2001   Том 2   №3

Оптичні і експлуатаційні властивості тонкоплівкових покриттів, отриманих методом вакуумного випаровування фторидів РЗМ

Елементи теорії кінетичних властивостей кристалів твердотільної електроніки

¹Національний університет “Львівська політехніка”, вул. С. Бандери, 12, 79005 м.Львів-13
²Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті ім. В.Стефаника

Розглянуто вплив елементів симетрії закону дисперсії носіїв заряду на кінетичні властивості анізотропних кристалів.

Ключові слова: кінетичні властивості, анізотропія, магнітне поле, симетрія кристалів.

Моделювання As₂(S, Se)₃Sn_0.1 плоских хвильоводів до та після освітлення

¹Центр метрології, автоматики та наукових досліджень;
²Центр оптоелектроніки, Інститут прикладної фізики, Молдова;
³Міжнародна лабораторія високотемпературної надпровідності та твердотільної електроніки,
вул. Академічна, 3/2, MД-2028, Кишинів, Молдова

Розглядається вплив освітлення на характеристики структури тонких плівок As₂S₃ и As₂Se₃ легованих оловом 2 %. В результаті фотоструктурного перетворення під дією освітлення атоми олова міняють валентність з IV а II. Аналогiчно, освітлення змінює координаційне число атомів олова, що робить структуру легованих тонких плівок більш стійкою.

Нелінійні електричні характеристики складених шарів провідник-діелектрик

Розрахунок ефективних мас електронів і дірок у шаруватому напівпровідниковому кристалі PbI₂

¹Чернівецький Національний університет ім. Ю. Федьковича,
вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, 58001, Україна
²Буковинський фінансово-економічний інститут, вул. Штерна 1, м. Чернівці, 58012, Україна

Методом псевдопотенціалу розраховано зонну структуру енергетичного спектра електронів у шаруватому кристалі PbI₂ (2Н-політип). Розрахунок проведено на основі нелокального, що зберігає норму, “з перших принципів” псевдопотенціалу Башеле-Гамана-Шлютера з урахуванням ефектів екранування і кореляції. На основі одержаного закону дисперсії обчислено ефективні маси електронів і дірок. Встановлено істотну анізотропію ефективних мас електронів, що узгоджується з результатами експериментальних вимірювань.

Вплив незначних катіонних заміщень на магнітну мікроструктуру магній-цинкових феритів

¹Прикарпатський університет ім. В.Стефаника,
вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76000,
²Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України,
бульв. Акад. Вернадського, 36, м. Київ, Україна

На основі даних термомагнітних вимірювань та мессбауерівської спектроскопії побудовано модель магнітної мікроструктури магній-цинкового фериту. Показано вплив катіонних заміщень на характер локалізованих магнітних станів у фериті. При стехіометричному складі фериту локалізовані магнітні стани ідентичні між собою, а ферит є однорідною магнітною системою.

Ключові слова: магній-цинкові ферити, мессбауерівська спектроскопія.

Про розмірну залежність поверхневої енергії наночастинок

Вольт-амперні характеристики електроосаджених плівок CIS

Синтез 1,2-епоксипропілпохідних оксиетилметакрилатного геля каталітичним епоксидуванням макропористих сферонів

Дефектна підсистема селеніду свинцю, легованого талієм

Вплив заміщення різних типів на надпровідні властивості Pb-1212 купратів

Дослідження вихідних та діодних параметрів плівкових ФЕП на основі CuGaSe₂

Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут»,
вул. Фрунзе, 21, м. Харкiв, 61002, Україна

Шляхом комп'ютерної обробки експериментальних світлових вольт-амперних характеристик проведене дослідження вихідних і діодних параметрів плівкових ФЕП на основі CuGaSe₂. Доведено, що збільшення ефективності ФЕП з ростом температури підкладки при осаджені базового шару обумовлено зменшенням густини діодного струму насичення, зниженням послідовного електроопору й збільшенням шунтуючого електроопору. Дослідження спектральних залежностей коефіцієнта квантової ефективності показали, що обмеження ефективності досліджуваних ФЕП ZnO:Al/i-ZnO/CdS/CuGaSe₂/Mo на рівні 6,4% у порівнянні з ФЕП ZnO:Al/i-ZnO/CdS/CuIn_0.71Ga_0.29Se₂/Mo з ККД 12,3 % обумовлено більш інтенсивною поверхневою та об'ємною рекомбінацією нерівноважних носіїв заряду, генерованих під дією фотонів.

Ключові слова: плівковий фотоелектричний перетворювач, світлова вольт-амперна характеристика, вихідні параметри, діодні параметри.

Особливості конструкції та технології кремнієвих
p-i-n фотодіодів

Мас-спектрометричні дослідження процесів термічного і лазерного випаровування кристалів ZnGa₂S₄

Термоелектричні властивості твердих розчинів
на основі телуриду свинцю в системі PbTe-CdTe

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника, Фізико-хімічний інститут
 вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ 76000

Досліджено залежність питомої електропровідності (s) коефіцієнта термо-е.р.с. (a) і питомої термоелектричної потужності (a²s) твердого розчину PbTe-СdTe від складу СdTe. Визначено склади, що характеризуються оптимальними значеннями термоелектричних параметрів.

Ключові слова: телурид свинцю, телурид кадмію, електропровідність, коефіцієнт термо-е.р.с., термоелектрика, термоелектрична потужність.

Вплив ізольованої домішки гідрогену на густину електронних станів аморфних напівпровідникових плівок Si і Ge

Одеська державна морська академія, вул. Дідріхсона, 8, Одеса, 65029

Локальна густина електронних станів аморфних Si і Ge із домішкою гідрогену розрахована методом функцій Гріна. Напівемпіричний гамільтоніан сильного зв'язку враховує усі суттєві параметри взаємодії між найближчими сусідами. Структура гідрогенізованих напівпровідникових матеріалів моделювалася граткою Бете.

Ключові слова: функція Гріна, густина електронних станів, вакансія, аморфний, гратка Бете.

Електричні  властивості ZnS, отриманого  методом  СВС

¹Державна морська академія, вул. Дідріхсона 8, Одеса, 65029, Україна
²Національний університет ім. І. Мечникова, вул. Дворянська 2, Одеса, 65000, Україна

Досліджені діелектрична проникність   і провідність  , отриманих  методом самопоширеного високотемпературного синтезу (СВС) полікристалічних зразків на частотах 1кГц – 1МГц. Величина   не проявляє анізотропії, а основним параметром, який впливає на неї, є густина   синтезованого зразку. Отримані результати можна пояснити в рамках моделі, коли в кристалічну матрицю  , включені сферичні повітряні пори. Провідність синтезованих полікристалічних зразків задовольняє закону Остина-Моттаз однаковим значенням показника ступеня  =0.66, що вказує на суттєве розупорядкування в системі та існування єдиного механізму провідності в СВС-матеріалах. Він пов’язаний з виникненням міграційних бар’єрів, зумовлених відхиленням від стехіометрії в синтезованих зразках та великою кількістю концентрації кисню в них.

Ключові слова: провідність, діелектрична проникність, сульфід цинку, самопоширюваний високотемпературний синтез.

Внутрішній тиск, мікротвердість та межа плинності халькогенідних стекол

Ужгородський національний університет, вул. Волошина 54, Ужгород, 88000,
E – mail : ipk@ univ.Uzhgorod.ua

За даними про пружні сталі розраховано максимальний внутрішній тиск халькогенідних стекол p_im та межу плинності s_п. Показано, що величина p_im не у всіх стекол збігається з мікротвердістю за Вікерсом Н. Межа плинності (пластичності) s_п набагато менша за мікротвердість та максимальний внутрішній тиск p_im . Пружні сталі та параметри теорії флуктуаційного вільного об’єму досліджуваних стекол в значній мірі залежать від величини середнього координаційного числа Z_ср.

Ключові слова: халькогенідні стекла, критична деформація, межа пластичності, внутрішній тиск, вільний об’єм.

Розрахунок  констант  впровадження легуючих
елементів  в CdTe

Чернівецький національний університет, хімічний факультет,
 вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, Україна

В роботі зроблено короткий огляд існуючих моделей структури точкових дефектів в CdTe. Проведено вимірювання ефекту Холла в умовах високотемпературної рівноваги дефектів під визначеним тиском пари CdTe, корекцію існуючого набору констант, а також розрахунок константи впровадження In в підгратку CdTe. Критерієм оптимізації були значення концентрації носіїв заряду, отримані з різних експериментальних залежностей. Усереднене для 973-1173 К значення константи впровадження індію складає: K_In== 5.6´0³⁹ exp (-0,72 еВ/kT). Побудовані в світлі теорії квазіхімічних реакцій дефектоутворення Крегера оптимізовані моделі ілюструють добру узгодженість експериментальних даних і розрахованих залежностей як для нелегованого CdTe, так і для легованого індієм матеріалу.

Ключові слова: дефекти, ефект Холла, константи впровадження, телурид кадмію.

Вплив газового середовища на поверхневий струм в
p–n гетероструктурах на основі GaAs–AlGaAs

¹Одеський національний університет, вул. Дворянська, 2, Одеса, 65100
²Одеська державна морська академія, вул. Дідріхсона, 8, Одеса, 65029

Досліджено вплив парів води, етилену, ацетону та аміаку на вольт–амперні характеристики прямого струму подвійних гетероструктур (ПГС) на основі AlGaAs–GaAs. Пари води, етилену і ацетону лише незначно змінювали поверхневий струм ПГС, в той час як пари аміаку значно збільшували його. Додатковий струм, обумовлений адсорбцією молекул NH₃, лінійно залежав від напруги, що можна пояснити утворенням провідного поверхневого каналу в p-n переході. Вивчено кінетику зміни поверхневого струму при зміні газового середовища. Час наростання струму при поміщенні ПГС в атмосферу NH₃ складав 20-60с, а час спадання струму при наступному перенесенні ПГС в повітря – 2-8 с. Встановлено, що величина поверхневого струму лінійно залежить від парціального тиску парів NH₃ у діапазоні 10²-10⁴ Па, що можна використати для створення сенсора даних парів.

Ключові слова: p-n перехід, поверхневий струм, провідний канал, атмосфера, аміак, вода, етилен, ацетон, сенсор, кінетика.

Профіль провідності в епітаксійних плівках PbS

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника
вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, 76000

За допомогою моделі Петріца, застосованої окремо для р- і n- типу плівок PbS зроблена оцінка профілю провідності.

Ключові слова: PbS, модель Петріца, профіль, електропровідність.

Електронна структура та властивості діоксиду титану, інтеркальованого металевим літієм

¹Інститут хімії поверхні НАН України, вул. Генерала Наумова, 17, Київ, 03164, Україна
²Прикарпатський університет ім.Василя Стефаника,  вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна
³Львівське відділення Інституту проблем матеріалознавства НАН України,
вул. Патона, 1, Львів, 79000, Україна

Методом СУП МО ЛКАО у валентному наближенні НДДП розглянута електронна будова кластерів, що моделюють інтеркальований літієм стан рутилу й анатазу. На підставі розгляду локальних густин станів зроблено висновок про незмінність структури енергетичних зон рутилу й анатазу при проникненні в них невеликих кількостей атомів літію.

Ключові слова: інтеркаляція, діоксид титану, рутил, анатаз, густина станів, кластерне наближення, електронна будова, квантово-хімічні розрахунки.

Дефектоутворення в монотелуриді олова при окта- та тетраедричному розміщенні індію

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка 57, м  Івано-Франківськ, 76000

Розглянуто вплив домішки атомарного індію на процеси дефектоутворення в моно телуриді олова при різних механізмах утворення твердого розчину. Запропоновано кристалоквазіхімічний опис даних процесів. Виявлено добру узгодженість між експериментальними та обрахованими за допомогою даного методу результатами. Побудовано концентраційні залежності носіїв струму і точкових дефектів в залежності від вмісту домішки індію.

Кристалоквазіхімічний механізм адсорбції з газоподібного та рідкого середовища поверхнею твердих тіл типу шпінелі і гранату

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
 вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, Україна

В роботі розглянуто кристалоквазіхімічний механізм адсорбції газів-донорів, газів-акцепторів, іонів водню Н⁺ та іонів гідроксилу ОН^–  поверхнею твердих тіл типу шпінелі та гранату. Запропоновано теоретичну модель утворення поверхневих активних центрів адсорбції та їх залежності від зарядового стану активуючих катіонів.