Хімічне
осадження з газової фази, синтез
функціональних матеріалів (огляд)
Є.А.
Мазуренко, А.І. Герасимчук, В.П.
Овсянников
|
339
|
Оптичні
і експлуатаційні властивості
тонкоплівкових покриттів, отриманих
методом вакуумного випаровування
фторидів РЗМ
В.Ф.
Зінченко, Н.П. Єфрюшина, Г.І. Кочерба, О.Г.
Єрьомін, В.П. Соболь, О.В. Мозкова, В.Я.
Марків, Н.М. Білявіна
|
351
|
Елементи
теорії кінетичних властивостей
кристалів твердотільної електроніки
Я.С. Буджак,
Д.М. Фреїк, Л.І. Никируй, Л.Й. Межиловська
|
361
|
Моделювання As2(S,
Se)3Sn0.1 плоских хвильоводів до
та після освітлення
A.
Попеску, A. Буздуган, В. Долгхайєр
|
369
|
Нелінійні
електричні характеристики складених
шарів провідник-діелектрик
A.Б. Глот, A.M.
Макеєв
|
375
|
Розрахунок
ефективних мас електронів і дірок у
шаруватому напівпровідниковому
кристалі PbI2
Н.К.
Крамар, В.М. Крамар, Б.М. Ніцович
|
379
|
Вплив
незначних катіонних заміщень на
магнітну мікроструктуру магній-цинкових
феритів
Б.К.
Остафійчук, І.М. Гасюк, О.В. Копаєв, В.М.
Надутов, Л.С. Яблонь
|
387
|
Про
розмірну залежність поверхневої
енергії наночастинок
М.Т.
Гладких, В.І. Ларін, О.П.Кришталь
|
395
|
Вольт-амперні
характеристики електроосаджених плівок
CIS
В.Р.
Копач, Н.П. Клочко, Г.І. Копач, В.О. Новіков
|
401
|
Синтез
1,2-епоксипропілпохідних
оксиетилметакрилатного геля
каталітичним епоксидуванням
макропористих сферонів
І.М. Смоленський, Н.Є. Котюшко
|
413
|
Дефектна
підсистема селеніду свинцю легованого
талієм
М.О. Галущак,
А.Д. Фреїк, Л.Р. Павлюк, В.В. Прокопів,
В.М. Бойчук
|
421
|
Вплив
заміщення різних типів на надпровідні
властивості Pb-1212 купратів
С.А. Неділько, І.В.
Голубєва, А.Л. Мороз, О.Г. Зенькович, Л.Ф.
Неділько
|
425
|
Дослідження
вихідних та діодних параметрів
плівкових ФЕП на основі CuGaSe2
Б.Т.Бойко, Г.С. Хрипунов,
О.П. Черних
|
435
|
Особливості
конструкції та технології кремнієвих
p-i-n фотодіодів
Ю.Г.
Добровольський, А.А. Ащеулов
|
441
|
Мас-спектрометричні
дослідження процесів термічного і
лазерного випаровування кристалів ZnGa2S4
М.І.
Довгошей, Н.І. Попович, І.Е. Качер
|
449
|
Термоелектричні
властивості твердих розчинівна основі
телуриду свинцю в системі PbTe-CdTе
Р.Я.
Михайльонка, В.М. Кланічка, Г.Д. Матеїк
|
455
|
Вплив
ізольованого домішка гідрогену на
густину електронних станів аморфних
напівпровідникових плівок Si і Ge
Д.Л.
Кардашев
|
459
|
Електричні
властивості ZnS, отриманого
методом СВС
С.В. Козицький, О.А. Рімашевський,
Т.Ю. Чеська
|
461
|
Внутрішній
тиск, мікротвердість та межа плинності
халькогенідних стекол
Т.М.
Мельниченко, В.І. Феделеш, І.М. Юркін, Т.Д.
Мельниченко, В.М. Різак
|
465
|
Розрахунок констант
впровадження легуючих елементів
в CdTe
П.М.
Фочук, О.О. Коров’янко, О.Е. Панчук
|
475
|
Вплив
газового середовища на поверхневий
струм в p–n гетероструктурах на основі GaAs–AlGaAs
О.О.
Птащенко, О.С. Артеменко, Ф.О. Птащенко
|
481
|
Профіль
провідності в епітаксійних плівках PbS
О.Я. Довгий,
І.В. Калитчук
|
487
|
Електронна
структура та властивості діоксиду
титану, інтеркальованого металевим
літієм
І.Ф.Миронюк,
В.В.Лобанов, Б.К.Остафійчук, І.І.Григорчак,
Р.В.Ільницький
|
493
|
Дефекти у
нестехіометричному телуриді олова при
окта- та тетраедричному розміщенні
індію
І.М. Іванишин, Л.Й. Межиловська,
В.В. Борик
|
501
|
Кристалоквазіхімічний
механізм адсорбції з газоподібного та
рідкого середовища поверхнею твердих
тіл типу шпінелі і гранату
С.С. Лісняк, А.В. Бітнєва,
В.О. Коцюбинський, І.П. Яремій, Г.В. Мухін
|
507
|
Інформація для
авторів
|
511
|