2000   Том 1   №2

Анотації

Елементи теорії термодинамічних та кінетичних властивостей кристалів

Я.С.Буджак¹, Д.М.Фреїк², Л.І.Никируй², Л.Й.Межиловська²

В роботі обгрунтовуються розрахункові алгоритми важливих термодинамічних та кінетичних властивостей кристалів з довільними законами дисперсії та довільними механізмами розсіювання носіїв заряду в омічній області провідності і в неквантуючому магнітному полі.

Ключові слова: термодинамічні потенціали, ентропія, статистична сума, час релаксації.

Кристалохімічний метод розрахунку границь взаємної розчинності сфалеритної та халькопіритної фаз на прикладі системи CuGaSe₂–ZnSe

Л.В. Сиса, I.Д. Олексеюк, В.О. Галка, O.В. Парасюк

Запропоновано напівкількісний (емпіричний) метод розрахунку областей розчинності в двохкомпонентних системах, що утворені сполуками із халькопіритною та сфалеритною структурами. Проведено порівняння експериментальних та розрахованих даних на прикладі системи CuGaSe₂–ZnSe.

Ключові слова: халькопірит, сфалерит, параметри гратки, тверді розчини.

Гідрофобно-гідрофільні властивості частково триметилсилільованої поверхні кремнезему

І.Ф.Миронюк, В.В.Лобанов, В.М.Огенко

В межах уявлень про розподіл молекулярного електростатичного потенціалу в приповерхневому шарі проаналізовані гідрофобні та гідрофільні властивості частково триметилсилільованого кремнезему. Показано, що початкові стадії силілювання викликають певне зростання гідрофільності поверхні. Подальше заповнення поверхні триметилсилільними группами спричиняє дедалі зростаючу її гідрофобність. В приповерхневому шарі цілком триметилсилільованого кремнезему є лише невеликі компактні області негативних значень потенціалу, що визначають його слабку протоноакцепторну здатність.

Ключові слова: поверхня, кремнеземи, гідрофільно-гідрофобні властивості, реакція силілювання, електростатичний потенціал.

Кристаллохимия собственных дефектов в пленках халькогенидов свинца с учетом механических напряжений и рода подложек

Б.М.Рувинский, Д.М.Фреик, М.А.Рувинский

Впервые рассмотрено влияния изотропных деформационных эффектов и парциальных давлений компонентов, созданных вблизи различных подложек при испарении навески халькогенидов свинца, на процессы дефектообразования в пленках при парофазной эпитаксии.

Ключові слова: халькогениды свинца, дефекты, напряжения, константы равновесия.

Електронно-адсорбційні характеристики плівок гольмію, адсорбованих на грані (1010) кристала ренію

Л.П.Задорожний, С.І.Степановський, З.В.Стасюк

Львівський національний університет імені Iвана Франка, кафедра загальної фізики Україна, 79005, Львів, вул.Драгоманова,50. (03220) 794-784, Stasyuk @wups.lviv.ua.

В роботі методом контактної різниці потенціалів досліджено зміни роботи виходу F і теплоти адсорбції q атомів гольмію, адсорбованих на поверхні (1010) кристала ренію в широкому діапазоні концентрацій n адсорбату і температур T підкладки. Показано, що електронно-адсорбційні властивості плівок гольмію на поверхні Re(1010) суттєво відрізняються від властивостей адсорбційних систем Ho-W(112) та Ho-Mo(112), незважаючи на практично ідентичну геометричну будову поверхонь Re(1010), W(112) та Mo(112). Результати експерименту пояснено на основі уявлень про роль обмінної взаємодії у формуванні загальної енергії зв'язку адатома з поверхнею та про існування частково заповнених поверхневих електронних станів, які в значній мірі визначають характеристики обмінної взаємодії.

Ключові слова: адсорбція, обмінна взаємодія, робота виходу, енергія зв'язку, гольмій, реній.

Роль поверхневих станів у процесах утворення граничних шарів антифрикційних рідин

П.І. Мельник*, А.В. Крамар**, В.М. Крамар**

На основі уявлень про існування поверхневих станів у кристалах дається інтерпретація механізму формування граничного шару в мастильних рідинах, які використовуються для усунення сухого тертя між поверхнями деталей механізмів.

Ключові слова: рідинне тертя, граничний шар, поверхневі стани.

Розмірні ефекти в монокристалічних плівках n - PbTе

М.В.Калинюк

Запропоновано методику розділення поверхневого і об’ємного розсіювання з розмірного ефекту провідності і ефекту Холла в монокристалічних плівках PbTe. Одержані співвідношення дозволяють якісно оцінити s_s ,s_b і R_Hs , R_Hb.

Ключові слова: розмірний ефект, ефект Холла, монокристалічні плівки, PbTe.

Гетерування дефектів епітаксіальних кремнійових структур механічною обробкою та сильнолегованим дифузійним шаром

І.Л. Пятак, М.І.Довгошей

Досліджено два способи мінімізації дефектів в кристалічному кремнії: введення в зворотний бік пластини напруг з допомогою механічної обробки та з допомогою сильнолегованого дифузійного шару. Запропоновані режими, які дозволяють знизити кількість дефектів на один - два порядки.

Ключові слова: епітаксія, p-n-перехід, дислокація, механічна обробка, дифузія, легування, дефекти, гетерошар.

Термоелектричні властивості і кристалохімія дефектної підсистеми твердих розчинів на основі PbS

Б.К.Остафійчук, Р.І.Запухляк, В.М.Шперун, І.М.Іванишин,
Р.Я.Михайльонка, М.В.Пиц

Досліджено залежність питомої електропровідності (s), коефіцієнта термоерс (a) і питомої термоелектричної потужності (a2s) твердих розчинів PbS – Tl, PbS – TlS та PbS – Tl₂S від складу. Запропоновано кристалоквазіхімічний опис дефектної підсистеми основної метриці твердих розчинів. Визначено склади, що характеризуються максимальними значеннями термоелектричних параметрів.

Ключеві слова: сульфід свинцю, термоелектрика, кристалоквазіхімія, дефекти.

Дослідження деформаційних ефектів в епiтаксiйних шарах А^IVB^VI на BaF₂: вплив на зонну структуру

В.С. Яковина

На прикладі сполук PbTe та Pb_0.787Sn_0.213Te на підкладках BaF₂ обговорюється можливість визначення напружень невідповідності та відповідних змін зонної структури в багатодолинних напівпровідниках за допомогою вимірювань магнетоопору в слабкому полі. Досліджено значення напружень та їх релаксацію після багатьох термоциклів між 77 К та кімнатною температурою для епітаксійних шарів PbTe та Pb_0.787Sn_0.213Te n- та p- типу на BaF₂.

Ключові слова: епітаксійні шари, телурид свинцю, зонна структура.

Вплив відпалу на структуру і електропровідність плівок Ме-Ge-РЗМ

О.Г. Миколайчук, А.С. Байцар, Б.П. Яцишин*

Досліджено температурні залежності електропровідності і структуру плівок Me (Me: Fe,Co,Ni)-Ge- (0,1-2) ваг.%Hf, які отримані методом дискретного випаровування. Показана залежність структури і електрофізичних властивостей від вмісту РЗМ.

Ключові слова: тонкі плівки, структура, електропровідність.

Дисперсійні властивості тонких плівок Sc₂O₃ та Y₂O₃

О.М.Бордун

Досліджено дисперсію світла в тонких плівках Sc₂O₃ та Y₂O₃. Встановлено, що спектральна залежність показника заломлення у видимій області спектра досліджуваних плівок визначається в основному переходами із зони 2p-станів кисню, що формують верхній заповнений рівень валентної зони, на дно зони провідності, утворене 3d4s-станами скандію або 4d5s-станами ітрію відповідно. Визначено параметри одноосциляторної апроксимації, знайдено дисперсійну енергію, ступінь іонності хімічного зв'язку та координаційне число.

Ключові слова: тонкі плівки, оксид скандію, оксид ітрію, дисперсія, показник заломлення.

Спектральні розмірності та вільний об’єм в As_xS_1-x склах

Uzhgorod State University, Department of Solid State Electronics, 32 Voloshin str., 294000 Uzhgorod, Ukraine e-mail: mitsa@univ.uzhgorod.ua

В роботі розглянуті низькочастотні (НЧ) спектри комбінаційного розсіювання (КР) стекол As₂S₃, одержаних загартуванням від різних температур розплаву (T_i) і з різною швидкістю (Vj) гартування та бінарних стекол As_хS_1-х, одержаних при оптимальних умовах. Виявлена залежність приведеної інтенсивності НЧ максимуму та нахилу високочастотної частини НЧ спектру стекол As₂S₃ від температури розплаву і швидкості його гартування. В рамках фрактального наближення розрахована спектральна розмірність (d_f) виявилася чутливою до умов одержання стекол As₂S₃. Незалежно від оптичних вимірювань, розрахована спектральна розмірність фракталів із концентраційної залежності швидкості звуку в стеклах As_xS_1-x. Виявлена залежність інтенсивності густини станів і вільного об’єму в стеклах As_xS_1-x від середнього координаційного числа.

 

Зонна структура та механізми розсіювання у кристалах n-PbSe при 77К

Д.М.Фреїк, Л.І.Никируй, В.М. Кланічка, В.М.Шперун, Р.І.Собкович, О.Я.Довгий

Досліджено домінуючі механізми розсіювання носіїв заряду в кристалах n-PbSe при температурах 77К в концентраційному інтервалі 10¹⁶-10²⁰ см^-3 з використанням параболічного та непараболічного законів дисперсії.

Ключові слова: PbSe, рухливість Холла, час релаксації, механізми розсіювання.

Особливості поліморфних перетворень та електрофізичні властивості подвійних ортофосфатів молібдену (ІІІ)

В.В.Лісняк, Н.В. Стусь, Н.С. Слободяник

Експериментально досліджено процеси фазоутворення та поліморфні перетворення ряду подвійних ортофосфатів молібдену (ІІІ) складу M¹₃Мо^ІІІ₂(PO₄)₃ (M¹-Li,Na,K). Розглянуто звязок склад-структура-електрофізичні властивості матеріалів.

Ключові слова: подвійні ортофосфати, кристалічна структура, фазові переходи, електрофізичні властивості.

Рівноважна концентрація дефектів у кристалах селеніду свинцю

М.О.Галущак*, Л.Р.Павлюк*, В.В. Прокопів**, Г.Д.Матеїк*, В.В. Борик*

На основі моделі дефектної підсистеми кристала із одночасним існуванням одно- і двозарядних міжвузлових атомів і вакансій у металевій підгратці селеніду свинцю розраховано залежність рівноважної концентрації дефектів , і , від технологічних факторів – температури відпалу Т і парціального тиску P_Se2– у методі двотемпературного відпалу.

Ключові слова: селенід свинцю, дефекти, константа рівноваги, відпал.

Хімічне травлення монокристалів телуриду кадмію та твердих розчинів на його основі в розчинах системи HNO₃-HCl-винна кислота

Є.О.Білевич, В.М.Томашик, З.Ф.Томашик, С.Г.Даниленко

Інститут фізики напівпровідників НАН України, м. Киев-28, пр. Науки, 41, т.265-57-55,
E-mail: tomashyk@usa.net

Досліджено характер хімічного розчинення CdTe та твердих розчинів Cd_0,72Zn_0,28Te, Cd_0,22Hg_0,78Te і Te в розчинах системи HNO₃-HCl-винна кислота. Побудовано поверхні рівних швидкостей травлення (діаграми Гіббса), встановлено кінетичні закономірності та визначено лімітуючі стадії процесу розчинення та області поліруючих розчинів. Оптимізовано склади травників для обробки телуриду кадмію та твердих розчинів на його основі.

Ключові слова: травлення, телуриди, твердий розчин, травник, швидкість розчинення, напівпровідник

Вплив ультра-фіолетового опромінення на структуру та властивості модифікованих плівкових покрить

Н.І. Доманцевич

Показано, що введення інгібітора НДА (нітриту дициклогексаламіну) в полімерні плівки та наступне ультрафіолетове опромінення їх приводить до деструкції захисного покриття та зниження захисних властивостей через початкове збільшення кристалічної фази і подальше гальмування її росту.

Ключові слова: поліетилен, інгібітор, ультрафіолетове опромінення, деструкція.

Мікроструктура подвійних металічних розплавів з обмеженою розчинністю компонентів
у твердому стані

І. Кабан¹, В. Хоєр^2
1 Precarpathian University, UKRAINE
² Technische Universitдt Chemnitz, GERMANY

Досліджено подвійні металічні розплави з обмеженою взаємною розчинністю компонентів у твердому стані. Встановлено, що всі досліджені сплави неоднорідні на мікрорівні в рідкому стані. Визначено структурні одиниці для сплавів Ga-Sn, Ga-In, Ge-Sn і Bi-Sn. Показано, що взаємна розчинність компонентів в рідкому стані залишається такою ж, як у твердому стані при температурі евтектики.

Структуроформування та фізико-хімічні властивості титану, дифузійно насиченого залізом

П.І. Мельник, Р.М. Федорак, І.Й. Перкатюк

Приведені результати досліджень структуроформування титану при його дифузійному насиченні залізом у режимі термо-циклічної обробки (ТЦО) в інтервалі температур 850–950 ° С, який охоплює точку поліморфного перетворення титану (882° С). Досліджено фізико-хімічні властивості титану після вказаної хіміко-термічної обробки (ХТО) – зносо-, окалиностійкості.

Ключові слова: титан, дифузійне насичення, термоциклування, поліморфні перетворення.

Залежність фотопараметрів резисторів на основі шарів
n-PbTe від технологічних факторів їх одержання

А.М. Добровольська*, В.М. Чобанюк**, І.М. Раренко***

Метою даної роботи є дослідження впливу технологічних факторів вирощування епітаксійних шарів n-PbTe з парової фази методом гарячої стінки на основні фотоелектричні параметри резисторів, виготовлених на їх основі, а також знаходження значень технологічних факторів, при яких досліджувані параметри набувають оптимальних значень.

Ключові слова: тонкі шари, технологічні фактори, температура, підкладка, випарник, стінка камери, фотоприймач, резистор, параметри, оптимізація.

Залежність електричних властивостей тонких шарів PbSe на поліамідній підкладці від технологічних
факторів їх одержання

А.М. Добровольська**, М.А. Лоп’янко*, Л.Й. Межиловська*, Р.І. Запухляк*

Одним із перспективних способів одержання якісних тонкошарових матеріалів на основі сполук A^IVB^VI є метод гарячої стінки [1-3]. Експериментально встановлено [1-3], що властивості тонких шарів, одержаних за допомогою цього методу, визначають температури підкладок, випарника і стінок камери. Однак з’ясовано, що варіювання одного з факторів технологічного процесу при незмінних значеннях інших не дозволяє встановити міру їх відносного впливу на фізичні властивості шарів PbSe [4]. У цій роботі за допомогою методу математичного планування експерименту вивчено залежність електричних властивостей тонких шарів селеніду свинцю, вирощених з парової фази на поліаміді, від технологічних факторів. Вибір поліаміду в якості підкладок обумовлений особливими фізико-хімічними і механічними властивостями цього матеріалу.

Ключові слова: тонкі шари, технологічні фактори, температура, підкладка, випарник, стінка камери, параметри, концентрація, рухливість, оптимізація.

Особливості реалізації складної дефектної підсистеми у монохалькогенідах свинцю

Д.М.Фреїк*, М.О.Галущак**, Л.Р. Павлюк**, О.В. Козич*, Г.Д. Матеїк**

Проаналізовано можливості одночасного утворення як однозарядних, так і двозарядних дефектів у металевій підгратці монохалькогенідів свинцю. Досліджено еволюцію дефектів підсистеми під впливом технологічних факторів у методі двотемпературного відпалу.

Ключові слова: халькогеніди свинцю, двотемпературний відпал, дефекти, термодинамічний n-p- перехід.

Вплив режиму епітаксії на магнітну мікроструктуру перехідних шарів плівок ЗІГ

Б.К.Остафійчук, В.М.Ткачук, В.М.Пилипів

В.В.Прокопів, М.В. Пиц

В роботі уточнено значення констант рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів в халькогенідах свинцю PbX (X – S, Se, Te) на основі як теоретичних розрахунків з використанням статистики для невироджених напівпровідників, так і апроксимації експериментальних результатів визначення границь області гомогеності теоретичними моделями. При теоретичних розрахунках враховано температурну залежність ширини забороненої зони та ефективної маси, а також наявність важких дірок в халькогенідах свинцю.

Ключові слова: халькогеніди свинцю, атомні дефекти, константи рівноваги, область гомогенності

Повна версія статті .pdf (238kb)

---