ФХТТ, Т.5, №2, 2004

Анотації

П.О. Кондратенко, Ю.М. Лопаткін

Кінетика дисоціації фотооксиду антрацену в поліетилені

Національний авіаційний університет, E-mail:pkondrat@unicyb.kiev.ua
Сумський державний університет, E-mail:yu_lopatkin@mail.ru

На підставі експериментальних та теоретичних досліджень фотодисоціації пероксиду в полімерних шарах показано, що при пероксид виявляє термічну нестабільність, причому швидкість дисоціації молекули пероксиду з утворенням молекули антрацену збільшується з підвищенням температури, що викликано малою енергією зв’язку між складовими молекули пероксиду (молекулою кисню та антраценом). Для прискорення експериментальних досліджень запропоновано проводити дослідження процесу дисоціації нестабільної сполуки (пероксиду) з використанням методу неперервного нагрівання зразка з постійною швидкістю. Запропонована методика дозволила знайти енергію та частотни дисоціації (e= 1,20±0,1 еВ, lgk₀= 14,8±1,7). Для пояснення дещо завищеної величини частотного фактора введено припущення про помітну роль компенсаційного ефекту, характерного для термодинамічних процесів за участю молекулярних систем.
Ключові слова: фотодисоціаця, частотний фактор, енергія активації.

А. Грігоніс, З. Руткунуне, Х. Маніковський¹, М. Кулік²

Зміни на кремнієвій поверхні опроміненій, гало-вуглецевою і/або водневою плазмою

Каунаський технологічний університет,
вул. Студента, 50, м. Каунас, 3031, Литва
¹Познанський технологічний університет, Познань, Польща,
²Університет Марії Скадовської-Кюрі, Люблін, Польща

Показано, що утворення полімерів на основі вуглецевого галогену, не домінує на поверхні, при травленні кремнію в плазмі CF₂Cl₂. Плівки A-Si_xC_1-x:H:F, сформовані на поверхні кремнію обробляли в плазмі CF₄ + H₂. Концентрація домішок і переважаючі зв‘язки залежать від умов опромінення і його тривалості. Концентрація вільних зв‘язків у структурі, зростає із збільшенням потужності опромінення. Еліпсометричні вимірювання опромінених структур показали, що при аналізі можна використовувати 4-шарову модель.

М. Ачевес, О. Малік, В. Гримальський

Застосуваня збагачених оксидами кремнієвих плівок в новітніх оптоелектронних приладах

Національний інститут астрофізики, оптики та електроніки, факультет електроніки,
P.O. 51 та 216, Пуебло, ZP 72000, Пуе, Мексика,
Teл/Факс +52-222-247 05 17;
E-mail:maceves@ieee.org amalik@inaoep.mx vgrim@inaoep.mx

Описані оптоелектронні властивості нових оптичних датчиків метал-ізолятор-кремній (MIК). Шар збагачений оксидом кремнію використовується як ізолятор. Ми обговорюємо випадок, коли напруга зміщення не є достатньою для струму, що протікає через шар кремнію збагаченого оксидом. Датчик представляє конденсатор MIК, фотоелектричні властивості якого досліджені і чисельно описані. Це вказує на те, що ступенева напруга зміщення датчика діє в двох квазі-рівноважних методах. Перехід між цими методами представляє практичний інтерес. В першому операційній моді, фотогенеровані неосновні носії зберігаються в потенціалі кремнію збагаченому оксидом на поверхні розділу. Збереження заряду відбувається при зміні, що наступає через застосовувану напруга зміщення. Тому інверсний заряд інжектується в кремнієву підкладку і спостерігається пік зсуву по струму. Амплітуда цього піку перевищує надмірне значення фотоструму в стадії збереження. Внутрішній коефіцієнт розширення струму перевищує значення 10⁴. Тому, досліджувані датчики мають внутрішнє розширення електричного сигналу і вони можуть використовуватися для слабкої оптичної сигнальної реєстрації. Чисельна модель вказує на присутність інверсію і областей збіднення в напівпровіднику, а також враховує витік через збагачений оксидом кремній. Проведено моделювання для експериментальних вхідних параметрів і показано добре узгодження з експериментальними результатами.

Л.А. Карачевцева, О.О. Литвиненко, М.І. Карась, В.Ф. Онищенко

Кутова залежність фотопровідності у двовимірних фотонних структурах макропористого кремнію

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки, 45, Київ-28, 03028, Україна, E-mail:lakar@isp.kiev.ua

Досліджено ефекти підсилення фотопровідності двовимірними фотонними структурами макропористого кремнію. Виявлена залежність фотопровідності від кута падіння електромагнітного випромінювання. Величина власної фотопровідності підсилюється в 10² раз по відношенню до монокристалічного кремнію. Отримані експериментальні результати пояснені формуванням поверхневих електромагнітних хвиль.
Ключові слова: макропористий кремній, фотопровідність, поверхневі електромагнітні хвилі.

О.М. Бордун, З.В. Стасюк, І.Й. Кухарський

Вплив кисневих вакансій на дисперсійні властивості тонких плівок Ві₂О₃

Львівський національний університет ім. І.Франка, вул. Драгоманова, 50, м. Львів, 79005, Україна, E-mail:bordun@wups.lviv.ua

Досліджено дисперсію світла в тонких плівках Ві₂О₃ з моноклінною структурою. Встановлено, що при переході від плівок Ві₂О₃, відпалених на повітрі, до плівок Ві₂О₃, відпалених у вакуумі, спостерігається збільшення величини показника заломлення і густини пакування плівок. Визначено параметри одноосциляторної апроксимації, знайдено дисперсійну енергію, ступінь іонності хімічного зв’язку і координаційне число катіонів.
Ключові слова: тонкі плівки, оксид вісмуту, показник заломлення, дисперсія, одноосциляторна апроксимація.

А.П. Власов, В.К. Писаревський, О.П. Сторчун, О.Ю. Бончик¹, А. Барч², З. Свьонтек³

Твердофазне легування сурмою епітаксійних шарів Cd_xHg_1-xTe

Львівський національний університет імені Івана Франка,
вул. Університетська 1, Львів, 79000, Україна,
¹Інститут прикладних проблем механіки і математики імені Я.С. Підстригача НАН України,
вул. Наукова, 3-6, Львів, 79061, Україна
²Інститут фізики Польської Академії наук,
вул. Ал. Льотніков, 32/46, Варшава, 02-668, Польща
³Інститут металургії і матеріалознавства Польської Академії наук,
вул Реймонта 25, Краків, 30-059, Польща

Представлено результати контрольованого легування сурмою епітаксійних шарів Cd_xHg_1-xTe в процесі ізотермічного нарощування з газової фази методом випаровуванння-конденсація-дифузія (ВКД). Для здійснення процесу твердофазного легування в якості джерела дифузанта використано монокристалічні підкладки CdTe (111). В експериментах застосовано однорідно леговані до рівня NSb ~ 10¹⁷см^-3 в процесі синтезу підкладки і нелеговані, в котрих домішка вводилась в поверхневий шар підкладок з допомогою іонної імплантації: Е = 100 кеВ, D = 8•10¹⁴см^-2. Масспектрометрією вторинних іонів визначено профілі розподілу Sb, а за допомогою рентгенівського мікроаналізатора досліджено профілі розподілу складу основних компонент твердого розчину Cd_xHg_1-xTe по товщині нарощених шарів. Визначення типу провідності і концентрації вільних носіїв здійснювалось з гальваномагнітних вимірів за стандартною методикою. Показано, що використання твердофазного джерела Sb забезпечує високу ефективнісь легування нарощених шарів Cd_xHg_1-xTe. Проведено порівняльний аналіз результатів ВІМС, оптичних і гальвано-магнітних вимірювань легованих Sb епітаксійних шарів Cd_xHg_1-xTe.
Ключові слова: легування, дифузія, CdHgTe.

В.A. Гнатюк¹, В.В. Борщ², M.Г. Кузьменко², O.С. Городниченко³, С.O. Юр‘єв⁴

Дисперсія анізотропних властивостей анізотропних кристалів CdP₂

¹Дослідний інститут електроніки, Університет Шізуока
3-5-1 Йохоку, Хамамацу, 432-8011, Японія, E-mail:gnatyuk@mailcity.com
²Полтавське выддылення Киъвського вищого выйськового ынституту контролю та зв‘язку,
вул Зінківська, 36., Полтава, 36009, Україна
³Інститут фізики напівпровідників, НАН України,
пр. Науки, 45, Київ, 03028, Україна
⁴Національний університет “Львівська політехніка”, фізичний факультет,
вул. Бандери, 12, Львів, 79013, Україна

Результати дисперсії коефіцієнта заломлення, оптичної активності анізотропних кристалів b-CdP₂ та компоненти тензора циркуляції G₃₃ і оптичної активності g₁₂₃ в широкій спектральній зоні поляризації представлено при нормальних умовах. Вивчається і аналізується вплив температури і радіаційної інтенсивності неодимових і рубінових лазери на ці особливості CdP₂.

Р.Д. Іванчук

Фотоелектричні властивості відпалених зразків СdTe, легованого залізом

Чернівецький Національний університет ім. Ю. Федьковича,
вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, 58000

Наведено результати експериментальних досліджень фотопровідності і вольтамперних характеристик відпалених (Т = 1174 К, P_Cd = 2,24•10⁵Па) зразків CdTe, легованого залізом. Виявлене явище залишкової провідності (ЗП) природа якого пов’язується з кластерами, що вміщують домішку заліза, а також явище поляризованої пам’яті при вимірюванні ВАХ.
Ключові слова: релаксація, фотопровідність, кластери.

В.П. Махній, В.В. Мельник, М.М. Сльотов, Б.М. Собіщанський, О.В. Стець

Вивчення механізмів дефектоутворення у шарах ZnSe<Sn>

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
вул. Коцюбинського, 2, 58012, Чернівці, Україна, E-mail:oe-dpt@chnu.edu.ua

Досліджено електричні та люмінесцентні властивості шарів, створених дифузією олова у бездомішкові та леговані Al і Te кристали селеніду цинку. Показано, що олово входить за схемою заміщення переважно у катіонну підгратку, утворюючи мілкі донорні центри. На основі запропонованої моделі дефектоутворення пояснюються спостережувані електрофізичні та люмінесцентні властивості об’єктів досліджень.
Ключові слова: селенід цинку, фотолюмінесценція, електропровідність, точкові дефекти.

Т.А. Ревенюк, С.Н. Федосов, Ж.А. Джиакометті*, О.Є. Сергєєва

Процеси електричної релаксації в легованих плівках полістиролу, електризованих у коронному розряді

Кафедра фізики, Одеська національна академія харчових технологій,
вул. Канатна 112, Одеса, 65039, Україна, тел. 380 482 291180, E-mail:fedosov@optima.com.ua
* Інститут фізики, Університет штату Сан Пауло, CP 369, 13560-970,
Сан Карлос, Бразилія, тел: 55 16 2715365

Вивчено струми термостимульованої деполяризації та кінетика електретного потенціалу плівок полістиролу, легованих оптично активною домішкою ДР1 і електризованих у коронному розряді. Встановлено, що крім накопичення заряду на поверхні плівки, яка бомбардується іонами, відбувається часткова інжекція зарядів в об’єм з їх наступним дрейфом у полі, створеному поверхневим і об'ємним зарядами. Застосування трьох модифікацій методу термостимульованої деполяризації дозволило розділити процеси релаксації дипольної поляризації, об'ємного і поверхневого заряду. Показано, що найбільш термостабільним є поверхневий заряд. Проаналізовано переваги методу електризації нелінійних оптичних полімерів у коронному розряді.
Ключові слова: полістирол, поляризація, коронний розряд, електрети.

Б.К. Остафійчук, І.М. Будзуляк, І.М. Гасюк, Р.В. Ільницький

Рентгенівські kb_2,5 емісійні смуги Ti від нанокристалічного діоксиду титану, інтеркальованого іонами літію

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, Україна E-mail:valeriy@pu.if.ua, тел: 8-0342 59-60-75

На основі аналізу рентгенівських емісійних спектрів титану від нанодисперсних порошків TiO₂ прослідковано тенденції у перебудові електронної структури катодного матеріалу літієвих джерел живлення у процесі технологічної модифікації та інтеркаляції іонами Li⁺. Виявлено перерозподіл електронної густини у сфері титану та додаткову spd-гібридизацію електронних рівнів у процесі літієвої інтеркаляції. Підтверджено розпад основної рутил-анатазної модифікації при високих ступенях “гостьового” навантаження Li⁺.
Ключові слова: інтеркаляція, діоксид титану, рутил, анатаз, рентгенівські емісійні спектри.

М.М. Клим, С.І. Мудрий, І.І. Штаблавий

Структура сплавів системи мідь-марганець

Львівський національний університет ім. Івана Франка,
вул. Кирила і Мефодія, 8a, м. Львів, 79005, Україна E-mail:shtihor@rambler.ru

Рентгенографічним методом досліджена структура ближнього порядку розплавів Cu-Mn в концентраційному інтервалі 5-70 ат % Mn. Проаналізовано структурні фактори і функції радіального розподілу з використанням структурних моделей. Структурний стан збагачених міддю розплавів Cu-Mn визначається самоасоційованими угрупуваннями атомів компонент системи. В розплавах з вмістом 5; 10 і 36,5 ат % Mn формується атомарний розчин, для якого характерне заміщення атомів міді атомами марганцю.
Ключові слова: ближній порядок, структурний фактор, функція радіального розподілу.

Т.П. Говорун, А.О. Степаненко, А.М. Чорноус

Електрофізичні властивості плівок міді з тонким покриттям із нікелю

Сумський державний університет,
вул. Р.-Корсакова, 2, м. Суми, 40007, Україна,
E-mail:info@aph.sumdu.edu.ua

У роботі експериментально досліджено розмірний ефект у температурному коефіцієнті опору (ТКО) плівок Cu з тонким покриттям із Ni, проведено розрахунок параметрів електроперенесення (середньої довжини вільного пробігу носіїв електричного заряду, коефіцієнта дзеркальності, коефіцієнтів розсіювання та проходження меж зерен). Показано, що при нанесенні покриття величина ТКО падає за рахунок зміни умов розсіювання на внутрішніх та зовнішніх межах.
Ключові слова: тонкі плівки, температурний коефіцієнт опору, коефіцієнт розсіювання на межі зерна , коефіцієнт дзеркальності, дифузійна взаємодія.

Д.М. Фреїк, А.М. Яцура

Дефектоутворення в чистих і легованих вісмутом плівках PbSe

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника, кафедра фізики і хімії твердого тіла,
вул. Галицька 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

Запропоновані механізми дефектоутворення в плівках PbSe і PbSe:Bi, вирощених у відкритому вакуумі на сколах (111) BaF₂. Показано, що якщо у чистих плівках домінує утворення міжвузлового свинцю; вакансій селену, то у легованих – вісмут у катіонній (Bi_Pb) і аніонній (Bi_Se) підгратках.
Ключові слова: плівки, селенід свинцю, легування, дефекти.

С.І. Драпак, З.Д. Ковалюк

Особливості електричних властивостей ізотипних гетероперехдів p-GaSe-p-InSe

Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення,
вул. І. Вільде, 5, м. Чернівці, 58001, Україна,
тел: 8(+03722) 2-00-50, Е-mail:chimsp@unicom.cv.ua

В роботі представлено результати перших досліджень ізотопного гетеропереходу p-GaSe-p-InSe. Аналіз експериментальних результатів дозволив визначити основні механізми струмопереносу, пояснити перевищення величини фото-е.р.с. над контактною різницею потенціалів та інші особливості гетероструктури.
Ключові слова: GaSe, InSe, гетероперехід, вольт-амперні характеристики, емісія Шотткі.

Б.К. Остафійчук, П.І. Мельник, В.Д. Федорів, І.П. Яремій, В.О. Коцюбинський, В.І. Мандзюк, Л.С. Кайкан

Вплив термоциклування на структуру і фазовий склад системи Fe-Ti

Прикарпатський університет ім. Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, 76000 Івано-Франківськ, Україна,
Е-mail:sofia@pu.if.ua, тел: +(03422) 59-60-75

В роботі приведені результати дослідження формування структури композитного матеріалу залізо-титан, отриманого спіканням в режимі термоциклування в області температур фазових перетворень заліза і титану (850-950^oС). Показано, що інтенсивність дифузійних процесів в системі Fe-Ti зменшується із ростом кількості термоциклів, що пов’язано з відсутністю поліморфного перетворення в областях зерен заліза, де вміст дифундуючого титану перевищує 2 %, так і з утворення на границі зерен заліза з титаном інтерметалідних фаз, які виступають лімітуючим фактором дифузії.
Ключові слова: термоциклування, фазові перетворення, залізо, титан, дифузія.

Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, І.В. Калитчук, В.М. Кланічка

Рухливість носіїв заряду і механізми їх розсіювання в плівках сульфіду свинцю

Кафедра фізики і хімії твердого тіла Прикарпатського університету імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua/a>

В.М. Кланічка, Л.І.Никируй, А.В. Лисак, С.А. Галігузова

Енергія Фермі халькогенідів свинцю у моделях енергетичних зон Кейна і Діммока та виродження носіїв

Фізико-хімічний інститут Прикарпатського університету імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:liubomyr@pu.if.ua/a>

І.М. Будзуляк, І.А. Климишин, Б.К. Остафійчук, Я.Т. Соловко

Динаміка атомних дефектів в (YSmCaBi)₃(FeGeSi)₅O₁₂-плівках при лазерному опроміненні

Прикарпатський університет ім. Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна E-mail:valeriy@pu.if.ua, тел: +(03422) 59-60-75

Досліджено динаміку дефектної підсистеми кристалічної ґратки у Ві-заміщених ферит-гранатових плівках, вирощених на підкладці галій-гадолінієвого гранату, викликаної дією імпульсного лазерного випромінювання в області їх прозорості. На основі оптичних та рентгенодифрактометричних експериментальних даних, встановлені режими і умови лазерного відпалу атомних дефектів (домішкових атомів та вакансій). При аналізі спектрів поглинання ідентифіковано домішки Bi³⁺, Pb²⁺, Pb⁴⁺, Fe²⁺ та Fe⁴⁺.
Ключові слова: ферит-гранатові плівки, лазерне опромінення, спектри поглинання, магнітооптика, домішкові атоми, вакансії.

Б.Л. Мельничук, Б.Р. Пенюх, З.В. Стасюк

Електричні властивості тонких плівок марганцю

Львівський національний університет імені Івана Франка, факультет електроніки,
вул. Драгоманова 50, м. Львів, 79005, Україна, (032)2964-784; E-mail:stasyuk@wups.lviv.ua

В умовах надвисокого вакууму вивчено електропровідність та абсолютну диференціальну термоелектрорушійну силу тонких плівок марганцю. Результати експерименту трактовано в рамках модельних уявлень про вплив поверхневого розсіювання носіїв струму на перенос заряду в плівках. Здійснено оцінку параметрів переносу заряду в плівках.
Ключові слова: тонкi плiвки, поверхневе розсiювання носiїв струму, середня довжина вільного пробігу носіїв, абсолютна диференціальна термоелектрорушійна сила.

С.А. Неділько, О.Г. Дзязько

Гетеровалентне ізоморфне заміщення в ітрій-галієвому гранаті

Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
вул. Володимирська, 64, Київ, 01033, Україна, (044) 239-33-06, E-mail:nedilko@red-gw.univ.kiev.ua

Методом сумісного осадження компонентів з наступним прожарюванням одержаної шихти синтезовано тверді розчини складу Y_3-xCaxGa_5-xTi_xO₁₂. Рентгенографічним методом визначено межу їх існування. За допомогою методу ІЧ-спектроскопії та математичного прогнозування визначено розподіл катіонів по підграткам гранатової структури. Показано, що при заміщенні галію титаном, останній розподіляється переважно в тетраедричну підгратку.
Ключові слова: гетеровалентне ізоморфне заміщення, ітрій галієвий гранат, ІЧ-спектри, підгратка.

Л.Й. Межиловська, А.М. Дмитрів, П.В. Жуковскі*

Кристалоквазіхімія атомних дефектів твердих розчинів Cd_1-xZn_xTe з участю кисню

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua
*Люблінський технічний університет,
20-618 Люблін, Польща E-mail:mario@elektron.pol.lublin.pl

Методом кристалоквазіхімії досліджено дефектну підсистему у твердих розчинах Cd_1-xZn_xTe при наявності у них неконтрольованої домішки кисню.
Ключові слова: телурид кадмію, твердий розчин, дефекти, сфалерит, кисень.

Г.О. Сіренко, Н.І. Луцишин

Вплив лінійних перфторполіефірів на автокаталітичний розклад перхлорату амонію та дослідження їх суміші на чутливість до удару і тертя

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
вул. Галицька,201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:nli@optima.com.ua

Розкритий механізм розкладу перхлорату амонію в присутності перфторполіефірів за допомогою термографічного та термогравіметричного аналізів, в результаті якого досліджено, що ПХА в присутності ПФПЕ зміщує температуру свого розкладу в сторону вищих температур, що дозволяє використовувати їх при виробництві СТРП при вищих технологічних температурах. Досліджено вплив аеросилів і органоаеросилів на сумісність ПХА з перфторполіефірами та пластичними мастилами на його основі до вибуху при ударі і терті.
Ключові слова: перхлорат амонію, перфторполіефіри, термографічний аналіз, термогравіметричний аналіз, чутливість, удар, тертя, аеросил.

Д.М. Фреїк, В.В. Прокопів, У.М. Писклинець

Моделі атомних дефектів і термодинамічний n-p-перехід у легованих золотом кристалах телуриду кадмію CdTe<Cd>:Au

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

Проведено аналіз дефектної підсистеми кристалів CdTe<Cd>:Au відпалених при високій і охолоджених до кімнатної температури. Визначено рівноважні концентрації носіїв струму, нейтральних, одно- і двозарядних вакансій, міжвузлових атомів кадмію і телуру та домішкових центрів у залежності від технологічних факторів. Встановлено умови реалізації термодинамічного n-p-переходу і домінуючі атомні дефекти.
Ключові слова: телурид кадмію, легування, дефекти, квазіхімічні реакції.

Т.Г. Калініченко, Л.Ф. Суходуб

Дослідження золотої поверхні, модифікованої поверхнево-активними стероїдними глікозидами рослинного походження, методами еліпсометрії та електронної мікроскопії

Інститут прикладної фізики НАН України,
вул. Петропавлівська, 58, м. Суми, 40030, Україна,
тел.: (0542) 33-30-89, E-mail:t_kalinichenko@yahoo.com

Досліджено оптичні та топографічні властивості чистої та модифікованої поверхнево-активними речовинами (ПАР) поверхні золота методами відзеркалюючої еліпсометрії та растрової електронної мікроскопії (РЕМ). Експериментально показано, що концентрація поверхнево-активних стероїдних глікозидів (СГ) на поверхні розчину вища, ніж у середині; СГ здатні утворювати міцелярні агрегати. Модель адсорбції молекул СГ на шорстку золоту поверхню підтверджується математичним моделюванням за допомогою еліпсометричних даних та даних РЕМ.
Ключові слова: золота поверхня, шорсткість, поверхнево-активні речовини, стероїдні глікозиди ряду спіростана, міцелярні агрегати, відзеркалююча еліпсометрія, растрова мікроскопія, модель адсорбції.

О.І. Конопельник, О.І. Аксіментьєва, М.Я. Гриців

Оптичні властивості поліпарафенілену, електрохімічно синтезованого в тонкому шарі

Львівський національний університет імені Івана Франка,
вул. Драгоманова,19, Львів, 79005, Україна, E-mail:konopelnik@physics.wups.lviv.ua/a>

В.М. Бойчук, В.В. Борик

Розрахунок концентрації атомних дефектів твердого розчину n-PbTe-ІnTe на основі кристалоквазіхімічних рівнянь

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57,Івано-Франківськ, Україна, E-mail: fcss@pu.іf.ua

В.О. Українець, Г.А. Ільчук, Н.А. Українець, Р.Ю. Петрусь, С.Б. Харамбура

Властивості поверхнево-бар’єрних структур Мe(Іn, Sn, Pb)-p-CdTe в області додатніх зміщень

Національний університет „Львівська політехніка”, кафедра фізики,
вул. С. Бандери, 12, Львів, 79013, Україна, тел. 8(0322) 398-775, E-mail: gilchuk@polynet.lviv.ua

Виявлено нетипову поведінку фізичних властивостей (диференційної ємності, диференційної провідності, внутрішньої фотоемісії) поверхнево-бар’єрних структур Ме(In,Sn,Pb)-p-CdTe, виготовлених на відносно високоомному p-CdTe (p = (0,3-6,0) Ом·м, p_c-v=(0,3-40)·10²⁰м^-3, Т = 300 К) в області прямих зміщень. Показано, що ці явища взаємопов’язані і зумовлені проявом проміжного шару структур, локалізованого між металом і дірковим телуридом кадмію.
Ключові слова: диференційна ємність і провідність, внутрішня фотоемісія, телурид кадмію.

Я.І. Лепіх

Обробка поверхні п’єзокерамічних звукопроводів елементів на поверхневих акустичних хвилях

Одеський національний університет ім. І.І. Мечникова,
вул. Дворянська, 2, Одеса, 65026, т/ф (0482)-23-34-61, E-maіl: ndl_lepіkh@maіl.ru

А.І. Мінайлов

Керування параметрами низькорозмірних структур, отриманих методом імпульсного охолодження насиченого розчину-розплаву

Херсонський державний технічний університет,
Бериславське шосе 24, м. Херсон, 73008, Україна
тел. (0552) 51 64 68, E-mail:andymin@selena.net.ua

А. Суморек, В. Пієтржик

Вплив вітру сонячної корони на конвекційне сушіння

Люблінський технологічний університет, факультет комп’ютерної та електричної інженерії,
вул. Надбистржицька, 38A, 20-618, Люблін, Польща,
тел./факс: (+48 81) 53 81 299, E-mail: sumek@elektron.pol.lublin.pl

А.В. Іващук

Вплив технології металізації на параметри омічних контактів до GaAs

BAT “Науково-виробниче підприємство “Сатурн”,
м. Київ, тел. (380 - 44) 478-0681, E-mail:ivaschuk@i.com.ua

Б.К. Остафійчук, І.М. Будзуляк, І.І. Григорчак, І.Ф. Миронюк, Р.П. Лісовський, Р.І. Мерена

Температурна залежність експлуатаційних характеристик суперконденсаторів

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна

Проведено дослідження температурної залежності питомих характеристик електрохімічних конденсаторів (ЕК), ємність яких забезпечується подвійним електричним шаром (ПЕШ). Встановлено, що в температурному діапазоні -30 – +50^oС ЕК придатні для використання без особливих змін їх експлуатаційних характеристик.
Ключові слова: електрохімічний конденсатор; подвійний електричний шар.

С.П. Новосядлий, Р.І. Запухляк, П.І. Мельник

Схемотехніка, структура та фізико-технологічні особливості потужних вихідних каскадів для швидкодіючих цифрових ВІС

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника, фізичний факультет,
вул. Галицька 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

В даній статті вперше розроблені і проаналізовані схемотехніка, структура та технологія формування структур комбінованих вихідних високовольтних каскадів цифрових ВІС, які включають біполярні, К-МОН, n-, p-МОН, Д-МОН польові транзистори і польові транзистори з p-n-переходом для збільшення швидкодії, завадозахищеності і зменшення енергоспоживання з регулюючим лінійним навантаженням.
Ключові слова: схемотехніка, польовий транзистор, топологія, високовольтний вихід, суміщена структура, багатозарядна імплантація, швидкодія, кремнієва епітаксійна структура.

І.В. Маслов

Оптична система контролю якості зварних з’єднань

Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу,
вул. Карпатська, 15, м. Івано-Франківськ, 76019, Україна,
тел. 4-80-00, E-mail:dim@il.if.ua