Вплив магнітного поля на електронне поглинання гіперзвуку в прямокутному квантовому дроті

¹Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул.Шевченка, 57, м.Івано-Франківськ, 76000, Україна,
²Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу,
вул.Карпатська, 15, м.Івано-Франківськ, 76000, Україна,
bruvinsky@gmail.com

Досліджено теоретично вплив квантуючого магнітного поля на електронне поглинання найнижчої ширинної моди гіперзвуку в прямокутному квантовому дроті. Визначено енергетичний спектр та хвильові функції електронів прямокутного дроту при наявності поздовжнього сильного магнітного поля. Отримано залежності електронного поглинання гіперзвуку в дроті від магнітного поля і розмірів дроту. Чисельні результати наведено для випадку дроту GaAs.

Ключові слова: прямокутний квантовий дріт, гіперзвук, електронне поглинання, магнітне поле.

Ю.Л. Скоренький, О.І. Крамар

Особливості стабілізації антиферомагнітного впорядкування в моделі квазіодновимірних органічних надпровідників

Тернопільський державний технічний університет імені Івана Пулюя,
вул. Руська, 56, м.Тернопіль, 46001, Україна, E-mail: skorenky@tu.edu.te.ua

В методі одноелектронних запізнюючих функцій Гріна з використанням ефективного гамільтоніана в конфігураційному представленні дослiджено перехiд антиферомагнетик-парамагнетик у вузькозонних низьковимiрних системах. Отримано вираз для параметра ефективного обміну zJ_eff, який є  ключовим для iснування антиферомагнетизму в квазіодновимірній системi з сильною кулонівською кореляцією електронів;  при збiльшеннi zJ_eff/w температура фазового переходу (температура Нееля) швидко зростає. Проведено теоретичний розрахунок фазової (p-T) дiаграми переходу з антиферомагнiтного у парамагнiтний стан для системи (TMTSF)₂PF₆, результати якого добре узгоджуються з експериментальними даними.

Ключові слова: квазіодновимірні надпровідники, антиферомагнітне впорядкування, ефективний обмін, корельований перенос електронів.

В.І. Бойчук, І.В. Білинський, І.О. Шаклеіна

Дисперсія коефіцієнта відбивання від інтерфейсу гетеросистеми одновимірних кристалів

Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка
вул. Івана Франка, 24, Дрогобич, 82100, Україна

В даній роботі на основі моделі Кроніга-Пенні з -подібними потенціалами досліджено тришарову наногетероструктуру, в якій біля меж поділу існує перехідний шар, відстань між крайніми атомами якого є параметром задачі і може змінюватись від нуля до двох сталих ґраток кристалів. Отримана точна формула для коефіцієнта відбивання  , з якої можна визначити залежність коефіцієнта  від хвильового вектора, величини перехідного шару та ширини моношару гетероструктури. Конкретні обчислення, проведені для гетеросистеми   , показали, що використання наближення огинаючих та методу ефективної маси при малих значеннях хвильового вектора дає непогані результати, якщо  використати граничні умови Гарісона при відповідним чином підібраних параметрах.

Ключові слова: гетероструктура, перехідний шар, модель Кроніга-Пенні, коефіцієнт відбивання.

В.А. Ромака^1,2, М.Г. Шеляпіна³, Д. Фрушарт⁴, Ю.В. Стадник⁵,
Ю.К. Гореленко⁵,  Л.П. Ромака⁵, В.Ф. Чекурін¹

Особливості механізмів провідності інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn, сильно легованого Mn. I.
Розрахунок електронної структури

¹Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я. Підстригача НАН України,
 вул. Наукова, 3-б, 79060, Львів, Україна;
²Національний університет “Львівська політехніка”, вул. С. Бандери, 12, 79013, Львів
Україна, Е-mail: vromaka@polynet.lviv.ua;
³Інститут фізики ім. В.О. Фока Санкт-Петербургського національного університету,
 вул. Ульянівська, 1, Петродворець, 198504, м. Санкт-Петербург, Росія;
⁴Лабораторія кристалографії Національного центру наукових досліджень, BP 166, 38042 Гренобль, Франція
⁵Львівський національний університет ім. І.Франка, вул. Кирила і Мефодія, 6, 79005, Львів, Україна;

Здійснено розрахунок електронної структури інтерметалічного напівпровідника ZrNiSn, сильно легованого акцепторними домішками Mn, для випадків парамагнітної та впорядкованої установок атомів Mn. Легування n-ZrNiSn призводить до зміни типу провідності напівпровідника з електроннго до діркового та реалізації переходу провідності діелектрик-метал (перехід Андерсона). При цьому, провідність напівпровідника визначається головним чином d-електронами Mn лише зі спінами, направленими “вниз”. Сумарний магнітний момент лінійно залежить від концентрації акцепторних домішок Mn, тоді як магнітний момент атомів Mn швидко виходить на насичення і, починаючи з x = 0,1, практично не змінюється.

Ключові слова: напівпровідник, акцепторна домішка, рівень Фермі, електропровідність, густина станів.

В.А. Сминтина, О.А. Кулініч, М.А. Глауберман, Е.Т. Роговська,
Г.Г. Чемересюк, І.Р. Яцунський, О.В. Свіридова

Вплив дефектів на розподіл концентрації легуючої домішки та дефектоутворення при легуванні кремнію

Одеський національний університеті ім. І.І. Мечникова, Навчально - науковий – виробничий центр
вул.Маршала Говорова,4, м. Одеса, 65063, Україна, e-mail: eltech@elaninet.com

У роботі наведено результати дослідження впливу дефектів на розподіл концентрації легуючої домішки по поверхні й по глибині пластин монокристалічного кремнію. Встановлено, що розподіл концентрації легуючої домішки по поверхні пластини пов'язаний з розподілом концентрації кисню, який, у свою чергу, пов'язаний зі структурою пластини кремнію. Процеси легування приводять до виникнення структурних дефектів у вигляді дислокаційних сіток в обсязі пластин кремнію, які преципитированы киснем, причому, не спостерігалося скупчення легуючої домішки біля дислокаційних сіток з концентрацією перевищуючою середню.

Ключові слова: кремній, легування, дефекти, дислокації.

П.Д. Мар’янчук, Д.П. Козярський, Е.В. Майструк

Фізичні властивості кристалів (3HgSe)_1-x(Al₂Se₃)_x,
легованих марганцем

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
вул. М. Коцюбинського, 2, Чернівці, 58012, (037)22-4-68-77, p.maryanchuk@chnu.edu.ua

Дослідження кінетичних коефіцієнтів кристалів (3HgSe)_1-x(Al₂Se₃)_x (легованих марганцем) проведені в інтервалі Т = 77 - 300 К і Н = 0,5 - 5 кЕ до і після термообробки зразків в парах компонент. До термообробки коефіцієнт Холла (R_H) в досліджуваних кристалах не залежить від температури, електропровідність (σ) кристалів має металічний характер, термо-ерс (α) збільшується з ростом температури. Термообробка зразків в парах компонент приводить до зміни концентрації електронів.

Магнітна сприйнятливість (χ) кристалів (3HgSe)_1-x(Al₂Se₃)_x (легованих марганцем) досліджена в інтервалі температур Т = 77 - 300 К при Н = 4 кЕ методом Фарадея до і після термообробки зразків в парах компонент. Встановлено, що особливості χ обумовлені наявністю в кристалах кластерів типу Mn–Se–Mn–Se різних розмірів, в яких між атомами Mn через атоми халькогена здійснюється непряма обмінна взаємодія антиферомагнітного характеру, і атомами Mn з 3d⁴ і 3d⁵ електронною конфігурацією. Термообробка зразків в парах компонент приводить до зміни розмірів існуючих в кристалі кластерів і до зміни електронної конфігурації атомів Mn з 3d⁴ на 3d⁵.

Ключові слова: кристал, електропровідність, магнітна сприйнятливість, кластер.

З.І. Захарук¹, С.Г. Дремлюженко¹, М.Л. Ковальчук¹,
Є.С. Никонюк², А.І. Раренко¹

Дослідження включень фази Si у кристалах
CdTe, Cd_1-xMn_xTe, Cd_1-xZn_xTe

¹Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
Україна, 58012, м. Чернівці, вул. М.Коцюбинського, 2, MLKov@mail.ru
²Національний університет водного господарства та природокористування,
Україна, 33028, м.Рівне, вул.Соборна, 11, semirivne@mail.ru

Включення Si в кристалах CdTe, Cd_1-xMn_xTe, Cd_1-хZn_хTe досліджені рентгенівським, металографічним методами та за допомогою растрового електронного мікроскопа-мікроаналізатора. Включення неоднорідні по об’єму і містять, як правило, Al, O, Fe, Cr, S, Cl, Mg. Показано, що забруднення матеріалу кремнієм відбувається шляхом перенесення кварцу з області виготовлення капіляру для вакуумування ампули з шихтою. Велика густина включень Si приводить до сильної неоднорідності електрофізичних властивостей кристалу.

Ключові слова: включення, телурид кадмію, електрофізичні параметри, структура, преципітати

Г.Є. Давидюк, В.В. Божко, Г.Л. Мирончук

Вплив поверхні зразка на механізми дефектоутворення при електронному опроміненні спеціально нелегованих і легованих міддю монокристалів сульфіду кадмію

Волинський державний університет імені Лесі Українки
пр. Волі, 13, м. Луцьк, 43025,  тел. (803322) 4922
 e-mail: ftt@lab.univer.lutsk.ua

В роботі досліджувалися спеціально нелеговані і леговані міддю монокристали CdS. Опромінення зразків електронами з E = 1,2 МеВ (дозою Ф = 2×10¹⁷ ел/см²) веде до утворення рухливих при кімнатній температурі дефектів, а також, розпаду вихідних донорно-акцепторних асоціатів. Більш радіаційно стійкими виявилися монокристали CdS. Первинні радіаційні дефекти в CdS:Cu – зразках (N_Cu = 10¹⁸ см^-3) утворюють після опромінення вторинні дефекти, які грають роль швидких центрів рекомбінації і відповідальні за домішкову фотопровідність. При зберіганні опромінених кристалів в їх приповерхневій області формуються парамагнітні центри. Робляться висновки про природу вторинних радіаційних дефектів відповідальних за фотоактивні і парамагнітні центри в опромінених зразках.

Ключові слова: монокристали, поглинання, радіація.

Я.В. Зауличний, Ю.M. Солонін, С.С. Звєзда, Е.В. Прилуцький

Залежність енергетичного спектра валентних електронів нановуглецю
в різних атомних станах від їх розміру

Інститут проблем матеріалознавства ім.. Францевича НАН України
3, вул. Кржижанівського, Київ, 03142, Україна, Е-mail: zaulychnyj@ipms.kiev.ua

Методом ультрам‘якої рентгенівської емісійної спектроскопії вивчено електронну структуру ряду вуглецевих наноматеріалів. Досліджено енергетичний розподіл валентних електронів в фулеренах, оніонах і багатостінних вуглецевих нанотрубках, одержаних з використанням каталізаторів і без їх участі. Виявлено зростання ширини СKα-смуг в послідовності C60-C70-оніони-нанотрубки. Виявлено звуження спектрів при зменшенні розмірів наноматеріалів одного виду. Встановлено, що форми СKα-смуг в C60, C70, оніонах і нанотрубках різні завдяки зміні ступенів πрz- та σsp2+ πрz-перекриттів.

М.М. Харченко

Застосування методу конденсації в квазізамкнутому об'ємі для формування плівок телуриду кадмію

Національний технічний університет “Харківський політехнічний інститут”,
кафедра фізичного матеріалознавства для електроніки та геліоенергетики,
Харків, вул. Фрунзе 21, 61002, т. 8 (057) 321-56-91, E-mail: hnm@ukr.net

Запропонована методика та проведене визначення критичної температури конденсації пари CdTe у КЗО на скляні та ситалові підкладки при температурі випарника 420 – 560?С. В зазначеному інтервалі температур при незначному пересиченні пари отримані однофазні плівки CdTe. Збільшення температур процесу одержання плівок призводить до зміні осі переважної орієнтації зерен з (111) на (110) при одночасному підвищенні ступеня структурної досконалості зерен.

Ключові слова: тонкі плівки, телурид кадмію, квазізамкнутий об’єм, кристалічна структура

I. Войнарович¹, В. Такач², В. Черешня¹, В. Пинзеник¹, I. Макауз¹, С. Чернович^1,2

Аморфні мультишари халькогенід-метал

¹Інститут фізики і хімії твердого тіла, Ужгорожський університет
вул. Підгірна, 46, Ужгород, 88000, Україна, E-mail: sse@univ.uzhgorod.ua
²Інститут фізики, Дебреценський університет, Бем тер. 18/a, Дебрецен, 4026, Угорщина
E-mail: viki@delfin.unideb.hu

Наномультишари Bi(Sb) /As₂S₃ були розроблені і виготовлені з різними періодами модуляції з шарами 4 - 10 нм, використовуючи циклічну технологію випаровування в вакуумі, з комп’ютерним керуванням. В цих зразках досліджувався вплив термо- та/або індукованої фото- самодифузії на оптичні параметри і електричну провідність для того, щоб встановити можливість застосування зразків для запису на їх поверхні і розробити метод твердого фазового синтезу, який дозволить створювати різні наноструктурні матеріали.

Ключові слова: наноструктури, мультишари, interdiffusion, оптичні і електричні характеристики.

Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, В.М. Чобанюк

Профілі електричних параметрів
у тонких плівках халькогенідів свинцю

Фізико-хімічний інститут
Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail: fcss@pu.if.ua

Досліджено профілі ефективних і локальних значень електричних параметрів епітаксійних плівок n- i p-PbTe і PbSe, вирощених із парової фази. Показано можливість утворення в плівках n-типу провідності двошарової n-p-структури, параметри якої визначаються складом наважки, а також температурами випаровування і осадження та після конденсаційними процесами.

Ключові слова: халькогеніди свинцю, тонкі плівки, епітаксія, неоднорідності.

Г.І. Копач¹, Н.П. Клочко¹, Н.Д. Волкова², М.В. Добротворська³, В.Р. Копач¹, Т.А. Лі¹

Механізм процесу електрохімічного осадження і склад плівок телуриду кадмію

¹Національний технічний університет “Харківський  політехнічний інститут''
вул. Фрунзе, 21, 61002, Харків,  Україна
² Національний аерокосмічний університет ім. Н.Е. Жуковського ''Харьківський авіаційний інститут”
 вул. Чкалова, 17,  61070, Харків, Україна
³ Інститут монокристалів Національної академії наук, просп. Леніна, 60, 61001, Харків, Україна
E-mail: li_tatiyana@mail.ru

Методами хроновольтамперометрії та циклічної вольтамперометрії досліджено механізми електрохімічних процесів в електроліті для одержання напівпровідникових плівок телуриду кадмію, в відповідних йому парціальних розчинах, які вміщують йони кадмію і телуру. Виявлено відмінності в катодних процесах на хімічно інертних підкладках з нітриду титану і на каталітично активній поверхні молібдену. На підставі проведених досліджень з’ясовано природу домішок, які виявлені методом рентгенівської фотоелектронної спектроскопії на поверхні і в об’ємі плівок телуриду кадмію, електроосаджених на підкладки з нітриду титану і молібдену. Це дозволило здійснити вибір параметрів процесу електроосадження і матеріалу підкладок, які забезпечують виготовлення плівок стехіометричного складу.

Ключові слова: телурид кадмію, метод рентгенівської фотоелектронної спектроскопії, методи хроновольтамперометрії та циклічної вольтамперометрії.

С.А. Неділько¹, Т.A. Войтенко¹, М.А.  Зеленько¹, М.O. Оболенський²,
М.M. Чеботаєв², В.І. Білецький²

Високотемпературна надпровідна кераміка в системах Bi_2?xLn_xSr₂CuO_6+z  (Ln-La, Nd, Y)

¹Київський національний університет імені Тараса Шевченка, хімічний факультет,
 вул. Володимирська, 60, Київ, 01033, Україна, nedilko@univ.kiev.ua
²Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, фізичний факультет,
пл. Свободи, 4, Харків, 61000, Україна

Твердофазним методом з попереднім одержанням прекурсору синтезовано керамічні матеріали складу Bi_2-xLn_xSr₂CuO_6+z  (Ln-La, Nd, Y). Проведено дослідження ділянки гомогенності, фазового складу, структурних характеристик та кисневої стехіометрії систем Bi_2?xLn_xSr₂CuO_6+z  (Ln-La, Nd, Y) від ступеня заміщення х та температури переходу у надпровідний стан Т_с^on. Вивчено магнітну сприйнятливість синтезованих зразків.

Ключові слова: високотемпературна надпровідність, рідкісноземельні елементи, критична температура, оксигенна стехіометрія, твердофазний синтез.

Ю.Ю. Обедзинська, П.М. Фочук, З.І. Захарук, І.М. Юрійчук, О.Е. Панчук

Вплив Бісмуту на високотемпературні електричні властивості CdTe в умовах насичення Кадмієм

Чернівецький національний університет  імені Юрія Федьковича,
вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, 58012, Україна, тел. (0372) 584745 Е-mail: fochuk@chnu.cv.ua

Вперше досліджено структуру точкових дефектів в монокристалах CdTe<Bi> методом високотемпературних вимірювань ефекту Холла під тиском пари Cd в температурному інтервалі 470-1170 К. В результаті проведених досліджень встановлено, що Ві в CdTe виявляє при високих температурах донорну дію, утворюючи, правдоподібно, центри Bi_Cd.

Ключові слова: кадмій телурид, Бісмут, ефект Холла, власні та домішкові дефекти, висока температура.

С.Г. Дремлюженко. З.І. Захарук, П.М. Фочук, А.Й. Савчук

Зміна дефектності та складу поверхні CdTe, Cd_1-xMn_xTe,
Cd_1-хZn_xTe в залежності від обробки

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
58012 Чернівці 12, Коцюбинського 2, sgdrem@mail.ru

В роботі на основі термодинамічних розрахунків та оже-спектроскопії з’ясовано механізм утворення оксидних плівок та склад поверхні зразків CdTe, Cd_1-xMn_xTe, Cd_1-хZn_xTe. Досліджено склад поверхні після різних обробок: хімічне травлення розчином Br₂ в метанолі; хіміко-механічна поліровка в розчині, що містить K₂Cr₂O₇ і HNO₃; хіміко-механічна поліровка в розчині до складу якого входять колоїдний кремнезем, NaOH H₂O₂. Хіміко-механічна поліровка в лужному розчині колоїдного кремнезему дозволяє одержати найбільш якісну поверхню високої чистоти з мінімальним відхиленням від  стехіометрії.

Ключові слова: телурид кадмію, тверді розчини, хімічне травлення, хіміко-механічна поліровка, діаграми Пурбе.

С. С. Новосад, Б. М. Калівошка

Електретні властивості фотохромних кристалів CdI₂:СuI

Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Драгоманова, 50, Львів, 79005, Україна,
 е-mаіl: novosadss@rambler.ru

Конденсаторним методом з ізолюючими контактами досліджені електретні властивості фотохромних кристалів CdI₂:СuІ, вирощених методом Бріджмена – Стокбаргера. Виявлено струм поляризації, зумовлений однобічним охолодженням зразка у темноті від 295 до 90 К. Поляризований під час охолодження кристал володіє фоточутливістю у прикрайовій області спектру. Активація CdI₂ домішкою міді приводить до зміни напрямку струмів поляризації і деполяризації термоградієнтного електретного стану, який виникає у кристалі в процесі його однобічного охолодження, та послаблює фоточутливість матеріалу, пов’язану з центрами F-типу, в інфрачервоній області спектру. Виявлено, що електретний стан утворюється в кристалі CdI₂:СuІ при кімнатній температурі в процесі його забарвлення інтегральним світлом лампи ДКсЭл при відсутності зовнішнього електричного поля. Наявність у зразку внутрішнього електричного поля такого фотохромного електретного стану приводить до зміни напрямків струмів поляризації і деполяризації термоградієнтного електретного стану. Обговорюються можливі механізми забарвлення і знебарвлення фотохромного матеріалу CdI₂:СuI.

Ключові слова: йодистий кадмій, термоградієнтна поляризація, фотохромний електретний стан, домішкові комплекси, дипольна і об’ємозарядова поляризація.

С.С. Новосад, І.С. Новосад

Фото- і термостимульовані процеси в фотохромних кристалах CdBr₂:Cu

Львівський національний університет імені Івана Франка,

вул. Університетська 1, м. Львів, 79000, Україна,

тел. (0322) 964-679, e-mail: novosadis@rambler.ru

Вивчено фото- і термостимульовані процеси в фотохромних кристалах CdBr₂:Cu, CdBr₂:Cu,Cl, CdBr₂:Cu,I, вирощених методом Бріджмена-Стокбаргера. Встановлено, що на ефективність фотохімічних перетворень (ФХП) в CdBr₂:Cu⁺ впливає концентрація домішки міді, температура, а також гомологічна аніонна домішка. Зроблено припущення, що поява безструктурного додаткового фонового поглинання в області прозорості після оптичного опромінення зразків слабо легованих кристалів CdBr₂:Cu зумовлена фоторозпадом світлочутливих центрів {(V^2–_Cd – V_I⁺)–Cd_і⁺}. В кристалах бромистого кадмію із значною концентрацією домішки міді ФХП в основному пов’язані зі зміною зарядового стану активаторних центрів. При опроміненні таких матеріалів ультрафіолетовим світлом з області фоточутливості відбувається розпад комплексних центрів {(Cu⁺_Cd)^––Cu_i⁺} і виникнення центрів Cu²⁺_Cd та колоїдних металічних частинок nCu⁰. В сильно легованих системах кінетика фотостимульованого процесу забарвлення, крім зміни зарядового стану активаторних центрів, визначається також умовами опромінення внаслідок зміни оптичних властивостей і товщини опроміненого шару зразків. Зворотній процес термічного знебарвлення CdBr₂:Cu проходить через окислення центрів Cu⁰ іонами Cu²⁺_Cd за допомогою процесу міграції дірок термоделокалізованих з двохзарядних іонів міді до колоїдних металічних частинок.

Ключові слова: CdBr₂:Cu, фотохромні матеріали, спектри поглинання, фотоіндуковані смуги, фотохімічні перетворення, світлочутливі центри, фотоелектретний стан.

Магдалена Попчик

Реакція водневої еволюції в електролітичних композитних
сумішах Ni+W+Si та Ni+W+Mo+Si

Університет Сілесія, Інститут матеріалознавства,
12, вул.. Банкова, 40-007 м. Катовіце, Польща, E-mail: magdalena.popczyk@us.edu.pl

Композитні суміші Ni+W+Si і Ni+W+Mo+Si були одержані електролітичним осадженням кристалічного нікелю з електроліту, що містить домішки відповідних металевих і нерудних компонентів (W, Mo і Сі). Ці суміші були одержані в гальваностатичним осадженням, при густині струму j_dep. = 0,100 cm^-2 і при температурі 338 K. Хімічний склад одержаних сумішей був визначений методом EDS. Електрохімічна діяльність цих сумішей вивчалася в процесі реакції водневої еволюції. Знайшли, що суміш Ni+W+Mo+Si характеризуються збільшеною електрохімічною діяльністю у напрямку до водневої еволюції порівнянно з сумішшю Ni+W+Si. Причина цього пов’язана з присутністю додаткового складового компоненту (молібден).

Ключові слова: нікель, вольфрам, молібден, кремній, композитні суміші, реакція водневої еволюції.

В.Д. Александров, О.В. Соболь, М.В. Савенков

Дослідження передкристалізаційних переохолоджень
в системі вода - пентагідрат тіосульфату натрію

Донбаська національна академія будівництва та  архітектури,
86123, Україна, Донецька обл., м. Макіївка, вул. Державіна, 2, Е-mail: cluck@mail.ru

Дана робота присвячена експериментальному дослідженню передкристалізаційних переохолоджень і характеру кристалізації зразків у системі вода – п’ятиводний тіосульфат натрію (ТСН-5) методом циклічного термічного аналізу (ЦТА).

Ключові слова: кристалізація, тіосульфат натрію п’ятиводний, переохолодження, циклічний термічний аналіз

Н.В.Вітюк¹, Г.М.Єременко¹, Н.П.Смірнова¹, П.П.Горбик¹, Т.Буско²,
М.П.Кулиш², О.П.Дмитренко², В.В.Шлапацька³, В.А.Хижний⁴

Вплив високоенергетичного опромінення на структурні та фотокаталітичні властивості нанорозмірних TiO₂/ZrO₂/SiO₂ композитів.

¹Інститут хімії поверхні ім. О.О.Чуйка НАН України, 03164 Київ
 вул. Генерала Наумова,17, E-mail:annaerem@voliacable.com
²Київський національний університет ім. Т.Г.Шевченка, м. Київ, Україна
³ДП «Радма» ІФХ НАНУ, м. Київ, Україна
⁴Інститут фізичної хімії ім. Л.В.Писаржевського НАНУ, м. Київ, Україна

Золь-гель методом з алкоксидів титану, цирконію та кремнію синтезовані TiO₂/ZrO₂/SiO₂ міцні прозорі та стійкі до високоенергетичного β-опромінення (Е_е=1.8 МеВ) плівки та порошки. Отримані зразки досліджені методами СЕМ, РФА, ЕПР та Раманівської спектроскопії. За результатами РФА показано, що в TiO₂/ZrO₂/SiO₂ системі кристалізується лише фаза анатазу, з розміром кристалів 12 нм. Після опромінення з дозою 4 МГр в ЕПР спектрах спостережено появу нового сигналу, з трьома g – факторами: 2.009; 2.021 та 2.025, які віднесено до кисневих вакансій, що утворюються під дією електронного пучка. Фотокаталітична активність плівок та порошків в реакції відновлення токсичних іонів Cr(VI) після дії високоенергетичного опромінення знижується, але залишається досить високою, що свідчить про потенційну можливість практичного використання.

Ключові слова: потрійна система TiO₂/ZrO₂/SiO₂, нанорозмірний диоксид титану, β-опромінення.

З.Ю. Готра^1,2, П.Й. Стахіра¹, В.В. Черпак¹, Д.Ю. Волинюк¹

Дослідження електрооптичних властивостей тонких плівок поліортометоксианілину, сформованих методом термовакуумного осадження

¹Національний університет “Львівська Політехніка”, вул. С.Бандери, 12, Львів, 79013, Україна
тел.: (032) 258-21-62, e-mail: stakhira@polynet.lviv.ua
²Жешувський технологічний університет, вул. В. Пола, 2, 35-95, Жешів, Польща

Тонкі плівки поліортометоксианілину (ПОМА) були отримані методом вакуумного напилення при залишковому тиску 5•10^–5 Торр в температурному діапазоні 350-450⁰С. Методом інфрачервоної спектроскопії визначено структуру вакуумно напилених плівок. Досліджено морфологію, оптичні та електрохромні властивості вакуумно напилених тонких плівок ПОМА.

Ключові слова: вакуумне напилення, поліортометоксианілин, інфрачервона спектроскопія.

O.I. Koнопельник¹, O.I. Aксіментьєва¹, Б.Р. Ціж^2,3, M.I. Чохань²

Фізичні та технологічні властивості сенсорних матеріалів на основі спряжених
поліаміноаренів

¹Львівський національний університет імені Івана Франко, вул. Кирила і Мефодія 6, Львів, 79005, Україна
(0322) 728069, aksimen@ukr.net
²Львівська Національна академія ветеринарної медицини імені С.З.Гжицького,
вул. Пекарська, 50, 79012, Львів, Україна, (0322)763635
³Університет Казимира Великого у Бидгощі, Хоткевича 30, Бидгощ, 85-064, Польща

Вивчено фізичні та технологічні властивості (температурну залежність провідності, термічну стабільність, спектри поглиання та структуру) нових сенсорних матеріалів на основі спряжених поліаміноаренів, таких як поліортотолуїдин, поліанілін та поліамїнофеноли в інтервалі температур 273-773 K. Встановлено, що зміна нахилу температурної залежності провідності відповідає температурам початку термічного розкладу поліаміноаренів. Оптичні спектри полімерних плівок виявляють цікаву температурну поведінку в межах 293-473 K, пов’язану з термохромними переходами. На основі X-променевої дифракції показано, що поліаміноарени є аморфно-кристалічними матеріалами з вмістом кристалічної фази від 20-22 % (нелеговані зразки) до 40-44 % (леговані неорганічними кислотами), розміри кристалітів становлять 15-30 Å. Для технологічного застосування таких матеріалів рекомендовано інтервал температур, що відповідає лінійній ділянці зміни опору і не перевищує температуру термічного розкладу поліаміноаренів.

П.І. Мельник, С.П. Новосядлий, В.М. Бережанський, В.М. Вівчарук

Спектрометрія в субмікронній технології ВІС

Кафедра радіофізики і електроніки Прикарпатського національного університету ім. Василя Стефаника
 вул. Шевченка, 57, 76025 Івано-Франківськ, Україна e-mail: nsp@pu.if.ua, berezhansky@mail.ru, vivov@bigmir.net

Розроблені методи контролю складу поверхні шарів субмікронних структур ВІС, що охоплюють широкий діапазон спектрів від інфрачервоних хвиль, прозорих для кремнію, до частинок у вигляді пучків електронів, протонів, нейтронів та α-частинок.

Ключові слова: тестовий контроль, спектрометрія, еліпсометрія, спектральні методи.

В.Р. Петренко¹, В.А. Тербан², Л.Г. Шепель¹

Вплив технологічних параметрів на розподіл кисню в монокристалах кремнію, вирощених методом Чохральського

¹Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління,
вул. Пролетарська, 24/37,м. Кременчук, E-mail: pvr@ient.net
²ДП «Завод чистих металів» ВАТ «Чисті метали», вул.Заводська, 3, м. Світловодськ

В даній роботі на основі експериментально встановлених залежностей швидкості розчинення кварцевого тигля в розплаві кремнію від температури та тиску газу в камері вирощування розроблено математичну модель процесу легування кристалів кремнію киснем. За допомогою моделі проведено оцінку чутливості початкової (максимальної) концентрації кисню в кристалі до флуктуацій основних технологічних параметрів. Отримані результати дозволяють зробити висновки, що середня концентрація кисню в кристалі визначається середньою температурою розплаву, а характер розподілу кисню в кристалі залежить як від початкової маси розплаву, так і від геометричної форми тигля, а також в меншій мірі від діаметру кристалу. При цьому концентрація кисню практично не залежить від динамічних параметрів процесу вирощування. Адекватність запропонованої моделі експериментально підтверджена значеннями параметрів кристалів, отриманих в реальних промислових умовах.

Ключові слова: метод Чохральського, розподіл кисню, монокристали кремнію, математична модель, концентрація кисню, легування.

А.В. Бєсов¹, І.Я. Петрик², П.І. Мельник²

Фізико - хімічні умови одержання гомогенних порошків системи Co-Cr-Mo-Ni із заданою концентрацією компонентів

¹Інститут проблем матеріалознавства ім. І.Н. Францевича НАН України,
вул. Кржижанівського, 3, м. Київ, 03680, Україна.
 ²Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника,  вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна
E-mail ivan.petryk@rambler.ru,  тел.: +(03422) 59-60-80

Розроблена керована технологія одержання порошків системи Co-Cr-Mo-Ni гомогенних за хімічним складом та визначені їх технологічні властивості.

Ключові слова: оксидні сполуки, дифузійне насичення.

О.В. Маннапова, О.Д. Соколов, А.І. Костржицький

Фізико-хімічні властивості оксидних плівок
на сталі, отриманих іонним бомбардуванням

Одеська національна академія харчових технологій,
вул. Канатна, 112, м. Одеса, 65039, тел. (0482) 29-11-26, Україна

Викладено результати досліджень по підвищенню захисних властивостей нехромованої поверхні сталевих поршневих кілець оксидуванням у тліючому розряді в залишковій атмосфері повітря. Товщина оксидної плівки визначалася оптичним поляризаційним методом, фазовий склад оксиду – методом електронної дифракції на відбиття. Досліджено зміну електродних потенціалів у часі, характер електродних процесів при зовнішній поляризації і захисні властивості оксидних плівок. Потенціодинамічними дослідженнями виявлено область пасивності, в якій кількість корозійних уражень при порівняльних випробуваннях зменшується з 10 - 11 % до 0,2 - 0,3 %. Виявлено оптимальний режим обробки: напруга – 1000 В, щільність струму – 1,7 мА/см², час – 10 хвилин. Захисний ефект зумовлює плівка оксиду γ-Fe₂O₃, що формується у розряді.

Ключові слова: оксидні плівки, корозія, захисні властивості, іонне бомбардування.

I.C. Манак, Д.В. Ушаков, Ю.С. Білявський

Широкий і плоский хвилевід – підсилення спектру в асиметричній складній квантовій ямі гетероструктури Ga_1-xIn_xAs_ySb_1-y/Al_xGa_1-xAs_ySb_1-y

Білоруський державний університет, вул. Незавісімості. 4, 220030, Білорусь, e-mail: ushakovdv@bsu.by

Для асиметричної складної квантової ями, створеної на гетероструктурних напівпровідниках Ga_1-xIn_xAs_ySb_1-y/Al_xGa_1-xAs_ySb_1-y показано, що приріст спектра широко і плоского хвилеводу може бути одержаний в області 2,3-2,84 µм спектральних ліній. Головна увага приділяється результатами, одержаним при вивченні спектральних характеристик дво-, трьо- і чотирирозмірної розмірної квантової ями з активними шарами різної ширини. Представлено математична модель для зонних діаграм активної ділянки і форми хвилеводних спектрів.

Т.В. Чебан, О.М. Берегова, А.І. Костржицький

Особливості енергетичних ефектів при іонному
осадженні захисних покриттів

Одеська національна академія харчових технологій,
кафедра фізичної та колоїдної хімії, вул. Канатна, 112, м.Одеса

Пояснюється метод іонного осадження з можливістю істотного зниження технологічної температури конденсації. Наведені розрахункові показники температурного режиму сталі (товщина 4 мм) при обробці поверхні в аргоні та температурного режиму осадження іонних покрить з міді і залізохромових сплавів на сталь. Проведений аналіз енергетичних і температурних ефектів при іонному осадженні покриттів

Ключові слова: корозія, покриття, поруватість, іонне осадження.

Б.А. Тершак

Особливості гідратації активованих тампонажних матеріалів

Науково-дослідний і проектний інститут ВАТ «Укрнафта»,
76019, м. Івано-Франківськ, Північний бульвар ім. Пушкіна, 4, т. (0342) 776137,
E-mail: tershak@ndpi.ukrnafta.com

Викладено результати вивчення особливостей гідратації тампонажних матеріалів надлишковим тиском. Досліджені властивості тампонажних суспензій, сформованих в даному режимі. Вивчений механізм структуроформування запропонованого тампонажного матеріалу. Показані перспективи застосування методу приготування сумішей при кріпленні свердловин.

Ключові слова: тампонажний матеріал, структуроутворення, цементний камінь.

Бобіна М.М., Лоскутова Т.В., Погребова І.С., А.В. Бєсов

Жаростійкість карбідних покриттів на основі ніобію та хрому, нанесених на поверхню вуглецевих сталей

Національний технічний університет України “КПІ”, пр. Перемоги, 37, м. Київ, 03056, Україна

В роботі встановлено, що при комплексному насиченні сталей ніобієм та хромом вуглецевих сталей спостерігається підвищення жаростійкості отриманих покриттів. Визначені формули для розрахунку часу жаростійкості покриттів даного типу при підвищених температурах.

Ключові слова: жаростійкість, ніобій, хром, покриття, температура

М.О. Єлізаров

Візуалізація методом хемографії пітингової
корозії металевих плівок

Кременчуцький державний політехнічний університет ім. М.Остроградського
вул. Першотравнева, 20, м. Кременчук, 39614 Україна, E-mail: yel@bigmir.net

Представлені експериментальні результати візуалізації корозійних процесів у системах метал – металева плівка методом хемографії. Вперше візуалізовані початкові стадії корозії, в тому числі локальної, зокрема, розвиток пітингу. Ці досліди відкривають широкі перспективи подальших досліджень корозії найрізноманітніших систем.

Ключові слова: локальна корозія, пітингова корозія, метод хемографії, візуалізація, металеві плівки, ранні стадії, хемографічний метод, активні піти.

A. Ціхонь¹, С. Боруцькі²

Вплив фізико-хімічних параметрів трансформаторного масла
на частотно-часові характеристики акустичних сигналів емісії

¹Технічний університет Ополє, факультет електричної інженерії та автоматики,
вул. Сосновск’єго 31, 45-272 Ополє, Польща,
²Технічний університет Ополє, Інститут електросилових установок,
вул. Сосновск’єго 31, 45-272 Ополє, Польща, E-mail acichy@po.opole.pl

Стаття представляє результати вимірювання акустичної емісії (AE), що генерується частковими розвантаженнями (PDs) в маслах різних фізико-хімічних параметрів. Проводився частотно-часовий аналіз сигналів AE, виміряних для PDs, що генеруються в специфічних маслах. Для виміряних сигналів були визначені, спектри амплітуди і зняті спектрограми енергії і спектри густини амплітуди.

М.Ю. Бобик, В.П. Іваницький, О.В. Лукша

Уточнення атомних електронних амплітуд для електронографії

Інженерно-технічний факультет Ужгородського національного університету,
вул. Капітульна, 13, Ужгород, Україна 88000. E-mail: ivanc@mail.uzhgorod.ua

Використовуючи нові коефіцієнти поліномного задання амплітуд розсіювання атомами рентгенівського випромінювання проведено уточнення атомних електронних амплітуд всіх елементів періодичної таблиці та багатьох їх іонів. Перевагою отриманих даних є можливість представлення електронних амплітуд в широкому діапазоні векторів розсіювання в дискретному-табличному, квазінеперервному-графічному та програмному виді (база даних). Порівняння з відомими електронними амплітудами різних атомів показує хорошу кореляцію отриманих в роботі та наявних раніше результатів, а також вказує на значно вищу точність і достовірність уточнених даних.

Ключові слова: дифракція електронів, електронні амплітуди, рентгенівські амплітуди.

М.М. Рябощук

Розсіювання електронних хвиль парою атомів речовини в електронографії

Ужгородський національний університет. м. Ужгород, вул. Капітульна, 13, тел-614417, E-mail: ivanc@mail.uzgorod.ua

Досліджено вплив орієнтації пари атомів відносно зондую чого електронного пучка на розподіл інтенсивності дифракції в електронографії. Показано що основну інформацію в електронограмах дають вклади пар атомів орієнтованих під кутом a = 40°…90° до зондую чого електронного пучка. Виявлено загальні закономірності впливу орієнтації атомних пар на дифракційну картину.

Ключові слова: електронна дифракція, аморфні матеріали

С.П. Новосядлий, Р.М. Іванюк

Підвищення теплостійкості і багатошарової металізації субмікронних структур ВІС

Прикарпатський національний університет ім. В.Стефаника
 вул. Шевченка, 57, 76025 Івано-Франківськ, Україна e-mail: nsp@pu.if.ua

Досліджена багатошарова металізація на основі Al-Si-Ho-TiW, TiS₂-TiN-TiW,Ti+AKГ₀-1 в структурах ВІС. Показано, що стабільність кремнієвих інтегральних субмікронних схем на основі Al металізації може бути досягнута за рахунок рівноважного розсіяння теплоти в площі контактного вікна. Визначені оптимальні співвідношення між шарами АКГ₀ та TiN,TiW, які дозволяють створювати термічно стабільні субмікронні структури на основі Al-металізації та збільшити тепловіддачу від кристала через внутрішні перемички на зовнішні виводи мікросхем.

В.І. Голота, І.Т. Когут

Керований автоемісійний кремнієвий катод субмікронних розмірів на основі структур кремній на ізоляторі

Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника,фізико-технічний факультет,
 вул. Шевченка 57, Івано-Франківськ 76000, Україна, e-mail: kre@pu.if.ua

Запропоновано практичний спосіб формування елементів субмікронних розмірів з використанням стандартної проекційної літографії. Розроблено структуру та топологію високовольтного транзистора на основі структур кремній на ізоляторі монолітно інтегрованого з випромінювачем, отримано його електричні характеристики. Розроблено технологію виготовлення керованих автоемісійних випромінювачів.

Ключові слова: автоемісійний кремнієвий випромінювач, елемент субмікронних розмірів, високовольтний транзистор.