ФХТТ, Т.4, №1, 2003

Анотації

О.А. Панченко, С.В. Сологуб

Розмірні явища і поверхневе розсіювання носіїв струму в металах
(огляд)

Інститут фізики НАН України,
03028 м Київ, пр. Науки, 46,
тел. 265-1044, E-mail: olpanch@iop.kiev.ua, sologub@iop.kiev.ua

Викладені основні уявлення про розсіювання носіїв струму на поверхні металів. Розглянута фізична картина поверхнево-чутливих гальваномагнітних розмірних явищ – поперечного магнетоопору (МО), статичного скін-ефекту (ССЕ), осциляцій Зондгеймера (ОЗ), фокусування електронів провідності (ЕФ). Розглянуто застосування цих явищ для вивчення особливостей поверхневого розсіювання носіїв струму, в тому числі з участю процесів електронно-діркових перекидань. Розглянута дифракція носіїв струму на адсорбованих субмоношарових решітках адсорбатів. Викладена перспектива застосування вказаних явищ для дослідження адсорбції і впорядкування субмоношарових адсорбованих плівок різної симетрії і хімічного складу.
Ключові слова: розмірні явища, гальваномагнітні явища, магнітоопір, поверхня металу, адсорбція, молібден, вольфрам.

Д.М. Фреїк¹, М.А. Рувінський¹, Б.М. Рувінський¹, М.О. Галущак², І.В. Калитчук¹

Атомні дефекти у плівках сульфіду свинцю при парофазній епітаксії

¹Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail: fсss@pu.if.ua
²Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу
вул. Карпатська, 15, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

Запропонована модель дефектної підсистеми у плівках PbS, яка передбачає існування різних зарядових станів вакансій і міжвузлових атомів у катіонній підгратці. Одержано аналітичні вирази для залежності концентрації носіїв струму і дефектів від технологічних факторів у методі гарячої стінки. Визначено умови реалізації p-n-інверсії провідності.
Ключові слова: сульфід свинцю, тонкі плівки, дефекти, метод гарячої стінки.

О.А. Білоус, І.Ю. Проценко, А.М. Чорноус

Вплив ступеню дисперсності кристалітів на параметри електропереносу металевих матеріалів

Сумський державний університет,
вул. Р.-Корсакова, 2, м.Суми, 40007, Україна, E-mail: kpf@ssu.sumy.ua

У роботі встановлено закономірності внутрішнього розмірного ефекту в електрофізичних властивостях металевих матеріалів (плівки товщиною до 400-600 нм та дроти) з Cu, Ni та Мо, які мають різний ступень дисперсності кристалітів у інтервалі проміжних температур. Розрахунок параметрів електропереносу проводився на основі лінеаризованої, ізотропної моделей Тельє-Тоссе-Пішара, моделі Ухлінова-Косаківської, та асимптотичних співвідношень теорії Майядаса-Шатцкеса. Для обробки даних експерименту у дротах були використані формули Дінгла, Нордгейма та Ухлінова-Косаківської. Проведено порівняння та узагальнення отриманих результатів. Показано, що величина коефіцієнта розсіювання на межі зерна та СДВП визначаються ступенем дисперсності кристалітів.
Ключові слова: внутрішній розмірний ефект, тонкі плівки, параметри електропереносу, коефіцієнт розсіювання на межі зерна, середня довжина вільного пробігу, питомий опір, температурний коефіцієнт опору, теорія Майядаса-Шатцкеса.

К.О. Іваненко, В.С. Копань, С.Л. Рево, В.П. Майборода*

Анізотропія властивостей багатошарових композиційних матеріалів Cu-Zn та Cd-Zn в площині листа

Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
пр.акад.Глушкова, 6, Київ, 03022, тел. (044) 266-23-67, E-mail: revo@phys.univ.kiev.ua,
*Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України,
вул.Кржижанівського, 3, Київ, 03142, тел.(044)444-3364, E-mail: maiborod@ipms.kiev.ua

Досліджена анізотропія границі міцності при розтягуванні s_B і диференціальної термо-ЕРС E_T в площині листа багатошарових композиційних матеріалів Cd-Zn і Cu-Zn. Помічена кореляція між кутовими залежностями s_B та E_T. Показано, що вона визначається не кристалічною текстурою, а перш за все, анізотропним розподілом далекодіючих полів напруг дислокацій.
Ключові слова: анізотропія, багатошарові композиційні матеріали, границя міцності, диференціальна термо-ЕРС.

Н.В. Глосковська¹, В.В. Ільїн², К. Хайнцінгер³

Поверхнева релаксація та коливальні характеристики кластерів оксиду магнію

¹Інститут теоретичної фізики ім. М.М. Боголюбова НАН України,
03143, м.Київ, вул.Метрологічна, 14б; E-mail: nglos@bigfoot.com
²The Weizmann Institute of Science,
76100, Rehovot, Israel, E-mail: ilyin@wisdom.weizmann.ac.il
³Max.-Planck-Institute für Chemie (Otto.-Hahn.-Institute),
6500, Mainz, Germany, E-mail: khh@mpch-mainz.mpg.de

У межах поляризаційної моделі нами вивчалась динаміка гратки нейтральних кубічних кластерів оксиду магнію, що містять 4, 8, 64, 216 та 512 іонів. Була розроблена та реалізована процедура знаходження рівноважної конфігурації, що досягається в процесі релаксації кластерів. Всі досліджувані кластери релаксують „всередину”, набуваючи дещо заокругленої форми, причому іони магнію зсуваються більше, ніж іони кисню. Енергетичні властивості цих систем розглядались на основі розрахованих узагальнених частотних спектрів. Була проаналізована залежність коливальних властивостей кластерів від їх розмірів. Отримані значення густини коливального спектра узгоджуються як з експериментальними даними, так і з результатами обчислень, проведених у межах моделі Келлермана. Внаслідок врахування ефекту релаксації максимум коливальної густини станів зсувається в бік більших частот.
Ключові слова: кластер, релаксація, коливальні характеристики.

І.В. Гуцул, А.А. Ащеулов

Вплив теплопровідності на параметри анізотропного термоелемента

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, 58012, Україна, тел.(037-2)54-72-42, E- mail: ss-dpt@chnu.cv.ua

Розглянуто вплив анізотропії теплопровідності на поперечну складову напруженості термоелектричного поля при різній взаємоорієнтації пластин і теплопроводу. Приведені вирази основних параметрів анізотропних термоелементів (АТ).
Ключові слова: анізотропна пластина, теплопровід, анізотропія теплопровідності, променевий потік, електрорушійна сила.

І.І. Пацкун

Дослідження домішкової і зонної структури GaP методами лазерної спектроскопії

Національний педагогічний університет імені М.П. Драгоманова
вул. Пирогова, 9, м. Київ-30, Україна

В GaP встановлені глибини залягання енергетичних рівнів домішкових центрів в забороненій зоні і визначені глибини залягання у V- і C–зонах критичних точок першого роду. Побудована схема оптичних переходів, критичних точок першого роду і енергетичних рівнів в забороненій зоні домішкових центрів.
Ключові слова: домішкові центри, зонна структура, лазерна спектроскопія.

В.О. Надточій, М.М. Голоденко, М.К. Нечволод, І.В. Жихарєв, О.В. Періг

Рух дислокацій у напівпровідниках, спричинений градієнтом напружень

Слов’янський державний педагогічний інститут,
вул. Ген. Батюка, 19, м. Слов’янськ, Україна, 84116, E-mail: slavgpi@slav.dn.uaa

Досліджується рух дислокацій, обумовлений виникненням градієнта напружень при деформаціях згину кремнієвої кристалічної пластини зі скошеними краями. З умов рівноваги при чистому згині отримано розподіл напружень у пластині, а потім і вираз для розподілу концентрації вакансій. Методами оптичної мікроскопії спостерігалися треки дислокацій, що рухалися під дією осмотичних сил, спричинених потоками нерівноважних вакансій. Виміряна експериментально швидкість переповзання дислокацій узгоджується з теоретичними оцінками.
Ключові слова: напівпровідники, градієнт напружень, переповзання дислокацій.

Д.М. Фреїк, Р.Я. Михайльонка, В.М. Кланічка

Дефектна підсистема і термоелектричні властивості сплавів на основі телуриду германію при подвійному легуванні телуридами міді і вісмуту

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail: E-mail: freik@pu.if.ua

Запропоновано кристалоквазіхімічний механізм складного легування телуриду германію Cu₂Te i Bi₂Te₃ та зроблено аналіз дефектної підсистеми сплаву.
Ключові слова: телурид германію, атомні дефекти, термоелектричні властивості.

Г.П. Коваленко, І.О. Шуда¹

Вплив квадратично-нелінійного елемента і спонтанного випромінювання на параметри гігантських імпульсів твердотільних лазерів

Сумський національный аграрний університет,
вул. Кірова, 160, м. Суми, 40000, Україна , тел. (0542) 28-84-09
¹Сумський державний університет,
вул. Р.-Корсакова, 2, м. Суми, 40007, Україна,
тел. (0542) 39-23-84, дом. 32-96-11, E-mail: akam@chereda.nef

Розглянуто швидкісні рівняння динаміки твердотільних лазерів в режимі генерації гігантських імпульсів в безрозмірній формі, досліджено розв'язки системи диференціальних рівнянь в залежності від зміни параметрів, показано вплив нелінійного доданку на параметри гігантських імпульсів: максимальне значення інтенсивності, кінцеве значення інверсії, часу тривалості імпульсу та його потужності.
Ключові слова: енергія зв’язку, рідкісноземельні елементи, теплота адсорбції, поверхня перехідних металів.

О.М. Бордун, І.Й. Кухарський

Центри люмінесценції в кераміках Bi₄X₃O₁₂ (X = Si, Ge, Zr)

Львівський національний університет ім. І.Франка
79005 Львів, вул. Драгоманова 50, фізичний факультет
т. (0322) 96-47-14, E-mail: bordun@wups.lviv.ua

Досліджено спектри люмінесценції керамік Bi₄X₃O₁₂ (X = Si, Ge, Zr) із структурою евлітину. Методом Аленцева-Фока проведено розклад спектрів на елементарні складові і встановлено, що спектри люмінесценції ізоструктурних керамік евлітинів мають аналогічну структуру і складаються з трьох елементарних смуг, максимуми яких розташовані при 2,8, 2,45 і 2,1 еВ в Bi₄Si₃O₁₂, 2,7, 2,4 і 2,05 еВ в Bi₄Ge₃O₁₂, 2,65, 2,38 i 2,05 eB в Bi₄Zr₃O₁₂. Розглянуто інтерпретацію виділених смуг свічення.
Ключові слова: кераміка, евлітин, спектри люмінесценції, центри свічення.

M.I. Полєтаєв, О.В. Флорко, А.Н. Золотко, С.В. Козицький¹

Теплообмін субмікронних часток MgO в процесі високотемпературної конденсації

Інститут горіння та нетрадиційних технологій Одеського національного університету ім. 1.1. Мечникова,
65026, Одеса, Україна, (0482) 633-633, E-mail: vov@ictg.intes.odessa.ua ¹Державна морська академія,
65029, Одеса, Україна, (0482) 234-088

На основі оптико-спектральних досліджень та модельних розрахунків визначені: механізм теплообміну субмікронних частинок MgO в зоні горіння окремих частинок Mg в процесі їх росту при зміні атмосферного тиску від 10⁴ до 10⁵ Па. Встановлено, що на початковій стадії теплообмін визначається механізмом зіткнень між молекулами газу з коефіцієнтом a_Е 0,015-0,02, а в процесі росту та спаду тиску зростає роль випромінювання, яке стає визначальним на кінцевій стадії.
Ключові слова: MgO, високотемпературна конденсація.

Л.І. Никируй

Інтерференційні ефекти у кристалах халькогенідів свинцю

Фізико-хімічний інститут Прикарпатського університету імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, м. Івано-Франківськ, 76000, E-mail: liubomyr@pu.if.ua

Проведено розрахунок інтерференційного доданка, як уточнення до розрахунку сумарного часу релаксації t при одночасній дії декількох механізмів розсіювання носіїв у халькогенідах свинцю. Підтверджено справедливість застосування правила Маттісена для розрахунку t.
Ключові слова: механізми розсіювання, інтерференційний доданок, акустичні, оптичні фонони.

Л.В. Дехтярук

Розмірний акустоелектронний осциляційний ефект у металевих двошарових плівках

Харківський державний технічний університет будівництва та архітектури,
вул. Сумська, 40, Харків, 61002, Україна; тел. (0572) 40-29-13

Теоретично проаналізовано частотну та розмірну залежності коефіцієнта поглинання енергії поздовжньої звукової хвилі Г, що поширюється по нормалі до межі поділу шарів у металевих двошарових плівках (ДП) при довільному співвідношенні між товщинами шарів d_j (j = 1, 2) зразка і довжиною вільного пробігу електронів l_j. Передбачено немонотонну залежність величини Г від відношення товщин шарів ДП при виконанні нерівності kd_j<<1 (k - хвильове число звукової хвилі). Якщо ж kd_j>>1, то внаслідок обмеження шарів металу по товщині, коефіцієнт поглинання енергії звукової хвилі стає осцилюючою функцією товщини ДП, амплітуда якої суттєво залежить від ступеня дзеркальності зовнішніх поверхонь і межі поділу шарів. Проведений числовий розрахунок величини Г при довільних значеннях параметрів, які описують об’ємну та поверхневу релаксацію носіїв заряду.
Ключові слова: двошарова плівка, звукова хвиля, коефіцієнт поглинання, деформаційний механізм поглинання, параметр дзеркальності.

Б.К. Остафійчук, В.Д. Федорів, В.О. Коцюбинський, І.П. Яремій

Механізми дефектоутворення в монокристалічних плівках залізо-ітрієвого гранату при іонній імплантації легкими іонами

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

Розглянуто механізми дефектоутворення при імплантації епітаксійних ферит-гранатових плівок залізо-ітрієвого гранату (ЗІГ) іонами В⁺ середніх енергій. Показано, що іонізація внутрішніх електронних оболонок аніонів гратки внаслідок непружного гальмування імплантанта з наступною появою шляхом оже-каскаду позитивного іона може спричинити його викид з вузла за рахунок електростатичної взаємодії з ближнім оточенням. Проведено чисельні розрахунки розподілу дефектів, утворених як внаслідок пружних, так і непружних зіткнень імплантанта вздовж проективного пробігу. Проаналізовано процес ударного пружного дефектоутворення у випадку імплантації легкими іонами середніх енергій. Отримані результати доводять наявність двох областей початку руйнування структури (в зонах максимальних електронних та ядерних енергетичних втрат).
Ключові слова: залізо-ітрієвій гранат, іонна імплантація, електронні та ядерні енергетичні втрати.

В.В. Гоженко¹, Л.Г. Гречко¹, М.Л. Дмитрук², О.Ю. Семчук¹

Оптичні властивості малої кулі поблизу підкладинки

¹Інститут хімії поверхні НАН України,
вул. Генерала Наумова 17, Київ 03164, т. (044) 444-96-97, E-mail: user@surfchem.freenet.kiev.ua
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
пр. Науки, 45, 03028, м. Київ, Україна

В електростатичному наближенні розглянуто вплив підкладинки на оптичні властивості малої кулястої частинки. Для модельної системи "однорідна куля поблизу напівнескінченної підкладинки в однорідному зовнішньому полі" отримано систему рівнянь для знаходження мультипольних коефіцієнтів розкладу електростатичного потенціалу кулі. В дипольному наближенні знайдено тензор поляризовності кулі в такій системі і проаналізовано ефекти впливу підкладинки на оптичні спектри частинки.
Ключові слова: наночастинки, поверхневі плазмони, мультипольний розклад, дипольне наближення, спектр поглинання.

О.В. Шамшурін, Н.П. Єфрюшина, С.Л. Тамазликар

Параметри кристалічного поля іона Mn²⁺ у твердих розчинах на основі Zn₂SiО₄ і Zn₂GeО₄

Фізико-хімічний інститут ім О.В.Богатського НАН України,
65080, м. Одеса, Люсдорфська дорога 86, т. (0482) 66-20-97, E-mail: a href="mailto:physchem@paco.net">physchem@paco.net

Ідентифіковані смуги у спектрах збудження іону Mn²⁺ у твердих розчинах на основі Zn₂SiО₄ і Zn₂GeО₄. Розраховані параметри кристалічного поля у наближенні слабкого поля. Іони Mn2+ у зразках утворюють центри люмінесценції з тетраедричною симетрією. Отримані дані узгоджуються з експериментальними спектрами люмінесценції та збудження. Обговорюються можливі причини збільшення параметра D_q у Zn₂GeО₄: Mn²⁺ відносно Zn₂SiО₄: Mn²⁺.
Ключові слова: вілеміт, люмінесценція, германат, спектри збудження, кристалічне поле.

О.Р. Гуменюк, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик

Хімічне травлення CdTe та твердих розчинів Cd_1-xZn_xTe в розчинах H₂O₂-HJ-винна кислота

Інститут фізики напівпровідників Національної Академії наук України,
Київ, Україна, Київ, пр. Науки, 41; E-mail: tomashyk@isp.kiev.ua

У відтворюваних гідродинамічних умовах досліджено механізм та кінетику фізико-хімічної взаємодії CdTe і твердих розчинів Cd_1-xZn_xTe в розчинах H₂O₂-HI-винна кислота. Визначено основні закономірності хімічного травлення вказаних напівпровідникових матеріалів і побудовано поверхні однакових швидкостей травлення (діаграми Гіббса). Встановлено також області існування поліруючих та неполіруючих розчинів і оптимізовано склади травників для хіміко-динамічного полірування CdTe і твердих розчинів Cd_1-xZn_xTe з різним вмістом цинку.
Ключові слова: травлення, телурид кадмію, твердий розчин, поверхня, травильна композиція, кінетика, механізм.

В.М. Бойчук

Кристалоквазіхімічний зміст домішки галію у телуриді свинцю

Прикарпатський університет імені В. Стефаника, фізичний факультет,
вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

Методами кристалоквазіхімії зроблено аналіз механізмів легування домішкою галію кристалічної структури телуриду свинцю. Проаналізовано два можливі механізми легуючого впливу: вкорінення галію у тетраедричні порожнини і заміщення свинцю в октаедричних порожнинах щільної упаковки атомів телуру.
Ключові слова: телурид свинцю, галій, атомні дефекти, кристалоквазіхімія.

О.В. Дзюпин, Л.І. Іванків, І.В. Кецман

Про співвідношення між концентрацією центрів адсорбції і їх енергією активації хемосорбції

Львівський національний університет імені Івана Франка, фізичний факультет
вул. Драгоманова 50, м. Львів, 79005, Україна; E-mail: ketsman@wups.lviv.ua

У представленій роботі пояснюється експериментальна залежність між концентрацією центрів адсорбції та енергією активації хемосорбції отримана з результатів вивчення адсорболюмінесценції MgО при хемосорбції молекул кисню. Розкривається механізм дисоціації хемосорбованого кисню.
Ключові слова: адсорбція, хемосорбція, MgO.

О. Бодак¹, Ю. Гореленко¹, В. Яровець²

Кристалічна структура і деякі фізичні властивості сполук RNi₅Si₃ (R = Y, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu) та твердого розчину Y(Fe_xNi_1-x)₅Si₃

¹Львівський національний університет імені Івана Франка,
вул. Кирила і Мефодія, 6, 79005 Львів, Україна
²Національний університет “Львівська політехніка”,
вул. С. Бандери, 12, 79013 Львів, Україна

Встановлено структуру сполук DyNi₅Si₃, LuNi₅Si₃ і уточнено параметри атомів в DyNi₅Si₃ за масивом дифрактометричних даних: просторова група P_nma, а = 1,867(8), b = 0,3790(1), с = 0,6634(3) нм , позиції всіх атомів 4(с): x^1/4 z: Dy – (x = 0,142(1), z = 0,882(4), B_iзо = 1,00); Ni(1) – (0,292(3), 0,673(7), 1,04); Ni(2) – (0,497(5), 0,359(7), 2,52); Ni(3) – (0,008(4), 0,633(6), –0,14); Ni(4) –(0,112(3), 0,364(7), 2,63); Ni(5) – (0,298(3), 0,070(6), –0,09); Si(1) – (0,419(7), 0,099(6), 0,30); Si(2) – (0,236(6), 0,383(8), 1,54); Si(3) – (0,413(6), 0,635(9), 0,88), відповідно, R-фактор дорівнює 0,089. Періоди гратки Браве для сполуки LuNi₅Si₃: а = 1,849(2), b = 0,3739(3), с = 0,6710(2) нм. Залежності магнітної сприйнятливості від температури задовольняють закону Кюрі-Вейса за винятком сполук YNi₅Si₃ та LuNi₅Si₃. Ці обидві сполуки відносять до парамагнетиків Паулі. Ефективні магнітні моменти на формульну одиницю добре узгоджуються з теоретичними для йонів R³⁺ відповідного рідкісноземельного компоненту сполук. Результати досліджень k(Н,Т) вказують на відсутність магнітних моментів на атомах Ni. Негативні значення параметрів Q_р вказують на можливість антиферомагнітного впорядкування в сполуках при низьких температурах. Характер залежності питомого електроопору сполук з Y, Gd, Tb від температури вказує на розсіяння зарядів внаслідок sf-взаємодії.
Ключові слова: кристалічна структура, магнітна сприйнятливість, питомий електроопір.

П.I. Iгнатенко, Н.А. Кляхiна, О.O. Гончаров, М.Ю. Бадекiн

Структура, кинетика росту і властивості нітридних плівок нікелю і натрію, отриманих реактивним розпиленням

Донецький національний університет,
вул. Університетська, 24 м. Донецьк, 83055, Україна

Методом корпускулярного легування отримані багатофазні плівки, що містять крім нітридів нікелю і натрію, нітриди титану, а також оксиди. Ріст плівок нітриду нікелю описується лінійним законом, а плівок нітриду натрію – параболічним законом. Адгезия плівок, особливо на нікелевій підкладці, виявляється високою. Питомий опір плівок нітриду нікелю коливається в межах від 0,44 до 1,15·10¹² мкОм·м.
Ключові слова: нитридные плівки, корпускулярне легування, адгезия.

П.І. Мельник¹, Л.О. Капелюх², П.В. Дацко¹

Формування евтектичної структури в плазмонапиленому шарі залізного порошку

¹Прикарпатський університет ім.. В.Стефаника
²Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу

Досліджено формування структури в шарі напиленого шару заліза на сталь в процесі дифузійного хромування після його цементації. Показано що структура евтектики залежить від вмісту вуглецю та хрому в шарі і температури дифузійного хромування.
Ключові слова: евтектична структура, дифузійне хромування.

А.В. Бєсов

Плазмова технологія в зубопротезуванні

Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”,
пр. Перемоги, 39, 02056, Київ, Україна, тел (044) 441-15-46

Розроблено нову технологію, що дозволяє за допомогою портативної плазмової установки наносити ретенційні шари з різних стоматологічних матеріалів на поверхню зубного каркаса. Показано, що ця технологія забезпечує міцне зчеплення плазмових покрить з лицювальним матеріалом.
Ключові слова: плазмова технологія, ретенційні покриття, адгезія.

О.М. Доній, А.А. Кулініч, К.Ю. Гзовський, О.О. Рябініна

Вплив лігатури АlС_0,8Ті_0,7 на структуру та механічні властивості ливарного сплаву Al-5,5%Mg-2,5%Zn

Національний технічний університет України “КПІ”,
проспект Перемоги-37, Київ-56, 252056, Україна, тел.: (044) 441-15-80

Досліджено вплив модифікуючої лігатури АlС_0,8Ті_0,7 на структуру та механічні властивості ливарного сплаву Al-5,5%Mg-2,5%Zn. Показано позитивний вплив даної лігатури як ефективного модифікатора зерна.
Ключові слова: модифікування, лігатура, термічна обробка, механічні властивості, структура.

В.Г. Хижняк, В.І. Король

Механічні властивості карбідних покриттів за участю титану та хрому на сталі У8А

НТУУ «КПІ» Україна, м. Київ 03056 пр. Перемоги, 37

Досліджено зносостійкість сталі У8А з захисними покриттями на основі карбідів титану та хрому при різних умовах зношування. Експериментальні результати показали, що карбідні покриття ефективно підвищують зносостійкість сталі в 25 – 30 раз в залежності від виду зношування. Визначені в роботі мікроміцність, показник мікрокрихкості, адгезія покриття до основи є ефективними характеристиками, що доповнюють та більш повно відображають вплив мікротвердості та напруженого стану, структури, дефектності матеріалу покриття на його стійкість до зносу.
Ключові слова: карбідне покриття, зносостійкість, мікротвердість, мікроміцність, мікрокрихкість, адгезія.

О.П. Онуфрик

Роль вільних електронів у тепловому випромінюванні твердих тіл

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
Україна, 76025, М. Івано-Франківськ, вул. Шевченка,57
Тел.:59-61-09. Е-mail: кre@pu.if.ua

Розглядається явище теплового електромагнітного випромінювання твердого тіла вільними електронами при їх гальмуванні під час зіткнення з атомами.
Ключові слова: абсолютно чорне тіло, вільні електрони, гальмівне випромінювання.

M.В. Ніколенко, А.Д. Грабчук, В.Г. Верещак

Вплив поверхнево-активних речовин на дисперсність гідроксиду цирконію

Український державний хіміко-технологічний університет 49008, Дніпропетровськ, пр. Гагаріна, 8, E-mail: nick@academy.dp.ua

С.П. Новосядлий

Радіаційна зарядова модель К-МОН транзисторів субмікронної технології великих інтегральних схем

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника

На основі проведених досліджень встановлені основні чинники, які відповідають за зарядовий стан підзатворного діелектрика, міжфазної межі Si-SiO₂ та приповерхневої області напівпровідника, при використанні радіаційної технології a-опромінення. Відповідно для даного процесу розроблена зарядова модель, яка дозволяє провести оцінку на радіаційну стійкість К-МОН структур ВІС при їх a-опроміненні по величині зсуву порогових напруг.
Ключові слова: міжфазна межа розділу, радіаційна технологія, a-опромінення.