ФХТТ, Т.7, №4, 2006

Анотації

Д.М. Фреїк, Л.Й. Межиловська, О.В. Ткачик, Б.С. Дзундза

Кристалохімія точкових дефектів і технологічні аспекти кристалів і плівок сполук A^IVB^VI(огляд)

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

Наведено огляд робіт з питань кристалохімічного аналізу домінуючих точкових дефектів у кристалах і плівках халькогенідів свинцю. Особлива увага звернена на технологичні аспекти інженерії формування і взаємодії точкових дефектів, що визначають тип провідності і концентрацію носіїв заряду матеріалів.
Ключові слова: точкові дефекти, кристали, тонкі плівки, кристалохімія, технологія, халькогеніди свинцю.

Б.К. Остафійчук, В.М. Ткачук, О.М. Ткачук, В.М. Пилипів, В.І. Кравець, О.О. Григорук

Механізм формування магнітної макроструктури Y₃Fe₅O₁₂ при імплантації легкими та важкими йонами

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна

Методами конверсійної електронної мессбауерівської спектроскопії та моделюванням процесу йонної імплантації проведено дослідження магнітної макроструктури приповерхневого шару епітаксійної плівки залізо-ітрієвого гранату орієнтації (111). Встановлено, що в залежності від маси імплантованого йону і, як наслідок, різних механізмів дефектоутворення та руйнування кристалічної структури переорієнтація вектора намагніченості плівки відбувається по різному. Враховуючи магнітострикційні властивості досліджуваних структур можна припустити, що визначальним в цьому процесі є рівень пружних напруг кристалічної гратки, зумовлений радіаційними дефектами, з одного боку, і ефекти аморфізації кристалічної структури та її перехід в парамагнітний стан, з другого.
Ключові слова: залізо-ітрієвий гранат, конверсійна електронна мессбауерівська спектроскопія, йонна імплантація, радіаційні дефекти, комп’ютерне моделювання.

В.В. Жихаревич, С.Е. Остапов, І.М. Раренко

Дослідження процесу зонного вирощування кристалів напівпровідникових твердих розчинів Hg_1-х-у-zCd_хMn_yZn_zTe та шляхи його оптимізації

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, 58012, Чернівці, вул.. Коцюбинського, 2.

Статтю присвячено вивченню розподілу компонентів вздовж злитку при вирощуванні напівпровідникових твердих розчинів типу Hg_1-х-у-zCd_хMn_yZn_zTe методом модифікованої зонної плавки. Показано, що сегрегація компонентів (MnTe, ZnTe та CdTe) змінюється у багатокомпонентному твердому розчині в порівнянні з трикомпонентним. Рекомендовано шляхи по оптимізації процесу однопрохідної зонної плавки для збільшення виходу матеріалу заданого складу.
Ключові слова: вирощування кристалів, зонна плавка, напівпровідникові тверді розчини.

Г.А.Ільчук, В.В.Кусьнеж, В.С.Токарев, О.М.Шевчук, В.О.Українець

Напівпровідникові кластери CdS в полімерній матриці

Національний університет „Львівська політехніка”, вул. С.Бандери 12, Львів 79013,
E-mail:gilchuk@polynet.lviv.ua

З використанням прищеплювальної (ко-)полімеризації гідрофільних (акрилова, метакрилова кислота) та/або гідрофобних (стирол, бутилакрилат) мономерів, ініційованої з планарної поверхні попередньо модифікованої гетерофункціональними поліпероксидами, сформовані полімерні шари з різним ступенем насичення іонами Сd²⁺. У подальшому в результаті іонообмінних реакцій формувалися впорядковані кластери CdS, сегреговані полімерною матрицею. Досліджено поверхні синтезованих плівок за допомогою растрового електронного мікроскопа. Визначено елементний склад шарів. Знято оптичні спектри пропускання та оцінено розміри кластерів CdS в полімері.
Ключові слова: сульфід кадмію, кластери, квантово-розмірні ефекти, край поглинання.

П. Жуковскі¹, Й. Партика¹, П. Вуйчек¹, Т. Кольтуновіч¹, М. Ковальскі¹, Ю. Сідоренко²

Рекомбінаційно-генераційний механізм стрибковоподібної провідності в сильно дефектних напівпровідниках з глибоко амфотерними дефектами

¹Люблінський технічний університет, Люблін, Польща
²Білоруський державний університет, Мінськ, Білорусія

Стаття представляє модель стрибковоподібної провідності в сильно дефектних напівпровідниках з амфотерними дефектами. Показано, що збільшення концентрації дефектів викликає зменшення періоду життя носіїв струму, що призводить до переходу зони провідності до стрибковоподібної провідності. Перехідний критерій – це, коли період життя і значення часу релаксації прямують один до одного.

Г.М. Мужик¹, М.М. Козак1, Л.С. Монастирський¹, П.С. Кособуцький²

Робота виходу поруватого кремнію після термічного відпалу в умовах високого вакууму

¹Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки 41, м. Київ,
²Національний університет «Львівська політехніка»,
E-mail: liu_mon@yahoo.com

Робота присвячена порівняльному дослідженню впливу термічного відпалу монокристалічного кремнію та його поруватої модифікації орієнтації (111), n- типу провідності на роботу виходу таких об’єктів методом контактної різниці потенціалів. Виявлено, що при термічному відпалюванні зразків поруватого кремнію у високому вакуумі до 1373 К їх робота виходу знижується , однак залишається на ~0,24 еВ вищою від роботи виходу зразка вихідного монокристалічного кремнію. Крім того, на відміну від звичайного кремнію, поруватий кремній характеризується від’ємними значеннями термічного коефіцієнта роботи виходу. Більші значення роботи виходу поруватого кремнію порівняно з монокристалом кремнію пояснюється адитивними факторами: топологією поверхні поруватого кремнію (впливом розмірного ефекту квантових дротин поруватого кремнію на його енергетичну діаграму ) та впливом природних поверхневих покрить , що формуються при синтезі поруватого кремнію (SiO₂, SiC та ін.).
Ключові слова: поруватий кремній, робота виходу.

Ю.О.Мамалуй, Ю.А. Сірюк

Поведінка доменної структури поблизу точки компенсації та спінової переорієнтації

Донецький національний університет 83055, Донецьк, вул.. Університетська, 24,
E-mail:uam@mail.donbass.com

Експериментально досліджено поведінку доменної структури поблизу температури компенсації та спінової переорієнтації у плівках з різною величиною одновісної анізотропії. Спін-переорієнтаційний фазовий перехід та температура компенсації регіструвалися за зміною кольору доменної структури У плівці (TmBi)₃(FeGa)₅O₁₂ з температурою компенсації 120 К в області температур 185-160 К спостерігався спін-переорієнтаційний фазовий перехід від вісьової до кутової фази та від кутової до площинної. При цьому існує область співіснування вісьової та кутової фаз приблизно в 25 градусів. Зародком утворення кутової фази є 180-градусна доменна межа. Ріст зародків відбувається без утворення межі між новою та старою фазами, що підтверджується експериментально при візуальному спостереженні завдяки ефекту Фарадея. У плівці (YBi)₃(FeGa)₅O₁₂ з малою величиною одновісної анізотропії спостерігалася зміна кольору доменів та доменних меж, яка пов’язана з переходами між різними кутовими фазами. В області 212К мала місце монодоменність та спостерігалася зміна кольору монодоменності, по якій можна було судить про зміну напрямку вектора намагніченості насичення.
Ключові слова: доменна структура (ДС), температура магнітної компенсації (ТК), спінова переорієнтація (СП), фазовий перехід (ФП), гратка циліндричних магнітних доменів (ГЦД), доменна межа (ДМ), фарадеєве обертання, анізотропія.

В.Є. Бахрушин, О.Ю. Чиріков

Аналіз релаксаційних властивостей ОЦК сплавів впровадження в області релаксації Снука

Гуманітарний університет «Запорізький інститут державного та муніципального управління»,
вул. Жуковського, 70-б, Запоріжжя, Україна, 69002,
E-mail:Vladimir.Bakhrushin@zhu.edu.ua

Показано, що математичні моделі температурних залежностей внутрішнього тертя та динамічних модулів пружності сплавів впровадження в області релаксації Снука можна подати у вигляді суми внесків, що відповідають зінерівській моделі стандартного лінійного тіла. Запропоновано методику визначення параметрів таких моделей (температур та висот парціальних релаксаційних піків, або зв’язаних з ними енергій активації та степенів релаксації елементарних процесів) за експериментальними даними.
Ключові слова: релаксаційні процеси, внутрішнє тертя, динамічні модулі пружності, температурна залежність, математична модель, нелінійна оптимізація.

О.І. Власенко¹, C.М. Левицький¹, Ц.А. Криськов², М.П. Киселюк²

Термоелектричні властивості сполук сульфіду та селеніду свинцю

¹Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки, 41, м. Київ, 03028, E-mail:levytskyi@ua.fm
²Кам’янець-Подільський державний університет, вул. І. Огієнка, 61, м. Кам’янець-Подільський, 32300

В роботі досліджено тип провідності сполук та зміна коефіцієнта термо-е.р.с. від складу сполуки. Отримані результати свідчать про те, що зразки стехіометричного складу PbSe та PbS мають різний тип провідності. При дослідженні зразків PbSe та PbS з відхиленням від стехіометрії спостерігається зміна коефіцієнта термо-е.р.с.
Ключові слова: термоелектричні матеріали, термо-е.р.с., сульфід свинцю, селенід свинцю.

I.M. Ліщинський¹, I.Г.Кабан², В. Гоєр²

Калориметрія аморфних сплавів As-Те

¹Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57,
м. Івано-Франківськ, 76025, Україна, e-maіl: igorlim@pu.іf.ua
²Institut für Physik, Technische Universität Chemnitz, D-09107 Chemnitz, Germany

За допомогою диференційного скануючого калориметра визначено температури переходу в скло і температури кристалізації аморфних халькогенідів As_xTe_100-x (x = 20, 34, 40, 50, 60 ат.%). Оцінено енергію активації процесу переходу в скло для сполук As₄₀Te60, As₅₀Te₅₀, As₆₀Te₄₀ використовуючи формулу Кісінджера.
Ключові слова: аморфні халькогеніди, As-Te, диференційна скануюча калориметрія, енергія активації.

В.В. Савін, Е.Ю. Костенко, О.Б. Коновалов

Формування аморфного стану впорядкуванням конгруентно сполучених кластерів у сплавах системи Nі-Nb-(Ta, V)

Запорізький Національний університет, фізичний факультет, вулиця Жуковського 66, 69063, Запоріжжя, Україна.
E-mail:eko@zsu.zp.ua

У цій роботі ми досліджували особливості ближнього порядку аморфних стрічок, виготовлених загартуванням з рідкого стану сплавів системи Nі-Nb-(Ta, V). Дослідження проводилися на основі даних отриманих при дифузному розсіюванні Mo-K_a, Co-K_a й Fe-K_a рентгенівського випромінювання і їхнього аналізу з використанням системи комп'ютерної алгебри GAP - The GAP Group, GAP - Groups, Algorіthms and Programmіng, Versіon 4.4; 2005. (http://www.gap-system.org). Отримані результати ми пояснювали на основі гіпотези про існування в досліджених зразках об’ємів з локальним упорядкованим у розподілі атомів, ближній порядок яких відповідає ближньому порядку фаз М₁₂С и NіNb₅, що належать до структурного типу Е9₃.
Ключові слова: сплави системи Nі-Nb-(Ta, V), аморфний стан, кластер, система комп'ютерної алгебри GAP.

Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, Я.С. Яворський

Вплив поверхні і міжкристалічних меж на електричні властивості тонких плівок телуриду свинцю

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна,
E-mail:fcss@pu.if.ua

Досліджено вплив поверхні і міжкристалітних меж на електричні параметри як свіжовирощених плівок РbTе, так і витриманих на повітрі і відпалених у вакуумі. Результати пояснено у рамках моделі Петріца і бар’єрної моделі.
Ключові слова: плівки, телурид свинцю, міжкристалічні межі, модель Петріца.

М.М. Пеліхатий¹, О.М. Гетманець², І.І. Залюбовський¹

Розпилення шаруватих структур і перемішування їхніх компонентів під дією іонізуючого випромінювання

¹Харківський національний університет ім. В.Н. Каразіна, Харків, 61077, майдан Свободи, 4, E-mail:sun@univer.kharkov.ua
²Харківська державна зооветеринарна академія, Харків, 62341, ХДЗВА, E-mail:zoovet@zoovet.kharkov.ua

Досліджено розпилення шаруватих структур типу метал-напівпровідник, метал-діелектрик і перемішування їхніх компонентів у полях інтенсивного іонізуючого випромінювання. Шляхом розрахунку каскаду зіткнень у речовині методом поколінь отримані теоретичні вирази для спектрів і коефіцієнтів розпилення і на їхній основі розраховані профілі розподілу атомів одного шару в іншому.
Ключові слова: атоми віддачі, іонне розпилення, радіаційне перемішування.

С.І. Драпак, З.Д. Ковалюк

Електричні та фотоелектричні властивості гетеросистем напівпровідник - мумійо

Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення, вул. І.Вільде, 5, м. Чернівці, 58001, Україна, E-mail:drapak@unicom.cv.ua

Показана можливість використання біологічно активної речовини природного походження – мумійо для створення випрямляючих фоточутливих структур. Досліджено електричні властивості гетеросистем напівпровідник (n-InSe, n-Si) – плівка мумійо. Показано, що спектри відносної квантової ефективності фотоперетворення таких структур знаходяться у кореляції із спектрами оптичного пропускання плівок мумійо.
Ключові слова: напівпровідник, біологічно активна речовина природного походження, вольт-амперні характеристики, спектри відносної квантової ефективності фотоперетворення, спектри пропускання

І.Ф. Миронюк¹, Б.К. Остафійчук¹, І.І. Григорчак², В.Д. Федорів¹, В.О. Коцюбинський¹, В.Л. Челядин¹, А.Ю. Підлужна²

Будова та електрохімічні властивості наночастинок титан діоксиду легованого ферумом

¹Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ,e-mail:chvlchem@rambler.ru
²Національний університет «Львівська Політехніка», вул. Степана Бандери, 12 м. Львів,
e-mail:ivangr@rambler.ru

Золь-гель методом отримано нанокомпозит титан діоксид / ферум. Методами рентгеноструктурного аналізу, інфрачервоної та γ-резонансної спектроскопії встановлено фазовий склад та морфологію отриманих нанокомпозитів. Імпедансною спектроскопією досліджено вплив дисперсності нанокомпозиту, його фазового складу, ступеня структурної досконалості на кінетику процесу інтеркаляції іонів літію.
Ключові слова: титан діоксид; титан діоксид, легований залізом; літієва інтеркаляція.

П.О.Кондратенко¹, Ю.М.Лопаткін², Т.М.Сакун¹

Спектроскопічні властивості резазурину в рідких і твердих розчинах

¹Національний авіаційний університет,
²НДІ фізики Одеського національного університету ім. І.І.Мечникова

В роботі наводяться результати теоретичних і експериментальних досліджень енергетичної структури одного з представників оксазинових барвників – резазурину, в структурі якого є сильний полярний зв’язок N→O, природа якого віднесена до класу зв’язків типу Xe-O. Експериментальні дослідження включають спектри поглинання та флуоресценції резазурину в рідких розчинах в залежності від природи розчинника (вода, етанол, ацетон) та кислотності водного розчину, а також в твердих полімерних розчинах. Теоретичні дослідження (УФ та ІЧ спектри) включали квантово-хімічні розрахунки з використанням напівемпіричного методу MNDO/d. Порівняння цих результатів дозволило ідентифікувати спектри поглинання та флуоресценції, а також показати, що протонування резазурину відбувається в основному з утворенням симетричного катіона. Утворення несиметричного катіона та дикатіона зі спектрів поглинання та флуоресценції не помічено. Показано, що реакції рівноваги в розчинах резазурину в основному і збудженому стані відрізняються. Показано, що існують умови, при яких зв’язок N→O виявляється нестабільним: протонування молекули шляхом приєднання протона до N→O –зв’язку з подальшою асоціацією катіона резазурину з аніоном хлору. Така нестабільність ледь помітна в підкислених водних розчинах (мала ймовірність такого протонування) і суттєво підсилюється у в’язких розчинах полімерів.

Д.М. Фреїк, Г.Я. Бабущак, Ю.І. Семенишин

Дефектна підсистема і властивості кристалів бездомішкового та легованого цинк селеніду

Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, вул. Галицька, 201, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

Запропоновано кристалоквазіхімічні формули для n-ZnSe: легованого ізовалентною домішкою Mg, з комплексом дефектів та без нього. Розраховано залежність концентрації дефектів, вільних носіїв заряду та холлівської концентрації від ступеня нестехіометрії та вмісту легуючої домішки.
Ключові слова: цинк селенід, точкові дефекти, кристалоквазіхімічні формули.

В.З. Слободян, О.В. Слободян

Магнітна сприйнятливість гратки і особливості хімічного зв'язку в кристалах A¹B³C₂⁶

Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича, 58012 Чернівці, Україна,
E-mail:oksana.v.s@mail.ru

Проведені дослідження залежності граткової магнітної сприйнятливості від природи атомів і ступеня іонності в тетраедричних кристалах . Одержані вирази для граткової магнітної сприйнятливості і ступеня іонності потрійних сполук в наближенні структури сфалерита, у яких характеристики сполуки виражаються через характеристики компонентів утворюючих ці сполуки. Проведений розрахунок характеристик компонентів на основі наявних літературних даних в добре вивчених бінарних сполуках із структурою сфалерита. Це дозволило, у свою чергу, теоретично розрахувати граткову магнітну сприйнятливість і параметри, що характеризують хімічний зв’язок у мало вивчених потрійних сполуках, без залучення яких-небудь експериментальних даних для цих сполук.
Ключові слова: магнітна сприйнятливість, хімічний зв’язок, електронна структура.

П.П. Горбик, В.В. Левандовський, Р.В. Мазуренко, С.М. Махно, В.М. Міщенко, О.І. Оранська, О.В. Кондратенко, О.О. Чуйко.

Властивості нанорозмірного діоксиду кремнію, модифікованого йодидом срібла

Інститут хімії поверхні Національної академії наук України, вул. Генерала Наумова, 17,
м. Київ, 03164, E-mail:dvdrusik@ukr.net

Досліджено електрофізичні та теплофізичні властивості нанорозмірного кремнезему, модифікованого йодидом срібла. Показано, що хімічна модифікація поверхні кремнезему AgI дозволяє розширити діапазон керованої зміни значень комплексної діелектричної проникності системи AgI–SiO₂ та оптимізувати її практичне використання з метою виготовлення матеріалів, що ефективно взаємодіють з електромагнітним випромінюванням.
Ключові слова: нанорозмірний діоксид кремнію, суперіонний провідник, фазовий перехід, комплексна діелектрична проникність, теплоємність, поріг перколяції.

В.В. Прокопів, І.В. Горічок

Ентальпія утворення моновакансій у сполуках A^IIB^VI

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна, е-mail: prk@pu.if.ua

Напівемпіричним методом Хюкеля в наближенні дефектної молекули розраховано ентальпії утворення моновакансій металу та халькогену у напівпровідникових сполуках A^IIB^VI. Отримані величини узгоджуються з літературними теоретичними та експериментальними даними.
Ключові слова: ентальпія, моновакансія, розширений метод Хюкеля, дефектна молекула.

М.О. Галущак, Л.Р. Павлюк

Точкові дефекти у селеніді та телуриді свинцю, легованих талієм

Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу, вул. Карпатська, 25, м. Івано-Франківськ, 76000 Україна

Виконано квазіхімічний розрахунок рівноважної концентрації дефектів у кристалах PbSe та PbTe, легованих талієм. Проаналізовано механізми процесу легування талієм кристалів PbSe та PbTe. На основі порівняння експериментальних даних із результатами розрахунків визначено константи рівноваги квазіхімічних реакцій і ентальпії утворення для вакансій халькогену та міжвузлового талію.
Ключові слова: дефекти, селенід свинцю, телурид свинцю, квазіхімічні реакції.

Т.C. Пташко, Н.П. Смірнова, Г.М. Єременко

Синтез, структура та фотокаталітична активність алюміній-вмісних мезопористих TiO₂ плівок

Інститут хімії поверхні НАН України, вул. Генерала Наумова, 17, 03164, Україна. E-mail:smirnat@i.com.ua

Золь-гель методом з використанням неіонного триблоксополімеру Pluronic P123 як темплату синтезовано мезопористі наноструктурні алюміній-вмісні TiO₂ плівки, методами електронної мікроскопії, рентгенівської та оптичної спектроскопії, адсорбції-десорбції гексану вивчена їх структура та оптичні властивості, досліджена каталітична активність в реакції фоторозкладу 2,4-динітроаніліну.
Ключові слова: мезопористі плівки, алюміній-вмісний діоксид титану, фотокаталіз, 2,4-динітроанілін.

І.Ф. Миронюк¹, Б.М. Яремчук², Т.В. Гергель¹, В.І. Мандзюк¹

Закономірності росту частинок пірогенного кремнезему за умов турбулентності реакційного середовища

¹Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, e-mail:myrif@rambler.ru
²Калуський дослідно – експериментальний завод ІХП НАН України, м. Калуш, Івано-Франківська обл.

З метою з’ясування основних закономірностей росту частинок кремнезему при пірогенному синтезі вивчена кінетика ізотермічного спікання частинок аеросилу з питомою поверхнею 384; 296 та 173 м2•г-1 у температурному інтервалі 773 ÷ 1523 К. Знайдено, що спікання частинок кремнезему добре описується рівнянням Авраамі-Єрофеєва. При пірогенному методі одержання кремнезему ріст частинок здійснюється в результаті коагуляції та коалесценції проточастинок за зворотноланцюговою моделлю. Основним фактором, що впливає на ріст частинок, є температура полум’я. При різній швидкості подачі реакційної суміші в полум’я кремнезем із заданим розміром частинок одержується при одній і тій же температурі ядра полум’я. Порівнюючи масштаб найдрібніших пульсацій полум’я з масштабом рухів частинок при заданій температурі синтезу SiO₂, зроблений висновок про вплив турбулентності реакційного середовища на ріст частинок і їх агрегатування.
Ключові слова: кремнезем, пірогенний синтез, турбулентність, агрегатування наночастинок.

В.В. Борик, В.М. Бойчук

Кристалоквазіхімія точкових дефектів і фізико-хімічні властивості твердих розчинів PbTe-MnTe

Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, вул.Галицька, 201,
м.Івано-Франківськ, 76008, Україна

Виконано аналіз літературних джерел з питань дослідження фізико-хімічних властивостей твердих розчинів системи PbTe-MnTe. Запропоновано кристалоквазхіхімічні формули для різних механізмів утворення твердих розчинів. На основі залежностей концентрації точкових дефектів, вільних носіїв і холлівської концентрації від складу зроблено висновок про природу твердих розчинів.
Ключові слова: плюмбум телурид, манган (ІІ) телурид, тверді розчини, точкові дефекти, кристалоквазіхімічні формули.

Р.М. Вишневський¹, Б.Л. Литвин¹, А.Л. Романюк²

Фенольні похідні бензотриазолу як нові інгібітори корозії металів в кислому середовищі

¹Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
²Івано-Франківський державний медичний університет

Вивчення антикорозійної дії нових класів речовин – це важливий шлях для формування чіткої теорії антикорозійного захисту, а отже і пошуку ефективних, економічно доступних антикорозійних засобів. В даній статті розглянуто новий клас речовин - фенольні похідні бензотриазолу, як можливі інгібітори корозії металів. Проведено випробовування антикорозійних властивостей деяких з цих речовин в солянокислому середовищі.
Ключові слова: інгібітор корозії, 1,2,3-бензотриазол, фенольні похідні бензотриазолу, квантовохімічні розрахунки.

С.І. Круковський¹, А.О. Федорчук²

Механізм очистки епітаксійних шарів GaAs, InGaAsP під впливом комплексного легування розплавів рідкісноземельними елементами та алюмінієм в технології РФЕ

¹Науково-виробниче підприємство “Карат”, вул. Стрийська, 202, 79031 Львів, Україна Е-mail: krukovsky@polynet.lviv.ua
²Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Кирила і Мефодія, 6, 79005 Львів, Україна

Проаналізована взаємодія рідкісноземельних елементів та алюмінію з фоновими домішками в індієвих та галієвих розплавах при температурах відпалу 1100°С. Досліджено вплив комплексного легування розплавів галію та індію рідкісноземельними елементами та алюмінієм на електрофізичні властивості шарів GaAs та InGaAsP, отриманих при температурах епітаксії 640-700°С. На основі проведених досліджень запропонована модель, що пояснює механізм аномальної “очистки” епітаксійних шарів GaAs та InGaAsP від фонових домішок гетеруванням кисню у розплавах через утворення оксидів Yb2O3, Al203 та подвійних оксидів Yb3Al5O12, а також впливом рідкісноземельних елементів та алюмінію на перерозподіл дефектів в процесі кристалізації шарів.
Ключові слова: рідкісноземельні елементи, комплексне легування, фонові домішки, гетерування

І.Б. Єрмолович, Р.В. Конакова, В.В. Мілєнін, О.Б. Охріменко, Р.А. Редько

Модифікація дефектної структури SiO2/GaAs високочастотним електромагнітним випромінюванням

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України Пр. Науки 41, 03028, Київ, Україна,
e-mail:re_rom@ukr.net

Проведено дослідження впливу електромагнітного випромінювання частотою 2,45 ГГц, на трансформацію дефектної структури в приконтактній області напівпровідникової гетероструктури SiО₂/GaAs. Показано, що вплив випромінювання на рекомбінаційні властивості та на спектр дефектних станів напівпровідника залежить від структурно-домішкових неоднорідностей вихідного напівпровідникового матеріалу. Обговорюються можливі механізми зміни випромінювальної рекомбінації під дією НВЧ випромінювання.
Ключові слова: люмінесценція, мікрохвильове опромінювання, домішково-дефектний склад.

В.А. Данько, І.З. Індутний, B.C. Лисенко, І.Ю. Майданчук, В.І. Минько, О.М. Назаров, А.С. Ткаченко, П.Є. Шепелявий

Пасивація наночастинок кремнію в тонких плівках SiO_x за допомогою високочастотної плазмової обробки

Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, проспект Науки, 45, Київ, 3028, Україна

Приведено результати дослідження впливу водневої високочастотної плазми на ФЛ композитних шарів, які містять наночастки Si в матриці SiO_x. Встановлено, що в результаті плазмової обробки зразків з включеннями аморфних наночасток кремнію інтенсивність ФЛ не змінюється. На шарах nc-Si-SiO_x спостерігається суттєве підвищення інтенсивності випромінювання з часом обробки плазмою, цей процес виходить на насичення протягом 15 хвилин. Зростання інтенсивності ФЛ у випадку обробки плівок пс-Si-SiO_x плазмою значно перевищує вплив відпалу в атмосфері водню і кратність підвищення інтенсивності випромінювання досягає ЗО.

С.П. Новосядлий, В.М. Бережанський

Дослідження термічних напружень в субмікронних структурах ВІС

Кафедра радіофізики і електроніки Прикарпатського національного університету ім. Василя Стефаника вул. Шевченка, 57,
76025 Івано-Франківськ, Україна e-mail:nsp@pu.if.ua, berezhansky@mail.ru

Розроблений метод вимірювання термічних напружень в шарах субмікронних структур ВІС, оснований на п’єзорезистивному ефекті та тестовому контролі електрофізичних параметрів.
Ключові слова: термічне напруження, п’єзорезистивний ефект, тензорезистор, тестовий контроль.

О.А. Кулініч

Вольт-амперні характеристики структур метал-хімічно-модифікований кремній-p-кремній

Одеський національний університеті ім. І.І. Мечникова, Навчально-науковий виробничий центр вул. Маршала Говорова, 4, м.Одеса, 65063, Україна, E-mail:ltech@elaninet.com

В роботі досліджувались вольт амперні характеристики структур метал-хімічно-модіфікований p-кремній, отриманий при обробці хімічним вибірковим травником приповерхневих шарів кремнію в структурах діоксид кремнію-кремній. Встановлено, що прямі струми залежать від напруги за законом I ~ U², що підтверджує інжекційний характер цих струмів, а на зворотні струми впливають властивості потенційного бар’єру Шоткі.
Ключові слова: ремній, метал, вольт-амперні характеристики, струмоперенос, дислокації

Генцарь П. О., Власенко О. І., Стронський О.В.

Контроль структурної досконалості епітаксійних плівок n-GaP методом модуляційної спектроскопії електровідбивання

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України 03028 м. Київ-28, проспект Науки 41, gentsar@isp.kiev.ua.

Досліджено спектри електровідбивання гомоепітаксійних плівок n-GaP (111) з концентрацією електронів n = 1016-5•1016 см^–3 з використанням електролітичної методики в спектральному діапазоні 2.5-3.2 еВ. Вимірювання проведені при кімнатній температурі в неполяризованому світлі (для поверхні (111) поляризаційна залежність відсутня). Із кількісного аналізу спектрів електровідбивання отримані значення фізичних параметрів та параметрів області просторового заряду приповерхневого шару досліджуваного матеріалу: енергій оптичних переходів Е₀ (перехід Г_8V – Г_6С) і Е₀+D₀(Γ_7v – Γ₆), електрооптичної енергії ħθ, поверхневого електричного поля F_s, феноменологічного параметру уширення Γ, енергетичного часу релаксації носіїв заряду t, відносного фазового фактору ψ, протяжності осциляції хвильової функції квантово-механічної частинки l_КФ із приведеною ефективною масою m при даному поверхневому електричному полі F_s, величини електронної рухливості m_е. Зроблений аналіз зв’язку між періодами осциляцій Келдиша-Франца ΔE_m і електрооптичною енергією ħθ.

М. Мач, М. Павлот

Нагрівання коротких сегментів плоских контактних з’єднань при проходженні
безперервних струмів

Люблінський технічний університет, факультет радіотехніки
та відділ електричних пристроїв і інформаційних технологій 

Температурні прирости, які відбуваються в плоских контактних з’єднаннях і інших апаратних елементах під дією струмових навантажень, є одним із найголовніших критеріїв при оцінці апаратної дії. Це витікає з негативного ефекту зростання температури при тривалій дії елементів пристроїв. Щодо різноманітності форм передач тепла і складної геометрії технологічних систем, явище нагрівання, – складна проблема, яку можливо вирішити тільки в простих системах. Із-за спрощень і припущень результат цього аналітичного рішення часто немає ніякого практичного значення для кількісного аналізу явищ теплообміну в реальних плоских контактних з’єднаннях.

Т.В. Лоскутова, В.Ф. Лоскутов, В.Г. Хижняк

Нанесення карбіду титану на поверхню хромовмісних інструментальних сталей

1Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”, пр.Перемоги, 37, Київ-56, Україна

Методами мікроструктурного, пошарового рентгенофазового, мікрорентгеноспектрального і дюрометричного аналізів встановлені склад, кінетика росту та деякі властивості дифузійних шарів, які отримані при насиченні сталей У10А, 11Х, Х, Х12Ф1 титаном. Встановлено, що при насиченні титаном хромовмісних сталей на їх поверхні формується дифузійній шар на основі карбіду титану ТіС, в якому розчиняється хром матриці в кількості (0,3...2,6)% по масі. Розчинення хрому у фазі ТіС супроводжується значною зміною комплексу властивостей захисного покриття. Показана перспективність широкого використання процесу титанування хромовмісних інструментальних сталей в промисловості для підвищення надійності та довговічності інструменту різного призначення. Ключові слова: дифузійні покриття, дифузійний шар, будова, кінетика росту, мікротвердість, склад, карбід титану, хром.

В.О. Настасенко

Аналіз гранично-можливих шаруватих структур

Херсонський національний технічний університет, а/я 141, 73003, м. Херсон, Україна,
E-mail:Nastasenko2004@front.ru

У роботі строго доведено, що в рамках сучасних знань про матеріальний світ, гранично можлива шарувата структура пов'язана з плаківськими параметрами довжини l_p,часу t_p і маси mp, реальність яких обґрунтована на базі фундаментальних фізичних констант: кругової постійної Планка Ћ, гравітаційної постійної G та швидкості світла у вакуумі c, а також на базі закону всесвітнього тяжіння та першої космічної швидкості для Всесвіту, що випливає з нього.
Ключові слова: шарувата структура, планківська довжина, час, маса, постійна Планка, гравітаційна постійна.

А.М. Ніколенко

Структура однонаправленого волокнового композита: апроксимації базової моделі

Українська державна академія залізничного транспорту, м. Харків-50, пл. Фейєрбаха 7

Проаналізовано шляхи переформулювання базової теоретико-множинної моделі однонаправленого волокнового композита до опису структури відповідних матеріалів за конкретних умов. Розроблено дискретну та континуальну апроксимації базової моделі та окреслено основні напрямки її застосування.
Ключові слова: однонаправлений волокновий композит, теоретико-множинна модель, дискретний опис, технологічні процеси електромашинобудування.

О.Б. Гірін, В.І. Овчаренко

Текстура та субструктура електрохімічних хромових покриттів на стрічках жерсті із сталі марки 08 КП

Український державний хіміко-технологічний університет пр. Гагаріна, 8, м. Дніпропетровськ,, e-mail:girin@ua.fm

Проведено дослідження кристалографічної текстури та субструктури в різних компонентах текстури електрохімічних хромових покриттів на жерсті із сталі марки 08 КП. Установлено, що характерною текстурою хромових покриттів на жерсті є текстура, яка складається із наступних компонентів: аксіальний компонент з віссю [111], перпендикулярною поверхні покриття; обмежений компонент (111)[112] та хаотичний компонент текстури. Виявлені закономірні зміни кількісних характеристик текстури та субструктури хромових покриттів на стрічках жерсті в залежності від режимів їх одержання.
Ключові слова: текстура, субструктура, електрохімічні хромові покриття, жерсть

І.Я. Петрик, П.І. Мельник, І.Й. Перкатюк

Твердофазні перетворення в металічних сплавах і дифузійні процеси в кристалічних системах

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна,
E-mail:fcss@pu.if.ua

Розглянута кореляція між концентрацією домішкового елементу в залізі, яка приводить до виникнення фазового перетворення в ньому, і швидкістю дифузії домішкових атомів в залізо при ізотермічному процесі.
Ключові слова: дифузія, концентрація, фазові перетворення, границя розподілу.

Т.В. Тернова, М.В. Кіндрачук

Поверхневі вторинні структури в умовах граничного беззносного тертя

Національний авіаційний університет, пр-т Комарова, 1, Київ, 03058, Україна, тел. (044) 406-77-73,
e-mail:m_kindrachuk@ukr.net

В роботі вперше вивчені нові вторинні поверхневі структури, які формуються під дією тертя в режимі граничного беззносного тертя, їх трибовластивості, взаємозв’язок з вторинними структурами в змащувальних матеріалах, вплив на макровластивості трибосистем.
Ключові слова: вторинні трибоструктури, граничне тертя, граничне беззносне тертя