. Evtukh, O.L. Bratus’, L.L. Fedorenko, M.V. Voitovych, O.S. Lytvyn, O.O. Gavrylyuk, O.Yu. Semchuk, J. Semiconductor Phys., Quantum Electronics & Optoelectronics 17, 295 (2014).