ФХТТ, Т.4, №4, 2003

Анотації

М.О. Галущак

Особливості процесів дефектоутворення у напівпровідникових плівках сполук A^IVB^VI
(огляд)

Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу,
вул. Карпатська, 15, м. Івано-Франківськ, 76019, Україна

Розглянуто вплив внутрішніх механічних напружень, а також залишкового кисню на процеси дефектоутворення у плівках халькогенідів свинцю, осаджених на різні підкладки. З’ясовано механізм утворення металічної фази при вирощуванні плівок з парової фази. Розглянуто кінетику поверхневої концентрації електронів з врахуванням комплексоутворення власних дефектів з киснем.
Ключові слова: тонкі плівки, халькогеніди свинцю, атомні дефекти, комплексоутворення.

A.Д. Замковец, С.М. Качан, А.Н. Понявіна

Оптичні властивості тонкоплівкових нанокомпозитів метал-діелектрик

Інститут молекулярної і атомної фізики НАН Білорусії,
просп. Ф. Шкарина, 70, Мінськ, Білорусія, E-mail: ponyavina@imaph.bas-net.by

The method for preparation of metal-dielectric nanocomposites with a layered periodic subwavelength structure is proposed. For systems containing silver and copper nanoparticles monolayers the influence of interlayer parameters on transmission/reflection spectra, as well as their absorbency over the spectral range of the surface plasmon frequency has been established and investigated. The quantitative description of the experimental data is made on the base of the statistical theory of multiple scattering of waves.
Ключові слова: metalline nanocomposite, surface plasmon, photonic crystal.

В.Х. Касіяненко, В.Д. Мартинюк

Особливості будови зони провідності у високотемпературних кераміках системи 1:2:3 легованої К і Zn

Вінницький державний технічний університет,
Хмельницьке шосе, 95, м. Вінниця, 21021

З метою розуміння співвідношення між барієвою і мідною стехіометрією, електронною структурою, об’ємним вмістом фаз і температурою переходу в надпровідний стан в системі 1:2:3, ми провели легування для х=0,05 по калію і цинку. Результати отримані нами забезпечують оцінку T_c і дають можливість пов’язати її величину з електронною структурою. Наш аналіз свідчить про те, що можливе значення T_c залежить від структури f-станів в зоні провідності. Також виявлено вплив на температуру надпровідного переходу заміщення атомів в катіонній підрешітці, що зумовлено можливим впливом сегрегацій фаз окремих елементів на фазовий склад на межі зерна. Аналіз особливостей зонної структури, який проведений нами на основі теоретичних розрахунків, передбачає, що T_c залежить від густини електронних станів поблизу рівня Фермі N(E_F). Співставляючи експериментальні і теоретичні результати, ми прийшли до висновку, що для отримання повного енергетичного спектра зони провідності необхідно врахувати вплив дискретно-електронних ефектів на вузлі в атомі Ва.
Ключові слова: надпровідність, кераміка, леговані домішки, кристаліти, спектр.

О.Ю. Ананьїна, О.С. Яновський, А.П. Котляров

Моделювання взаємодії атомарного водню з вакансійним дефектом на поверхні Ge(100)

Запорізький державний університет,
вул. Жуковського 66, м. Запоріжжя, 69063, Україна, Email: ananyina@zsu.zp.ua

У роботі представлені результати квантовохімічних розрахунків процесів адсорбції і десорбції водню на кластерах, що моделюють вакансійні дефекти на Ge(100). Обговорюються можливі механізми протікання цих реакцій при різних ступінях покриття таких поверхонь дигідридною і моногідридною хемосорбційними фазами. Проводитися порівняння результатів моделювання з існуючими експериментальними даними для упорядкованих і модифікованих поверхонь Ge.
Ключові слова: поверхня Ge(100), димер, атомарний водень, вакансійний дефект, адсорбція, десорбція, MOPAC.

А. Савицький, Є. Никонюк, О. Парфенюк, М. Ілащук, П. Фочук, П. Фейчук

Фотоелектричні властивості кристалів Cd_1-xZn_xTe, вирощених під високим тиском Ar

Чернівецький національний університет,
вул. Коцюбинського 2, Чернівці, 58012, Україна
Тел: +380 (372) 58-47-45; факс: +380 (372) 58-48-43, E-mail: fochuk@chnu.cv.ua

Вивчені характеристики монокристалів CdTe та Cd_1-xZn_xTe (x<0,2), вирощених методом HPBM (high pressure Bridgman method) при різних умовах синтезу і тиску Ar 60-120 атм. в лабораторії PHASE (CNRS, Strasbourg). При низьких тисках Ar (60-70 атм.) і попередньому синтезі з наступним перезавантаженням в іншу ампулу можна отримати низькоомні кристали р-типу, подібні до одержаних класичним методом Бріджмена. Напівізолюючі кристали CdTe та Cd_1-xZn_xTe (x<0,2) можуть бути вирощені (без перезавантаження) при тиску Ar, вищому за 120 атм. З фотоелектричних вимірювань були визначені 5 глибоких рівнів (0,5; 0,8; 0,93; 1,23; 1,42 eВ). Однорідність злитку у випадку напівізолюючих кристалів була гіршою.

В.І. Присяжнюк, О.Г. Миколайчук

Структурні особливості, кінетика кристалізації та фізичні властивості плівок сполуки GdFe₂

Львівський національний університет ім. І. Франка, фізичний факультет, кафедра фізики металів,
вул. Кирила і Мефодія 8а, Львів, 79005, тел. 96-43-06, E-mail: prysyazhnyuk@wups.lviv.ua

Одержано аморфні та кристалічні плівки сполуки GdFe₂. Проведено дослідження впливу технологічних умов одержання на структуру плівок і кінетики кристалізації аморфних плівок. Отримано температурні залежності електропровідності та термоелектрорушійної сили аморфних плівок GdFe₂.
Ключові слова: плівка, термічне напилення, аморфний, кінетика кристалізації, структура, електропровідність, термоелектрорушійна сила.

Я.П. Салій, Р.Я. Салій¹

Ефекти просторових кореляцій у процесах контрольованих захопленням на пастки

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна,
¹Київський Національний Університет імені Тараса Шевченка,
вул. Володимирська, 64, Київ, 0017, Україна

В даній роботі досліджені ефекти, зумовлені просторовими кореляціями центрів зародження і їх впливом на кінетику накопичення і агрегації адатомів.
Ключові слова: дифузія, просторова кореляція, захоплення, комп’ютерне моделювання, кліткові автомати.

С.І. Драпак, В.М. Камінський, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, В.Б. Орлецький

Вплив водню на електричні властивості контакту Sn-p-InSe

Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства НАН України,
вул. І. Вільде 5, м. Чернівці, 58001, Україна

Досліджено вплив інтеркаляції воднем моноселеніду індію на електричні властивості фоточутливих структур на його основі типу метал-діелектрик-напівпровідник (МДН) та діода Мота (ДМ). Встановлено, що інтеркаляція воднем базового напівпровідника приводить до покращення діодних властивостей МДН-структури, і погіршення – для ДМ. Проведено аналіз механізмів струмопереносу для обох типів структур на основі їх зонних діаграм.
Ключові слова: контакт метал-напівпровідник, інтеркаляція, водень, зонна діаграма.

С. Вашкевич, М. Беркещук, О. Поплавський

Вплив термообробки та електронного опромінення на елементний склад плівок MgO

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника, фізичний факультет,
вул. Галицька, 201, м. Івано-Франківськ, 76008, Україна

Дослідження плівок MgO проводилось методом оже-електронної спектроскопії. В роботі досліджувались плівки MgO одержані методом високочастотного розпилення в різних умовах (в середовищі аргону та в середовищі аргону з киснем). Розрахунки кількісного елементного складу плівок проводились на основі програми, розробленій на мові програмування Delphi 5.0. Достовірність розрахунків перевірялась за допомогою стандартних зразків високої чистоти. Використання програми значно спрощувало роботу. Виявлено, що в плівках одержаних в середовищі аргону спостерігається порушення стехіометрії складу в сторону надлишку магнія, а плівки отримані в середовищі аргону з киснем порушення стехіометрії незначне.
Ключові слова: оже-електроскопія, стехіометрія, електронне опромінення, елементний склад, термообробка.

Б. Андрієвський, А. Патрин

Дисперсія показника заломлення діелектриків як основа для відновлення фундаментального спектра поглинання

Технічний університет Кошаліну, факультет електроніки,
вул. Партизанів, 17, Кошалін, PL-75-411, Польща

Метод для відновлення спектра поглинання матеріалу k(w') в області фундаментальних збуджень (w') на основі дисперсії показника заломлення n(w) в області пропускання був розроблений і використовувався в дослідженні сегнетоелектричного кристала. Девіацію дисперсії показника заломлення кристала від очікуваної поведінки можна пояснити змыною дисперсыйного співвідношення, викликаного взаємодією оптично активних валентних електронів. Обговорено температурну залежність параметрів цієї взаємодії в області фазового переходу кристала (Tc=49^oC).

О.В. Галочкін, С.Г. Дремлюженко, Я.Д. Захарук, А.І. Раренко, Є.В. Рибак, В.М. Стребежев

Дослідження поверхні і границі розділу структур, сформованих на Cd_1-xZn_xTe і Cd_1-xMn_xTe лазерною проплавкою

Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича,
вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, 58012, Україна, Е-mail: microel@chnu.cv.ua

Методом растрової електронної мікроскопії досліджено морфологію опроміненої рубіновим лазером поверхні та структуру проплавленого шару монокристалів твердих розчинів Cd_1-xZn_xTe, Cd_1-xMn_xTe. Показано можливість створення омічних контактів з використанням лазерної проплавки підконтактної площадки.
Ключові слова: тверді розчини телуриду кадмію, лазерне опромінення, омічні контакти, морфологія.

В.В.Івченко¹, О.М.Сергеєв¹, В.С. Єльнік¹, Н.М.Чуйко²

Край поглинання арсеніда кадмія

¹Херсонський Державний університет, кафедра фізики,
40 років Жовтня 27, Херсон, 73000, Україна,
тел. +380-0552-326768, E-mail: ivchenko@ksu.kherson.ua
²Херсонський державний технічний університет,
факультет кібернетики, лабораторія теорії твердого тіла,
Бериславське шосе, 24, 73008, Херсон, Україна,
тел. +380-0552-516332, E-mail: chuiko@public.kherson.ua

Аналізуються експериментальні дані стосовно краю поглинання кристалічного Cd₃As₂, отримані при температурі 10 К. Обчислення коефіцієнта поглинання вперше проведено у межах анізотропної зонної моделі Боднара. Найкращий збіг теоретичної кривої з експериментальними точками одержано для наступних зонних параметрів: e_g=-0,1 eВ, D=0,33 eВ, P=8·10^-10eВ·м, д=0,12 eВ. Обговорюється також вплив лінійного по хвильовому вектору доданка в дисперсійному рівнянні на тонку структуру оптичного спектра поглинання.

О.Д. Погребняк¹, О.П. Кульментьєва^1,2, А. Марку³, А. Лебідь²

Одержання одно- і двошарових плівок на основі YBa₂Cu₃O_7-X з абеляційної плазми, ініційованої лазерною дією

¹Сумский інститут модифікації поверхні,
вул. Роменская, 87, корп. М, а/я 163, Суми, 40030, Україна;
тел. (054-2) 21-28-16, факс (380 542) 22-03-38; E-mail: apogrebnjak@sіmp.sumy.ua/a>
²Сумский державний університет,
вул. P.-Корсакова, 2, а/я 227, Суми, 40030, Україна;
тел.(054-2) 33-90-18, E-mail: opkulm@ukr.net
³Інститут атомної фізики, Бухарест, Румунія

Представлено результати осадження плівок високотемпературних надпровідників (ВТНП) на основі YBa₂Cu₃O_7-X з абеляційної плазми, одержуваної при імпульсній лазерній дії на мішень. Плазмовій потік направляється на підкладку за допомогою спеціальних рефлектора і маски. Досліджено кінетику абeляційної плазми. Вивчено морфологію поверхні одержуваних плівок, їхній елементний склад, визначені шорсткість і товщина плівок у залежності від кута відбиття абеляційної плазми. Наведено, що якість отриманих плівок залежить від кута відображення плазми, розташування підкладки і товщини плівки.
Ключові слова: високотемпературні надпровідники, абляція, плазма, лазерній промінь, енергетичні спектри пружного розсіяння, мікроскопія атомних сіл, растрова електронна мікроскопія.

М.М. Сльотов, Я.М. Барасюк, М.В. Демич, А.Г. Бужняк, В.Г. Томін

Оптичні властивості поверхневих модифікованих шарів CdTe<O>

Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича,
вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, 58012, (03722)44221, E-mail: oe-dpt@chnu.cv.ua

Досліджено оптичні властивості поверхневих шарів телуриду кадмію. Показано, що відпал кристалів призводить до утворення модифікованого шару, геометричні параметри і фізичні властивості якого визначаються ізовалентною домішкою кисню.
Ключові слова: телурид кадмію, ізовалентна домішка, фотолюмінесценція, l-модульовані спектри, оптичне відбивання.

О.М. Юрченко¹, І.Д. Олексеюк¹, С.С. Новосад²

Люмінесцентні властивості монокристалів СdІ₂, легованих СuІ₂

¹Волинський державний університет ім. Лесі Українки,
пр. Волі 13, 43025, м. Луцьк, тел. (03322) 48427, E-mail: yurchenko@lab.univer.lutsk.ua
²Львівський національний університет ім. І.Франка,
вул. Драгоманова, 50, м. Львів, 79005, тел. (0322) 964346

Проведені дослідження спектрів випромінювання нелегованих і легованих CuІ₂ монокристалів CdІ₂ при рентгенівському та лазерному збудженнях.
Ключові слова: монокристали CdІ₂, легування, рентгенолюмінесценція, фотолюмінесценція, термостимульована люмінесценція.

О.С. Чернюк¹, З.Ф. Томашик², В.І. Гриців¹, B.М. Томашик², В.М. Кашпор¹

Хімічна взаємодія GaSb та GaAs з травильними композиціями систем HNO₃-HBr(HCl)-H₂O

¹Житомирський педагогічний університет ім. І. Франка,
вул. В. Бердичівська 40, Житомир, Україна; e-mail: chernuk@ukr.net
²Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
пр. Науки 41, Київ, Україна; e-mail: tomashyk@isp.kiev.ua

У відтворюваних гідродинамічних умовах досліджено механізм та кінетику хімічної взаємодії GaAs та GaSb з розчинами систем HNO₃-HBr(HCl)-H₂O. Визначено основні закономірності хімічного травлення вказаних напівпровідникових матеріалів і побудовано поверхні однакових швидкостей розчинення, встановлено вплив співвідношення HBr/HNO3 в розчинах HNO₃-HBr(HCl)-H₂O на швидкість полірування поверхні GaAs та GaSb. За допомогою вимірювання потенціалів саморозчинення GaSb, Sb та Ga в розчинах HNO₃-HBr(HCl)-H₂O встановлено причину утворення елементарного стибію на його поверхні в результаті хімічного травлення галій стибіду.
Ключові слова: травлення, поверхня, кінетика, швидкість розчинення, потенціал саморозчинення.

Д.М. Фреїк, І.М. Іванишин, Л.Й. Межиловська

Зарядовий стан вакансій і власні точкові дефекти монотелуриду олова

Прикарпатський університет імені В. Стефаника, фізичний факультет,
вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

За умови утворення дво- та чотири зарядових вакансій олова зроблено аналіз механізмів дефектоутворення у нестехіометричному телуриді олова та при самолегуванні.
Ключові слова: телурид олова, дефекти, нестехіометрія, вакансії.

З.Ф. Томашик, Е.М. Лукіянчук, В.М. Томашик

Хімічне травлення монокристалів InAs та GaAs в розчинах систем H₂O₂ – неорганічна кислота

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
пр. Науки, 41, Київ, 03028, Україна; E-mail: tomashyk@isp.kiev.uaa

У відтворюваних гідродинамічних умовах досліджено характер хімічного розчинення монокристалів InAs та GaAs уF розчинах систем H₂O₂-HNO₃, H₂O₂-H₃PO₄, H₂O₂-HCl і H₂O₂-H₂SO₄. Визначено основні закономірності хімічного травлення вказаних напівпровідникових матеріалів та встановлено концентраційні межі розчинів, що можуть бути використані при розробці травильних композицій для хіміко-динамічного полірування InAs та GaAs.
Ключові слова: травлення, поверхня, кінетика, механізм, індій арсенід, галій арсенідв.

Р.М. Голомб

Квантово-хімічні розрахунки частотного спектру кластерів Ge_nS_m (n=2, m=3, 5-7; n=4, m=3)

Ужгородський національний університет,
вул. Волошина 32, Ужгород, 88000, Україна, E-mail: mitsa@univ.uzhgorod.ua

Методом „ab initio” розраховані атомна конфігурація, повна енергія, енергія утворення та коливальні спектри кластерів Ge_nS_m. Енергія утворення ланцюжкових кластерів Ge_nS_m зменшується із збільшенням довжини ланцюжка. Серед тетраедричних кластерів найбільшу енергію утворення має кластер з Ge-Ge зв’язком. Основна лінія в КР спектрі ланцюжкових кластрів спостерігається при 348см^-1 і не залежить від довжини та типу кінцевих атомів ланцюжка. Найбільш інтенсивна лінія тетраедричних кластерів зміщується від 333 до 380см^-1 в наступному порядку: Ge₂S₇H₆, Ge₂S₆H₄, Ge₂S₆H₆. Особливістю КР спектру кластеру Ge₂S₆H₆ з Ge-Ge зв’язком є лінія при 250см^-1, а кластеру з тетраедрами GeS_4/2, зв’язаними ребрами (Ge₂S₆H₄) – лінія при 424см^-1.
Ключові слова: халькогенідні стекла, GeS₂, атомна структура, кластери, „ab initio” розрахунки.

Т.Р. Татарчук, Г.Д. Бойко, С.С. Лісняк, Д.В. Процький, Н.Б. Оринчук

Кристалоквазіхімічне дослідження впливу домішок на реакційну здатність гематиту

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

В роботі досліджено вплив донорних (Li₂O, MgO) та акцепторних (TiO₂) домішок на природу та концентрацію дефектів в гематиті. Реакційна здатність Fe₂O₃ визначалася концентрацією іонів Fe⁺³ у водному розчині соляної кислоти. Встановлено, що незалежно від природи дефектів реакційна здатність інтеркальованих зразків вища порівняно із власною реакційною здатністю гематиту. Механізм дії домішок вперше обґрунтований на основі хімії напівпровідників з позицій заряджених локалізованих та нелокалізованих дефектів.
Ключові слова: гематит, активні центри, дефекти, кристалоквазіхімічний механізм, домішки.

А.О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, О.П. Кутраков, І.В. Павловський

Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів кремнію в області переходу метал-діелектрик

НУ “Львівська політехніка”, НДЦ “Кристал”,
вул. Котляревського, 1, Львів, 79013,
тел. (0322) 721632, E-mail: druzh@polynet.lviv.ua

Проведено дослідження впливу деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів кремнію, легованих бором, в широкому діапазоні температур 1,7-300 К та магнітного поля з індукцією до 14 Тл. Встановлено, що особливості впливу деформації на зміну питомого опору ниткоподібних кристалів кремнію проявляються в області фазового переходу метал-діелектрик при гелієвих температурах як при накладанні магнітного поля, так і без нього. Також проаналізовано вплив деформації на зміну енергії активації домішкової провідності.
Ключові слова: ниткоподібний кристал, перехід метал-діелектрик, п’єзоопір, коефіцієнт тензочутливості, енергія активації, магнітоопір.

T. Боцар, П. Фрац, Д. Змерзлий

Аналіз оптичного спектра світла, що випускається електричними розрядами в масляній ізоляції

<Технічний університет Ополе, Польща

У статті представлено результати вимірювання оптичного спектру світла, випущеного руйнівними електричними розрядами в системі площина – точка. Оптичні спектри були представлені різними нахилами електродів в точці дотику. Вимірювання проводилися з використанням спектрометра із дифракційною решіткою з напівпровідниковим приладом з зарядовим зв’язком. Інтерпретацію здійснювали для екстремуму в оптичному спектрі, утвореному від зміни енергетичного стану елементів, які є частиною електроду і відбуваються в результаті вільної генерації газу. Для порівняння представлено оптичний спектр для електричних розрядах поверхневого типу.

В.В. Брайловський, П.П. Ватаманюк, П.М. Шпатар

Реєстратор ємності параметричного конденсатора з системою ФАПЧ

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
вул. Коцюбинського 2, м.Чернівці, 58000, Україна

Реєстратор з системою ФАПЧ призначений для вимірювання змін ємності параметричного конденсатора резонансним методом. Досліджено основні параметри реєстратора, приведені теоретичні оцінки вольт-мікронної чутливості та схемотехнічна реалізація. Роздільна здатність вимірювання ємності 0,1 фФ.
Ключові слова: конденсатор, реєстратор ємності.

А.І. Костржицький, О.М. Наумова

До питання про моделювання фізико-хімічної ситуації в порах катодних покрить на сталі

Одеська національна академія харчових технологій,
вул. Канатна 112, м. Одеса, 65039, тел. (0482) 29-11-31, E-mail: profAIK@ipss.net

Запропонована феноменологічна модель зародження і розвитку осередків локальної корозії в порах катодних покрить на сталі. В основу моделі покладений механохімічний механізм розвитку корозійних процесів у напружено деформованому металі. На етапі зародження осередка корозії варто враховувати електрохімічну гетерогенність поверхні. При оцінці фізико-хімічної ситуації у осередку корозії пропонується враховувати спільну дію електрохімічного і механічного факторів, а також ефект разміцнюючої дії водню. Запропоновані розрахункові формули для оцінки внеску окремих осередків корозії в загальну картину формування електричних полів поблизу поверхні пористого катодного покриття, обговорюються особливості протікання електродних процесів у порах покрить різної товщини.
Ключові слова: корозія, катодні покриття, сталі, захисні властивості, електрохімічна гетерогенність.

С.В. Козицький, В.П. Писарський¹, Д.Д. Поліщук¹

Особливості отримання полікристалів ZnS методом самопоширюваного високотемпературного синтезу

Національна морська академія,
вул. Дідріхсона, 8, Одеса, 65029 Email: mech@ma.odessa.ua,
¹Національний університет ім. І.І. Мечникова,
вул. Дворянська, 2, Одеса, 65000 Email: Pysvitp@te.net.ua, Vovchyk@ukr.net

Досліджений механізм реагування та утворення полікристалічних зразків ZnS методом самопоширюваного високотемпературного синтезу (СВС). Матеріал утворюється в реакторі, заповненому інертним газом, шляхом поширення хвилі хімічного реагування по суміші порошків Zn та S. Хвиля хімічного реагування приводить до плавлення компонент, а тиск забезпечує їх реагування в рідкій фазі. Величина тиску в реакторі впливає на повноту реагування та якість синтезованих зразків ZnS. Якісні полікристалічні зразки можна отримати при тиску більше 4 Мпа. Синтезований матеріал є полікристалічним сульфідом цинку з повнотою перетворення 99-99,5%. В отриманих зразках механізми люмінесценції аналогічні з механізмами індукованого випромінювання монокристалів, що вказує на можливість використання СВС-ZnS, як люмінесцентного матеріалу.
Ключові слова: сульфід цинку, шихта, порошки, самопоширюваний високотемпературний синтез, тиск, люмінесценція, полікристали.

Л.М. Зайченко, О.І. Середюк¹, В.Д. Фотій²

Фізико-хімічні особливості виготовлення Fe-електродів та їх застосування у вторинних Ni-Fe-джерелах струму

ВАТ “Кварц”, вул. Головна 246, м. Чернівці,
¹Львівське відділення джерел струму ІПМ НАН, вул. Патона 1, м. Львів,
²КТБ “Фотон-Кварц”, вул. Головна 246, м. Чернівці, Україна

Розглянуті основні існуючі на даний час фізико-хімічні та технологічні особливості отримання субмікронного Fe-порошку та електродів для застосування в Ni-Fe вторинних джерелах струму. Проведений аналіз технології вуглецевого та водневого відновлення заліза, недоліків Fe–електродів порівняно з кадмієвими та висунуті методи їх часткового усунення. Досліджені причини спонтанної втрати ємності Fe–електродів. На основі експериментальних досліджень запропонована комбінована вуглецево-воднева технологія отримання активної маси та електродів зі стабільними характеристиками.
Ключові слова: Fe-електрод, Ni-Fe–акумулятор, відновлення, спікання електродів, ємність електроду.

А.М. Ніколенко

Нова проблема фізики та хімії твердого тіла: мезоскопiчно невпорядковані середовища

Інститут радіофізики та електроніки ім. О.Я. Усикова НАН України
вул. академіка Проскури, 12, Харків, 61085, Україна

Актуальні проблеми сучасного матеріалознавства стосуються так званих консолідованих матеріалів та дисперсних систем, що є вихідною сировиною їх синтезу, а основним об’єктом досліджень фізики та хімії твердого тіла є конденсовані твердофазні системи (з погляду матеріалознавства-компактні матеріали). Ця ситуація породжує певний конфлікт між зазначеними дисциплінами, зумовлений невідповідністю у визначенні основного об‘єкта досліджень, і цим самим формулює проблему перегляду змісту поняття „тверде тіло” та обґрунтовує необхідність розширення спектру фундаментальних досліджень, яке стосується мезоскопічної невпорядкованості. Позаяк мезоскопічно невпорядковані середовища вивчаються в різних сферах наукової діяльності, окреслену проблему слід розглядати як міждисциплінарну.
Ключові слова: матеріал, тверде тіло, ієрархічна структура, мезоскопічна невпорядкованість, мезодефекти, нанотехнології.