ФХТТ, Т.6, №3, 2005

Анотації


О.М. Возняк

Врахування впливу спін-орбітальної взаємодії на енергетичний спектр ідеальних кристалів та невпорядкованих твердих тіл у методі сильного зв’язку
(oгляд)


Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
кафедра фізики твердого тіла,
вул. Галицька 201, Івано-Франківськ, 76008, Україна


У рамках єдиного підходу, що базується на застосуванні двочасових температурних функцій Гріна, розглянуто методику врахування впливу спін-орбітальної взаємодії на енергетичний спектр ідеальних кристалів та невпорядкованих твердих тіл у моделі сильного зв’язку. Для ідеального кристала знайдено вирази для матричних елементів оператора спін-орбітальної взаємодії на базисі атомних хвильових функцій s-типу (s-модель) та атомних хвильових функцій s і p-типу (sp3-модель). Для невпорядкованого твердого тіла з безладом зміщень на базисі атомних хвильових функцій s-типу, у наближенні, квадратичному за зміщеннями від вузлів ідеальної кристалічної гратки, одержано рівняння для спектру. Розв’язки цього рівняння знайдено для безладу, що базується на лінійному ланцюжку атомів та простій кубічній гратці.
Ключові слова: енергетичний спектр, спін-орбітальна взаємодія, безлад зміщень.


Повна версія статті .pdf (391kb)



В.А. Шендеровський

Зонно-структурний механізм в комбінаційному розсіянні світла в нерівноважній напівпровідниковій плазмі

Інститут фізики НАН України,
Україна, 03028 Київ, пр. Науки, 46. Тел. 525-07-77, tel/fax: 525-55-71, E-mail:schender@iop.kiev.ua

Показано, що в нерівноважній плазмі з нестандартним законом дисперсії енергії переріз розсіяння електромагнітних хвиль помітно залежить від степені непараболічності та орієнтації полів відносно кристалографічних вісей. За певних умов (цілком реальних для більшості напівпровідникових матеріалів) переріз розсіяння хвиль може сягати аномально великих значень в порівнянні з величинами, які є в рівноважній плазмі і при врахуванні тільки флуктуацій концентрації носіїв. Отримано конкретні вирази для коефіцієнта розсіяння (трансформації) хвиль на флуктуаціях в конкретних напівпровідниках.
Ключові слова: напівпровідник з нестандартним законом дисперсії, переріз розсіяння, гріюче поле.


Повна версія статті .pdf (270kb)



Я.С. Буджак

Елементи статистичної теорії кінетичних властивостей тонких плівок

Національний університет “Львівська політехніка”
79013 м. Львів-13,вул.С.Бандери 12

В роботі висвітлюються елементи статистичної теорії властивостей плівкових кристалів, яка є альтернативною до кінетичної теорії, яка ґрунтується на кінетичному рівнянні Больцмана.
Ключові слова: статистична сума, термодинамічні потенціали, канонічний розподіл Гіббса.


Повна версія статті .pdf (288kb)



Є.С. Никонюк2, З.І. Захарук1, Г.І. Раренко1, М.О. Ковалець2, В.Л. Шляховий2, О.В. Галочкін1

Глибокі центри в кристалах Cd1-XMnXTe, легованих домішкою Sn

1Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича,
вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, 58012, Україна, E-mail:microel@chnu.cv.ua
2Український державний університет водного господарства і природокористування,
вул. Соборна, 11, м. Рівне, 33000, Україна, E-mail:semirivne@mail.ru

Досліджені температурні залежності питомого опору та постійної Холла в кристалах Cd1-XMnXTe:Sn з різним вмістом Mn (х = 0,2÷0,4). Встановлено, що легування домішкою олова супроводжується підвищенням питомого опору на декілька порядків і утворенням глибоких центрів, енергетичні рівні яких лежать біля середини забороненої зони.
Ключові слова: телурид кадмію, легування, глибокі акцептори, питомий опір.


Повна версія статті .pdf (322kb)



Я.В. Зауличний, Ю.М. Солонін, С.С. Звєзда

Особливості рентгенівських СKα-спектрів емісії вуглецевих волокон

Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАНУ,
вул. Кржижанівського 3, Київ, 03142 Україна

Дана робота присвячена вивченню структури вуглецевих волокон з різною товщиною. Представлено результати вивчення по-різному орієнтованих волокон за допомогою методу ультрам'якої рентгенівської емісійної спектроскопії. Показано, що спектри товстого волокна ширші, ніж смуги тонкого. Особлива увага приділена дослідженню тонкої структури р-зони.
Ключові слова: електронна структура, вуглецеві волокна, поліакрилонитрил, рентгенівський емісійний спектр, валентна зона.


Повна версія статті .pdf (318kb)



К.В. Савченко

Гамма-індукована провідність Ga2Se3

Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Веркіна, Національна академія наук України
просп. Леніна, 47, Харків, 61103, Україна, E-mail:konstantin@kharkov.com, тел: +(03422) 59-60-75

Представлено результати досліджень гамма-індукованої провідності крупнокристалічних зразків Ga2Se3, що є перспективним матеріалом для робочих елементів у датчиках іонізуючих випромінювань з аномально високим радіаційним ресурсом [V.M. Koshkin, L.P. Galchinetskii, V.N. Kulik, B.G. Minkov, U.A. Ulmanis // Solid State Communications, 13, p.1, (1973)]. Проведено виміри мікротвердості, температурної залежності електропровідності та мас-спектрометричні дослідження.
Ключові слова: Ga2Se3, гамма-індукована провідність, провідність, мікротвердість, мас-спектрометрія.


Повна версія статті .pdf (323kb)



П.О. Генцарь, О.І. Власенко, Л.А. Демчина

Вплив стану поверхні на анізотропні спектри електровідбивання n-Ge(110)

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Київ 028 Проспект Науки 45, Е-mail:gentsar@isp.kiev.ua

Оцінено внесок поверхні в ефект електровідбивання з використанням поляризаційної(тензорної) залежності електрооптичного ефекту стосовно механічно полірованої поверхні n-Ge(110). Проаналізовано вплив стану поверхні на анізотропні спектри електровідбивання, зміну форми приповерхневого потенціального бар’єру та внутрішніх механічних напружень після поліровки. Визначені електронні параметри приповерхневого шару n-Ge(110).


Повна версія статті .pdf (387kb)



M. Сілінскасa, A. Грігонісb, З. Руткуненеb, Й. Меніксc, В. Кулікаускасd

Механічні і оптичні властивості осаджених з ацетилену плівок A-C:H, з використанням методу направленого бомбардування йонами

aІнститут мікро- та сенсорних систем, Магдебург, Німеччина
bКаунаський технологічний університет,
вул. Студентська, 50, LT-3031 Каунас, Литва
. cІнститут фізики твердого тіла Латвійського університету,
вул. Кангарага, 8, Рига LV-1063, Латвія
dМосковський державний університет, Інститут ядерної фізики,
119899 Москва, Російська Федерація

Аморфні гідровані вуглецеві плівки (a-C:H) наносили із суміші ацетилену / водню, із використанням прямого методу осадження йонного пучка. Плівки досліджували Раманівською спектроскопією (RS), Резерфордівською йоннорозсіюючою спектроскопією (RBS), еліпсометрією та вимірюванням мікротвердості. Концентрація водню збільшувалася із збільшенням його вмісту у газовій суміші осадження. Твердість і особливості Раманівських спектрів залежать від вмісту водню і показують максимум алмазподібної долі для водню у співвідношенні ацетилену 1:1. Для цієї суміші спостерігається найбільш сильна адгезія. Кореляції спостерігаються між особливостями Раманівських спектрів та твердості вуглецевих плівок: Г і D зони переміщуються, щоб понизити хвильове число, зменшується співвідношення ID/IG та ширина зони Г у зростанні наполовину максимума із збільшенням твердості плівки.


Повна версія статті .pdf (241kb)



В.І. Перекрестов, Ю.О. Космінська, Г.С. Корнющенко

Прояв селективних процесів в умовах нерівноважної стаціонарної конденсації Cu та Al

Сумський державний університет, фізико-технічний факультет
40007, м. Суми, вул. Римського-Корсакова, 2, E-mail:kpe@sumdu.edu.ua

Теоретично передбачена і експериментально реалізована просторово розподілена селективність при формуванні шарів Al і Cu з використанням стаціонарної нерівноважної конденсації. Показано, що „архітектура” шарів визначається положенням критичної енергії по відношенню до ефективних енергій зв’язку сконденсованих атомів на моносходенках різних кристалографічних площин, причому швидкість нерівноважної стаціонарної конденсації можна суттєво підвищити, впливаючи на ростову поверхню потоком іонів с приблизно однаковою енергією.
Ключові слова: надпоруватий шар, нерівноважна конденсація, просторово розподілена селективність, критичний зародок, адатом, ефективна енергія зв'язку, критична енергія, планарний магнетрон на постійному струмі, зворотня дифузія.


Повна версія статті .pdf (421kb)



Д.М. Фреїк, О.Л. Соколов

Рухливість носіїв у багатошарових епітаксійних структурах АIVВVI

Кафедра фізики і хімії твердого тіла, Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

Для квантово-розмірних структур, PbTe/PbS, PbTe/EuTe та PbTe/Pb0,8Sn0,2Te, осаджених на сколи (001) монокристалів KCl досліджено залежність холлівської рухливості носіїв струму від їх загальної товщини. Розділено рухливість, пов’язану із дифузним розсіюванням на поверхні і дислокаціях невідповідності. Показано, що високі значення рухливості носіїв для сполуки PbTe/PbS обумовлені компенсацією напруг сіткою дислокацій на міжфазних межах.
Ключові слова: плівки, халькогеніди свинцю, розсіювання носіїв, дислокації.


Повна версія статті .pdf (295kb)



В.Д. Храновський, Л.І. Копилова, В.Й. Лазоренко, Г.В. Лашкарьов, В. Карпіна

Особливості структури та морфології плівок ZnO:Ga, осаджених на монокристалічних та аморфних підкладках

Інститут проблем матеріалознавства НАН України ім. І. М. Францевича,
м. Київ-142, 03680 вул. Кржижанівського 3. Тел: +38(044)424-3228 Fax: +380 44 424-2131, E-mail: v.khranovskyy@ipms.kiev.ua

Вивчено особливості структури та морфології тонких плівок оксиду цинку із різною концентрацією галію (1, 3, 5, 10 %), осаджених методом PEMOCVD на аморфних та монокристалічних підкладках. Показано можливість одержання прозорих провідних плівок із хорошими морфологічними характеристиками на дешевих скляних підкладках. Виявлено ефект зміни переважної орієнтації плівки із (0001) до (101) для монокристалічної підкладки та загального покращення структурної досконалості плівок на аморфних підкладках із збільшенням кількості галію. Відмічено загальну властивість галію як домішки зменшувати шорсткість плівок оксиду цинку. Спостерігається монотонне зменшення шорсткості плівок оксиду цинку із збільшенням концентрації галію, осаджених на монокристалічні підкладки та мінімальне значення Rq = 2,3 нм досягається при 10% Ga. На аморфних підкладках мінімальна шорсткість Rq = 1,8 нм при 5% Ga. Така властивість донорної домішки галію є корисною та сприятиме використанню оксиду цинку при конструюванні оптоелектронних приладів, в якості прозорих провідних шарів та прозорих електродів для сонячних елементів.
Ключові слова: тонкі плівки ZnO, леговані галієм; прозорі провідні плівки, PEMOCVD, атомно-силова мікроскопія.


Повна версія статті .pdf (577kb)



Р.І. Бігун., З.В. Стасюк

Перехід від квантового до класичного переносу заряду в тонких плівках міді

Львівський національний університет імені Івана Франка
вул. Драгоманова,50, Львів, 79005

В умовах надвисокого вакууму досліджено електропровідність тонких плівок міді. Залежності питомого опору плівок від їх товщини пояснені з допомогою теорій класичного та квантового розмірних ефектів. Показано, що субатомний підшар сурми прискорює металізацію шару міді.
Ключові слова: тонкі металеві плівки, класичний і квантовий розмірний ефект, поверхневе розсіювання носіїв струму.


Повна версія статті .pdf (292kb)



Б.П. Яцишин

Оптичні та електричні властивості тонкоплівкових структур на основі германію та РЗМ

Львівська комерційна академія, кафедра хімії та фізики,
вул. Самчука 9, 79008, Львів, тел. (0322) 797-627, Е-mail:ecofizbo@lac.lviv.ua

Досліджено оптичні властивості та особливості температурної залежності електропровідності аморфних плівок рідкісноземельний метал (Y, La, Sc)- перехідний метал (Fe)-напівпровідник (Ge), які отримали методом узгодженого випаровування компонент і дискретного випаровування сплавів. Проведені дослідження допомогли уточнити зміну зонної структури аморфних плівок РЗМ-ПМ-НП у залежності від кількості металу в матриці, а також спрогнозувати вплив умов напилення на електронну будову матеріалу.
Ключові слова: оптичні властивості, зонна структура, аморфні плівки, дискретне випаровування, тернарні сполуки.


Повна версія статті .pdf (311kb)



О.В. Ляпіна, А.І. Костржицький

Вплив термообробки на електрофізичні властивості конденсованих плівок сполук міді

Одеська національна академія харчових технологій
вул. Канатна, 112, м.Одеса, 65039, (0482) 29-11-31, E-mail:profAIK@ipss.net

Вивчені електропараметри конденсованих плівок сполук Cu-Sn, Cu-Sn-Al і Cu-Sn-Ni різних складів і вплив температури на їх зміну. Показано, що максимальна нестабільність електропараметрів свіженапилених плівок приходиться на діапазон складів 38...55% Sn (по масі). Відпалення, що вирівнює, стабілізує значення питомого опору і ТКС у широкому діапазоні складів. Дано рекомендації з використання отриманих даних при оптимізації технологічних параметрів одержання плівок із заданими експлуатаційними характеристиками.
Ключові слова: конденсовані плівки, відпалення, рекристалізація.


Повна версія статті .pdf (274kb)



Я.П. Салій, І.М. Фреїк

Комп’ютерне моделювання іонних кластерів і дефектів у них

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, кафедра фізики твердого тіла,
вул. Галицька 201, Івано-Франківськ, 76008, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

Статичним методом молекулярної динаміки моделювались малі сокупності взаємодіючих іонів. Для сокупностей, що мають один іон із зарядом протилежним до заряду всіх інших іонів, виявлено стабільні конфігурації з цим іоном у центрі. Встановлено вплив величини заряду центрального іона на координаційний багатогранник, утворений іонами іншого знаку. Досліджено залежність стабільності таких конфігурацій від типу і розміру відштовхувальної сердцевини сферично симетричного центрального потенціалу іонної взаємодії.
Також моделювались сокупності, які мають приблизно однакові кількості аніонів і катіонів. Встановлено, що кластери бінарної сполуки з однозарядними аніонами набувають структури типу NaCl у випадку однозарядних катіонів, і BaF2 — у випадку двозарядних. При цьому виявилось, що утворення великого монокристаліта із стабільною конфігурацією залежить від початкової концентрації іонів.
Ключові слова: структура типу NaCl, кластери, одно- і двозарядні катіони, BaF2.


Повна версія статті .pdf (316kb)



І.Ф. Миронюк, В.Л. Челядин, Б.К. Остафійчук, І.М. Будзуляк, І.І. Григорчак*, В.О. Коцюбинський, А.Ю. Підлужна*, М.М. Міцов*

Електрохімічна інтеркаляція іонами літію синтетичного силікату магнію

Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна E-mail:chvlchem@rambler.ru, тел: +(0342) 59-60-75
*Національний університет «Львівська Політехніка»,
вул. Степана Бандери, 12, м. Львів, 79013, Україна E-mail:ivangr@rambler.ru, тел.+(032) 258-22-67

Методом осадження отриманий синтетичний силікат магнію з розміром частинок 40-300 нм і питомою поверхнею 344 м2/г. Досліджені процеси електрохімічного інтеркалювання отриманого матеріалу літієм. Досягнута ступінь «гостьового» навантаження х = 4, що вказує на можливість його використання в якості катодного матеріалу для високоефективних літій-іонних джерел живлення.
Ключові слова: електрохімічна інтеркаляція, синтетичний силікат магнію, природній тальк, ступінь інтеркаляції, коефіцієнт Варбурга, опір стадії перенесення заряду.


Повна версія статті .pdf (719kb)



В.Ф. Зінченко1, О.Г. Єрьомін13, Є.В. Тімухін1, Н.П. Єфрюшина1, О.В. Мозкова2, Н.М. Бєлявіна3

Тонкоплівкові покриття на основі складних фторидів РЗЕ

1Фізико-хімічний інститут ім. О.В. Богатського НАН України,
86, Люстдорфська дорога, 65080, Одеса, Україна; E-mail:vfzinchenko@ukr.net
2Центральне конструкторське бюро "Арсенал”,
8, Московська вул., 02010, Київ, Україна E-mail:borisgor@i.com.ua
3Київський національний університет ім. Тараса Шевченка,
64, Володимирська вул., 01003, Київ, Україна; E-mail:belmar@mail.univ.kiev.ua

Встановлено вплив донорно-акцепторної взаємодії між фторидами магнію, алюмінію, гафнію та РЗЕ (Sc, Ce, Eu, Yb) у різних валентних станах на характер процесів термічного випаровування у вакуумі та утворення тонких плівок. Додавання EuF3 сприяє дофторуванню залишків оксидних фаз у MgF2 та HfF4, що дозволяє суттєво поліпшити оптичні та експлуатаційні властивості тонкоплівкових покриттів. У деяких покриттях виявлено значний вміст рентгеноаморфної компоненти.
Ключові слова: складні фториди, РЗЕ, взаємодія, покриття, фазовий склад, оптичні властивості.


Повна версія статті .pdf (320kb)



Д.М. Фреїк, А.М. Дмитрів, Л.Й. Межиловська, П.В. Жуковскі*

Особливості дефектної підсистеми монокристалів Cd1-xZnxTe, Cd1-xMnxTe

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua
*Люблінський технічний університет,
20-618 Люблін, Польща, E-mail:mario@elektron.pol.lublin.pl

На основі кристалоквазіхімічних підходів запропоновано механізми утворення твердих розчинах n-Cd1-xZnxTe, p-Cd1-xMnxTe. Розраховано концентрації точкових дефектів і носіїв струму.
Ключові слова: кадмій телурид, тверді розчини, кристалоквазіхімія, точкові дефекти, сфалерит.


Повна версія статті .pdf (385kb)



І.П. Глушик1, О.І. Аксіментьєва2, П.Й. Стахіра1, А.В. Фечан1, В.В. Черпак1

Електронні процеси в плівках електропровідних поліаміноаренів у протонних електролітах

1Національний університет „Львівська політехніка”, кафедра електронних приладів,
вул.С.Бандери, 12, Львів, 79013 тел: (032) 258-26-03, E-mail:stakhira@polynet.lviv.ua,
2Львівський національний університет імені Івана Франка,
вул. Кирила і Мефодія, 8, Львів, 79005 E-mail:aksimen@org.lviv.ua

Досліджено структурні, оптичні та зарядно-транспортні характеристики плівок поліаміноаренів, зокрема поліаніліну, отриманих на поверхні оптично-прозорого SnO2 електроду методом електрохімічної полімеризації. Досліджено вплив природи і концентрації протонних електролітів на спектри поглинання і ефективні коефіцієнти перенесення заряду в полімерних шарах. Встановлено, що плівки поліаніліну виявляють стабільний оптичний відгук і можуть бути використані як чутливі елементи для сенсора рН з оптичним каналом передачі інформації.
Ключові слова: електропровідні поліаміноарени, поліанілін, протонні електроліти, сенсори РН.


Повна версія статті .pdf (397kb)



В.В. Косяк, А.С. Опанасюк

Ансамбль точкових дефектів у монокристалах CdTe у випадку повної рівноваги та закалювання

Cумський державний університет,
вул. Р-Корсакова, 2, м.Суми, 40007, Україна E-mail:opanasyuk@ua.fm, v_kosyak@ukr.net

З використанням загальноприйнятих та новітніх уявлень про природу власних дефектів у матеріалі проведено моделювання ансамблю точкових дефектів у нелегованих монокристалах телуриду кадмію. Розрахунки виконані для двох крайніх випадків – повної рівноваги та закалювання дефектів. Одержані залежності концентрації дефектів та вільних носіїв заряду від технологічних параметрів вирощування, післяростового відпалу у парі кадмію та температури дослідження кристалів. Проведено порівняння отриманих результатів з експериментальними даними, що дозволило зробити висновки відносно обґрунтованості розглянутих моделей та запропонувати додаткові експерименти для остаточного вибору між ними.
Ключові слова: монокристали, телурид кадмію, власні дефекти, параметри вирощування.


Повна версія статті .pdf (505kb)



Л.Г. Ільченко, В.В. Лобанов, О.О. Чуйко

Формування потенціального бар’єру між двома близько розділеними металами з субмоношаровим адсорбційним покриттям

Інститут хімії поверхні НАН України,
вул.Генерала Наумова 17, Київ, 03164,Україна, тел. (044) 424 94 72 E-mail:vai@rpd.univ.kiev.ua

В даній роботі в межах нелокальної електростатики теоретично розраховано зарядову ΔV(x) та структурну компоненти ΔVst(r) повного потенціалу взаємодії між близько розділеними вакуумним проміжком металами. Структурний потенціал ΔVst(r) обумовлений мікроскопічною (атомною) структурою поверхонь металів з впорядкованим субмоношаровим адсорбційним покриттям.
Показано, що для малих розділяючих відстаней L ~ 0,3-2 нм врахування структурної компоненти ΔVst(r) сумарного потенціалу зумовлює латеральну зміну висоти потенціального бар’єру у всьому розділяючому вакуумному проміжку.
Ключові слова: нелокальна електростатика, структурний потенціал, потенціальний бар’єр, субмоношарове адсорбційне покриття, впорядковані гратки.


Повна версія статті .pdf (387kb)



С.А. Курта, І.М. Микитин, М.В. Хабер

Гранулометричні дослідження каталізатора оксіхлорування етилену

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника, кафедра хімії, вул. Б.Хмельницького 57, м. Калуш, 77300 Україна; тел: 4-21-04, E-mail:kca@arte-fact.net, mib80@mail.ru

ППроведено дослідження зміни якості каталізатора окислювального хлорування етилену мікроскопічними методами аналізу. Отримано низку експериментальних даних спостереженнями під мікроскопом каталізатора у прохідному і відбитому світлі при збільшенні 70-100. Виявлено зміну зовнішнього вигляду каталізатора в ході його експлуатації. Показано динаміку зміни складу каталізатора протягом терміну його експлуатації.
Ключові слова: каталізатор, окислювальне хлорування, мікроскопія, склад каталізатора, реактор, частинки, діаметр.


Повна версія статті .pdf (1022kb)



Д.М. Фреїк, В.В. Прокопів, І.В. Горічок

Термодинаміка власних точкових дефектів у бездомішковому кадмій телуриді

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна

Використовуючи поняття термодинамічного потенціалу для характеристики кристала розраховано залежність концентрації електронів від температури у CdTe після відпалу у парі Cd при її максимальному тиску. Розрахунок проведено для моделі домінування Cd2+i та моделі домінування V2+Te. Визначено температурну залежність ентальпії утворення домінуючого дефекту.
Ключові слова: кадмій телурид, точкові дефекти, термодинамічний потенціал.


Повна версія статті .pdf (269kb)



Г.О. Сіренко1, Л.В. Базюк1, В.П. Свідерський2, С.М. Тараненко2

Залежність теплофізичних властивостей від температури для багатокомпонентної композиції на основі ароматичного поліаміду

1Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка 57,м. Івано-Франківськ, 76000, Україна
2Хмельницький національний університет,
вул. Інститутська 11, м. Хмельницький, 29016, Україна

Досліджено залежність між теплопровідністю і температурою для композитів на основі ароматичного поліаміду при різних концентраціях комбінованого наповнювача. За допомогою отриманих рівнянь регресії виявлено залежність коефіцієнта теплопровідності матеріалу від вмісту в ньому графіту, вуглецевого і базальтового волокна.
Ключові слова: композиційні матеріали, ароматичний поліамід, вуглецеві волокна, базальтові волокна, графіт, наповнювач, коефіцієнт теплопровідності, температура.


Повна версія статті .pdf (338kb)



П.П. Горбик, Р.В. Мазуренко, Ю.О. Нікітін, О.О. Чуйко

Особливості фізико-механічних властивостей поверхні композиційних матеріалів системи поліхлортрифторетилен – йодид срібла

Інститут хімії поверхні Національної академії наук України,
вул. Генерала Наумова, 17, м. Київ, 03164, E-mail: dvdrusik@ukr.net

Досліджено фізико-механічні властивості поверхні композитів ПХТФЕ-AgI методами неперервного втиснення індентора та інтерференційної топографії. Показано, що значення модуля пружності та мікротвердості поверхневого шару відмінні від відповідних значень в об’ємі композитів. Підвищення вмісту наповнювача в композиції ПХТФЕ-AgI сприяє зростанню міцнісних показників і зміщенню повзучості.
Ключові слова: полімер-дисперсний наповнювач, границя розділу, фізична взаємодія.


Повна версія статті .pdf (364kb)



І.М. Черненко, В.М. Дуда, К.В. Часовський

Температурно-частотні характеристики діелектричної проникності плівок  фази Bi2O3

Дніпропетровський національний університет, Дніпропетровськ, Україна

Діелектричні властивості плівок -фази Bi2O3 досліджені у частотному діапазоні 5 Hz-500 kHz у температурному інтервалі 300-473 К. Діелектричні спектри `(), ``() показують три характерні види дисперсії. У високочастотному діапазоні плівки виявляють себе як діелектрик з низькими втратами. Потім прямує область частот, де виявляється досить висока наскрізна провідність. І на найнижчих частотах при високих температурах спостерігається дисперсія, що характерна для об'ємно-зарядової поляризації. Отримані результати обговорюються з урахуванням наявності в плівках -фази Bi2O3 як електронної, так і іонної (по кисню) складових електропровідності.
Ключові слова: -Bi2O3, плівки, діелектричні спектри, процеси провідності, об'ємний заряд, універсальна ємність.


Повна версія статті .pdf (423kb)



А.М. Ніколенко, А.А. Позняк

Теоретико-множинна модель структури однонаправленого волокнового композита

Українська державна академія залізничного транспорту. 61177, Харків-177

Проаналізовано можливості та шляхи статистичного опису структури однонаправленого волокнового композита. Розроблено відповідну теоретико-множинну модель структури таких матеріалів та одержано загальні співвідношення, що описують взаємозв’язки між макроскопічними та субмезоскопічними параметрами структури.
Ключові слова: однонаправлений волокновий композит, теоретико-множинна модель, структура, мезоскопічна невпорядкованість.


Повна версія статті .pdf (246kb)



Г.О. Сіренко, О.В. Кузишин

Зношування твердих тіл при наявності на їх поверхнях наноплівок мастильних матеріалів: оцінка гідродинамічних ефектів та розрахунок товщини плівки

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

Розглянуто методи визначення гідродинамічних ефектів і розрахунку товщини мастильної наноплівки при контакті поверхонь твердих тіл.
Ключові слова: граничне тертя, гідродинамічний ефект, суміжна поверхня, в’язкість, мастильна плівка, коефіцієнт стисливості.


Повна версія статті .pdf (323kb)