ФХТТ, Т.6, №1, 2005

Анотації

Б.М. Рувінський¹, М.А. Рувінський²

Фононне поглинання гіперзвуку в прямокутному квантовому дроті

¹Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу,
вул.Карпатська, 15, м.Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:ruvinsky@il.if.ua
²Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул.Шевченка, 57, м.Івано-Франківськ, 76000, Україна

Досліджено фононний механізм поглинання гіперзвуку типу Ландау-Румера в прямокутному квантовому дроті. Розраховано дисперсійні криві і коефіцієнти поглинання обмежених акустичних фононів найнижчих гібридних "ширинних" мод для дроту GaAs з вільною поверхнею і різними поперечними розмірами. Проведено порівняння фононного та електронного механізмів поглинання гіперзвуку. Показано, що при достатньо високих температурах істотним є фононний механізм поглинання, а у низькотемпературній області – електронний механізм.
Ключові слова: прямокутний квантовий дріт, обмежені акустичні фонони, гіперзвук, кубічний ангармонізм, фононне поглинання гіперзвуку.

Д.М. Фреїк, М.А. Лоп’янка, А.К. Школьний, Р.І. Никируй

Нанокристали сполук IV-VI, осаджені із газодинамічного потоку пари

Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

Наведено вирази для термодинамічних параметрів пари газодинамічного потоку при лінійному градієнті температури вздовж циліндричного каналу. Розраховано залежність критичного перерізу, коефіцієнта і результуючої швидкості конденсації та ступеня пересичення пари телуриду олова від технологічних факторів та досліджено їх вплив на особливості росту конденсату.
Ключові слова: нанокристали, газодинамічний потік, параметри пари, телурид олова.

І.Ф. Миронюк¹, В.І. Мандзюк¹, Т.В. Гергель²

Розмірні ефекти в наночастинках пірогенного діоксиду кремнію

Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна E-mail:mandzyuk_vova@rambler.ru, тел: +(03422) 59-60-75
2Івано-Франківська державна медична академія,
вул. Галицька, 2, Івано-Франківськ, 76000, Україна

Дослідження пірогенного діоксиду кремнію з використанням інфрачервоної Фур’є-спектроскопії дозволили з’ясувати, що із зменшенням середнього діаметру наночастинок зростає довжина силоксанового зв’язку в ланцюжках Si – O – Si, причому найбільшого видовження зазнають зв’язки в поверхневому прошарку глобул. “Набухання” глобул пов’язане із значним Лапласовим тиском всередині малих частинок. В спектрах SiO₂ реєструється смуга з максимумом поглинання при 978-964 см^-1, що належить асиметричним коливанням атомів силоксанового зв’язку поверхневого прошарку глобул.
Зниження концентрації гідроксильних груп і концентрації адсорбованої води в малих частинках обумовлене зменшенням кількості поверхневих атомів кремнію в перерахунку на одиницю площі.
Ключові слова: пірогенний діоксид кремнію, силоксановий зв’язок, інфрачервона спектроскопія, наночастинка.

Л.Ю. Островська¹, А.П. Дементьєв², П. Мілані³, І.Н. Холманов³, Л.А. Матвеєва⁴

Зміни змочування кластерних плівок TiO₂ при відпалі та ультрафіолетовому опроміненні

¹Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України,
вул. Автозаводська, 2, Київ, 04074, Україна, E-mail:ostrovska@ism.kiev.ua
²Російський дослідницький центр „Інститут Курчатова”, пл. Курчатова, Москва, 123182, Росія
³Міланський університет, Мілан, 20133, Італія, E-mail:Paolo.Milani@mi.infn.it
⁴Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
пр. Науки, 42, Київ, 03028,Україна, E-mail:matveeva@isp.kiev.ua

В роботі вивчалися механізми зміни змочуваності тонких плівок (200 нм – 1 мкм) нанокластерного діоксиду титану під дією термовідпалу та ультрафіолетового опромінення. Встановлено, що відпал TiO₂ на повітрі (800^o, 3 год) істотно зменшує (від 83^o до нульового значення) кут змочування плівок дистильованою водою. Це відбувається внаслідок зміни структури (фазове перетворення анафаз-рутіл), хімії (зміна стану Ti⁴⁺—> Ti³⁺) та морфології (рекристалізація) поверхні плівки. Безповоротні зміни структури та морфології поверхні при відпалі перешкоджають відновленню з часом значень кутів змочування до вихідних. Змочуваність плівок TiO₂ можна також ефективно змінювати шляхом ультрафіолетового опромінення (l=365 нм, 7 год) але за іншим механізмом, за рахунок оборотніх змін тільки хімічного стану поверхні. Тому, на відміну від відпалу, кути змочування опромінених плівок при витримці в темряві швидко повністю відновлюються. Показана можливість спрямованого керування змочуваністю нанокластерних плівок, що є важливим для їх багатьох застосувань.

В.Б. Залесский¹, Т.Р. Леонова¹, О.В. Гончарова², И.А. Викторов³, В.Ф. Гременок³, Е.П. Зарецкая³

Получение тонких пленок оксида цинка методом реактивного магнетронного распыления и исследование их электрических и оптических характеристик

¹Институт электроники НАН Беларуси,
220090, Минск, Логойский тракт,22; E-mail:Zalesski@inel.bas-net.by
²Институт молекулярной и атомной физики НАН Беларуси,
220072, Минск, просп. Ф. Скорины, 70; E-mail:Olga.Goncharova@imaph.bas-net.by ³Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси,
220072, Минск, ул. П. Бровки, 17; E-mail:gremenok@ifttp.bas-net.by

Разработана технология получения нелегированных кристаллических пленок оксида цинка, обеспечивающая возможность целенаправленного изменения их электрического сопротивления в пределах r= 3×10^-4-1×10⁷ Ом·см. Изучена взаимосвязь электрических характеристик ZnO-слоев с параметрами процесса их нанесения и определены условия формирования высокоомных i-ZnO- и низкоомных n-ZnO-пленок с заданными значениями электрического сопротивления. Установлено, что доминирующим фактором, определяющим величину проводимости пленок ZnO является изменение концентрации свободных носителей, контролируемое кислородными вакансиями. С целью выбора оптимальных режимов формирования высокопрозрачных покрытий с заданной величиной проводимости изучены особенности микроструктуры и спектральных свойств (спектров краевого поглощения и пропускания в области прозрачности) n-ZnO-пленок, осажденных специальными методами реактивного магнетронного распыления цинковой мишени в среде аргона с кислородом (10% Ar, 90% O₂) при давлении 5×10^-3 мм. рт. ст. Показано, что разработанный метод дискретного формирования ZnO-пленок на аморфных подложках обеспечивает изготовление кристаллических структур стехиометрического состава с высокой плотностью упаковки и пространственной ориентацией кристаллитов в направлении [002]. Установлено, что даже в случае n-ZnO-пленок с·r = 3×10^-3 Ом·см особенности микроструктуры обусловливают высокую величину пропускания покрытий. Показана возможность формирования двухслойных структур n-ZnO/i-ZnO, перспективных для снижения себестоимости солнечных элементов при их серийном производстве.
Ключові слова: оксид цинка, реактивное магнетронное распыление, цинковая мишень, среда аргона с кислородом, электрическое сопротивление, кристаллические ориентированные пленки, высокопрозрачные электрические контакты и буфферные слои, тонкопленочные солнечные элементы.

П.Г. Литовченко¹, В.С. Манжара⁴, В.Я. Опилат², І.В. Петренко¹, В.П. Тартачник¹, В.М. Шапар³

Випромінювальна рекомбінація в опроміненному фосфіді галію

¹Науковий центр Інститут ядерних досліджень АН України,
²Національний педагогічний університет імені М.П. Драгоманова,
³Інститут фізики напівпровідників АН України,
⁴Інститут фізики НАН України,
E-mail:opylat@ua.fm

Досліджувались спектри випромінювальної рекомбінації світлодіодів GaP. Показано, що опромінення g-квантами Co⁶⁰ та електронами з Е = 1 МеВ спричиняє деградацію свічення, яка обумовлена введенням безвипромінювальних рівнів радіаційних дефектів. Виявлено, що екситонне випромінювання, пов’язане з анігіляцією зв’язаних на атомах азоту екситонів, проявляє підвищену чутливість до радіації порівняно з іншими лініями спектру.
Ключові слова: фосфід галію, радіаційні дефекти, деградація, люмінесценція.

М.М. Сльотов, Я.М. Барасюк, М.В. Демич, А.Г. Бужняк, В.Г. Томін

Оптичні властивості поверхневих модифікованих шарів CdTe<O>

Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича,
вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, 58012, (03722)44221, E-mail:oe-dpt@chnu.cv.ua

Досліджено оптичні властивості поверхневих шарів телуриду кадмію. Показано, що відпал кристалів призводить до утворення модифікованого шару, геометричні параметри і фізичні властивості якого визначаються ізовалентною домішкою кисню.
Ключові слова: телурид кадмію, ізовалентна домішка, фотолюмінесценція, l-модульовані спектри, оптичне відбивання.

Б.К. Остафійчук, В.Д. Федорів, В.О. Коцюбинський, В.В. Мокляк

Мессбауерівські дослідження магнітних та електричних надтонких взаємодій в епітаксійних плівках Y₃Fe₅O₁₂

Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:mvvmcv@mail.ru, тел: +(03422) 59-60-75

Методом конверсійної електронної мессбауерівської спектроскопії проведено дослідження тонкої магнітної мікроструктури приповерхневого шару епітаксійної плівки залізо-ітрієвого гранату орієнтації (111). Встановлено наявність двох магнітонееквівалентних позицій іонів Fe³⁺ в тетраедричних вузлах структури граната та парамагнітну фазу, яка формується іонами Fe²⁺. Застосовуючи метод діагоналізації матриці ядерного гамільтоніану змішаної магнітної дипольної та електричної квадрупольної взаємодій, отримано інформацію про просторову орієнтацію магнітних моментів окремих катіонних підграток досліджуваної структури та значення компонент тензора градієнта електричного поля на ядрах Fe⁵⁷ у різних кристалічнонееквівалентних позиціях.
Ключові слова: залізо-ітрієвий гранат, конверсійна електронна мессбауерівська спектроскопія, ефективне магнітне поле, тензор градієнта електричного поля.

О.А. Кулініч, М.А. Глауберман

Дослідження приповерхневих шарів кремнію при його окисленні

Одеський національний університеті ім. І.І. Мечникова, навчально-науковий виробничий центр
Україна, 65063, м.Одеса, вул. Маршала Говорова, 4, E-mail:eltech@elaninet.com

В роботі наведені результати досліджень приповерхневих областей кремнію при його окисненні. Виявлено, що ці області складаються із сильно разупорядкованого кремнію, який проявляє деякі діелектричні властивості, та шарів кришталевого кремнію з дислокаційними сітками, що закінчуються на межі цих шарів. Товщина шарів сильно разупорядкованого кремнію пропорційна товщині шарів термічно отриманого оксиду. Виявлено, що основною домішкою в приповерхневих областях є кисень, який виявляючи пасивуючі та електричні властивості, впливає на зарядовий стан цієї області.
Ключові слова: кремній, оксид, окислення, кисень, дислокації.

О.Б. Кондрат, Н.І. Попович, М.І. Довгошей

Явища перенесення носіїв заряду в гетероструктурах кристал Si-Bi-аморфна плівка Ge₃₃As₁₂Se₅₅

Ужгородський національний університет,
вул. Підгірна, 46, Ужгород, 88000, Україна, Тел.: (03122) 3 23 18; E-mail:moshenec@rambler.ru

У роботі наведені результати дослідження електрофізичних властивостей гетероструктур Ge₃₃As₁₂Se₅₅ Si(n), отриманих дискретним термічним напиленням з комірок Кнудсена, з перехідним шаром, модифікованим атомами вісмуту. Визначено механізм перенесення заряду в цих гетероструктурах. Показано, що бар’єр для дірок на межі поділу відсутній. Побудовано енергетичну діаграму гетероструктури Ge₃₃As₁₂Se₅₅ Si(n). Встановлено, що в структурах з модифікованим перехідним шаром зникає м’який пробій, зумовлений перенесенням електронів при зворотньому зміщенні. Бар’єр для електронів на межі поділу складає 0,62 еВ. Показано, що при виготовленні гетероструктури з модифікованим перехідним шаром необхідно напилювати плівку Ge₃₃As₁₂Se₅₅ товщиною не менше 0,4 мкм. Виявлено, що при модифікації перехідної області наношаром Ві відбувається перехід від різкого до плавного переходу, що зумовлено дифузією металу у приповерхневі шари та подальшим збільшенням області просторового заряду.
Ключові слова: гетероструктура, модифікований перехідний шар, вольт-амперна характеристика, вольт-фарадна характеристика, енергетична діаграма.

Г. Байцар¹, О. Миколайчук¹, Б. Яцишин²

Вплив термодинамічних умов напилення на властивості та кінетику кристалізації аморфних конденсатів Hf-(Fe, Co, Ni)-Ge

¹Львівський національний університет ім.Ів.Франка,
79005, Україна, Львів, вул.Кирила і Мефодія,8, тел. 29-64-306
²Львівська комерційна академія,
79008 Україна Львів, вул Туган-Барановського, 10, тел 797-627, E-mail: ecofizbo@lac.lviv.ua

Досліджено процеси росту та кристалізації аморфних конденсатів Нf-(Fe,Co,Ni)–Ge. Проведено порівняння експериментальних результатів та отриманих розрахункових величин температур кристалізації, вказано на відмінності цього параметру, отриманого при малих термодинамічних пересиченнях і у моделі, що базується на визначенні переходу як процесу зміни в’язкості матеріалу. Виявлено значні відхилення від закону залежності температури кристалізації від ентальпії утворення (Ткр = 7,5·DН) за моделлю Міедема.
Ключові слова: тонкі плівки, аморфність, кристалізація.

О. Наконечна, І. Плющай, Г. Єрьоменко, М. Захаренко

Особливості електронної структури аморфних сплавів NiPdP

Фізичний факультет Київського національного університету імені Тараса Шевченка,
вул. Володимирська, 64, 01033, Київ, Україна

Модифікованим методом когерентного потенціалу з урахуванням топологічного безладу розраховано електронний спектр аморфних сплавів NiPdP. Виявлено, що одержані дані добре корелюють з експериментом. Показано, що локалізовані електронні стани відіграють визначальну роль у формуванні кінетичних характеристик, зокрема, питомого опору.

М. Андросюк, С.І. Степановський, З.В. Стасюк

Електронно-адсорбційні характеристики плівок неодиму, адсорбованих на грані (100) кристала вольфраму

Львівський національний університет імені Івана Франка
вул. Драгоманова,50, Львів, 79005

В роботі методом контактної різниці потенціалів досліджено зміни роботи виходу f плівок неодиму, адсорбованих на поверхні (100) кристала вольфраму в широкому діапазоні концентрацій адсорбату n і температур Т прогріву підкладки. Показано, що поведінка залежності роботи виходу від концентрації адсорбату та температури підкладки дещо схожа, як у випадку адсорбції деяких інших атомів рідкісноземельних елементів (Dy, Ho, Tb, Gd) на аналогічній грані вольфраму. Результати експерименту пояснено на основі уявлень про роль обмінної взаємодії у формуванні загальної енергії зв'язку адатома з поверхнею та про існування частково заповнених поверхневих електронних станів, які в значній мірі визначають характеристики обмінної взаємодії.
Ключові слова: адсорбція, обмінна взаємодія, робота виходу, неодим, вольфрам.

Д.М. Фреїк¹, О.Л. Соколов¹, Г.Д. Матеїк², Б.С. Дзундза¹, В.Ф. Пасічняк¹

Електричні властивості епітаксійних плівок PbSnSe у моделях Петріца і дифузного розсіювання

¹Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-maіl:freik@pu.іf.ua
²Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу,
вул. Карпатська, 15, м. Івано-Франківськ, 76019, Україна

Досліджено залежності питомої електропровідності (s), коефіцієнта Холла (R_H) і холлівської рухливості (m_H) плівок Pb_0,91Sn_0,09Se n - і p - типу провідності від товщини при 77 і 300 K. За умови реалізації двошарової моделі Петріца визначено електричні параметри приповерхневих шарів тонких плівок. Проаналізовано розмірну залежність рухливості для дифузного розсіювання.
Ключові слова: плівки, халькогеніди свинцю, розсіювання, модель Петріца.

А.М. Яцура

Реальна структура епітаксійних плівок селеніду свинцю

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
кафедра фізики і хімії твердого тіла,
вул. Галицька 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, Е-mail:freik@pu.іf.ua

Приведено результати дослідження структури епітаксійних плівок РbSe, вирощених з парової фази методом гарячих стінок на сколах слюди, фтористого барію і лужно-галоїдних кристалів при різних температурах осадження.
Ключові слова: плівки, селенід свинцю, кристалічна структура, епітаксія.

Н.В. Ганина, В.А. Шмугуров, В.И. Фистуль

Квантово-химическое определение энтальпии образования моновакансий в полупроводниковых соединений А^IIIB^V

Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В.Ломоносова,
СГУ (Россия, Молдавский филиал)

Методом молекулярных орбиталей расчитаны значения энтальпий и энтропий образования моновакансий и этальпий образоваия парных дефектов Шоттки в полупроводниковых соединениях А^IIIB^V со структурой сфалерита. В расчетах учтена деформация кристаллической решетки вокруг дефекта.
Ключові слова: энтальпия, энтропия, дефекты Шотки.

П.Й. Стахіра¹, Я.І. Верцімаха², О.І. Аксіментьева³, Б.Р. Ціж⁴, В.В. Черпак¹

Гібридні сонячні комірки на основі композитів диспергований InSe - поліанілін

¹Національний університет “Львівська політехніка”,
вул. С. Бандери, 12, Львів, 79013, Україна, E-mail:stakhira@polynet.lviv.ua
²Інститут фізики НАН України,
пр. Науки, 46, Київ, 03022, Україна
³Львівський Національний університет ім. Івана Франка,
вул. Кирила і Мефодія, 8, Львів, 79005, Україна ⁴Академія Казимира Великого,
вул. Чоткевіца, 30, Бидгошч, 85-064, Польща

Розроблено гібридну сонячну комірку на основі композитів диспергований InSe – поліанілін. Показано, що темнові вольт-амперні характеристики можуть бути описані рівнянням Шоклі. Знайдено, що залежність густини фотоструму від інтенсивності світла є нелінійною. Визначенна величина коефіцієнта ідеальності n = 1.98, що свідчить про можливість нелінійної рекомбінації нерівноважних носіів в композиційній структурі. Спектри фоточутливості композитів добре корелюють зі спектром фоточутливості кристалічного InSe. Запропоновані комірки характеризуються підвищеною напругою холостого ходу порівняно з іншими гібридними елементами на основі спряжених полімерів і неорганічних напівпровідників.

З.Ф. Томашик, І.Б. Стратійчук, В.М. Томашик

Взаємодія нелегованого та легованого CdTe з травильними розчинами системи H₂O₂–HBr–тартратна кислота

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
м. Київ, пр. Науки 41; E-mail:s_irina@isp.kiev.ua

У відтворюваних гідродинамічних умовах з використанням установки хіміко-динамічного полірування вперше вивчено механізм і кінетику фізико-хімічної взаємодії монокристалічних зразків нелегованого та легованого домішками Ga, Ge, Sb, Sn і As + Cl кадмій телуриду з травильними розчинами системи H₂O₂–HBr–тартратна (С₄Н₆О₆) кислота. Побудовано ізолінії однакових швидкостей травлення (діаграми Гіббса) і встановлено концентраційні межі поліруючих, селективних і неполіруючих розчинів. Показано, що легування впливає як на швидкість, так і на характер хімічного розчинення кадмій телуриду.
Ключові слова: травлення, травильна композиція, кадмій телурид, легування, швидкість розчинення.

О.В. Кучма¹, М.М. Ільченко², Ю.Л. Зуб¹, О.О. Чуйко¹

Чинники, що впливають на конформаційну поведінку прищеплених до поверхні кремнезему молекул ряду калікс[4]арен-краун-6

¹Інститут хімії поверхні НАН України,
вул. Генерала Наумова, 17, Київ, 03164 Україна (т.: +38044-422-96-30), E-mail:lisichbibi@list.ru,
²Інститут клітинної біології та генетичної інженерії НАН України,
просп. Заболотного,148, Київ 03143 Україна,

З метою встановлення чинників, які впливають на конформаційну рухливість прищепленої до поверхні кремнезему молекули калікс[4]арен-краун-6 і, як наслідок, на її сорбційну здатність щодо ізотопу ¹³⁷Cs⁺, було проведено оптимізацію геометрії деяких похідних калікскраунового ряду, закріплених на поверхні кластеру складу Si42O54(OH)58, який являв собою частину розрізу (111) b-кристобаліту квантово-хімічними напівемпіричними методами АМ1 та РМ3. Аналіз результатів розрахунків дозволив встановити, що такими чинниками є природа і геометрія замісників, якими молекула калікс[4]арен-краун-6 зв'язується з поверхнею кремнезему, а також відстань між силанольними групами, шляхом заміщення водню яких макроциклічна молекула фіксується на поверхні носія.
Ключові слова: каліксарени, сорбція цезію, квантово-хімічне моделювання, конформаційна мобільність калікс[4]аренів.

О.В. Слободян, М.В. Шаплавський

Електрофізичні властивості плівок С₁₇H₃₅COONa

Буковинська державна медична академія,
пл. Театральна, 2, Чернівці, 58000, тел. (0372) 2-45-44, E-mail:oksana.v.s@mail.ru

Досліджено вплив змінного електричного поля на властивості плівок стеарату натрію в системі метал-плівка-метал. У досить широкому інтервалі значень амплітуди змінного струму спостерігається нелінійність активних складових вольт-амперної характеристики, а активний опір зменшується із ростом амплітудного значення електричного струму. Показано, що зміна активної складової електричного опору обумовлена стискуванням шарніроподібних зв’язків у вуглеводневих ланцюгах внаслідок притягання протилежно заряджених металевих пластин між собою. Останнє підтверджується аналогічними змінами активного електричного опору при механічному стискуванні пластин.
При збільшенні амплітуди електричного поля в системі метал-плівка-метал виникає зворотній електричний пробій. Критичне значення амплітуди електричного поля суттєво залежить від ступеня шороховатості металевих пластин.
Ключові слова: електрофізичні властивості, тонкі плівки, стеарат натрію, система метал-плівка-метал, тензометричний датчик, вольт-амперна характеристика, поверхнево-активні речовини.

Л.Й. Межиловська, В.М. Бойчук, О.В. Ткачик

Точкові дефекти і механізми утворення твердих розчинів PbTe-Sb₂Te₃

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському національному університеті імені Василя Стефаника
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:prk@pu.if.ua

Запропоновано квазіхімічні рівняння утворення твердих розчинів PbTe-Sb2Te3 за механізмами заміщення і вкорінення сурми в октаедричні та тетраедричні порожнини щільної упаковки атомів телуру кристалічної структури телуриду свинцю. Розглянуто випадки збереження стехіометрії у легуючому клестері за металом і халькогеном. На основі аналізу результатів експерименту і кристалоквазіхімічних рівнянь зроблено висновки про домінуючі механізми утворення твердих розчинів.
Ключові слова: телурид свинцю, тверді розчини, точкові дефекти, кристалоквазіхімічні рівняння.

О.І. Бодак², В.А. Ромака¹, Ю.В. Стадник², Л.П. Ромака², Ю.К. Гореленко², В.Ф. Чекурін¹

Перехід провідності метал-діелектрик, викликаний зміною складу твердого розчину Zr_1-хSc_хNiSn

¹Інститут прикладних проблем математики та механіки імені Я. Підстригача НАН України,
вул. Наукова, 3-б, 79053, Львів, Україна, тел. (032)-65-19-23; E-mail:romaka@lviv.net
²Львівський національний університет імені І.Франка,
вул.Кирила і Мефодія, 6, 79005, Львів, Україна, тел. (032)-296-45-03; Е-mail:stadnyk_yuriy@franko.lviv.ua

Вперше експериментально виявлено осциляції магнітної сприйнятливості поблизу переходу провідності метал-діелектрик при зміні складу твердого розчину Zr_1-хSc_хNiSn, який ми пов’язуємо з переходом Андерсона. Осциляції є проявом кулонівської щілини домішкової зони при зміні ступеню легування та компенсації напівпровідника. Запропоновано модель перебудови домішкової зони Zr_1-хSc_хNiSn при легуванні напівпровідника акцепторними домішками.
Ключові слова: напівпровідник, електропровідність, коефіцієнт Зеєбека, акцептор, домішка.

Ю.С. Борисов, А.Л. Борисова, Л.І. Адєєва, А.Ю. Тунік, М.Т. Панько

Газотермічні покриття, що містять квазікристалічну фазу, властивості і застосування
(oгляд)

Ключові слова:

П. Тарковскі

Проблеми, пов’язані із питаннями трибології модифікованих металів із тонким покриттям

Люблінський технічний університет, механічний факультет,
вул. Надбистржицька, 36, 20-618, Люблін, Польща; E-mail:p.tarkowski@pollub.pl

Вибрано задачі, що пов’язують процеси фракції та зносу металічних поверхонь, покращених тонкими шарами. Протестовано лабораторну схему тонких шарів у якості доброго узгодження з заданими критеріями.

В.Ф. Башев¹, O.E. Белецька¹, Н.A. Коровіна², Н.А. Куцева¹, А.А. Лисенко¹

Вплив методів швидкого охолодження високо енергетичними джерелами на фазову структуру і властивості титанових сплавів

¹Дніпропетровський національний університет,
вул. Наукова, 13, Дніпропетровськ, 49050, Україна,
²Дніпродзержинський національний технічний університет,
вул. Дніпропетровська, 2, Дніпродзержинськ, 51918, Україна

Представлено результати експериментів по фазовому складу та властивостям серійних титанових (a+b) сплавів ВТ3-1, ВТ-8, ВТ-16, оброблених високоенергетичними джерелами (ВЕД) електронно-променевого та лазерного випромінювання. Теоретично оцінено швидкості охолодження при лазерній обробці та встановлено теплові режими охолодження різних зон оплавлення. Показано, що продукти мартенситного перетворення та нітриди титану (Ti, Me)N (переважно) і (Ti, Me)₂N, які утворюються у верхніх горизонтах оплавленої лазером зони, сприяють значному підвищенню мікротвердості оброблених ВЕД титанових сплавів.

З.Д. Ковалюк, О.А. Політанська

Створення та дослідження p-n-переходів на p-InSe<Cd> імпульсним лазерним опроміненням

Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
вул. І. Вільде, 5, Чернівці, Україна 58001 тел: 8(+0372) 52-00-50, E-mail:chimsp@unicom.cv.ua

Отримані p-n-переходи опроміненням поверхні p-InSe<Cd> потужними лазерними імпульсами тривалістю 2 мс. Обговорюються температурні залежності вольт-амперних характеристик, спектри фотовідклику та інтерпретовано механізми проходження струму досліджуваних гетеропереходів.
Ключові слова: p-InSe<Cd>, p-n-перехід, вольт-амперні характеристики, фотовольтаїчний ефект.

Г.С. Хрипунов

Плівкові сонячні елементи NaCl/ITO/CdS/CdTe/Cu/Au

Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут»
вул. Фрунзе 21, 61002, Харків, Україна, E-mail: khrip@ukr.net

C.П. Новосядлий, Р.І. Запухляк, П.І. Мельник

Прогнозування надійності структур великих інтегральних схем за допомогою імпульсних нерівноважних вольт-фарадних характеристик

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
вул. Галицька 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

В даній статті проведено аналіз властивостей нерівноважних вольт-фарадних характеристик МОН структури, знятих на трапецієвидних імпульсах розгортки з довжиною фронтів, менших часу перезарядження поверхневих станів і глибоких рівнів в напівпровіднику. Показано, що такі нерівноважні CV-характеристики можуть бути використані для електрофізичного діагностування надійності структур ВІС на стадії їх формування.
Ключові слова: нерівноважна CV-характеристика, МОН структура, міжфазна межа розділу, пастка, заряд, гістерезис, надійність.

О.В. Ляпіна, А.І. Костржицький

До питання про одержання функціональних конденсаційних покрить прямим випаровуванням сполук у вакуумі

Одеська національна академія харчових технологій,
вул. Канатна, 112, м. Одеса, 65039, (0482) 29-11-31, E-mail:profAIK@ipss.net

І. Воробець¹, М.М. Воробець¹, Т.А. Мельничук¹, А.Г. Шкавро²

Cтруктурні зміни плівок AL, SIO₂, SI внаслідок старіння після імпульсного фотонного опромінення та їх вплив на характеристики контактів AL–n-SI з бар’єром Шотткі

¹Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича, фізичний факультет,
вул. Коцюбинського 2, Чернівці 58012, Україна, E-mail:rt-dpt@chnu.cv.ua
²Київський національний університет ім. Т. Шевченко, радіофізичний факультет,
вул. Володимирська 64, Київ 01017, Україна, E-mail:shkavro@univ.kiev.ua