Особливості процесів
дефектоутворення у напівпровідникових плівках сполук
AIVBVI
М.О. Галущак
|
609
|
Фізико-математичні науки
|
Оптичні властивості
тонкоплівкових нанокомпозитів метал-діелектрик
A.Д. Замковец, С.М. Качан, А.Н. Понявіна |
627 |
Особливості будови зони
провідності у високотемпературних кераміках системи 1:2:3 легованої
К і Zn
В.Х. Касіяненко, В.Д. Мартинюк |
632 |
Моделювання взаємодії
атомарного водню з вакансійним дефектом на поверхні Ge(100)
О.Ю. Ананьїна, О.С. Яновський, А.П. Котляров |
638 |
Фотоелектричні властивості
кристалів Cd1-xZnxTe, вирощених під високим
тиском Ar
А. Савицький, Є. Никонюк, О. Парфенюк, М. Ілащук, П. Фочук, П. Фейчук |
643 |
Структурні особливості, кінетика
кристалізації та фізичні властивості плівок сполуки GdFe2
В.І. Присяжнюк, О.Г. Миколайчук |
648 |
Ефекти просторових кореляцій у
процесах контрольованих захопленням на пастки
Я.П. Салій, Р.Я. Салій |
653 |
Вплив водню на електричні
властивості контакту Sn-p-InSe
С.І. Драпак, В.М. Камінський, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, В.Б. Орлецький |
656 |
Вплив термообробки та електронного опромінення
на елементний склад плівок MgO
С. Вашкевич, М. Беркещук, О. Поплавський |
659 |
Дисперсія показника заломлення діелектриків
як основа для відновлення фундаментального спектра поглинання
Б. Андрієвський, А. Патрин |
663 |
Дослідження поверхні і границі
розділу структур, сформованих на Cd1-xZnxTe і
Cd1-xMnxTe лазерною проплавкою
О.В. Галочкін, С.Г. Дремлюженко, Я.Д. Захарук, А.І. Раренко, Є.В. Рибак,
В.М. Стребежев |
669 |
Край поглинання арсеніда кадмія
В.В.Івченко, О.М.Сергеєв, В.С. Єльнік, і Н.М.Чуйко |
673 |
Одержання одно- і двошарових плівок на
основі YBa2Cu3O7-X з абеляційної
плазми, ініційованої лазерною дією
О.Д. Погребняк, О.П. Кульментьєва, А. Марку, А. Лебідь |
681 |
Оптичні властивості
поверхневих модифікованих шарів CdTe<O>
М.М. Сльотов, Я.М. Барасюк, М.В. Демич, А.Г. Бужняк, В.Г. Томін |
686 |
Хімічні науки
|
|
Люмінесцентні властивості монокристалів
СdІ2, легованих СuІ2
О.М. Юрченко, І.Д. Олексеюк, С.С. Новосад |
689 |
Хімічна взаємодія GaSb
та GaAs з травильними композиціями систем
HNO3-HBr(HCl)-H2O
О.С. Чернюк, З.Ф. Томашик, В.І. Гриців, B.М. Томашик, В.М. Кашпор |
693 |
Зарядовий стан вакансій і власні точкові
дефекти монотелуриду олова
Д.М. Фреїк, І.М. Іванишин, Л.Й. Межиловська |
700 |
Хімічне травлення монокристалів InAs
та GaAs в розчинах систем H2O2 - неорганічна кислота
З.Ф. Томашик, Е.М. Лукіянчук, В.М. Томашик |
707 |
Квантово-хімічні розрахунки
частотного спектру кластерів GenSm
(n = 2, m = 3, 5-7; n = 4, m = 3)
Р.М. Голомб |
711 |
Кристалоквазіхімічне дослідження
впливу домішок на реакційну здатність гематиту
Т.Р. Татарчук, Г.Д. Бойко, С.С. Лісняк, Д.В. Процький, Н.Б. Оринчук |
716 |
Технічні науки
|
Вплив деформації на домішкову
провідність ниткоподібних кристалів кремнію в області переходу
метал-діелектрик
А.О. Дружинін, І.Й. Мар'ямова, О.П. Кутраков, І.В. Павловський
|
720
|
Аналіз оптичного спектра світла,
що випускається електричними розрядами в масляній ізоляції
T. Боцар, П. Фрац, Д. Змерзлий |
729 |
Реєстратор ємності параметричного
конденсатора з системою ФАПЧ
В.В. Брайловський, П.П. Ватаманюк, П.М. Шпатар |
737 |
До питання про моделювання фізико-хімічної
ситуації в порах катодних покрить на сталі
А.І. Костржицький, О.М. Наумова |
743 |
Особливості отримання полікристалів ZnS
методом самопоширюваного високотемпературного синтезу
С.В. Козицький, В.П. Писарський, Д.Д. Поліщук |
749 |
Фізико-хімічні особливості виготовлення
Fe-електродів та їх застосування у вторинних Ni-Fe-джерелах струму
Л.М. Зайченко, О.І. Середюк, В.Д. Фотій |
754 |
Дискусії
|
Нова проблема
фізики та хімії твердого тіла: мезоскопiчно невпорядковані
середовища
А.М. Ніколенко |
758 |
Персоналії
|
Томчук Петро Михайлович(.pdf, 119kb)
|
776
|
Проценко Іван Юхимович(.pdf, 119kb)
|
778
|
Галущак Мар'ян Олексійович(.pdf, 119kb)
|
780
|