ФХТТ, Т.6, №2, 2005

Анотації

Д.М. Фреїк, В.І. Голота

Аналіз сплеск-перетворень і їх прикладне застосування
(oгляд)

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, 76025, м. Івано-Франківськ, вул. Галицька, 201, тел.: 58-32-51, E-mail:kre@pu.if.ua

Розглянуто ортонормований базис векторних просторів, поняття сплесків для неперервних і дискретних сигналів. Показано, що співвідношення багатомасштабного аналізу дозволяють виразити масштабуючі функції і сплески через набори коефіцієнтів. Розглянуто використання цифрових фільтрів і Z-перетворень для підсмугового перетворення сигналів. Показана особливість біортогональних перетворень. Проведено огляд практичного використання сплеск-перетворень.
Ключові слова: сплески, сплеск-перетворення, неперервні і дискретні сигнали, цифрові фільтри, Z-перетворення.

Б.B. Aндрієвський^a), В. Cіплух-Tроянек^a), M.O. Романюк^b), A.A. Патрин^a), Г.M. Романюк^c)

Електронна енергетична структура ПГН кристалу з першорядних розрахунків

^a)Факультет електроніки і інформатики, Технічний університет Козаліна,
вул Снядекіх 2, Koзалін, 75-453, Польща (E-mail:bandri@tu.koszalin.pl) ^b)Львівський національний університет ім. Івана Франка,

вул. Кирила і Мефодія 8, Львів, 79005, Ukraine
^c)Інститут фізичної оптики,
вул. Драгоманова, 23, Львів, 790005, Ukraine Україна

Ab-initio розрахунки зонної структури, густини електронних станів, і оптичного спектру ферроелектричного подвійно-діглиційоного кристалу (DGN) представлені вперше. Дослідження презентують відносно оптимізованої структури DGN. Розрахунки зонної структури характеризують DGN як молекулярний кристал. Обчислений оптичний спектр узгоджується з експериментальними даними в діапазоні енергії фотона 3–13 еВ.

І.А. Большакова¹, В.Н. Брудний², Д.М. Заячук¹, О.Ю. Макідо¹, В.Т. Маслюк³, І.Г. Мегела³, Т.А. Московець¹, Ф.М. Шуригін¹

Вплив електронного опромінення на мікрокристали InSb<Sn> та InAs<Sn>

¹Лабораторія Магнітних Сенсорів, Національний університет «Львівська політехніка»,
вул. Котляревського, 1, Львів, 79013, Україна, т.(032)297-03-93, E-mail:inessa@mail.lviv.ua
²Сибірський фізико-технічний інститут ім. В.Д. Кузнєцова, Томськ, Росія.
³Інститут електронної фізики НАН України, Ужгород, Україна

Проведені дослідження впливу дії електронного опромінення на мікрокристали InSb<Sn> та InAs<Sn>, вирощені методом хімічних транспортних реакцій, які характеризуються високою структурною досконалістю та низькою густиною дислокацій і представляють практичний інтерес для виготовлення на їх основі датчиків магнітного поля для екстремальних умов експлуатації. Проведені дослідження концентраційних та дозових залежностей відносної зміни концентрації носіїв заряду під дією електронного опромінення, обговорюються особливості поведінки цих матеріалів після опромінення їх високоенергетичними частинками.
Ключові слова: мікрокристали, сенсори магнітного поля, радіаційні дефекти, опромінення електронами, концентрація носіїв заряду.

М.В. Карпець, Ю.В. Мільман

Дифракційне ‘in-situ’ вивчення квазікристалічних порошків Al-Cu-Fe-X для газотермічних покриттів

Frantsevich Institute for Problems of Materials Science,
3, Krzhizhanovsky Str., Kyiv-142, 03680, Ukraine; E-mail:karp@ipms.kiev.ua

Досліджено структуру та фазовий склад порошків Al-Cu-Fe-Х (Х = Cr, Sc) одержаних диспергуванням розплаву водою високого тиску. Розпилені порошки містять дві основні фазові складові: квазікристалічну фазу ікосаедричної симетрії () з періодом гратки a = 0,63466(7) нм і кубічну фазу (), a = 0,29236(3) нм. Фазовий склад порошків залежить від їх зернистості. Рентгенівське in-situ дослідження (монохроматичне CuK випромінювання) при нагріванні порошків в атмосфері гелію виявило протікання в них повного фазового перетворення  при температурах 550-600С після витримки на протязі 1 години. Таке перетворення супроводжується зменшенням періоду гратки -фази до значення a = 0,63167(2) нм. Дифрактометричне вивчення показало існування -фази в досліджених порошках до температури 870С. Легування порошків Al-Cu-Fe атомами Sc та Cr приводить до зміни співвідношення вмісту - та -фаз і їх періодів граток, а також появи нових фазових складових при температурах 600-800С в процесі нагріву порошків. Встановлено функціональну залежність періоду квазікристалічної гратки -фази від температури в водорозпилених порошках Al₆₃Cu₂₅Fe₁₂ і Al_62,56Cu₂₅Fe₁₂Sc_0,44.
Ключові слова: квазікристалічна фаза, рентгенівське in-situ дослідження, система Al-Cu-Fe.

Г.О. Cукач, П.Ф. Олексенко, П.С. Смертенко, А.M. Євстігнєєв, A.Б. Богословська, В.Ю. Горонескул

Інжекція заряду в пористому кремнії в діапазоні температур від 77 K дo 400 K

Інститут фізики напівпровідників Національної академії наук України,
просп. Науки 45, Київ, 01028, Україна

This article describes the charge injection into porous silicon structures fabricated by electrochemical treatment of 20 Ohmcm p-type silicon. The I-V characteristics, photoluminescence spectra and lifetime kinetics have been studied at temperatures 77 K, 293 K and 373 K. Measurements show that the photoluminescence in porous silicon layers results from the recombination of electrons and holes captured in potential wells of various depth and shape; its intensity is controlled by nonradiative recombination on the wire boundaries. The charge flow in the Au(Al)-porSi-Si-Al structure results from the charge transfer in the metal – thin insulator – semiconductor configuration. The current is not restricted by the conductivity of insulating layers; it is restricted by the generation processes in the regions of space charge and semiconductor/ insulator interface due to large amount of defects with various ionization energies. Potential barriers at the surface of porous silicon are formed due to surface defects at the interface silicon wire/oxide; their generation tends to shift the surface potential to the intrinsic value.

І.Ф. Миронюк¹, Б.К. Остафійчук¹, В.І. Мандзюк¹, Б.П. Бахматюк², І.І. Григорчак², Р.Й. Ріпецький³

Кінетичні характеристики процесу Li⁺ іонної інтеркаляції кремнезем-вуглецевих нанокомпозитів

¹Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна
E-mail:mandzyuk_vova@rambler.ru, тел: +(03422) 59-60-75
²Національний університет “Львівська політехніка”,
вул. Котляревського, 1, Львів, 79000, Україна
³Коломийський інститут управління природними ресурсами,
вул. Коцюбинського, 5, Коломия, Україна

Методом імпедансної спектроскопії досліджено кінетику процесу електрохімічного впровадження іонів літію в кремнезем – вуглецеві нанокомпозити. Встановлено, що при зростанні ступеня “гостьового” навантаження на поверхні досліджуваного матеріалу утворюється пасивуючий шар. У досліджуваних матеріалах виявлено новий механізм накопичення заряду – нефарадеєвську гіперємність.
Ключові слова: електрохімічна інтеркаляція, карбоаеросилогель, карбосилікагель, імпедансна спектроскопія, діаграма Найквіста, еквівалентна схема.

О.І. Бодак¹, В.А. Ромака², Ю.В. Стадник¹, М.Г. Шеляпіна³, Л.П. Ромака¹, В.Ф. Чекурін², Ю.К. Гореленко¹

Роль домішкової зони в провідності твердого розчину TiCo_1-xNi_xSb. Донорні домішки

¹Львівський національний університет імені І. Франка,
вул. Кирила і Мефодія, 6, Львів, 79005, Україна, тел. (032)-296-45-03; Е-mail:stadnyk_yuriy@franko.lviv.ua
²Інститут прикладних проблем математики та механіки імені Я. Підстригача НАН України,
вул. Наукова, 3-б, Львів, 79053, Україна, тел. (032)-65-19-23; Е-mail:romaka@lviv.net
³Інститут фізики імені І.В. Фока Санкт-Петербургського національного університету,
вул. Ульянівська, 1, Петродворець, м. Санкт-Петербург, 198504, Росія; Е-mail:marina@ms4828.spb.edu

Визначено роль домішкової донорної зони в провідності легованого та компенсованиого напівпровідника TiCoSb. Здійснено розрахунок електронної структури напівпровідникового твердого розчину TiCo_1-xNi_xSb. Запропоновано модель перебудови домішкової зони напівпровідника TiCoSb при легуванні донорними домішками. Виявлено перехід провідності від активаційної до металічної при зміні складу твердого розчину TiCo_1-xNi_xSb, який ми пов’язуємо з переходом Андерсона.
Ключові слова: напівпровідник, домішкова зона, донор, електропровідність, коефіцієнт Зеєбека.

І.С. Новосад, О.М. Бордун

Електретні стани в кристалах PbІ₂

Львівський національний університет імені Івана Франка,
вул. Університетська 1, м. Львів, 79000, Україна, тел. (0322) 964-679, E-mail:novosadis@rambler.ru

В даній роботі проведено комплексне дослідження електретного стану (ЕС) неактивованих кристалів йодистого свинцю. Встановлено, що ЕС створюється як при охолодженні та темновій поляризації, так і при фотополяризації світлом з області 515 нм та з області власного поглинання при 85 К. Дія ІЧ-світла на фотополяризований кристал при 85 К призводить до значного послаблення фоточутливості в прикраєвій області, про те слабо впливає на фоточутливість в області власного поглинання. При цьому зареєстровано інтенсивний струм фотодеполяризації “спалахового” типу, кінетика релаксації якого описується двома експонентами. З аналізу отриманих та літературних даних випливає, що спектральна чутливість фотоелектретного стану в ІЧ-області спектру може бути пов’язана з центрами F-типу.
Ключові слова: йодистий свинець, електретний стан, спектральна чутливість фотоелектретного стану, центри захоплення.

С.І. Драпак, З.Д. Ковалюк

Самоорганізація границі розділу гетеропереходів p-GaSe-n-InSe, виготовлених методом посадки на оптичний контакт, в процесі довготривалого зберігання

Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення,
вул. І. Вільде, 5, м. Чернівці, 58001, Україна,
тел: 8(+0372) 52-00-50, E-mail:chimsp@unicom.cv.ua

Досліджено зміну параметрів бар’єра в фотодіодах на основі оптичного контакту p-GaSe-n-InSe в процесі старіння. Встановлено, що в результаті довготривалого зберігання внаслідок дифузійного розпливання кисню, адсорбованого на границі розділу, напівпровідникові пластини приходять в тісний контакт, внаслідок чого гетеропереходи набувають нових властивостей, обумовлених квантово-розмірними ефектами.
Ключові слова: шаруваті напівпровідники, гетероперехід, вольт-амперні характеристики, вольт-фарадні характеристики, від’ємна диференційна провідність, резонансне тунелювання.

П.Й. Стахіра, О.І. Аксіментьєва¹, В.В. Черпак

Гетероструктури на основі плівок провідних полімерів на поверхні неорганічних напівпровідників

Національний університет „Львівська політехніка”, кафедра електронних приладів,
вул. С. Бандери, 12, Львів, 79013, тел: (032) 258-26-03, E-mail:stakhira@polynet.lviv.ua
¹Львівський національний університет імені Івана Франка,
вул. Кирила і Мефодія, 8, Львів, 79005, E-mail:aksimen@org.lviv.ua

В роботі проводилась оптимізація властивостей гетероструктур з поліаніліновим шаром як джерелом інжекції дірок на прикладі формування гетероструктури на основі поруватого кремнію - поліаніліну. Вивчався вплив товщини полімерного шару, отриманого в умовах електрохімічної полімеризації з циклічною розгорткою потенціалу, на властивості гетероструктури. На основі проведеної роботи були отримані та дослідженні гетероструктури поліанілін-поруватий кремній.
Ключові слова: поліанілін, поруватий кремній, гетероструктура, електрохімічне осадження.

А.О. Дружинін, І.Й. Мар’ямова, Ю.М. Ховерко, С.М. Мaтвієнко

Властивості шарів полікремнію на ізоляторі при кріогенних температурах і в сильних магнітних полях

Національний університет ”Львівська політехніка”, НДЦ”Кристал”,
вул. Котляревського, 1, Львів, 79013, тел.(0322)721632, E-mail: druzh@polynet.lviv.ua

Досліджено властивості шарів полікремнію на ізоляторі, нерекристалізованих та після лазерної рекристалізації, легованих бором, в температурному діапазоні 4,2÷300 К і в сильних магнітних полях. Вивчався вплив лазерної рекристалізації на температурну залежність опору полікремнію з різною концентрацією носіїв заряду при низьких температурах. Вимірювання магнітоопору шарів полікремнію проводились при кріогенних температурах в магнітних полях до 14 Т. Показано можливість створення на основі шарів полікремнію на ізоляторі сенсорів температури і п’єзорезистивних сенсорів механічних величин, працездатних при кріогенних температурах і в сильних магнітних полях.
Ключові слова: шари полікремнію на ізоляторі, лазерна рекристалізація, кріогенні температури, магнітні поля, сенсори.

Б.Л. Мельничук, Б.Р. Пенюх, З.В. Стасюк

Електропровідність та термоелектрорушійна сила тонких плівок марганцю і заліза

Львівський національний університет імені Івана Франка
вул. Драгоманова,50, Львів, 79005

В умовах надвисокого вакууму вивчено вплив поверхневого та зерномежового розсіювання носіїв струму на електропровідність та термоелектрорушійну силу плівок марганцю і заліза. Результати експерименту трактовано в рамках модифікованих квазікласичних модельних уявлень про перенос заряду в зразках обмежених розмірів. Вважається, що в тонкій плівці перехідного металу є дві незалежні групи носіїв струму. Поверхневе і зерномежове розсіювання впливають на перенос заряду кожною з груп незалежно.
Ключові слова: тонкі металеві плівки, класичний і квантовий розмірний ефект, поверхневе розсіювання носіїв струму.

Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза

Вплив поверхні і міжзеренних меж на рухливість носіїв у тонких плівках телуриду свинцю

Кафедра фізики і хімії твердого тіла Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

Досліджено залежність рухливості носіїв струму від товщини у тонких мозаїчних плівках PbTe, вирощених на сколах слюди. Виділено внесок розсіювання на поверхні і міжзеренних межах.
Ключові слова: тонкі плівки, телурид свинцю, рухливість, механізми розсіювання.

П.I. Iгнатенко¹, O.А. Гончаров², Д.M. Терпiй¹, Н.П. Кляхiна¹

Електричні властивості епітаксійних плівок PbSnSe у моделях Петріца і дифузного розсіювання

¹Донецький національний університет, вул. Унiверситетська, 24, Донецьк, 83055, Україна,
²Донбаська державна машинобудівна академія, вул. Шкадiнова, 72, Краматорськ, Україна

Приведено результати досліджень плівок деяких боридiв, нiтридiв і силiцидiв, отриманих різними методами іонного осадження. Показано, що фазоутворення і структура плівок хімічних сполук визначаються головним чином швидкістю осадження атомів на пiдклaдку.
Ключові слова: іонне осадження, нiтриди, бориди, пiдкладка, швидкість утворення, структура, фазовий склад.

В.П. Махній¹, М.Ф. Павлюк¹, О.М. Сльотов²

Аналіз механізмів дефектоутворення у кристалах ZnSе:Mg

1) Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Галицька 201, 58012, Івано-Франківськ, Україна, E-mail:pavlyuk@pu.if.ua
2) Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
вул. Коцюбинського, 2, 58012, Чернівці, Україна, Е-mail:oe-dpt@chnu.edu.ua

Методом квазіхімічних реакцій проведено розрахунок концентрацій рівноважних дефектів у кристалах ZnSе, легованих ізовалентною домішкою Mg з парової фази. Встановлено, що у зразках відпалених при 1200 К домінують вакансії селену та міжвузловинний селен, які відповідальні за формування інтенсивної блакитної смуги люмінесценції.
Ключові слова: селенід цинку, ізовалентна домішка, фотолюмінісценція, точкові дефекти, асоціативні дефекти.

С.С. Лісняк, Г.Д. Бойко, М.В. Кедик

Нові підходи до розрахунку швидкості відновлення гематиту та механізму процесу

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
вул. Галицька, 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, тел.: (0342) 3-99-43

Запропоновано принципово нові методи розрахунку швидкості відновлення гематиту та механізму взаємодій, які полягають у проведенні розрахунку відносно кисню, який присутній в оксиді на даний час, тобто на одиницю реагуючого кисню. Встановлено нові закономірності процесу відновлення та пояснено їх відповідно до методу нестехіометричних оксидів з різною природою та концентрацією дефектів.
Ключові слова: гематит, дефект, кристалоквазіхімічний метод, катіонні вакансії, аніонні вакансії, магнетит, вюстит, антиструктура, анігіляція.

Г.В. Коренкова, О.М. Щербатій¹, С.А. Неділько², О.Х. Тадеуш³, В.М. Уваров¹

Електронна будова оксиду YVO₄

Південноукраїнський Державний педагогічний Університет ім.К.Д. Ушинського,
вул. Старопортофранківська, 26, Одеса, 65091 тел.(0482)371169, E-mail:allforme@eurocom.od.ua
¹Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України,
бульв. Акад. Вернадського, 36, Київ, 03680
²Київський Національний Університет ім.Т. Шевченка,
вул. Володимирська, 62а, Київ, 01033
³Південноукраїнський Державний педагогічний Університет ім.К.Д. Ушинського,
вул. Старопортофранківська, 26, Одеса, 65091 тел. (048)7311791

Методом рентгенівської спектроскопії та за допомогою зонних розрахунків у LAPW- наближенні досліджено електронну структуру ортованадата YVO₄. Отриманні данні про зарядові та спінові характеристики атомів, а також про закономірності формування енергетичних зон валентних станів в оксиді YVO₄.
Ключові слова: електронна будова, ванадат, рентгенівські спектри, розрахунки LAPW.

У.М. Писклинець

Іонізовані та електронейтральні дефекти у кристалах CdTe

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

Проведено аналіз дефектної підсистеми у кристалах CdTe, відданих відпалу в парі кадмію при температурах Т = 973-1273 К. Показано, що у всьому діапазоні парціальних тисків пари кадмію концентрація іонізованих власних точкових дефектів значно більша ніж нейтральних. При кімнатних температурах має місце домінування нейтральних дефектів. Визначено умови реалізації термодинамічного n-p-переходу.
Ключові слова: кадмій телурид, двотемпературний відпал, точкові дефекти, квазіхімічні рівняння.

О.О. Коров’янко¹, Ю.П. Гнатенко², П.М. Фочук¹, О.Е. Панчук¹, П.М. Буківський²

Особливості дефектної структури та властивості монокристалів CdTe<In> різного стехіометричного складу

¹Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
кафедра неорганічної хімії, вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, 58012,
²Інститут фізики НАН України,
пр. Науки, 46, м. Київ, 03028

Вивчено вплив стехіометрії на структуру точкових дефектів (ТД) монокристалів CdTe<In> шляхом дослідження спектрів низькотемпературної фотолюмінесценції (ФЛ) зразків, відпалених системно при різних відхиленнях від стехіометрії. Показано, що основні смуги, виявлені у спектрах фотолюмінесценції, пов’язані з наявністю в цих кристалах комплексів точкових дефектів: (In⁺_CdV^-_Cd)^- та (2In⁺_CdV^-_Cd)⁰. Нейтральні комплекси переважають в кристалах, відпалених в атмосфері пари кадмію, іонізовані є характерними для зразків, відпалених в атмосфері телуру. Проведено моделювання структури ТД за рівняннями квазіхімічних реакцій дефектоутворення при високих температурах, а також для ситуації в кристалі після умовного гартування до 0 К.
Ключові слова: фотолюмінесценція, телурид кадмію, квазіхімічні реакції, легування.

А.М. Дмитрів

Точкові дефекти та їх компенсація у меркурій телуриді

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському національному університеті імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, Івано-Франківськ, 76000, Україна

На основі кристалоквазіхімічних рівнянь для HgTe розраховані концентрації точкових дефектів і носіїв струму у граничних межах області гомогенності. Проведено теоретичний розрахунок ізотерм та ізобар концентрації точкових дефектів V^-_Hg, V^2-_Hg, Hg⁺_i, Hg⁺_2i і запропоновано механізми процесів дефектоутворення у кристалах HgTe при відпалі у широкому діапазоні зміни тисків парів меркурію 10²-10⁵ Па при температурах відпалу 523, 673 К. Проаналізовано процеси самокомпенсації дефектів.
Ключові слова: меркурій телурид, кристалоквазіхімія, квазіхімія, дефекти, компенсація.

Б.Т. Бойко, Г.С. Хрипунов, А.В. Меріуц, Е.П. Черних

Дослідження плівкових сонячних елементів ITO/CdS/CdTe/Cu/Au

Національних технічний університет “Харківський політехнічний інститут”,
вул. Фрунзе 216, Харків, 610026, Україна
Тел. 380-752-23-57-91 Факс 380-572-587003, E-mail:boyko@kpi.kharkov.ua

Вперше шляхом аналітичної обробки експериментальних світлових вольт-амперних характеристик сонячних елементів ITO/CdS/CdTe/Cu/Au показано, що при проведенні «хлоридної» обробки максимальний коефіцієнт корисної дії спостерігається при товщині хлориду кадмію яка одночасно забезпечує досягнення мінімальних значень послідовного електроопору і щільності діодного струму насичення. Запропоновані фізичні механізми, які визначають ефективність проведення «хлоридної» обробки.

Ключові слова: плівкові сонячні елементи, коефіцієнт корисної дії, світлові вольт-амперні характеристики, вихідні параметри, діодні характеристики.

В.В. Погосов, Є.В. Васютін

Про струмову щілину вольт-амперної характеристики одноелектронного транзистора на металевому кластері

Запорізький національний технічний університет, вул. Жуковського, 64, Запоріжжя, 69063, Україна, тел. (0612) 64-67-33, E-mail:vpogosov@zntu.edu.ua

Проводиться теоретичне дослідження одноелектронних ефектів в структурі з двох послідовно з’єднаних тунельних переходів з врахуванням дискретності спектра центрального кластера-електрода. Обговорюється походження струмової щілини, розраховується її величина і асиметрія по напрузі.
Робота виконана за підтримки Міністерства освіти і науки України і корпорації Samsung.
Ключові слова: одноелектронне тунелювання, металевий кластер, квантування спектра, струмова щілина.

Ю.Г. Добровольський

Вибухові шуми кремнієвих фотодіодів

НВФ “Тензор”
вул. Червоноармійська, 226, м. Чернівці, 58013, т/ф (0372) 57-50-52, E-mail:yuriydrg@ukr.net

Розглянуто природу вибухових шумів у зворотно зміщених кремнієвих фотодіодах. Показано, що наявність вибухових шумів у кремнієвих фотодіодів пов’язано з підвищеною густиною дислокацій та точкових дефектів в області p-n переходу та концентрацією легуючої домішки. Одним з основних джерел генерації вибухового шуму є поверхні кристалу фотодіода.
Ключові слова: фотодіод, кремній, вибуховий шум, дислокації, темновий струм.

Г.І. Гуріна, К.В. Савченко*

Нанокомпозити бентоніт-органічний олігомер

Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут»,
вул. Фрунзе, 21, м. Харків-002, 61002, Україна
*Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б. І. Веркіна, Національна академія наук України,
просп. Леніна, 47, м. Харків-103, 61103, Україна,
E-mail:konstantin@kharkov.com, galinaiv@kharkov.com

Запропоновано використання синтезованих інтеркаляційним методом нанокомпозитів для лакофарбових матеріалів на основі бентоніту та алкідних, поліуретанових, поліефірімідних лаків. Наведені і проаналізовані результати досліджень фізико-механічних і фізико-хімічних властивостей отриманих н анокомпозитів і покрить на їхній основі. Встановлено збільшення значень твердості покрить та підвищення зносостійкості лакових покрить з нанокомпозитами.
Ключові слова: нанокомпозит, бентоніт, .монтморилоніт, олігомер, алкід, поліуретан, поліефірімід, твердість, зносостійкість.

Г.О. Сіренко¹, Л.Я. Мідак¹, В.П. Свідерський², О.С. Дробот², Л.В. Караванович¹

Вплив суміжних поверхонь на антифрикційні властивості композиційних полімерних матеріалів. Орієнтовані карбопластики

¹Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна
²Хмельницький національний університет,
вул. Інститутська, 11, м. Хмельницький, 29000, Україна

Досліджено залежність антифрикційних властивостей полімерних композитів, наповнених вуглецевими волокнистими матеріалами, від механічних і теплофізичних властивостей суміжних поверхонь твердих тіл. Встановлено, що на зношування суміжної поверхні визначальний вплив здійснює орієнтація шарів наповнювача композиційного матеріалу відносно вектора швидкості. Встановлено, що для орієнтованих композиційних матеріалів антифрикційні властивості не залежать від твердості суміжної поверхні, а визначаються станом вихідної поверхні контртіла і поверхневими шарами, що утворюються на поверхнях зразка і суміжної поверхні в процесі тертя і зношування.
Ключові слова: орієнтований карбопластик, полімерна матриця, вуглецеве волокно, суміжна поверхня, орієнтація наповнювача, напрямок армування, інтенсивність зношування, мікротведість.

О.В. Ляпіна, А.І. Костржицький

До питання щодо вологостійкості конденсованих систем мідь-олово і їх аналогів

Одеська національна академія харчових технологій,
вул. Канатна, 112, м. Одеса, 65039, E-mail:profAIK@ipss.net

Приведені результати дослідження вологостійкості конденсуючих плівок сплавів на основі міді у вологій атмосфері. По характеру зміни контактного опору визначені найбільш стійкі і найбільш стабільні системи Cu-Sn, Cu-Sn-Ni і Cu-Sn-Al. З використанням методу рангової кореляції проведений порівняльний аналіз конденсуючих систем і вибраний оптимальний склад по параметру “вологостійкість”.
Ключові слова: вологостійкість, опір, плівка, рангова кореляція.

О.І. Аксіменьтєва, Н.І. Доманцевич*

Проникливість полімерних модифікованих матеріалів

Львівський національний університет імені Івана Франка, кафедра фізичної та колоїдної хімії
вул. Кирила і Мефодія, 10, Львів-5, 79005, Україна,
*Львівська комерційна академія, кафедра експертизи товарів та послуг,
вул. Туган-Барановського, 10, Львів, 79008, Україна, E-mail:standar@ lac.lviv.ua