ФХТТ, Т.5, №3, 2004

Анотації


Ф.Ф. Комаров, A.M. Миронов

Вуглецеві нанотрубки: сучасне і майбутнє

Інститут фізики прикладних проблем, Білоруський державний університет,
220064,вул. Курчатова, 7, Мінськ, Білорусь, E-mail:KomarovF@bsu.by

Розглянуто існуючі методи синтезу та вивчення вуглецевих нанотрубок. Обговорюються співвідношення між структурними властивостями та електронними, електричними, хімічними і механічними характеристиками вуглецевих нанотрубок. Вказано недавно розроблені методи вирощування загальновідомих нанотрубок із визначаними специфічними властивостями, які перспективні для масового виробництва та всесвітньо відомого використання нанотрубкових приладів. Розглядується сучасне використання нанотрубок і їх перспективи.


Повна версія статті .pdf (2758kb)



Н.В. Ганина, В.А. Шмугуров, В.И. Фистуль

Квантово-химический метод определения энтальпии образования моновакансий в полупроводниках

Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова;
СГУ (Россия, Молдавский филиал)

Методом молекулярных орбиталей рассчитаны значения энтальпий образования моновакансий в алмазоподобных полупроводниках AIV. Отмечено хорошее согласие с опубликованными ранее теоретическими значениями энтальпий, найденными другими методами и с экспериментальными данными.
Ключевые слова: энтальпия, моновакансии, алмазоподобные полупроводники.


Повна версія статті .pdf (299kb)



О.М. Бордун, З.В. Стасюк, І.Й. Кухарський

Фотолюмінесценція тонких плівок Bi12GeO20

Львівський національний університет ім. І.Франка,
вул. Драгоманова, 50, м. Львів, 79005, Україна E-mail: bordun@wups.lviv.ua

Досліджено спектри фотолюмінесценції та збудження люмінесценції тонких плівок Bi12GeO20 при 80 К. Методом Аленцева-Фока проведено розклад спектрів на елементарні складові. Встановлено, що спектри фотолюмінесценції плівок Bi12GeO20 містять три елементарні смуги з максимумами при 2,10, 1,78 і 1,42 еВ. Порівняння отриманих результатів з результатами дослідження спектрів люмінесценції кубічного Bi2O3 та Bi4Ge3O12 свідчить, що люмінесценція в Bi12GeO20 і даних сполуках зумовлена випромінювальними процесами в структурних комплексах, які містять іон вісмуту у найближчому кисневому оточенні.
Ключові слова: тонкі плівки, силленіт, фотолюмінесценція.


Повна версія статті .pdf (272kb)



Б.М. Грицюк, С.Г. Дремлюженко, М.Л. Ковальчук

Температурна залежність поверхневої провідності антимоніду кадмію

Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича,
кафедра фізики напівпровідників і наноструктур,
вул. Коцюбинського 2, Чернівці, 58012, (0372) 584893, E-mail:microel@chnu.cv.ua, SGDrem@mail.ru

В роботі проведені дослідження температурної залежності поверхневої провідності CdSb на зразках клиноподібної форми. За циклами вимірів нагрів – охолодження визначена межа температурної стабільності монокристалів антимоніду кадмію. Встановлено, що при нагріві зразків CdSb вище температури 350 К, в поверхневому шарі відбуваються незворотні зміни.
Ключові слова: антимонід кадмію, поверхнева провідність, хіміко-механічна поліровка, аміноетоксіаеросил, клиноподібний зразок.


Повна версія статті .pdf (247kb)



Я.С. Буджак, А.О. Дружинін, І.П. Островський, С.М. Матвієнко

Ефект Зеєбека в сильно легованих ниткоподібних кристалах Si-Ge

НУ “Львівська політехніка”, НДЦ “Кристал”,
вул. Котляревського, 1, Львів, 79013, тел. (0322) 721632, E-mail:druzh@polynet.lviv.ua

В роботі вимірювався коефіцієнт Зеєбека в деформованих та недеформованих ниткоподібних кристалах (НК) твердих розчинів Si-Ge в інтервалі температур 4,2-200 К. Подається аналіз одержаних результатів вимірювань з урахуванням процесу екранування потенціалів домішкових атомів носіями зарядів.
Ключові слова: ниткоподібні кристали, коефіцієнт Зеєбека, перехід метал-діелектрик, низькі температури.


Повна версія статті .pdf (255kb)



В.А. Соломаха, А.О. Степаненко, А.М. Чорноус

Електрофізичні властивості плівок міді в умовах хімічної взаємодії з газами залишкової атмосфери

Сумський державний університет,
вул. Р.-Корсакова, 2, м. Суми, 40007, Україна, E-mail: info@aph.sumdu.edu.ua


У роботі експериментально досліджено вплив на електрофізичні властивості процесів хімічної взаємодії плівок міді з киснем при відпалюванні зразків у вакуумі до Тв = 1000 К. Показано, що після термобробки плівка представляє собою гетерогенну систему т.р. (Cu–O) + Cu2O. Температура окислення плівок міді залежить від початкової товщини свіжесконденсованої плівки Cu.
Ключові слова: тонкі плівки, оксиди міді, хімічна взаємодія, електрофізичні властивості.


Повна версія статті .pdf (11706kb)



Д.М. Фреїк, В.Ф. Пасічняк, О.Л. Соколов, Б.С. Дзундза

Особливості розсіювання носіїв заряду в епітаксійних структурах на основі халькогенідів свинцю

Кафедра фізики і хімії твердого тіла, Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail: freik@pu.if.ua

Зроблено аналіз залежності рухливості носіїв заряду від товщини епітаксійних одношарових плівок p - PbTe i n - PbS, а також гетероструктур p - PbTe / n - PbS, осаджених із парової фази методом гарячої стінки на сколи (111) кристалів BaF2. Визначено внесок розсіювання на поверхні, а також дислокаціях невідповідності на межі “підкладка - плівка” і гетероструктури.
Ключові слова: плівки, гетероструктури, дислокації, розсіювання, рухливість.


Повна версія статті .pdf (351kb)



В.В. Кидалов1, Г.О. Сукач2, Е.П. Потапенко2, А.Д. Байда1

Властивості пористого арсеніду галію

1Бердянський державний педагогічний університет,
2Інститут фізики напівпровідників ним. В.Є. Лашкарева НАН України

Отримано неокислені шари пористого арсеніду галію. На основі експериментальних вимірювань спектрів фотолюміненсценції і зображень поперечного сколу та зовнішньої поверхні пористих шарів показано, що чинником, який дає внесок в розширення спектральної смуги і, одночасно, її короткохвильовий зсув, є квантово-розмірні ефекти. Проведено оцінку розмірів квантових ниток.
Ключові слова: квантові нитки, фотолюмінесценція, скануюча електронна мікроскопія.


Повна версія статті .pdf (350kb)



Б.М. Рувінський1,2, Б.К. Остафійчук1, М.А. Рувінський1

Поглинання гіперзвуку електронами в прямокутному квантовому дроті

1Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна
2Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу,
вул. Карпатська, 15, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:ruvinsky@il.if.ua

Досліджено електронний механізм поглинання гіперзвуку в прямокутному квантовому дроті – одній із можливих структур мезо- і наноелектроніки. Розраховано дисперсійні криві обмежених акустичних фононів для дроту GaAs з вільною поверхнею і різними поперечними розмірами. Визначено коефіцієнти поглинання обмежених фононів гіперзвуку вздовж дроту з врахуванням квантування електронного спектра і екранування деформаційної та п'єзоелектричної електрон-фононної взаємодії. Чисельні розрахунки проведено для низькотемпературного поглинання гіперзвуку у прямокутному квантовому дроті GaAs. Показано, що спектральні і температурні залежності поглинання суттєво визначаються квантово-розмірними ефектами.
Ключові слова: прямокутний квантовий дріт, обмежені фонони, гіперзвук, електрон-фононна взаємодія, електронне поглинання гіперзвуку.


Повна версія статті .pdf (392kb)



П.О. Кондратенко, Ю.М. Лопаткін

Одно- та двоквантові процеси в твердих розчинах барвників

Національний авіаційний університет,
Сумський державний університет

В роботі проведені експериментальні та теоретичні дослідження процесів в твердих полімерних розчинах барвників, в результаті яких показано, що опромінювання барвників високоенергетичними квантами світла спричинює нестабільність (обезбарвлювання) молекул. При цьому механізмі обезбарвлювання молекули барвника суттєво залежать від природи і розташування її збуджених станів. Наприклад, в молекулі метиленового голубого (МГ) безпосереднім (одно- чи двоквантовим) збудженням можна досягти рівня p,s*-дисоціативного стану, де s*-МО локалізована на S-C-зв’язку. Крім того, виявлені два інші механізми, які включають перенос електрона від збудженої в синглетний стан молекули на матрицю чи від матриці на збуджену молекулу МГ. Аналогічні результати отримані при дослідженні обезбарвлюванні резазурину. В цьому випадку при дисоціації молекули розривається N-O-зв’язок. У випадку діамантового зеленого двоквантових процесів не виявлено, в той час як одноквантові протікають з високою ефективністю.
Ключові слова: тверді розчини, полімерні барвники, обезбарвлювання.


Повна версія статті .pdf (301kb)



Б.К. Котлярчук, Д.І. Попович, А.С. Середницький

Властивості тонких шарів нітриду галію одержаних з допомогою імпульсної лазерної реактивної технології

Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача
вул. Наукова 3б, Львів, 79601, Україна
Tel: +380 (322) 65 19 84, Fax: +380 (322) 63 70 88, E-mail: dept16@iapmm.lviv.ua

Описано лабораторний лазерний технологічний процес синтезу нітридних тонких шарів GaN, GaN:Zn, GaN:Mn, GaN:Cr та вивчені їх основні структурні, електрофізичні та катодолюмінесцентні характеристики. Досліджені спектральні та кінетичні характеристики паро-плазмового факелу в проміжку мішень-підкладка при лазерному випаровуванні в нітридному середовищі. Вивчений характер швидкості переносу і ступеня іонізації плазми від технологічних параметрів (тиск азоту в камері, відстані від мішені, магнітного поля в зоні мішені). Встановлені закономірності взаємозв‘язку між термодинамічними характеристиками процесу конденсації (тиск азоту, температура підкладки), енергетично-часовими режимами і геометрією лазерного напилення з одного боку, та структурою, електрофізичними і катодолюмінесцентними властивостями одержаних тонких нітридних шарів, з другого боку. Вивчені основні закономірності імпульсної лазерної кристалізації, характер зміни яскравості катодолюмінесценції та спектру випромінювання в залежності від густини енергії лазерного відпалу.
Ключові слова: iмпульсна лазерна конденсація, нітриди, тонкі шари, люмінофори.


Повна версія статті .pdf (298kb)



Я.П. Салій, Р.Я. Салій1

Моделювання адсорбційного росту епітаксійного острівця

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна
1Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
вул. Володимирська, 64, Київ, 0017, Україна

В даній роботі досліджено ефекти, зумовлені епітаксійним ростом плівкових кластерів. Розраховано фрактальні характеристики пограничної лінії кластера. Вказано на подібність цієї лінії на регулярну криву Коха.
Ключові слова: епітаксія, фрактал, кластер, комп’ютерне моделювання, клітинкові автомати.


Повна версія статті .pdf (239kb)



В.В. Соловйов, Л.О. Черненко

Моделювання поверхні твердого тіла в рамках кластерного наближення

Полтавський національний університет імені Юрія Кондратюка, кафедра фізики,
пр. Першотравневий, 24, м. Полтава, 36011, Україна,
тел.: (8-0532) 56-99-19, E-mail:rector@pntu.poltava.ua

Запропоновано новий підхід до моделювання поверхні твердого тіла в рамках кластерного наближення, який, наряду з загальноприйнятими методами [1,2,4], оснований на усуненні крайових ефектів, що виникають при “вирізанні” кластера і полягає у насиченні обірваних зв’язків кластера молекулами О2, що дає можливість не тільки продовжувати, а й зберігати властивості трансляційної симетрії поверхні твердого тіла.
Ключові слова: кластерна форма моделі поверхні, крайовий ефект, скловуглецевий електрод, електрохімічно активні частки.


Повна версія статті .pdf (328kb)



Б.К. Остафійчук, І.М. Будзуляк, Я.Т. Соловко, І.П. Яремій, Д.І. Попович

Лазерне опромінення імплантованих Ві-заміщених ФГП

Прикарпатський університет ім. Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна
тел: +(03422) 59-60-75, E-mail:jaroslavsol@rambler.ru

Методами двокристальної дифрактометрії досліджено процеси міграції та анігіляції радіаційних дефектів під дією лазерного опромінення наносекундної тривалості в одно- і двократно імплантованих іонами В+ Ві-заміщених ФГП. Виявлено дві області з відмінними механізмами дефектоутворення, що вказує на наявність принаймні двох груп радіаційних дефектів. Обчислено енергії активації міграції кисневих вакансій Vo та релаксації дефектів френкелівського типу Vo-Io, які рівні відповідно 2,1 та 1,6 еВ. Експериментально встановлено відмінність у механізмах дефектоутворення подвійної імплантації від однократної в кінцевій області пробігу іонів В+.
Ключові слова: ферит-гранатові плівки, одно- і двократна імплантація, лазерне опромінення, рентгенівська дифрактометрія, радіаційні дефекти, профілі деформації.


Повна версія статті .pdf (296kb)



А.М. Овруцький, М.С. Расщупкіна, А.А. Рожко, Г.А. Єрмакова

Монте-Карло моделювання кристалізації тонких плівок

Physical faculty, Dniepropetrovsk National University,
Dniepropetrovsk, 49050, Ukraine E-mail:metal@ff.dsu.dp.ua

Проведено тривимірне моделювання кристалізації мікрообластей розплаву з урахуванням взаємодії атомів з підкладкою, спонтанного утворення кристалічних кластерів із ґраткою алмазу (параметри кремнію) чи простою кубічною ґраткою. Для кубічної ґратки врахована взаємодія атомів із сусідніми атомами з першої другої і третьої координаційних сфер. Обговорюються деякі характеристики епітаксіальних плівок, що отримані внаслідок розрахунків.


Повна версія статті .pdf (321kb)



Л.І. Никируй, В.М. Кланічка, А.В. Лисак, В.М. Шперун

Вплив механізмів розсіювання на термоелектричні властивості телуриду свинцю n-типу

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, Е-mail:liubomyr@pu.if.ua

Проведено дослідження коефіцієнтів термо-е.р.с. a, електропровідності s, теплопровідності k, термоелектричної потужності a2s та добротності Z для кристалів телуриду свинцю n-типу провідності із врахуванням домінуючих механізмів розсіювання носіїв струму у концентраційному діапазоні 1016-1020 см-3 при температурах 4,2-300 К.
Ключові слова: телурид свинцю, термо-е.р.с., електропровідність, теплопровідність, термоелектрична потужність, добротність, механізми розсіювання.


Повна версія статті .pdf (571kb)



В.О. Зуєв , Л.М. Гориня , Н.Ю. Лавріненко

Вплив поверхні на спектр екситонного відбивання в b-ZnP2

Національна академія оборони України,
Повітрянофлотський проспект 28, м. Київ 03049, Україна

Для кристалів b-ZnP2 вивчено вплив безекситонного шару та поверхневого згину зон на екситонне відбивання. В області прояву А-екситонів спостерігається (при виснажених зонах) додатковий мінімум. Фізична природа його зумовлена локалізацією екситонів в приповерхневій штарківській ямі.
Ключові слова: екситон, згин зон, поверхня, відбивання.


Повна версія статті .pdf (264kb)



У.М. Писклинець

Атомні дефекти у кристалах CdTe:Ge

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

На основі квазіхімічної теорії проведено аналіз дефектного стану кристалів CdTe<Ge> при відпалі у парі кадмію. Показано, що модель асоціативних центрів (GeCdVCd) дає задовільне узгодження з експериментом при PCd~102Па. В області високих парціальних тисків пари кадмію потрібно враховувати крім того існування домішки у вигляді преципітатів.
Ключові слова: телурид кадмію, високотемпературний відпал, ефект Холла, точкові дефекти, дефектна структура, моделювання.


Повна версія статті .pdf (325kb)



А.М. Яцура

Дефекти у плівках PbSe<Pb>:Bi

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
кафедра фізики і хімії твердого тіла,
вул. Галицька 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

Запропоновано квазіхімічні рівняння утворення дефектів у легованих вісмутом плівках РbSe, вирощених у вакуумі за умов насичення пари свинцем. Показано, що при температурах додаткового джерела із свинцем Тд = 400-650 К крім амфотерного впливу домішки (BiPb+), (BiSe-) домінують дефекти, пов’язані з утворенням міжвузлового свинцю (Pbi+).
Ключові слова: плівки, селенід свинцю, легування, дефекти.


Повна версія статті .pdf (277kb)



В.Ф. Зінченко1, Н.П. Єфрюшина1, О.Г. Єрьомін1, В.Я. Марків2, І.В. Стоянова1, В.П. Антонович1, О.В. Мозкова3, Н.М. Білявіна2

Структура і оптичні властивості фаз у системі EuF3-CeF3

1Фізико-хімічний інститут ім. О.В. Богатського НАН України,
Люстдорфська дорога, 86, 65080, Одеса, Україна; E-mail: vfzinchenko@ukr.net
2Київський національний університет ім. Тараса Шевченка,
вул. Володимирська, 64, 01003, Київ, Україна; E-mail: belmar@mail.univ.kiev.ua
3Центральне конструкторське бюро "Арсенал”,
вул. Московська, 8, 02010, Київ, Україна E-mail: borisgor@i.com.ua

Методами рентгенівського дифракційного аналізу та спектроскопії дифузного відбиття досліджено взаємодію між EuF3 й CeF3 прожарюванні, плавленні і випаровуванні у вакуумі та склад фаз, що утворилися. Встановлено утворення нових фаз на основі складних фторидів Eu(ІІ) та Ce(ІV). Вони виявляють послаблення смуг поглинання у близькому ІЧ діапазоні спектру завдяки 4f-4f електронним переходам у іонах Eu(ІІІ) та значне посилення смуг поглинання в УФ діапазоні спектру. Одержані з матеріалів системи EuF3-CeF3 покриття мають вельми високі оптичні та експлуатаційні характеристики.
Ключові слова: лантаніди, взаємодія, складні фториди, фазовий склад, оптичне поглинання, покриття.


Повна версія статті .pdf (362kb)



І.Ф. Миронюк, М.О. Поважняк, В.Л. Челядин, В.В. Стрелко1

Нові аспекти термічної дегідратації гідроксиду магнію

Прикарпатський університет ім. В.Стефаника,
вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, 76025, Україна
1Інститут сорбції та проблем ендоекології НАН України,
вул. Генерала Наумова 13, Київ, 03164, Україна

Одержані при змішуванні MgCl2·6H2O з водним розчином NaOH пластівчасті кристали Mg(OH)2 набувають під час висушування оригінальної форми – вони згортаються в трубки діаметром 5-13 нм і довжиною 100-200 нм. В температурному інтервалі основного етапу дегідратації гідроксиду магнію (325-470oС) утворюються MgO і нижчий оксид Mg4O3. Кристали оксидів мають пелюсткову форму. Їх розмір складає 40-90 нм, а товщина ~1,7 нм. Із зростанням температури прожарювання вони спікаються і стають однофазними. Формування кубічного габітусу MgO завершується при температурі 900oС.
Зменшення довжини зв’язку Mg-O і відповідно зростання міжатомної взаємодії при переході від пошестерної координації іонів магнію, щодо ОН-груп в Mg(OH)2 (2,1518Å), до октаедричного оточення іонів магнію в MgPb для оксиду магнію (2,1157Å)і дальше до почетвереного оточення частини іонів магнію в Mg4O3 (2,013Å), проявляється і ІЧ-спектрах (інфрачервоних спектрах) зростанням частоти валентних коливань вказаного зв’язку. Вища частота коливань поверхневих гідроксильних груп в Mg4O3 (3720 см-1) у порівнянні з частотою гідроксилів MgO (3700 см-1) вказує на більш основні властивості нижчого оксиду магнію.
Ключові слова: гідроксид магнію, оксид магнію, нижчий оксид магнію, термічна дегідратація, деривитографія.


Повна версія статті .pdf (691kb)



Д.М.Фреїк, В.В. Прокопів, І.М. Хацевич, В.Б. Ваньчук

Константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів різного зарядового стану у селеніді свинцю

Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, Івано-Франківськ, 76000, Україна

В роботі уточнено значення констант рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів в селеніді свинцю на основі апроксимації експериментальних результатів двотемпературного відпалу кристалів теоретичними моделями у припущенні існування двозарядних міжвузлових атомів і однозарядних вакансій у металевій підгратці. На основі аналізу загальної умови електронейтральності знайдено залежності концентрації дефектів і носіїв струму від температури і парціального тиску селену при реалізації двотемпературного відпалу.
Ключові слова: селенід свинцю, дефекти, константи рівноваги, квазіхімічні реакції.


Повна версія статті .pdf (293kb)



Г.О. Сіренко, Н.І. Луцишин

Вплив наночастинок загущувача пластичного мастила на взаємодію з перхлоратом амонію

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:nli@optima.com.ua

Досліджений розклад наночастинок твердого перхлорату амонію, який проходить ступінчасто, при зміні температури продукти розкладу змінюються. При внесенні перфторполіефірів з наночастиноками модифікованих аеросилів до перхлорату амонію його розпад сповільнюється, при цьому збільшується робоча температура окисника i зменшується виділення кількості тепла.
Ключові слова: наночастинки, перхлорат амонію, перфторполіефіри, аеросили, органоаеросили.


Повна версія статті .pdf (311kb)



П.П. Горбик, І.В. Дубровін, М.М. Філоненко

Хімічний метод одержання нанокристалічних текстурованих плівок оксиду цинку

Інститут хімії поверхні Національної академії наук України
вул. Генерала Наумова, 17, м. Київ, 03680, Тел.: (044)444 96 21, E-mail:mfilonenko@ukr.net

Повідомляється про низькотемпературний безвакуумний синтез нанокристалічних плівок оксиду цинку піролізом аерозолей розчину хлориду цинку. Досліджено діаграму плавкості системи ZnCl2-ZnO в області малих концентрацій оксиду, морфологію отриманих плівок.
Ключові слова: синтез, нанокристалічні плівки, оксид цинку, діаграма плавкості, піроліз аерозолей.


Повна версія статті .pdf (442kb)



Г.О. Сіренко, В.П. Свідерський1, Л.В. Караванович

Залежність теплофізичних властивостей полімерних матеріалів від типу і форми наповнювачів

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна
1Хмельницький національний університет,
вул. Інститутська 11, м. Хмельницький, 29016, Україна

Досліджено залежність між розміром частинок наповнювача, їх формою та розподілом за розмірами, концентрацією, ступенем графітації, теплопровідністю частинок наповнювача та теплопровідністю композиту на основі політетрафторетилену і ароматичного поліаміду. Зроблено теоретичний аналіз результатів розрахунків теплопровідності композитів з різними наповнювачами за моделями Максвелла-Ейкена, Оделевського, Дульнева і Нільсена.
Ключові слова: композиційні матеріали, політетрафторетилен, ароматичний поліамід, наповнювач, теплопровідність.


Повна версія статті .pdf (325kb)



А.І. Костржицький, О.В. Ляпіна

Особливості електродних процесів на поверхні конденсатів мідь-олово та їх аналогів у нейтральних середовищах

Одеська національна академія харчових технологій,
вул. Канатна, 112, м. Одеса, 65039, (0482) 29-11-31, E-mail: profAIK@ipss.net

Вивчені особливості електродних потенціалів, отримані експериментальні дані про параметри процесу електрохімічної корозії при зовнішній поляризації. Розраховано константи Тафеля bа і bдо, струми обміну і струм корозії. Показано, що існує область сполук (38...45 мас.% Sn), що мають підвищену стійкість. Легування основної системи Cu-Sn алюмінієм і нікелем впливає на характер електродних процесів у середньому діапазоні сполук; у меншому ступені цей вплив виявляється на малолегованих і високоолов’яних сплавів. Струми обміну jо не залежать від сполуки систем і лежать у тих же межах що і струми корозії.
Ключові слова: потенціал, корозія, конденсовані плівки, поляризація.


Повна версія статті
.pdf (310kb)



О.М. Гулівець, О.С. Баскевич1, В.О. Заблудовський, Е.П. Штапенко, Р.П. Ганич

Дослідження впливу катодної перенапруги на структуру електроосаджених плівок Ni-P, Со-Р

Дніпропетровський національний університет залізничного транспорту імені академіка В. Лазаряна,
вул. Ак. В. Лазаряна, 2, Дніпропетровськ, 49010, Україна
тел.: (056) 776-17-05, E-mail: physmet@ff.dsu.dp.ua, shtapenk@a-teleport.com,
1Український державний хіміко-технологічний університет, тел.: (0562) 46-62-51

Досліджено вплив режимів імпульсного струму на структуру електроосаджених плівок Ni-P, Со-Р. Встановлено, що на формування аморфного та мікрокристалічного стану істотний вплив надає нерівноважність умов кристалізації, яка викликана величиною і швидкістю зміни пересичення на катоді при імпульсному осадженні.
Ключові слова: аморфний і мікрокристалічний стан, структура, імпульсний струм, перенапруга на катоді.


Повна версія статті .pdf (296kb)



П.І. Лобода

Вплив досконалості мікроструктури на електропровідність гексабориду лантану

Національній технічний університет України “КПІ”,
м. Київ, пр-т Перемоги, 37, корп. 9,
тел.: 241-76-17, E-maіl: PetrLoboda@yandex.ru

За даними експериментальних досліджень електроопору пресовок спечених із порошку з надлишком бору (1-10 об.%) та монокристалів з щільністю дислокацій 103-106 см-2, одержаних способом зонної плавки порошкових матеріалів з розчинником домішок, що рухається, встановлено вклад щільності об’ємних (границь зерен), лінійних (дислокацій) та точкових (вакансій в підгратці лантану) дефектів будови кристалічної гратки в електропровідність гексабориду лантану.
Ключові слова: гексаборид лантану, провідність, електроопір, дефекти кристалічної гратки, дислокація, вакансія, підгратка, мікротвердість.


Повна версія статті
.pdf (362kb)



В.І. Тимофєєв, О.В. Семеновська, М.В. Приходько

Особливості моделювання процесів саморозігріву у субмікронних гетероструктурних транзисторах

Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”,
пр. Перемоги, 37, Київ-056, 03056,
E-mail:timof@ntu-kpi.kiev.ua, sem@phbme.ntu-kpi.kiev.ua

В статті представлено схемну модель гетеробіполярного транзистора, що враховує ефект саморозігріву. Проведено аналіз параметрів схемної моделі транзистора. Визначено критерій вибору значень баластного опору. Показано вплив ефекту саморозігріву на частотні характеристики однокаскадного підсилювача надвисоких частот.
Ключові слова: саморозігрів, моделювання, гетероструктурний біполярний транзистор.


Повна версія статті
.pdf (395kb)



В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, П.Ф. Романенко, О.С. Литвин, І.З. Індутний

Зміна експозиційних характеристик халькогенідних фоторезистів під час зберігання

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

Представлено результати досліджень процесу запису голографічних дифракційних граток випромінюванням гелій-неонового лазера. Як реєструючі середовища вибрані неорганічні As40S20Se40 та As40Se60 фоторезисти разом з новими високоселективними травниками. Досліджувались залежності експозиційних характеристик цих халькогенідних резистів від часу зберігання при кімнатній температурі. Вимірювались також кутові та спектральні залежності дифракційної ефективності граток. Показано, що профіль штрихів граток з максимальною ефективністю близький до синусоїди з глибиною біля 300 нм. Максимальна дифракційна ефективність граток ~ 83 % в поляризованому світлі і ~ 75 % в неполяризованому. Досліджувані фоторезисти придатні для запису високоефективних рельєфно-фазових оптичних елементів з допомогою довгохвильового видимого випромінювання. Однак час зберігання для пластин з As40Se60 фоторезистом не перевищує одного місяця, а для As40S20Se40 - майже в два рази більше.
Ключові слова: халькогенідні фоторезисти, дифракційна ефективність.


Повна версія статті .pdf (341kb)



Л.Ю. Козак

Природа пластичності металів

Івано-Франківський національний технічний університет нафти й газу,
76000, м. Івано-Франківськ, вул. Карпатська, 15
тел. (03722)42351, E-mail:kozakl@ifdtung.if.ua

У статті викладені нові погляди на природу пластичності металів, в основу яких закладено ідеї нестійкості. На двовимірній моделі було показано, що кристалічна гратка зі сферично симетричним потенціалом міжатомної взаємодії є нестійкою. У такій кристалічній гратці між атомами і їх найближчими сусідами діють сили відштовхування, які врівноважуються силами притягання, що діють між атомами і їх дальніми сусідами. Внаслідок нестійкості при дії зовнішніх зусиль атоми гратки переміщаються у нові, більш стійкі, положення, у результаті чого відбувається пластична деформація.
Ключові слова: двовимірна модель, пластична деформація, сферично симетричний потенціал, міжатомна взаємодія, кристалічна гратка, нестійкість.


Повна версія статті
.pdf (319kb)