ФХТТ, Т.5, №3, 2004

Анотації

Ф.Ф. Комаров, A.M. Миронов

Вуглецеві нанотрубки: сучасне і майбутнє

Інститут фізики прикладних проблем, Білоруський державний університет,
220064,вул. Курчатова, 7, Мінськ, Білорусь, E-mail:KomarovF@bsu.by

Розглянуто існуючі методи синтезу та вивчення вуглецевих нанотрубок. Обговорюються співвідношення між структурними властивостями та електронними, електричними, хімічними і механічними характеристиками вуглецевих нанотрубок. Вказано недавно розроблені методи вирощування загальновідомих нанотрубок із визначаними специфічними властивостями, які перспективні для масового виробництва та всесвітньо відомого використання нанотрубкових приладів. Розглядується сучасне використання нанотрубок і їх перспективи.

Н.В. Ганина, В.А. Шмугуров, В.И. Фистуль

Квантово-химический метод определения энтальпии образования моновакансий в полупроводниках

Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова;
СГУ (Россия, Молдавский филиал)

Методом молекулярных орбиталей рассчитаны значения энтальпий образования моновакансий в алмазоподобных полупроводниках AIV. Отмечено хорошее согласие с опубликованными ранее теоретическими значениями энтальпий, найденными другими методами и с экспериментальными данными.
Ключевые слова: энтальпия, моновакансии, алмазоподобные полупроводники.

О.М. Бордун, З.В. Стасюк, І.Й. Кухарський

Фотолюмінесценція тонких плівок Bi₁₂GeO₂₀

Львівський національний університет ім. І.Франка,
вул. Драгоманова, 50, м. Львів, 79005, Україна E-mail: bordun@wups.lviv.ua

Досліджено спектри фотолюмінесценції та збудження люмінесценції тонких плівок Bi₁₂GeO₂₀ при 80 К. Методом Аленцева-Фока проведено розклад спектрів на елементарні складові. Встановлено, що спектри фотолюмінесценції плівок Bi₁₂GeO₂₀ містять три елементарні смуги з максимумами при 2,10, 1,78 і 1,42 еВ. Порівняння отриманих результатів з результатами дослідження спектрів люмінесценції кубічного Bi₂O₃ та Bi₄Ge₃O₁₂ свідчить, що люмінесценція в Bi₁₂GeO₂₀ і даних сполуках зумовлена випромінювальними процесами в структурних комплексах, які містять іон вісмуту у найближчому кисневому оточенні.
Ключові слова: тонкі плівки, силленіт, фотолюмінесценція.

Б.М. Грицюк, С.Г. Дремлюженко, М.Л. Ковальчук

Температурна залежність поверхневої провідності антимоніду кадмію

Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича,
кафедра фізики напівпровідників і наноструктур,
вул. Коцюбинського 2, Чернівці, 58012, (0372) 584893, E-mail:microel@chnu.cv.ua, SGDrem@mail.ru

В роботі проведені дослідження температурної залежності поверхневої провідності CdSb на зразках клиноподібної форми. За циклами вимірів нагрів – охолодження визначена межа температурної стабільності монокристалів антимоніду кадмію. Встановлено, що при нагріві зразків CdSb вище температури 350 К, в поверхневому шарі відбуваються незворотні зміни.
Ключові слова: антимонід кадмію, поверхнева провідність, хіміко-механічна поліровка, аміноетоксіаеросил, клиноподібний зразок.

Я.С. Буджак, А.О. Дружинін, І.П. Островський, С.М. Матвієнко

Ефект Зеєбека в сильно легованих ниткоподібних кристалах Si-Ge

НУ “Львівська політехніка”, НДЦ “Кристал”,
вул. Котляревського, 1, Львів, 79013, тел. (0322) 721632, E-mail:druzh@polynet.lviv.ua

В роботі вимірювався коефіцієнт Зеєбека в деформованих та недеформованих ниткоподібних кристалах (НК) твердих розчинів Si-Ge в інтервалі температур 4,2-200 К. Подається аналіз одержаних результатів вимірювань з урахуванням процесу екранування потенціалів домішкових атомів носіями зарядів.
Ключові слова: ниткоподібні кристали, коефіцієнт Зеєбека, перехід метал-діелектрик, низькі температури.

В.А. Соломаха, А.О. Степаненко, А.М. Чорноус

Електрофізичні властивості плівок міді в умовах хімічної взаємодії з газами залишкової атмосфери

Сумський державний університет,
вул. Р.-Корсакова, 2, м. Суми, 40007, Україна, E-mail: info@aph.sumdu.edu.ua

У роботі експериментально досліджено вплив на електрофізичні властивості процесів хімічної взаємодії плівок міді з киснем при відпалюванні зразків у вакуумі до Т_в = 1000 К. Показано, що після термобробки плівка представляє собою гетерогенну систему т.р. (Cu–O) + Cu₂O. Температура окислення плівок міді залежить від початкової товщини свіжесконденсованої плівки Cu.
Ключові слова: тонкі плівки, оксиди міді, хімічна взаємодія, електрофізичні властивості.

Д.М. Фреїк, В.Ф. Пасічняк, О.Л. Соколов, Б.С. Дзундза

Особливості розсіювання носіїв заряду в епітаксійних структурах на основі халькогенідів свинцю

Кафедра фізики і хімії твердого тіла, Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail: freik@pu.if.ua

Зроблено аналіз залежності рухливості носіїв заряду від товщини епітаксійних одношарових плівок p - PbTe i n - PbS, а також гетероструктур p - PbTe / n - PbS, осаджених із парової фази методом гарячої стінки на сколи (111) кристалів BaF₂. Визначено внесок розсіювання на поверхні, а також дислокаціях невідповідності на межі “підкладка - плівка” і гетероструктури.
Ключові слова: плівки, гетероструктури, дислокації, розсіювання, рухливість.

В.В. Кидалов¹, Г.О. Сукач², Е.П. Потапенко², А.Д. Байда¹

Властивості пористого арсеніду галію

¹Бердянський державний педагогічний університет,
²Інститут фізики напівпровідників ним. В.Є. Лашкарева НАН України

Отримано неокислені шари пористого арсеніду галію. На основі експериментальних вимірювань спектрів фотолюміненсценції і зображень поперечного сколу та зовнішньої поверхні пористих шарів показано, що чинником, який дає внесок в розширення спектральної смуги і, одночасно, її короткохвильовий зсув, є квантово-розмірні ефекти. Проведено оцінку розмірів квантових ниток.
Ключові слова: квантові нитки, фотолюмінесценція, скануюча електронна мікроскопія.

Б.М. Рувінський^1,2, Б.К. Остафійчук¹, М.А. Рувінський¹

Поглинання гіперзвуку електронами в прямокутному квантовому дроті

¹Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна
²Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу,
вул. Карпатська, 15, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:ruvinsky@il.if.ua

Досліджено електронний механізм поглинання гіперзвуку в прямокутному квантовому дроті – одній із можливих структур мезо- і наноелектроніки. Розраховано дисперсійні криві обмежених акустичних фононів для дроту GaAs з вільною поверхнею і різними поперечними розмірами. Визначено коефіцієнти поглинання обмежених фононів гіперзвуку вздовж дроту з врахуванням квантування електронного спектра і екранування деформаційної та п'єзоелектричної електрон-фононної взаємодії. Чисельні розрахунки проведено для низькотемпературного поглинання гіперзвуку у прямокутному квантовому дроті GaAs. Показано, що спектральні і температурні залежності поглинання суттєво визначаються квантово-розмірними ефектами.
Ключові слова: прямокутний квантовий дріт, обмежені фонони, гіперзвук, електрон-фононна взаємодія, електронне поглинання гіперзвуку.

П.О. Кондратенко, Ю.М. Лопаткін

Одно- та двоквантові процеси в твердих розчинах барвників

Національний авіаційний університет,
Сумський державний університет

В роботі проведені експериментальні та теоретичні дослідження процесів в твердих полімерних розчинах барвників, в результаті яких показано, що опромінювання барвників високоенергетичними квантами світла спричинює нестабільність (обезбарвлювання) молекул. При цьому механізмі обезбарвлювання молекули барвника суттєво залежать від природи і розташування її збуджених станів. Наприклад, в молекулі метиленового голубого (МГ) безпосереднім (одно- чи двоквантовим) збудженням можна досягти рівня p,s*-дисоціативного стану, де s*-МО локалізована на S-C-зв’язку. Крім того, виявлені два інші механізми, які включають перенос електрона від збудженої в синглетний стан молекули на матрицю чи від матриці на збуджену молекулу МГ. Аналогічні результати отримані при дослідженні обезбарвлюванні резазурину. В цьому випадку при дисоціації молекули розривається N-O-зв’язок. У випадку діамантового зеленого двоквантових процесів не виявлено, в той час як одноквантові протікають з високою ефективністю.
Ключові слова: тверді розчини, полімерні барвники, обезбарвлювання.

Б.К. Котлярчук, Д.І. Попович, А.С. Середницький

Властивості тонких шарів нітриду галію одержаних з допомогою імпульсної лазерної реактивної технології

Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача
вул. Наукова 3б, Львів, 79601, Україна
Tel: +380 (322) 65 19 84, Fax: +380 (322) 63 70 88, E-mail: dept16@iapmm.lviv.ua

Описано лабораторний лазерний технологічний процес синтезу нітридних тонких шарів GaN, GaN:Zn, GaN:Mn, GaN:Cr та вивчені їх основні структурні, електрофізичні та катодолюмінесцентні характеристики. Досліджені спектральні та кінетичні характеристики паро-плазмового факелу в проміжку мішень-підкладка при лазерному випаровуванні в нітридному середовищі. Вивчений характер швидкості переносу і ступеня іонізації плазми від технологічних параметрів (тиск азоту в камері, відстані від мішені, магнітного поля в зоні мішені). Встановлені закономірності взаємозв‘язку між термодинамічними характеристиками процесу конденсації (тиск азоту, температура підкладки), енергетично-часовими режимами і геометрією лазерного напилення з одного боку, та структурою, електрофізичними і катодолюмінесцентними властивостями одержаних тонких нітридних шарів, з другого боку. Вивчені основні закономірності імпульсної лазерної кристалізації, характер зміни яскравості катодолюмінесценції та спектру випромінювання в залежності від густини енергії лазерного відпалу.
Ключові слова: iмпульсна лазерна конденсація, нітриди, тонкі шари, люмінофори.

Я.П. Салій, Р.Я. Салій¹

Моделювання адсорбційного росту епітаксійного острівця

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна
¹Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
вул. Володимирська, 64, Київ, 0017, Україна

В даній роботі досліджено ефекти, зумовлені епітаксійним ростом плівкових кластерів. Розраховано фрактальні характеристики пограничної лінії кластера. Вказано на подібність цієї лінії на регулярну криву Коха.
Ключові слова: епітаксія, фрактал, кластер, комп’ютерне моделювання, клітинкові автомати.

В.В. Соловйов, Л.О. Черненко

Моделювання поверхні твердого тіла в рамках кластерного наближення

Полтавський національний університет імені Юрія Кондратюка, кафедра фізики,
пр. Першотравневий, 24, м. Полтава, 36011, Україна,
тел.: (8-0532) 56-99-19, E-mail:rector@pntu.poltava.ua

Запропоновано новий підхід до моделювання поверхні твердого тіла в рамках кластерного наближення, який, наряду з загальноприйнятими методами [1,2,4], оснований на усуненні крайових ефектів, що виникають при “вирізанні” кластера і полягає у насиченні обірваних зв’язків кластера молекулами О₂, що дає можливість не тільки продовжувати, а й зберігати властивості трансляційної симетрії поверхні твердого тіла.
Ключові слова: кластерна форма моделі поверхні, крайовий ефект, скловуглецевий електрод, електрохімічно активні частки.

Б.К. Остафійчук, І.М. Будзуляк, Я.Т. Соловко, І.П. Яремій, Д.І. Попович

Лазерне опромінення імплантованих Ві-заміщених ФГП

Прикарпатський університет ім. Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна
тел: +(03422) 59-60-75, E-mail:jaroslavsol@rambler.ru

Методами двокристальної дифрактометрії досліджено процеси міграції та анігіляції радіаційних дефектів під дією лазерного опромінення наносекундної тривалості в одно- і двократно імплантованих іонами В⁺ Ві-заміщених ФГП. Виявлено дві області з відмінними механізмами дефектоутворення, що вказує на наявність принаймні двох груп радіаційних дефектів. Обчислено енергії активації міграції кисневих вакансій Vo та релаксації дефектів френкелівського типу V_o-I_o, які рівні відповідно 2,1 та 1,6 еВ. Експериментально встановлено відмінність у механізмах дефектоутворення подвійної імплантації від однократної в кінцевій області пробігу іонів В⁺.
Ключові слова: ферит-гранатові плівки, одно- і двократна імплантація, лазерне опромінення, рентгенівська дифрактометрія, радіаційні дефекти, профілі деформації.

А.М. Овруцький, М.С. Расщупкіна, А.А. Рожко, Г.А. Єрмакова

Монте-Карло моделювання кристалізації тонких плівок

Physical faculty, Dniepropetrovsk National University,
Dniepropetrovsk, 49050, Ukraine E-mail:metal@ff.dsu.dp.ua

Проведено тривимірне моделювання кристалізації мікрообластей розплаву з урахуванням взаємодії атомів з підкладкою, спонтанного утворення кристалічних кластерів із ґраткою алмазу (параметри кремнію) чи простою кубічною ґраткою. Для кубічної ґратки врахована взаємодія атомів із сусідніми атомами з першої другої і третьої координаційних сфер. Обговорюються деякі характеристики епітаксіальних плівок, що отримані внаслідок розрахунків.

Л.І. Никируй, В.М. Кланічка, А.В. Лисак, В.М. Шперун

Вплив механізмів розсіювання на термоелектричні властивості телуриду свинцю n-типу

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, Е-mail:liubomyr@pu.if.ua

Проведено дослідження коефіцієнтів термо-е.р.с. a, електропровідності s, теплопровідності k, термоелектричної потужності a²s та добротності Z для кристалів телуриду свинцю n-типу провідності із врахуванням домінуючих механізмів розсіювання носіїв струму у концентраційному діапазоні 10¹⁶-10²⁰ см^-3 при температурах 4,2-300 К.
Ключові слова: телурид свинцю, термо-е.р.с., електропровідність, теплопровідність, термоелектрична потужність, добротність, механізми розсіювання.

В.О. Зуєв , Л.М. Гориня , Н.Ю. Лавріненко

Вплив поверхні на спектр екситонного відбивання в b-ZnP₂

Національна академія оборони України,
Повітрянофлотський проспект 28, м. Київ 03049, Україна

Для кристалів b-ZnP₂ вивчено вплив безекситонного шару та поверхневого згину зон на екситонне відбивання. В області прояву А-екситонів спостерігається (при виснажених зонах) додатковий мінімум. Фізична природа його зумовлена локалізацією екситонів в приповерхневій штарківській ямі.
Ключові слова: екситон, згин зон, поверхня, відбивання.

У.М. Писклинець

Атомні дефекти у кристалах CdTe:Ge

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

На основі квазіхімічної теорії проведено аналіз дефектного стану кристалів CdTe<Ge> при відпалі у парі кадмію. Показано, що модель асоціативних центрів (Ge_CdV_Cd) дає задовільне узгодження з експериментом при P_Cd~10²Па. В області високих парціальних тисків пари кадмію потрібно враховувати крім того існування домішки у вигляді преципітатів.
Ключові слова: телурид кадмію, високотемпературний відпал, ефект Холла, точкові дефекти, дефектна структура, моделювання.

А.М. Яцура

Дефекти у плівках PbSe<Pb>:Bi

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
кафедра фізики і хімії твердого тіла,
вул. Галицька 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

Запропоновано квазіхімічні рівняння утворення дефектів у легованих вісмутом плівках РbSe, вирощених у вакуумі за умов насичення пари свинцем. Показано, що при температурах додаткового джерела із свинцем Т_д = 400-650 К крім амфотерного впливу домішки (Bi_Pb⁺), (Bi_Se^-) домінують дефекти, пов’язані з утворенням міжвузлового свинцю (Pb_i⁺).
Ключові слова: плівки, селенід свинцю, легування, дефекти.

В.Ф. Зінченко¹, Н.П. Єфрюшина¹, О.Г. Єрьомін¹, В.Я. Марків², І.В. Стоянова¹, В.П. Антонович¹, О.В. Мозкова³, Н.М. Білявіна²

Структура і оптичні властивості фаз у системі EuF₃-CeF₃

¹Фізико-хімічний інститут ім. О.В. Богатського НАН України,
Люстдорфська дорога, 86, 65080, Одеса, Україна; E-mail: vfzinchenko@ukr.net
²Київський національний університет ім. Тараса Шевченка,
вул. Володимирська, 64, 01003, Київ, Україна; E-mail: belmar@mail.univ.kiev.ua
³Центральне конструкторське бюро "Арсенал”,
вул. Московська, 8, 02010, Київ, Україна E-mail: borisgor@i.com.ua

Методами рентгенівського дифракційного аналізу та спектроскопії дифузного відбиття досліджено взаємодію між EuF₃ й CeF₃ прожарюванні, плавленні і випаровуванні у вакуумі та склад фаз, що утворилися. Встановлено утворення нових фаз на основі складних фторидів Eu(ІІ) та Ce(ІV). Вони виявляють послаблення смуг поглинання у близькому ІЧ діапазоні спектру завдяки 4f-4f електронним переходам у іонах Eu(ІІІ) та значне посилення смуг поглинання в УФ діапазоні спектру. Одержані з матеріалів системи EuF₃-CeF₃ покриття мають вельми високі оптичні та експлуатаційні характеристики.
Ключові слова: лантаніди, взаємодія, складні фториди, фазовий склад, оптичне поглинання, покриття.

І.Ф. Миронюк, М.О. Поважняк, В.Л. Челядин, В.В. Стрелко¹

Нові аспекти термічної дегідратації гідроксиду магнію

Прикарпатський університет ім. В.Стефаника,
вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, 76025, Україна
¹Інститут сорбції та проблем ендоекології НАН України,
вул. Генерала Наумова 13, Київ, 03164, Україна

Одержані при змішуванні MgCl₂·6H₂O з водним розчином NaOH пластівчасті кристали Mg(OH)₂ набувають під час висушування оригінальної форми – вони згортаються в трубки діаметром 5-13 нм і довжиною 100-200 нм. В температурному інтервалі основного етапу дегідратації гідроксиду магнію (325-470^oС) утворюються MgO і нижчий оксид Mg₄O₃. Кристали оксидів мають пелюсткову форму. Їх розмір складає 40-90 нм, а товщина ~1,7 нм. Із зростанням температури прожарювання вони спікаються і стають однофазними. Формування кубічного габітусу MgO завершується при температурі 900^oС.
Зменшення довжини зв’язку Mg-O і відповідно зростання міжатомної взаємодії при переході від пошестерної координації іонів магнію, щодо ОН-груп в Mg(OH)₂ (2,1518Å), до октаедричного оточення іонів магнію в MgPb для оксиду магнію (2,1157Å)і дальше до почетвереного оточення частини іонів магнію в Mg₄O₃ (2,013Å), проявляється і ІЧ-спектрах (інфрачервоних спектрах) зростанням частоти валентних коливань вказаного зв’язку. Вища частота коливань поверхневих гідроксильних груп в Mg₄O₃ (3720 см^-1) у порівнянні з частотою гідроксилів MgO (3700 см^-1) вказує на більш основні властивості нижчого оксиду магнію.
Ключові слова: гідроксид магнію, оксид магнію, нижчий оксид магнію, термічна дегідратація, деривитографія.

Д.М.Фреїк, В.В. Прокопів, І.М. Хацевич, В.Б. Ваньчук

Константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів різного зарядового стану у селеніді свинцю

Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, Івано-Франківськ, 76000, Україна

В роботі уточнено значення констант рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів в селеніді свинцю на основі апроксимації експериментальних результатів двотемпературного відпалу кристалів теоретичними моделями у припущенні існування двозарядних міжвузлових атомів і однозарядних вакансій у металевій підгратці. На основі аналізу загальної умови електронейтральності знайдено залежності концентрації дефектів і носіїв струму від температури і парціального тиску селену при реалізації двотемпературного відпалу.
Ключові слова: селенід свинцю, дефекти, константи рівноваги, квазіхімічні реакції.

Г.О. Сіренко, Н.І. Луцишин

Вплив наночастинок загущувача пластичного мастила на взаємодію з перхлоратом амонію

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:nli@optima.com.ua

Досліджений розклад наночастинок твердого перхлорату амонію, який проходить ступінчасто, при зміні температури продукти розкладу змінюються. При внесенні перфторполіефірів з наночастиноками модифікованих аеросилів до перхлорату амонію його розпад сповільнюється, при цьому збільшується робоча температура окисника i зменшується виділення кількості тепла.
Ключові слова: наночастинки, перхлорат амонію, перфторполіефіри, аеросили, органоаеросили.

П.П. Горбик, І.В. Дубровін, М.М. Філоненко

Хімічний метод одержання нанокристалічних текстурованих плівок оксиду цинку

Інститут хімії поверхні Національної академії наук України
вул. Генерала Наумова, 17, м. Київ, 03680, Тел.: (044)444 96 21, E-mail:mfilonenko@ukr.net

Повідомляється про низькотемпературний безвакуумний синтез нанокристалічних плівок оксиду цинку піролізом аерозолей розчину хлориду цинку. Досліджено діаграму плавкості системи ZnCl₂-ZnO в області малих концентрацій оксиду, морфологію отриманих плівок.
Ключові слова: синтез, нанокристалічні плівки, оксид цинку, діаграма плавкості, піроліз аерозолей.

Г.О. Сіренко, В.П. Свідерський¹, Л.В. Караванович

Залежність теплофізичних властивостей полімерних матеріалів від типу і форми наповнювачів

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна
¹Хмельницький національний університет,
вул. Інститутська 11, м. Хмельницький, 29016, Україна

Досліджено залежність між розміром частинок наповнювача, їх формою та розподілом за розмірами, концентрацією, ступенем графітації, теплопровідністю частинок наповнювача та теплопровідністю композиту на основі політетрафторетилену і ароматичного поліаміду. Зроблено теоретичний аналіз результатів розрахунків теплопровідності композитів з різними наповнювачами за моделями Максвелла-Ейкена, Оделевського, Дульнева і Нільсена.
Ключові слова: композиційні матеріали, політетрафторетилен, ароматичний поліамід, наповнювач, теплопровідність.

А.І. Костржицький, О.В. Ляпіна

Особливості електродних процесів на поверхні конденсатів мідь-олово та їх аналогів у нейтральних середовищах

Одеська національна академія харчових технологій,
вул. Канатна, 112, м. Одеса, 65039, (0482) 29-11-31, E-mail: profAIK@ipss.net

О.М. Гулівець, О.С. Баскевич¹, В.О. Заблудовський, Е.П. Штапенко, Р.П. Ганич

Дослідження впливу катодної перенапруги на структуру електроосаджених плівок Ni-P, Со-Р

Дніпропетровський національний університет залізничного транспорту імені академіка В. Лазаряна,
вул. Ак. В. Лазаряна, 2, Дніпропетровськ, 49010, Україна
тел.: (056) 776-17-05, E-mail: physmet@ff.dsu.dp.ua, shtapenk@a-teleport.com,
¹Український державний хіміко-технологічний університет, тел.: (0562) 46-62-51

Досліджено вплив режимів імпульсного струму на структуру електроосаджених плівок Ni-P, Со-Р. Встановлено, що на формування аморфного та мікрокристалічного стану істотний вплив надає нерівноважність умов кристалізації, яка викликана величиною і швидкістю зміни пересичення на катоді при імпульсному осадженні.
Ключові слова: аморфний і мікрокристалічний стан, структура, імпульсний струм, перенапруга на катоді.

П.І. Лобода

Вплив досконалості мікроструктури на електропровідність гексабориду лантану

Національній технічний університет України “КПІ”,
м. Київ, пр-т Перемоги, 37, корп. 9,
тел.: 241-76-17, E-maіl: PetrLoboda@yandex.ru

В.І. Тимофєєв, О.В. Семеновська, М.В. Приходько

Особливості моделювання процесів саморозігріву у субмікронних гетероструктурних транзисторах

Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”,
пр. Перемоги, 37, Київ-056, 03056,
E-mail:timof@ntu-kpi.kiev.ua, sem@phbme.ntu-kpi.kiev.ua

В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, П.Ф. Романенко, О.С. Литвин, І.З. Індутний

Зміна експозиційних характеристик халькогенідних фоторезистів під час зберігання

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

Представлено результати досліджень процесу запису голографічних дифракційних граток випромінюванням гелій-неонового лазера. Як реєструючі середовища вибрані неорганічні As₄₀S₂₀Se₄₀ та As₄₀Se₆₀ фоторезисти разом з новими високоселективними травниками. Досліджувались залежності експозиційних характеристик цих халькогенідних резистів від часу зберігання при кімнатній температурі. Вимірювались також кутові та спектральні залежності дифракційної ефективності граток. Показано, що профіль штрихів граток з максимальною ефективністю близький до синусоїди з глибиною біля 300 нм. Максимальна дифракційна ефективність граток ~ 83 % в поляризованому світлі і ~ 75 % в неполяризованому. Досліджувані фоторезисти придатні для запису високоефективних рельєфно-фазових оптичних елементів з допомогою довгохвильового видимого випромінювання. Однак час зберігання для пластин з As₄₀Se₆₀ фоторезистом не перевищує одного місяця, а для As₄₀S₂₀Se₄₀ - майже в два рази більше.
Ключові слова: халькогенідні фоторезисти, дифракційна ефективність.

Л.Ю. Козак

Природа пластичності металів

Івано-Франківський національний технічний університет нафти й газу,
76000, м. Івано-Франківськ, вул. Карпатська, 15
тел. (03722)42351, E-mail:kozakl@ifdtung.if.ua