ФХТТ, Т.4, №2, 2003

Анотації

А.Д. Фреїк

Атомні дефекти і фізико-хімічні процеси у тонких плівках халькогенідів свинцю (огляд)

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, E-mail: fcss@pu.if.ua

На основі аналізу фізичних процесів і використання квазіхімічного та термодинамічного підходів розглянуто процеси дефектоутворення у тонких плівках халькогенідів свинцю при вирощуванні із парової фази, термічних відпалах у вакуумі і атмосфері кисню та радіаційному впливі.
Ключові слова: халькогеніди свинцю, тонкі плівки, атомні дефекти.

М.В. Ткач, В.А. Головацький, Я.М. Березовський

Спектр і хвильові функції водневоподібної домішки, розміщеної в центрі квантової точки

Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича, м. Чернівці

Вперше побудована теорія спектра і хвильових функцій домішкового електрона у сферичних квантових точках (КТ) у середовищі з різною ефективною масою та величинами діелектричної проникливості у різних середовищах. Отримані точні розв'язки рівняння Шредінгера добре узгоджуються з експериментальними даними спектрів локалізованого домішкового екситона у малих квантових точок CdS, вміщених в силікатне скло, а також описують спектр електрона, який взаємодіє з донорною домішкою, розташованою в центрі квантової точки довільних розмірів. Показано, що при досить великому радіусі квантової точки енергетичний спектр електрона асимптотично наближається до воднеподібного.
Ключові слова: рівняння Шредінгера, екситон, CdS, квантова точка.

Й.М. Стахіра, Н.К. Товстюк

Фазові переходи при термообробці плівок селенідів галію

Львівський національний університет ім. Івана Франка, Факультет електроніки,
кафедра фізики напівпровідників,
вул. Драгоманова 50, Львів, 79005, Україна

Термодинаміка окислення GaSe досліджується в моделі гратки з двома типами атомів (кисню і селену), кожен з яких може займати два енергетично різні стани (вузол - стан a, чи міжвузля - стан b). Отримано різкий перерозподіл: і) атомів селену і кисню залежно від хімічних потенціалів, іі) атомів селена в стані a і атомів кисню в стані b, залежно від хімічного потенціалу кисню. Вивчено вплив взаємодії в підгратці селену і кисню на умови фазового переходу в області різкого перерозподілу та умови розшарування між однорідними фазами які відповідають за структурні утворення Ga₂Se₃ і Ga₂O₃ в області фазового переходу. Показано, що область такого розшарування звужується з ростом температури.
Ключові слова: селенід галію, окислення, фазовий перехід.

С.В. Козицький, В.П. Писарський¹, Д.Д. Поліщук¹

Отримання ZnSe методом самопоширюваного високотемпературного синтезу

Національна морська академія, вул. Дідріхсона, б. 8, Одеса, 65029
¹Національний університет ім. І. І. Мечникова, вул. Дворянська, б. 2, Одеса, 65000

Показана можливість отримання полікристалічних зразків ZnSe методом самопоширюваного високотемпературного синтезу (СВС). Матеріал утворюється шляхом поширення хвилі хімічного реагування по суміші порошків Zn та Se при температурі меншій ніж температура плавлення ZnSe. Отримані зразки є селенідом цинку з повнотою перетворення 97-98%, де якісні полікристали кубічної модифікації оточені прошарками нестехіометричного матеріалу. В отриманих зразках відсутні смуги поглинання в області 2-12 мкм, а механізми люмінесценції аналогічні з механізмами індукованого випромінювання монокристалів, що вказує на можливість використання СВС-ZnSe, як люмінесцентного матеріалу та основи для вікон прозорості технологічних лазерів.
Ключові слова: самопоширюваний високотемпературний синтез, реагування, температура, тиск, люмінесценція, кристали, фазовий склад, шихта.

Я.С. Буджак

До питання про просторове квантування в тонких плівках

Національний університет "Львівська політехніка",
79013 ,м. Львів-13, вул. С. Бандери, 12

В роботі обгрунтовано критерій просторового квантування спетра носіїв струму в тонких провідних плівках. В зв'язку з цим кінетичні властивості тонких плівок та концентрація носіїв зарядів в них корелюють з їхніми товщинами. Показано, що додаткове розсіювання на поверхні плівок теж може призводити до такої кореляції.
Ключові слова: тонкі плівки, носії струму, просторове квантування.

П.О. Генцарь, Л.О. Матвеєва, Л.А. Демчина, Є.Ф. Венгер

Контроль структурної досконалості епітаксійних плівок n-GaAs методом електровідбивання

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
проспект Науки, 45, Київ-28, 03028, Україна, E- mail: matveeva@isp.kiev.ua

Методом електровібивання (ЕВ) досліджено гомоепітаксійні плівки n-GaAs (100) з концентрацією електронів n = 10¹⁴-5·10¹⁸ см^-3 при Т = 300 К в неполяризованому світлі. Отримані дані показали, що при концентраціях електронів n >5·10¹⁶ см^-3 на довгохвильовому крилі основної смуги Е0 спостерігається додатковий екстремум. Походження цього екстремуму пов'язане з електрооптичним ефектом заповнення донорних рівнів, який пояснює як форму так і амплітуду додаткової смуги. На основі кількісного аналізу експериментальних даних оцінено напруженість вбудованого електричного поля, час енергетичної релаксації збуджених світлом носіїв заряду та їх рухливість. Встановлена залежність параметру розширення від концентрації носіїв заряду.
Ключові слова: епітаксійні плівки, електровідбивання, ефект Келдиша-Франца, електрооптична енергія.

А. Місюк¹, В. Юнг¹, Б. Сурма^1,2, А. Куда¹, А. Внук², Г. Гавлік²

Ефект висока температура-стиск на поверхневих пластах кремнію у Si:H,He (Si:He) і Si:N

¹Інститут електронної технології,
вул. Лотнікова, 32/46, 02-668, Варшава, Польща;
тел. +48 22 5487792; Факс: +48 22 8470631; E-mail: misiuk@ite.waw.pl,
²Інститут технології електронних матеріалів,
вул. Волчинська, 133, 01-919, Варшава, Польща;
тел. +4822 8353041 ext. 122; E-mail: surma_b@itme.edu.pl

Підвищення гідростатичного стиску (ГС, вверх до 1,1 ГПа) застосовували при 720 K у кремнії, отриманому методом Чохральського, осадженого в атмосфері водню, гелію (Cz-Si:H,He) або азоту (Cz-Si:N) до D = 1x10¹⁷cм^-2 при енергіях E = 135 - 150 кеВ, і до рекомендованої дози осадження (D = 2x10¹⁶cм^-2) зони топлення при вирощуванні кремнію (Fz-Si:He і Fz-Si:N), тиск прикладали до виникнення ефекту на структурній досконалості у приповерхневих пластах Si. Ці пласти були сильно порушені у випадку найсильніших тисків, особливо у Cz-Si:H,He, в той час як утворення термічних донорів було ТС-стимульоване як у Cz-Si:H,He так і в Cz-Si:N. Пропонується якісне пояснення ефектів, спричинених стиском.
Ключові слова: поверхневі шари кремнію, гідростатичний тиск, вкорінення, дефекти.

О.Г. Хандожко

Спектри ЯМР та струмова нестійкість в кристалах Pb_0,75Sn_0,25Te(In)

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, кафедра радіотехніки,
вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, 58012,
тел. (03722) 4-24-36, E-mail: rt-dpt@chnu.cv.ua

Досліджено спектри ЯМР та характер протікання електричного струму в твердому розчині Pb_0,75Sn_0,25Te, легованому індієм (N_In = 0,4 at.%). Вольт-амперні характеристики (ВАХ) мають S-подібну форму з явно вираженою струмовою нестійкістю, що характерно для монокристалів з однорідним розподілом носіїв струму. Проте отриманий двокомпонентний спектр ЯМР на ядрах ²⁰⁷Pb свідчить про наявність в монокристалах концентраційної мікронеоднорідності. Протікання струму в об'ємі зразка, який відповідає лінійній ділянці ВАХ, практично не впливає на спектр ЯМР. При переході ж в область високих струмів спостерігається розширення резонансних ліній. Відсутність резонансного сигналу на ядрах ¹¹⁵In може свідчити про нецентральне положення атомів індію в кристалічній ґратці Pb_0,75Sn_0,25Te.
Ключові слова: спектри ЯМР, зсув Найта, струмова нестійкість, мікронеоднорідність.

О.С. Болгар, А.Р. Копань

Термодинамічні властивості селенідів рідкісноземельних металів церієвої підгрупи складу Ln₃Se₄

Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України,
Україна, 03142, г. Київ-142, вул. Кржижанівського, 3
Тел.:044-424-12-90 E-mail: bas@materials.kiev.ua,
allakop@yahoo.com

Методом змішування вперше виміряна ентальпія La₃Se₄ в інтервалі 450-2260 К, Pr₃Se₄ і Nd₃Se₄ в області 450-2350 К. Отримані температурні залежності ентальпії
Н⁰(Т) - Н⁰(298,15), теплоємності С⁰_р (Т), ентропії S⁰(T), приведеної енергії Гібса Ф'(Т) цих сполук в твердому та рідкому станах. В області температур 300-Т_пл (Т_пл - температура плавлення) для селенідів лантану, празеодиму та неодиму зазначеного складу температурні залежності ентальпії мають вигляд
H⁰(T)-H⁰(298,15 K) = 2,6391·10^-2·T²+ 154,58·T-1073470·T^-1-44836,
H⁰(T)-H⁰(298,15 K) = 3,4792·10^-2·T²+ 153,2·T-872562·T^-1-45842,
H⁰(T)-H⁰(298,15 K) = 3,5021·10^-2·T²+ 156,74·T-839088·T^-1-47030,
відповідно. Визначені величини температур плавлення цих сполук: Т_пл (La₃ Se₄) = 2108 К,
Тпл (Pr₃Se₄) = 1890 К, Т_пл(Nd₃Se₄) = 1971 К. Обчислені ентальпії і ентропії фазових перетворень:
D_плH(La3Se4) = = 180,75±9,64 kДж·моль^-1, D_плS(La₃Se₄) = 85,74 ± 4,57 Дж·моль^-1·К^-1,
D_плH(Pr₃Se₄) =151,4±10,55 kДж·моль^-1, D_плS(Pr₃Se₄) = 76,19 ± 5,31 Дж·моль^-1·К^-1;
D_плH(Nd₃Se₄) = 130,2 ± 11,81 kДж·моль^-1,
D_плS(Nd₃Se₄) = 65,95 ± ± 5,99 Дж·моль^-1·К^-1. Запропонована методика розрахунку теплоємності ізоструктурних селенідів рідкісноземельних металів. Оцінені термодинамічні характеристики селенідів церію, прометію, самарію і європію в області температур 298,15-2000 К.
Ключові слова: селеніди РЗМ, ентальпія, теплоємність, ентропія, приведена енергія Гібса, температура плавлення, ефект Шоткі.

Х. Вржесінська¹, K. Малицька², З. Римуза²

Дослідження поверхонь TiN/CrN і TiN/NbN надграток осаджених на мікроелектронних матеріалах, використовуючи атомний мікроскоп

¹Інститут електронних технологій,
вул. А. Лотнікова 32/46, 02-668 Варшава, Польща
²Варшавський технологічний університет,
Факультет мехатроніки, інститут мікро механіки і фотоніки,
вул. А. Боболі 8, 02-525 Варшава, Польща

В даній статті представлено 3-вимірну топографію зображень TiN/CrN і TiN/NbN надграток, які осаджені dc реактивним розпиленням на <100> орієнтовану монокристалічну поверхню Si, який покриває плівку Si₃N₄, товщиною 200 нм В дослідженнях топографії поверхні використовувався атомний мікроскоп (АСМ). Комп'ютерна програма "Поверхневий вид" використовувалась, щоб визначити параметри поверхонь, які вивчались. 3-вимірні зображення АСМ були створені застосовуючи 128x128 точок матрицю. Область (площа) розгортки - 950x950 нм до 1650x1650 нм. Надгратки TiN/CrN характеризуються кращою пологістю поверхні ніж TiN/NbN. Сполуки TiN/CrN/Si₃N₄/Si мають помітно більші зерна ніж сполуки TiN/CrN/Si, і показують кращу однорідність розповсюдження твердості. Надгратка TiN/CrN/Si₃N₄/Si має найвищий ексцес і найбільш низькі значення асиметрії. Дана сполука демонструє найкращу трьохлогічну поведінку.
Ключові слова: надгратки, АСМ, топографія.

З.Д. Ковалюк, В.П. Махній¹, О.І. Янчук

Фотоелектричні властивості гетеропереходів In2O3-InSe

Чернівецьке відділення інституту проблем матеріалознавства НАНУ,
вул. І.Вільде 5, Чернівці, 58001 Україна тел: (03722) 2-00-50, E-mail: chimsp@unicom.cv.ua
¹Чернівецький національний університет ім. Ю.Федьковича,
вул. Коцюбинського 2, Чернівці, 58012 Україна

Досліджено основні фотоелектричні властивості анізотропних гетеропереходів, отриманих термічним окисненням монокристалічних підкладинок. Залежності напруги холостого ходу та струму короткого замикання від рівня освітленості пояснюються у рамках теорії лінійної генерації фотоносіїв з врахуванням фотопровідності високоомної бази діодної структури. Фотострум зумовлений генерацією нерівноважних носіїв під дією опромінення в області просторового заряду гетеропереходу через локальні глибокі центри.
Ключові слова: шаруватий напівпровідник, гетероперехід, напруга холостого ходу, струм короткого замикання.

В.І. Присяжнюк¹, О.Г. Миколайчук¹, І.С. Дуцяк²

Електрофізичні властивості тонких плівок хімічних з'єднань системи Gd-Fe

¹Львівський національний університет ім. І. Франка, фізичний факультет, кафедра фізики металів,
вул. Кирила і Мефодія 8а, Львів, 79005, тел. 96-43-06, prysyazhnyuk@wups.lviv.ua
²Державний західний науковий центр НАН України,
вул. Матейка 4, Львів, тел. 97-07-73

Одержано тонкі плівки хімічних з'єднань системи Gd-Fe. В результаті проведених структурних досліджень встановлено наявність аморфної структури. Одержано температурні залежності електропровідності і термоелектрорушійної сили для аморфних плівок трьох сполук: GdFe₂, GdFe₅ i Gd₂Fe₁₇.
Ключові слова: тонка плівка, аморфний, електропровідність, термоелектрорушійна сила, структура, рідкоземельний.

І.В. Гуцул, А.А. Ащеулов, В.І. Гуцул

Можливості використання анізотропного оптикотермоелемента при опроміненні його бокової грані

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, 58012, Україна, тел. (037-2) 54-72-42, e-mail: ilitvinchuk@mail.ru

Проведено розрахунок двовимірного розподілу температури анізотропного оптикотермоелемента при опроміненні його бокової грані. Одержано вирази поперечної термоелектрорушійної сили і вольт-ватної чутливості термоелемента для випадків оптичного пропускання і поверхневого поглинання.
Ключові слова: оптикотермоелемент, випромінювач, променева енергія, анізотропне середовище, вольт-ватна чутливість.

В.В. Божко, М.І. Роспопа

Дослідження деяких оптичних та електричних властивостей стекол систем CdSe-ASe₂-Ga₂Se₃ (A-Ge,Sn)

Bолинський державний університет ім. Лесі Українки, 43025 м. Луцьк, пр. Волі 13 (т. 4-92-21, 4-91-57, 77-08-54), e-mail: post@univer.lutsk.ua, nick@lab.univer.lutsk.ua

ПДосліджено спектральний розподіл коефіцієнта поглинання в області енергій 1,2-2,5 еВ, питомої електропровідності, спектри фотолюмінісценції стекол систем CdSe-SnSe₂-Ga₂Se₃ та CdSe-GeSe₂-Ga₂Se₃. Досліджено зміну питомого опору, енергії активації, ширини забороненої зони, максимуму фотолюмінісценції від компонентного складу зразків. Встановлено, що результати з оптичного поглинання добре корелюють із результатами з електропровідності та фотолюмінісценції досліджуваних у роботі стекол.
Ключові слова: скло, невпорядкованість, заборонена зона, питома провідність, енергія активації, фотолюмінісценція.

Д.М. Фреїк, А.М. Яцура

Власні і домішкові атомні дефекти у легованих плівках селеніду свинцю

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

Запропоновано механізми утворення атомних дефектів у плівках PbSe{Pb}:Tl і PbSe{Se}:Bi, вирощених із парової фази методом гарячої стінки. Показано, що основними дефектами при легуванні талієм є однозарядні акцепторні атоми талію [Tl_i^-] і вакансії селену [V_Se²⁺]. Домішка вісмуту проявляє амфотерні властивості, заміщуючи атоми як у катіонній [Bi_Pb⁺], так і у аніонній [Bi_Se^-] підгратках основної матриці. Визначено константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення дефектів.
Ключові слова: плівки, селенід свинцю, легування, квазіхімічні рівняння.

Я.В. Зауличний¹, Т.Ф. Лоскутова, В.Г. Хижняк

Рентгеноспектральне дослідження міжатомної взаємодії в фазових складових Nb-Cr-C-покриттів сталі У10А та її впливу на зчеплення покриттів з матрицею

¹Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України •Національний технічний університет України "КПІ"

На косих зрізах (шліфах) хромових та ніобій-хромових карбідних покриттів сталі У10А, досліджені ультрам'які CrLa-,
CKa-, FeLa- і NbM_4,5-X-спектри емісії з різних глибин покриттів і стальної матриці. Встановлена залежність характеру міжатомної взаємодії від глибини покриття. Показано, що покриття на основі карбіду хрому зчіплюється з матрицею завдяки утворенню Fe-Cr-C-зв'язків внаслідок заміщення хрому залізом в покритті та заліза хромом в стальній матриці. Покриття NbC зчіплюється С-С-зв'язками з прошарком Fe-Cr-C-твердого розчину зчепленого з матрицею.
Ключові слова: рентгенівські спектри, сталь, міжатомна взаємодія.

Б.К. Остафійчук, І.М. Будзуляк, Я.Т. Соловко

Вплив лазерного опромінення на структуру Ві-заміщених плівок ферит-гранатів

Прикарпатський університет ім. Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна

Методами двокристальної дифрактометрії досліджено вплив імпульсного лазерного опромінення на структуру Ві-заміщених ферит-гранатових плівок вирощених на підкладці галій-гадолінієвого гранату. Показано, що структурні зміни в цих плівках залежать не тільки від густини енергії в імпульсі, а й від способу опромінення, тобто застосування дво- і трикратного опромінення тими ж енергіями.
Ключові слова: ферит-гранатові плівки, двокристальна дифрактометрія, лазерне опромінення, ефект Фарадея.

В.Ф. Зінченко¹, Н.П. Єфрюшина¹, І.В. Стоянова¹, В.П. Антонович¹, О.Г. Єрьомін¹,
Н.М. Білявина², В.Я. Марків², О.В. Мозкова³

Вплив термообробки у вакуумі на оптичні властивості плівкоутворюючого матеріалу EuF₃

Фізико-хімічний інститут ім. О.В. Богатського НАН України,
Люстдорфська дорога, 86, Одеса, 65080, Україна, тел. 0482-61-82-25, E-mail: physchem@paco.net
2Київський національний університет ім. Тараса Шевченка,
вул. Володимирська, 64, Київ, 01003, Україна, тел. 044-266-23-35, E-mail: belmar@mail.kiev.ua
3Центральне конструкторське бюро "Арсенал", вул Московська.,
8, Київ, 01010, Україна, тел. 044-254-59-08, E-mail: borisgor@i.com.ua

Вивчено вплив умов синтезу на кристалічну структуру та оптичні властивості трифториду європію. Встановлено можливість часткового відновлення Eu (III) до Eu (II) у процесах високотемпературної обробки у відновлювальному середовищі та вакуумі. Вивчено оптичні та експлуатаційні властивості тонкоплівкових покриттів, отриманих нанесенням вихідного a-EuF₃ методами термічного випаровування. Показано, що в залежності від технології виготовлення покриття воно містить або b-EuF₃, або суміш з a-EuF₃ та b-EuF₃ поліморфних форм.
Ключові слова: європій фторид, валентний стан, структура, тонкоплівкове покриття.

П.О. Кондратенко, Ю.М. Лопаткін¹, О.А. Шовкопляс¹

Фізичні і радіаційно-хімічні ефекти в молекулярних системах на основі HgCl₂

Вища атестаційна комісія України,
Хрещатик,34, Київ, 01001, Тел. 8-044- 228-4773, 8-044-221-2626,E-mail: pkondrat@unicyb.kiev.ua
¹Сумський державний університет,
тел. 8-0542- 32-4016, E-mail: ppyuriy@rs.net.ua

З метою розробки матеріалів для реєстрації високоенергетичного, у тому числі ядерного випромінювання, проведені експериментальні дослідження тонкоплівкових водорозчинних полімерних систем, що містять сулему (HgCl₂), квантово-хімічні розрахунки енергетичної структури, потенційної поверхні основного, збудженого й іонізованого станів сулеми, а також комплексів продуктів перетворення сулеми з аміаком. Експериментальні дані свідчать, що тривале (в умовах експерименту понад 15 хвилин) опромінення шарів високоенергетичними квантами випромінювання (~3 кеВ) з наступним витримуванням у парах аміаку приводить до появи зображення, що не зникає, а навіть підсилюється. Моделювання процесів, що протікають у плівках, показало, що в опромінених плівках, у яких утворюються комплекси (Cl-(HgNH₃)₄-Cl), у присутності парів води відбувається перенос атома водню між двома аміногрупами. Енергетичний бар'єр для переносу атома водню зменшує молекула води, що виступає в ролі каталізатора. Для утворення зображення необхідна конденсація атомів ртуті в краплю, для чого потрібно досягти критичної концентрації атомів Hg у плівці, що можливо тільки при достатній експозиції шару. Розсіювання світ ла на краплях ртуті викликає ефект зображення типу везикулярного.
Ключові слова: сулема, ядерне випромінювання, тонкоплівкові водорозчинні полімерні системи, пари аміаку, краплі ртуті.

Д.М. Фреїк, А.М. Дмитрів, С.С. Лісняк, У.М. Писклинець

Кристалоквазіхімія дефектів у телуриді кадмію кристалічної структури сфалериту і в'юрциту

Прикарпатський університет імені В. Стефаника, фізичний факультет,
вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

Запропоновано кристалоквазіхімічні моделі утворення власних атомних дефектів у телуриді кадмію при процесах нестехіометрії; легування киснем, хлором, індієм; утворення твердих розчинів з ізовалентним і гетеровалнтним заміщенням.
Ключові слова: кристалоквазіхімія, сфалерит, в'юрцит, тетраедричні порожнини (ТП), октаедричні порожнини (ОП), дефекти.

Н.І. Доманцевич, Б.П. Яцишин

Структуро- та дефектоутворення при довготривалому старінні інгібованих полімерних плівок

Львівська комерційна академія, кафедра хімії та фізики,
вул. Туган-Барановського, 10, Львів, 79008, Україна, тел 797-627, E-mail: standar@lac.lviv.ua

Проведено структурні дослідження інгібованих полімерних плівок, які були піддані довготривалому старінню в умовах складських закритих приміщень. Електронномікроскопічними дослідженнями встановлено особливості структуроутворенння в залежності від типу додатків (інгібіторів, пластифікаторів), що використовували, та , відповідно, характерні особливості дефектоутворення, які виникали при тривалому використанні таких плівок.
Ключові слова: полімерні матеріали, пластифікатори, інгібітори корозії металів.

І.Є. Барчій, Є.Ю. Переш, Н.Й. Габорець, М.Ю. Сабов, В.В. Цигика

Фізико-хімічна взаємодія в квазіпотрійній системі TlI-Tl₆Si₄-Tl₆SeI₄

Ужгородський Національний університет,
вул.Підгірна 46, м.Ужгород, 88000, E-mail: sla-chem@univ.uzhgorod.ua barchij@chem.univ.uzhgorod.ua

Методами ДТА і РФА вивчено фазові рівноваги в квазітернарній системі TlI-Tl₆Si₄-Tl₆SeI₄. На основі експериментальних даних побудовано політермічний перезріз TlI-Tl₆S_0,5Se_0,5I₄ та просторову діаграму стану досліджуваної потрійної системи. Встановлено, що дана система характеризується моноваріантною евтектичною рівновагою L=a+b. Описано області первинної та вторинної кристалізацій твердих розчинів на основі вихідних бінарного йодиду та тернарних халькогенгалогенідів талію (І). Хід лінії моноваріантної рівноваги визначено на основі математичного моделювання та поліноміального аналізу.
Ключові слова: фазові рівноваги, потрійні системи, термічний аналіз, симплексний метод.

В.М. Бойчук

Власні атомні дефекти кристалічної структури і фізико-хімічні властивості твердого розчину PbTe-GaTe

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

Запропоновані кристалоквазіхімічні реакції утворення власних атомних дефектів у телуриді свинцю при утворенні твердих розчинів PbTe-GaTe. Встановлено, що донорна дія галію обумовлена двома механізмами: до 0,5 мол. % GaTe переважає механізм заміщення атомами галію вакансій свинцю - октаедричних порожнин, при 0,5-5 мол.% GaTe переважаючу роль відіграє як заміщення іонами Ga¹+ октаедричних порожнин, так і вкорінення Ga³⁺ у міжвузля - тетраедричні порожнини щільної упаковки телуру у PbTe.
Ключові слова: кристалоквазіхімія, телурид свинцю, телурид галію.

Л.А. Карачевцева, О.О. Литвиненко, О.Й. Стронська

Вплив вихідних параметрів електрохімічного процесу на травлення макропор у кремнії

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
просп. Науки, 45, Київ-28, 03028, Україна, (8-044)265-98-15 E-mail: lakar@isp.kiev.ua

Досліджено процес формування макропор в кремнії при стаціонарному освітленні і постійній густині струму протягом електрохімічного процесу в залежності від вихідної напруги на кремнієвому аноді U₀. Стабільне формування макропор починається при досягненні напруги U_c, яка відповідає критичній концентрації дірок рc на границі "кремній-електроліт". При U₀>U_c процес формування макропор є нестійким.
Ключові слова: макропористий кремній, електрохімічне травлення, параметри електрохімічного процесу.

А.П. Олійник¹, В.М. Коваль¹, В.М. Дніпренко²

Оцінка впливу текстури матеріалу на напружено-деформований стан трубопроводів

¹Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу,
76019, вул.Карпатська, 15, Івано-Франківськ, Україна, тел.4-80-00, e-mail: duol@il.if.ua
²Інститут металофізики НАН України,
м.Київ, e-mail: vdniepr@imp.kiev.ua

Досліджено вплив анізотропії властивостей матеріалу на напружено-деформований стан трубопроводів з урахуванням різних типів його текстури. Для оцінки величини вказаного впливу розглянуто тестові задачі. Подано та прокоментовано результати обчислення компонентів тензора напружень, наведено узагальнюючі висновки.
Ключові слова: текстура, монокристал, усереднення, анізотропія, навантаження, напружено- деформований стан.

М.М. Бобіна, Н.В. Ульяненко, Т.В. Лоскутова

Вплив попередньої магнітно-абразивної обробки на властивості карбідних покриттів

Національний технічний університет України "КПІ",
пр. Перемоги 37, м. Київ, 03056, E-mail: ulyasha@zeos.net

У роботі представлені результати досліджень впливу попередньої магнітно-абразивної обробки на властивості дифузійних покриттів на основі карбідів титану, ніобію та хрому. Попередня магнітно- абразивна обробка дозволяє отримати якісні покриття з величиною шорсткості на 8-30% меншою ніж після дифузійного насичення без активації поверхні, формує широку перехідну зону, прискорює ріст покриття на основі карбіду титану, а також збільшує товщину фази карбіду хрому в 2 рази в комплексному покритті на основі карбідів ніобію та хрому.
Ключові слова: карбід титану, карбід ніобію, карбід хрому, мікротвердість, шорсткість.

K. Стижко-Грохов'як¹, Я. Голец¹, Г. Янковський²

Характеристика оптоелектронного моніторингу системи для визначення очищення вуглецю у вивітреному попелі з розпиленого вогнем вугілля розміщеного у машинному котлі

¹Факультет гірничої справи і екологічної інженерії, кафедра екологічних наук,
jgolas@uci.agh.edu.pl
²Факультет електричної інженерії, автоматики, комп'ютерних наук і електроніки, Університет гірничої справи і металургії,
вул. А. Міцкевича,30, 30-059 Краків, Польща

Дано характеристику відбору якості вугільного попелу, отриманого в процесі роботи однорідно розміщеного обладнання з камерою для горіння твердого вугілля. Зразки взяли для перевірки на два провідні підприємства Польщі. Здійснено перевірку хімічних та фізичних властивостей зразків вугільного попелу. Проведено обговорення співвідношення між лабораторними та промисловими дослідженнями розпиленого вугільного попелу. Це дозволило оцінити метод вимірювання %C оптичним аналізатором, а також якість системи автоматичного вимірюваня %C на установках підприємств.
Ключові слова: вугільний попіл. горіння.

С.П. Новосядлий

Аероіонізація ламінарних потоків чистих приміщень субмікронної технології великих інтегральних схем

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника, фізичний факультет,
вул. Галицька, 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

В даній статті проведено комплекс досліджень по зниженню запиленості ламінарних повітряних потоків в чистих технологічних зонах і на цій основі розроблені конструкції аероіонізаторів, які не тільки підвищують на порядок клас чистоти, але і нейтралізують електростатичний заряд та стабілізують вологість і температуру в чистих технологічних зонах формування субмікронних структур ВІС.
Ключові слова: аероіонізатори, електростатичний заряд, субмікронні структури ВІС.

О.М. Герцик, М.О. Ковбуз, Б.Я. Котур, Л.М. Беднарська, Ю.О. Кулик

Вплив механічного розтягу на електрохімічні характеристики аморфних сплавів Fe-Ме-Si-B

Львівський національний університет імені Івана Франка,
вул Кирила і Мефодія, 6, м Львів, 79005, Україна E-mail: o_hertsyk@yahoo.com

І.В. Маслов

Вибір методу формування сигналів оптоелектронних перетворювачів приладів спостереження і контролю

Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу,
76019, м.Івано-Франківськ, вул. Карпатська, 15, тел. 4-80-00, E-mail: dim@il.if.ua

Проаналізовані характеристики різних процедур формування та передачі даних в оптоелектронних перетворювачах та визначена їх інформаційна ефективність.
Ключові слова: оптоелектронні перетворювачі, кодування даних, інформаційна ефективність сигналів.

П.І. Ігнатенко¹, О.А. Гончаров², Д.М. Терпій², В.В. Петухов¹

Морфологія і фізико-механічні властивості плівок боридів ванадію, отриманих методом ВЧ-магнетронного розпилення

¹Донецький національний університет, Україна,
²Донбаська державна машинобудівна академія, Україна

У даній статті описане дослідження впливу режимів ВЧ-магнетронного розпилення на морфологію і фізико-механічні властивості плівок боридів ванадію, отриманих на різних підкладках.
Ключові слова: ВЧ-магнетронне розпилення, плівки боридів ванадію.

Дж. Бадрагі, А. Бейнееї

Технологія конструювання циліндричних фоторецепторів

Дослідний інститут прикладних наук, (ACECR) Тегеранський університет шаха Бехешті,
Тегеран, Іран, E-mail: badraghi_jd@yahoo.com, banaei5@yahoo.com

Фоторецептор є основним елементом для утворення електростатичного зображення в копіювалій машині, що являє собою циліндр з трьома пластами. Результати теоретичних досліджень (розв'язання рівняння Лапласа через Фур'є перетворення потенціалу) дали змогу розробити та виготовити трьох-пластовий фоторецептор з провідним пластом Al, фотопровідним пластом Se та проміжним пластом Al₂O₃. Залишки Al та утворення Al₂O₃ отримано при тиску 5·10^-5-10^-6 мбар. Покриття високо-чистим Se відбувалося при тиску 2·10^-7 мбар, температурі корпусу 220 C та температурі підкладки 105 C впродовж 110 хв. Після електростатичних вимірювань зразок піддали випробуванню на апараті Xerox і було отримано чудові результати.
Ключові слова: фоторецептор, копіювальна машина.