ФХТТ, Т.6, №4, 2005

Анотації

М. Павлот

Динаміка змін температури в лініях передачі енергії провідників різних перехресно-секційних областей

Люблінський технологічний університет, Люблін, Польща

Обчислення сили струму провідника як правило виконуються в припущенні його нескінченної довжини. У цьому випадку емісія тепла відбувається через конвекцією або випромінювання. Ситуація є різною, коли короткі секції провідника нагрівають, коли може виникнути потік тепла, який вплине на результат на температурних кривих.
Дана стаття подає аналіз зміни температури над 5-и метровою секцією мідного дроту 16 мм² перехресно-секційної області з використанням провідника 70 мм² при проходженні безперервних потоків різних значень. Експериментально одержаний потік температури у провіднику і форми нагрівання кривих вказують на важливий ефект осьового потоку тепла в провіднику.

Я.В. Зауличний, О.К. Синельниченко, О.Ю. Гармаш, О.Ю. Хижун

Рентгенівські емісійні спектри кубічних карбонітридів TaC_xN_~0,75-x

Інститут матеріалознавства імені І. Францевича Національної академії наук України,
вул. Кржижанівського, 3, Київ, 03142, Україна

Із використанням рентгенівської емісійної спектроскопії (РЕС) досліджено електронну структуру нестехіометричних кубічних карбонітридів танталу TaC_xN_y, де x+y~0,75. Для вказаної системи отримано РЕ ТаLb₅-, NKa- і CKa-смуги. Встановлено, що заміщення атомів вуглецю атомами азоту в системі TaC_xN_~0,75-x призводить до зменшення інтенсивності головного максимуму ТаLb₅-смуги та суттєвого зростання її півширини. Для всіх досліджених нестехіометричних карбонітридів танталу півширини NKa- і CKa-смуг залишаються сталими в межах точності експерименту. Результати експериментального дослідження системи TaC_xN_~0,75-x вказують на те, що заміщення атомів вуглецю азотом призводить до зростання металічної та зменшення ковалентної складових хімічного зв’язку. Для всіх сполук досліджуваної системи TaCxN_~0,75-x характена наявність сильної гібридизації Ta5d- і C(N)2p-станів.

А.В. Константинович¹, І.А. Константинович²

Особливості спектра випромінювання заряджених частинок, що рухаються в магнітному полі в прозорому середовищі

¹Чернівецький національний університет,
вул. Коцюбинського 2, Чернівці, 58012, Україна, E-mail:theormyk@chnu.cv.ua, aconst@hotbox.ru
²Інститут термоелектрики Національної академії наук і Міністерства освіти і науки України,
вул. Дубинська 9а, Чернівці, 58027, Україна

Методом сили самодії Лоренца досліджена тонка структура спектрального розподілу потужності синхротронного випромінювання двох електронів, що рухаються по гвинтовій лінії в постійному магнітному полі у прозорому середовищі в релятивістському випадку. Проаналізовано спектри синхротронного, черенковського та синхротронно-черенковського випромінювань одного електрона.
Ключові слова: синхротронне випромінювання, черенковське випромінювання, синхротронно-черенковське випромінювання, метод сили самодії Лоренца.

М.Д.Раранський, О.М.Сльотов

Оптичні та структурні властивості ZnSe:Mg

Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича,
вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, 58012, (03722)44221, E-mail:Lslyotov@mail.ru

Досліджено структурні і люмінесцентні властивості шарів, отриманих термодифузією ізовалентних домішок Mg у монокристали бездомішкового селеніду цинку. Розглянуто природу рекомбінаційних центрів та можливі оптичні процеси, які визначають властивості ZnSe:Mg.
Ключові слова: селенід цинку, ізовалентна домішка, крива гойдання, спектр фотолюмінесценції,

l-модуляція, оптичне відбивання.

Д.М. Фреїк, М.А. Рувінський, Л.І. Никируй, В.В. Борик, О.В. Ткачик

Домінуючі точкові дефекти і термодинамічний p-n-перехід в кристалах A^IVB^VI при двотемпературному відпалі

Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

На основі моделі утворення точкових однозарядних дефектів Френкеля у катіонній підгратці Pb_i⁺-V_Pb^- монохалькогенідів свинцю PbX (X – S, Se, Te) при двотемпературному відпалі в парах халькогену одержано аналітичні вирази для залежності концентрації (n) носіїв струму та температури (T_n-p) термодинамічного n-p-переходу від технологічних факторів: температури відпалу (Т₁) та парціального тиску парів халькогену P_X2. Побудовані фазові діаграми рівноваги, визначенні умови формування матеріалу n- і p-типу провідності із заданою концентрацією носіїв струму. Результати розрахунку добре узгоджуються із наявними експериментальними даними.
Ключові слова: халькогеніди свинцю, точкові дефекти, кристалохімія, двотемпературний відпал.

Б.М. Калівошка, С.С. Новосад

Електретний стан у кристалах йодистого кадмію, зумовлений термоградієнтною поляризацією

Львівський національний університет імені Івана Франка,
вул. Драгоманова, 50, Львів, 79005,Україна,
E-mail:kfbme@electronics.wups.lviv.ua, novosad@physics.wups.lviv.ua тел: +(03422) 59-60-75

Конденсаторним методом з ізолюючими контактами досліджено електретні властивості шаруватих кристалів йодистого кадмію, поляризованих у процесі їх однобічного охолодження в темноті від 295 до 90 К. Виявлено, що у зразках формується термоградієнтний електретний стан, внаслідок чого кристал набуває фоточутливості у прикрайовій та інфрачервоній областях спектру. Під час попереднього опромінення при кімнатній температурі в CdI₂ створюється фотохромний електретний стан, присутність якого призводить до зміни напрямку термоградієнтного електричного поля.
Ключові слова: йодистий кадмій, градієнт температур, електретний стан, спектральна чутливість, деполяризація.

В.В. Кідалов¹, Г.О. Сукач², А.Д. Байда¹

Морфологія пористого арсеніду галію

¹Бердянський державний педагогічний університет,
²Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарева НАН України

Отримано шари пористого GaAs методом анодного електрохімічного травлення пластин n-GaAs n-GaAs орієнтації (111)В, спочатку в розчині HF в етанолі, а потім у розчині KOH. Морфологія пористого GaAs вивчалася за допомогою растрової електронної спектроскопії. Склад поверхні пористого GaAs був вивчений за допомогою рентгенівської фотоелектронної спектроскопії. Пористі шари GaAs були досліджені методом рамановської спектроскопії. Установлено, що у порівнянні з монокристалічним для пористого GaAs має місце відмінність в енергетичному положенні фононних реплік та в їх напівширинах.
Ключові слова: пористий GaAs, комбінаційне розсіювання, растровий електронний мікроскоп, пори й нитки.

Р.М. Пастернак

Експериментальне дослідження та фізичний аналіз перехідних струмів у монокристалі PbI₂

Луцький державний технічний університет,
43018 вул. Львівська, 75, Луцьк, Україна,
тел. (03322) 6-34-20, E-mail:fizik@fiz.lstu.lutsk.ua

Досліджено процес встановлення струму в монокристалі PbI2 при поданні на нього стрибка напруги. Показано, що характер перехідних процесів залежить від прикладеної напруги. Здійснено аналіз фізичних чинників, що впливають на ці процеси. Вказано на особливості використання методу перехідних струмів та межі його застосування.
Ключові слова: дийодид свинцю, часи релаксації, поляризація, перехідний струм.

П.В. Галій¹, Т.М. Ненчук¹, Л.І. Ярицька²

Екзоелектронна емісійна спектроскопія приповерхневого шару монокристалічного кремнію

¹Львівський національний університет імені Івана Франка, факультет електроніки,
79005, Львів, вул. Драгоманова, 50; E-mail:nenchuk@electronics.wups.lviv.ua ²Львівський Інститут пожежної безпеки МНС України, кафедра фундаментальних дисциплін,
79007, Львів, вул. Клепарівська, 35

Методом фототермостимульованої екзоелектронної спектроскопії (ФТСЕЕ) досліджені зразки монокристалічного кремнію із дефектним приповерхневим шаром, створеним низькотемпературною деформацією, внаслідок механічного скрайбування поверхні алмазним різцем. Проаналізовано можливі механізми виникнення максимумів ФТСЕЕ та природу екзоемісійно-активних центрів. На основі експериментально отриманих спектрів ФТСЕЕ, механічно скрайбованих алмазним різцем монокристалів кремнію, проведений розрахунок параметрів кінетики ФТСЕЕ і концентрації емісійно-активних центрів.
Ключові слова: екзоелектронна емісія, фототермостимульована екзоемісія, кремній.

Л.В. Дехтярук, І.Ю. Проценко

Термоелектричні ефекти у багатошарових полікристалічних структурах

Сумський державний університет,
вул.Р.-Корсакова, 2, м. Суми, 40007, Україна, E-mail:protsenko@aph.sumdu.edu.ua

У рамках модифікованої моделі Маядаса і Шацкеса теоретично проаналізовано коефіцієнти термо-е.р.с. S та Пельтьє П у мультишарі (МШ), який складається з полікристалічних шарів металу різної товщини (d_i=/=d_j) та ступеня чистоти (l_i=/=l_j). Отримано точні та асимптотичні вирази для граничних значень параметра k_i=d_i/l_i (l_i - довжина вільного пробігу носіїв заряду) для термоелектричних коефіцієнтів. Передбачено їх немонотонну залежність від відношення товщин сусідніх шарів металу, чутливу до характеру взаємодії носіїв заряду з інтерфейсами мультишару. Проведений докладний числовий розрахунок для величини термо-е.р.с. при довільних значеннях параметрів, які описують об’ємну та інтерфейсну релаксацію носіїв заряду.
Ключові слова: мультишар, термоелектричні коефіцієнти, модель Маядаса та Шацкеса, інтерфейси, ймовірності дзеркального розсіювання та тунелювання носіїв заряду.

В.П. Махній¹, М.П. Мазур², І.В. Ткаченко¹

Механізми дефектоутворення у дифузійних шарах ZnSe:Te

¹Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
вул. Коцюбинського, 2, 58012, Чернівці, Україна, E-mail:oe-dpt@chnu.edu.ua
²Національний університет нафти і газу
м. Івано-Франківськ, вул. Карпатська, 15, 76019, Івано-Франківськ, Україна

Досліджено люмінесцентні властивості шарів, створених дифузією телуру у бездомішкові розплавні кристали селеніду цинку. Показано, що телур «заліковує» вакансії селену і генерує додаткові вакансії у катіонній підгратці. Розрахунок ансамблю власних точкових дефектів у шарах виготовлених при 920 К свідчить про те, що у них домінують однозарядні вакансії селену. Їх концентрація при 300 К досягає 10²²см^-3 і саме ці центри відповідальні за формування інтенсивно\ зеленої смуги люмінесценції шарів ZnSe:Te.
Ключові слова: селенід цинку, ізовалентна домішка, точкові дефекти, люмінесценція.

Д.М. Фреїк, В.М. Кланічка, Л.Й. Межиловська, В.Ф. Пасічняк

Процеси дефектоутворення у плівках халькогенідів свинцю, вирощених із парової фази

Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

На основі аналізу фізико-хімічних процесів і використання квазіхімічного та термодинамічного підходів розглянуто механізми дефектоутворення у тонких плівках халькогенідів свинцю PbX (X-S, Se, Te) при вирощуванні із парової фази. Вперше враховано складний спектр зарядових станів дефектів у катіонній підгратці. Розраховано баричні і температурні залежності концентрації дефектів і носіїв струму.
Ключові слова: тонкі плівки, халькогеніди свинцю, точкові дефекти, квазіхімічні рівняння.

Р.І. Бігун, З.В. Стасюк

Вплив сурфактантних субатомних шарів сурми на структуру та електропровідність плівок міді нанометрової товщини

Львівський національний університет імені Івана Франка
вул. Драгоманова,50, Львів, 79005

Вивчено структуру і електропровідність тонких плівок міді, нанесених на поверхню полірованого скла та скла, попередньо покритого підшаром сурми. Показано, що субатомні шари сурми (масова товщина 1 - 2 нм) прискорюють металізацію плівок міді. Згідно з результатами структурних досліджень, попередньо нанесений на підкладку підшар сурми сприяє формуванню більш дрібнодисперсних плівок міді. Отримані результати електричних вимірів пояснено в рамках існуючих модельних уявлень класичного та внутрішнього розмірних ефектів.
Ключові слова: тонкі металеві плівки, класичний та внутрішній розмірний ефект, поверхневе розсіювання носіїв струму.

Л.Г. Ільченко¹, В.В. Лобанов¹, В.В. Ільченко²

Парна взаємодія зарядів на поверхні надтонких плівок з розмірно-квантованим спектром електронів

¹Інститут хімії поверхні НАН України,
вул.Генерала Наумова 17, Київ, 03164,Україна,
²Київський університет імені Тараса Шевченка, радіофізичний ф-т,
вул.Володимирська 64, Київ, 02033, Україна,
тел. (044) 424 94 72, E-mail:vai@rpd.univ.kiev.ua

В межах нелокальної електростатики теоретично показано, що для надтонких плівок з дискретним електронним енергетичним спектром (розмірно квантовані (РК) плівки) потенціал парної взаємодії зарядів W(R,x,L) на їх поверхні є немонотонною функцією товщини плівки L. Такий немонотонний характер взаємодії зарядів поблизу поверхні РК плівок може спричинити розмірну залежність протікання хімічних процесів на поверхні та, як наслідок, обумовити залежність макроскопічно вимірних фізичних величин поблизу поверхні різних по товщині плівок металу.
Ключові слова: нелокальна електростатика, розмірне квантування, екранована взаємодія, плівки, поверхня.

В.Я. Михайловський, Л.Т. Струтинська, О.В. Чайковська

Математична модель гетерогенного процесу окиснення вуглеводнів С₃, С₄ на оксидних каталізаторах

Інститут термоелектрики НАН України та Міністерства освіти і науки України,
Головпошта. а/с 86, 58002 м. Чернівці, Україна, тел.(03722) 44422
E-mail:anatychuk@ite.cv.ua

Досліджена математична модель гетерогенного процесу окиснення вуглеводнів в умовах зустрічного надходження реагентів на каталізатор. Наведені вирази для визначення розподілу концентрацій реагентів, температури і швидкості реакції в шарі каталізатора різної структури. Показана можливість використання математичного моделювання для визначення оптимальних умов проведення процесу каталітичного окиснення вуглеводнів.
Ключові слова: математична модель, гетерогенне окиснення, каталізатор, вуглеводень.

В.М. Каурковська

Кінетичний аналіз процесів термодесорбції води у вакуумі з поверхні терморезистивних сесквіоксиду та двооксиду ванадію

Iнститут хіміії поверхні НАН України,
вул.Генерала Наумова, 17, Київ, 03680, Україна E-mail: user@surfchem.freenet.kiev.ua, kaurkovskaya@yandex.ru

Методом термопрограмованої десорбції та мас-спектрометрії вивчено кінетику термодесорбції води з поверхні оксидів ванадію VO₂ та V₂O₃ в інтервалі температур 293-490 К. Показано, що кінетика термодесорбції води з поверхні VO₂ та V₂O₃ має спільні риси до фазового переходу у VO₂. Локальні зміни структури поверхні в двооксиді ванадію спричиняють різку зміну механізму процесу термодесорбції та відбуваються за 22-30 К до температури фазового переходу (ТФП, Tc=338-340 K). Показано,що перебудова поверхні VO₂ , пов'язана з ФП, стимулює процеси десорбції молекул води з поверхні до ТФП. Висловлене припущення щодо наявності на поверхні V₂O₃ малих кількостей фази Магнелі V₃O₅, перебудова поверхні перед ФП якої (Tc=443 K). аналогічно впливає на процеси десорбції води.
Ключові слова: кінетика топохімічних реакцій, термодесорбція, двооксид ванадію, сесквіоксид ванадію.

І.І. Гнатів, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.Б. Стратійчук

Хімічне травлення монокристалів CdTe та Cd_1-xZn_xTe травильними розчинами системи H₂O₂-HBr

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
пр. Науки 41, м. Київ, E-mail:hnativ@isp.kiev.ua

У відтворюваних гідродинамічних умовах з використанням установки хіміко-динамічного полірування вперше вивчено кінетику і досліджено механізм фізико-хімічної взаємодії монокристалічних зразків кадмій телуриду та твердих розчинів Cd_1-xZn_xTe з травильними розчинами системи H₂O₂-HBr. Встановлено склади поліруючих і неполіруючих травильних композицій та показано вплив вмісту цинку в складі твердого розчину Cd_1-xZn_xTe як на швидкість, так і на характер хімічного розчинення напівпровідникового матеріалу.
Ключові слова: хімічне травлення, тверді розчини, кадмій телурид, травник, швидкість розчинення, хіміко-динамічне полірування.

В.В. Прокопів, Л.Й. Межиловська., В.Б. Ваньчук, В.В. Прокопів (мол.)

Константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних точкових дефектів різного зарядового стану в телуриді свинцю

Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, Івано-Франківськ, 76000, Україна

В роботі уточнено значення констант рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних точкових дефектів у телуриді свинцю у припущенні існування однозарядних міжвузлових атомів свинцю та однозарядних і двозарядних вакансій у металевій підгратці. Константи розраховували теоретично та на основі апроксимації експериментальних результатів по визначенню границь області гомогенності та двотемпературного відпалу кристалів теоретичними моделями. Показано, що розрахунки залежності концентрації носіїв струму та температури термодинамічного n-p-переходу при відпалі кристалів PbТe у парі халькогену від температури відпалу і парціального тиску пари телуру, проведені на основі уточнених значень констант, значно краще узгоджуються із експериментальними даними.
Ключові слова: телурид свинцю, дефекти, константи рівноваги, квазіхімічні реакції.

А.В. Ющенко, В.В. Ільченко, Р.В. Гуль, В.М. Телега

Вплив парів етилового спирту на електрофізичні параметри гетероструктур наноструктурована плівка (In₂O₃+ 5%Sn) - p - Si

Київський національний університет імені Тараса Шевченка, радіофізичний факультет, вул. Володимирська 64, Київ, 01033, Україна, Е-mail: YAV@mail.univ.kiev.ua, VAI@mail.univ.kiev.ua, GRV@mail.univ.kiev.ua

Ми розглянули вплив парів етилового спирту на електрофізичні параметри гетероструктур наноструктурована плівка (In₂O₃ + 5%Sn) - p - Si з масовою товщиною наноструктурованого шару In₂O₃ + 5%Sn приблизно 18 нм. Отримано, що вольт-амперні характеристики в газовому оточуючому середовищі змінюють параметри при зміні лабораторного середовища на середовище насичених парів етилового спирту. Показано, що відносна зміна параметрів вольт-амперних характеристик при зміні газового оточення залежить від зміни висоти потенціального бар’єру гетеропереходу і зміни падіння напруги на адсорбційно-активній нано структурованій плівці In₂O₃+5%Sn. Встановлено, що зміна висоти потенціального бар’єру гетеропереходу і перерозподіл падіння напруги між адсорбційно активною наноструктурованою плівкою і областю просторового заряду кремнієвої підкладки визначається зміною величини заряду на наноплівці.
Ключові слова: гетероструктура, вольт-амперна характеристика, адсорбційно активна наноструктурована плівка.

Г.О. Сіренко, О.І. Федоришин

Газовиділення з вуглецевих наповнювачів у глибокому вакуумі

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

За допомогою мас-спектрального аналізу досліджено вплив хемо-механічної обробки на властивості поверхні графітованого карбонового волокна та колоїдного графіту. Показано як така обробка впливає на інтенсивність характерних піків та на розподіл інтенсивностей у мас-спектрі. Приведено мас-спектри карбонових волокон у діапазоні температур випробувань 393-1073 К. Дано статистичну оцінку розсіянню інтенсивностей.
Ключові слова: карбонове волокно, колоїдний графіт, ХМА- обробка, мас-спектральний аналіз.

Н.І. Доманцевич

Вплив модифікаторів на електричні властивості полімерних плівок

Львівська комерційна академія,
79008, Україна, Львів, вул. Туган-Барановського, 10,
кафедра експертизи товарів та послуг, E-mail:standar@lac.lviv.ua

Л.С. Монастирський, І.Б. Оленич, О.В. Гальчинський

Видиме світловипромінювання та фототермостимульована деполяризація гетерокомпозицій біополімер-поруватий кремній

Львівський національний університет ім. Івана Франка,
вул. Драгоманова, 50, м. Львів, 79005, E-mail:monastyr@yahoo.com

Дослідження процесів фототермостимульованої деполяризації гетерокомпозицій на основі поруватого кремнію (ПК) засвідчили наявність термоелектретних властивостей ПК. Аналіз спектрів ТСД на основі рівняння Фредгольма дав змогу розрахувати числовим методом розподіл густини станів у забороненій зоні ПК. Спектри ТСД і фотолюмінесценції вказують на появу додаткових заряджених дефектів, спричинених біополімером на поверхні ПК. Зміна спектрів ФЛ та ФТСД ПК при нанесені біополімерів підтверджує можливість застосування ПК як компоненти біосенсорики.

Л.Ю. Островська¹, В.Г. Дейбук², А.В. Возний³, М.М. Сльотов², А.В. Васін⁴

Дослідження змочуваності плівок A^IIIN в залежності від ступеня йонності та полярності поверхні

¹Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М.Бакуля НАН України,
м. Київ 04074, Україна
²Чернівецький Національний Університет,
м. Чернівці 58012, Україна
³Шербрукський Університет, м. Шербрук, Квебек J1K 2R1, Канада
⁴Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України,
м. Київ 03026, Україна

В роботі приведені результати теоретичних розрахунків коефіцієнту зарядової асиметрії, йонності, вільної поверхневої енергії, які співставлені з експериментальними дослідженнями змочування плівок A^IIIN (BN, AlN, GaN, InN) рідинами різної полярності. Показано, що хімічний зв’язок у нітридах елементів третьої групи є визначальним фактором поверхневої енергії, яка обумовлює змочуваність. Зокрема, зростання коефіцієнта зарядової асиметрії зв’язку приводить до збільшення поверхневої енергії відповідних сполук та підсилення змочуваності.
Ключові слова: нітриди A^IIIN, йонність, коефіцієнт зарядової асиметрії, вільна поверхнева енергія, кут змочування.

В.А. Сминтина, О.А. Кулініч, М.А. Глауберман, Г.Г. Чемересюк, І.Р. Яцунский

Моделювання процесу струмопереносу в реальних структурах метал-кремній з бар’єром Шоткі

Одеський національний університеті ім. І.І. Мечникова,
Навчально-науковий-виробничий центр
вул. Маршала Говорова, 4, м. Одеса, Україна, 65063, E-mail: eltech@elaninet.com

В роботі на основі проведених за допомогою сучасних методів досліджень запропонована модель струмопереносу в реальних структурах метал-кремній в межах діодної та дрейфової теорій і основана на бар’єрних властивостях структурних дефектів і залежності рухловості носіїв зарядів від різних механізмів процесу розсіювання.
Ключові слова: кремній, метал, моделювання, струмоперенос.

Д.М.Заячук¹, С.І.Круковський², І.О.Мрихін¹, О.І.Іжнін², Д.Л.Вознюк³

Особливості одержання лазерних структур GaAs / AlGaAs методом РФЕ під впливом Yb

¹Національний університет “ Львівська Політехніка ”
вул. С. Бандери, 12, Львів, 79013, Україна, E-mail: zayachuk@polynet.lviv.ua
²Науково-виробниче підприємство “ Карат ”, Львів, Україна
³Львівський національний університет ім. І. Франка, Львів, Україна

Проведено дослідження можливостей сукупного використання ізовалентного заміщення атомів у металічній підґратці й домішок рідкісноземельних елементів при створенні лазерних структур на основі арсеніду галію в технології РФЕ. При відпрацюванні технологічних режимів отримання методом РФЕ епітаксійних шарів на основі GaAs, легованих ітербієм, виявлено ефект підсилення гетеруючої дії ітербію в присутності алюмінію. Ефект полягає в тому, що при сукупному додаванні в галієві розчини-розплави Al та Yb концентрація вільних електронів у шарах AlGaAs, що кристалізуються з легованих розплавів, зменшується тим інтенсивнішим, чим більший вміст алюмінію у вихідній шихті. Для твердих розчинів Al_хGa_1-хAs складів х = 0,1 і 0,3 визначені оптимальні концентраційні діапазони домішки ітербію в розчині-розплаві, які забезпечують рівень електрофізичних параметрів шарів, необхідний для створення на їх основі лазерних структур.
Ключові слова: рідинно-фазна епітаксія, арсенід галію, тверді розчини, домішки, рідкісноземельні елементи, подвійні гетероструктури, лазерна генерація.

I.С. Maнак¹, В.K. Koнoненко², С.В. Наливко¹

Асиметричні багатоквантові точкові гетероструктури із широкою площиною підсилення спектру

¹Білоруський державний університет,
пр. Ф. Скорини, 4, 220050 Mінськ, Бєларусь
тел.: 375 17 2781313, факс: 375 17 2121016, E-mail: manak@bsu.by ²Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси,
пр. Ф. Скорины, 70, Mінськ, 220050, Бєларусь
тел.: 375 17 2840435, факс: 375 17 2840879, E-mail: lavik@dragon.bas-net.by

Через відкриття асиметричних гетероструктур на квантових точках з’явилися нові можливості керувати спектральними, енергетичними та часовими властивостями лазерних діодів та розширити їх функціональні модливості. У роботі, в основному приділена увага результатам, отриманим при дослідженні спектральних характеристик лазерів на квантових точках квантових з активними шарами області різної ширини та складу. Змодельовані діаграми смуг активної області, форма спектра підсилення, настроюваних кривих. Відзначена актуальність розроблених лазерних джерел для спеціальних пристроїв.

М.Л.Ковальчук¹, З.І.Захарук¹, Г.І.Раренко¹, Є.В.Рибак¹, Є.М.Косенков¹, Е.Б.Тальянський²

Перенастроювані оптичні фільтри і спектрометричні елементи на основі варiзонних структур CdHgTe, CdMnHgTe

¹Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича,
вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, 58012, Україна, E-mail:microel@chnu.cv.ua ²Stardust Technology, Inc. R&D Dept.,
4278 Arthur Kill Rd., Staten Island, NY, USA

В даній роботі приведені розрахунки і експериментальні спектральні залежності оптичної густини вирощених варизонних структур (ВЗС) Cd_xHg_1-xTe та Cd_xMn_yHg_1-x-yTe від їх композиційного складу і його розподілу по товщині. Представлені розрахунки і конструкція перенастроюваних оптичних фільтрів і спектрометричних елементів на основі цих ВЗС для ІЧ-області спектру =16 мкм.
Ключові слова: варизонні структури, оптична густина, спектрометричні елементи.

Йержі Ульянов, Кшиштоф Вачинські

Дослідження структури тонких плівок SnO₂, одержаних за RGTO- технологією

Інститут електроніки, Сласька політехніка
Академічна 16, 44-100, Глівіце, Польща, E-mail:Jerzy.Uljanow@polsl.pl (J.Uljanow)

В даному дослідженні представлено результати застосування технології епітаксійного росту і теплового окислення, для підготовки чутливих шарів олов'яного оксиду (SnO₂). Сенсорні властивості шарів SnO₂ дуже залежать від стадії епітаксійного росту олов'яного шару. Обстеження поверхні олов'яного шару, зробленої після епітаксійного росту і поверхні SnO₂ на стадії окислення, за допомогою скануючого електронного мікроскопа. Робота поза технологією дала можливість сформувати сенсорні структури, які були надалі виміряні.

T.A.Лень¹, І.В.Овсієнко¹, Л.Ю.Мацуй¹, А.І.Брусиловець², Л.М.Капітанчук³

Дія термохімічної обробки на структурно-фазові перетворення в нановуглецевому матеріалі

¹Фізичний факультет, Київський університет ім. Тараса Шевченка,
пр-т Глушкова 2, Київ, 03680, Україна,
²Хімічний факультет, Київський університет ім. Тараса Шевченка,
вул. Володимирська 62а, Київ, 01033, Україна,
³Інститут електрозварювання ім. Патона НАНУ,
вул. Боженка 3, Київ, 01006, Україна, E-mail:intercalant@univ.kiev.ua

В роботі наведено результати експериментальних досліджень структури та фазового складу НВМ, що містить ВНТ, на кожному етапі обробки. Запропоновано різні схеми термохімічної обробки НВМ. Встановлено який із режимів термохімічної обробки є оптимальним для виділення ВНТ із НВМ. Показано, що при запропонованій послідовності термохімічної обробки з вихідного НВМ повністю видаляється метал-каталізатор.
Ключові слова: нановуглецевий матеріал, вуглецеві нанотрубки, термохімічна обробка.

Л.С. Семко, Я.І. Кручек, Ю.А. Шевляков, Л.С. Дзюбенко, П.П. Горбик, О.О. Чуйко

Взаємозв´язок між структурою, електрофізичними і сенсорними властивостями композиційних матеріалів на основі полівінілхлориду та терморозширеного графіту

Інститут хімії поверхні НАН України,
Україна, Київ, 03164, вул. Генерала Наумова, 17
E-mail:user@surfchem.freenet.kiev.ua

Встановлено взаємозв´язок між структурою, електрофізичними і сенсорними властивостями КМ в системі ПВХ – ТРГ. Показано, що ця система має один поріг перколяції. Для прогнозування значень ρКМ від вмісту ТРГ запропоновано вираз, типовий для теорії перколяції. Одержано серію КМ на основі ПВХ і ТРГ з широким спектром електрофізичних властивостей. Електропровідні матеріали з вмістом ТРГ 0,06 – 0,15 об´ємної частки запропоновано для створення сенсорів, чутливих до дії газоподібних сполук.

Г.О. Сіренко¹, Л.Я. Мідак¹, В.П. Свідерський², Л.В. Базюк¹

Вплив суміжних поверхонь на антифрикційні властивості композиційних полімерних матеріалів. Карбопластики за ХМА-технологією

¹Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна
²Хмельницький національний університет,
вул. Інститутська, 11, м. Хмельницький, 29000, Україна

Досліджено залежність антифрикційних властивостей полімерних композитів, наповнених вуглецевими волокнистими матеріалами, від механічних і теплофізичних властивостей суміжних поверхонь твердих тіл. Встановлено, що не існує лінійної залежності між антифрикційними властивостями і твердістю та іншими фізико-механічними і теплофізичними властивостями контртіл із покриттями. Встановлено, що для композиційних матеріалів, одержаних за ХМА-технологією антифрикційні властивості визначаються станом вихідної поверхні контртіла і поверхневими шарами, що утворюються на поверхнях зразка і суміжної поверхні в процесі тертя і зношування.
Ключові слова: карбопластик, полімерна матриця, вуглецеве волокно, суміжна поверхня, твердість, інтенсивність зношування.

O.М. Бугай, П.О. Павленко, О.М. Кулик, Ю.В. Рогульский, Л.Ф. Суходуб

Дослідження розподілу проби на графітовій поверхні печі атомно-абсорбційного спектрометра методами растрової електронної мікроскопії

Інститут прикладної фізики НАН України,
40030, м.Суми, вул. Петропавлівська, 58

Вивчено розподіл проб різних елементів на поверхні графіту за допомогою електронної мікроскопії. Проведені дослідження показали, що розподіл проби залежить від того, у якій хімічній сполуці після стадії піролізу вона перебуває та від її здатності взаємодіяти з графітом.
Ключові слова: розподіл проби, графіт, електронна мікроскопія.

М.А.Рувінський

Про правило додавання ймовірностей у квантовій механіці

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул.Шевченка, 57, м.Івано-Франківськ, 76000, Україна,
E-mail:bruvinsky@gmail.com

Показано, що "інтерференцію ймовірностей" у квантовій механіці можна пояснити на основі класичної теореми теорії ймовірностей про ймовірність додавання подій, пов'язаних з двома різними і сумісними типами рухів, що випливають з корпускулярно-хвильового дуалізму мікросвіту.
Ключові слова: теорія ймовірностей, дифракція електронів на щілинах, ймовірність суми подій, квантова механіка.