ФХТТ, Т.9, №4, 2008

Анотації

М.А. Рувінський

Квазітермодинамічні поправки до закону Стефана-Больцмана

Фізико-технічний факультет Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано–Франківськ,76000.Україна bruvinsky@ gmail.com

Знайдено дві асимптотичні поправки до закону Стефана–Больцмана. Перша з них практично співпадає з “квазітермодинамічною” поправкою Маслова, отриманою іншим способом. Відхилення від закону Стефана–Больцмана можуть бути істотними для мезо- і наносистем.
Ключові слова: рівноважне електромагнітне випромінювання, квазітермодинамічні поправки до закону Стефана-Больцмана.

Я.С. Буджак

Хімічний потенціал як важлива характеристика електронного переносу в легованих кристалах

Національний університет ”Львівська політехніка” 79013 м.Львів-13,вул.С.Бандери 12

В даній роботі обгрунтована аналітична формула приведеного хімічного потенціалу для домішкових напівпровідникових кристалів в інтервалі значень Ця аналітична формула дає можливість за температурною залежністю електропровідності кристала визначати низку його важливих параметрів.

О.Ю. Ананьїна, О.С. Яновський

Комп’ютерне дослідження процесів взаємодії атомів бору з чистими поверхнями Si(100)

Кафедра ТЕМ, Запорізький нацональний університет, вул. Жуковського 66,
Запоріжжя, 69600 Україна, email: ananyina@zsu.zp.ua

У роботі представлені результати квантово-хімічних розрахунків процесів адсорбції атомів бору на чистій впорядкованій поверхні Si(100)-2*1. Оцінюються енергетичні характеристики адсорбції, обчислені геометричні та електронні характеристики структур, що утворюють атоми бору при адсорбції на поверхні Si(100). Ключові слова: поверхня Si(100), бор, димер, адсорбція, MOPAC.

І.І. Федорчук

Врахування далекодії при моделюванні металічних матеріалів

Інститут перспективних технологій, економіки і фундаментальних наук Вінницького державного педагогічного університету імені Михайла Коцюбинського,
вул. Острозького, 31, 21001 Вінниця, Україна

Розглянуто проблему моделювання структури металічних матеріалів і розрахунку сил в змодельованих фізичних системах. Проаналізовано методику розрахунку далекодіючих (сіткових) сил при моделюванні металічних і іонних кристалів. З’ясовано можливі підходи до розв’язання еліптичних рівнянь поля на просторових сітках з використання Фур’є перетворень, функції Гріна, згорток і процедури Евальда. Проаналізовано результати моделювання металічних (Al) і іонних (CuO) систем. Розглянуто методику вибору параметрів для розрахунку далекодіючих і короткодіючих сил і відповідних параметрів для процедури Евальда.

В.А. Сминтина, І.Р. Яцунський, О.А. Кулініч, М.А. Глауберман

Порівняльний аналіз механізмів дефектоутворення в кремнії при іонному легуванні та оксидуванні

Одеський національний університет ім. І.І. Мечникова, Навчально-науковий виробничий центр, вул. Маршала Говорова 4,
м. Одеса, Україна, E-mail:yatsunskiy@gmail.com

У даній роботі на основі використання сучасних методів дослідження в комбінації з методами хімічного виборчого травлення, вивчалася структура приповерхніх шарів кремнію після оксидування й іонного легування і проведено порівняльний аналіз механізмів дефектоутворення при цих процесах.
Ключові слова: кремній, оксидування, іонне легування, дефекти.

П.Д. Мар’янчук, Г.О. Андрущак, Е.В. Майстpук

Магнітні та кінетичні властивості Hg1-xMnxS

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. М. Коцюбинського, 2, 58012, Чернівці, (037)22-4-68-77, e-mail:р.maryanchuk@chnu.edu.ua

Магнітна сприйнятливість (χ) кристалів Hg1-xMnxS досліджена в інтервалі температур Т = 77-300 К при Н = 4 кЕ методом Фарадея до і після термообробки зразків в парах компонент. Встановлено, що особливості χ обумовлені наявністю в кристалах кластерів типу Mn–S–Mn–S різних розмірів, в яких між атомами Mn через атоми халькогена здійснюється непряма обмінна взаємодія антиферомагнітного характеру. Термообробка зразків в парах компонент приводить до зміни розмірів існуючих в кристалі кластерів і навіть до “розсмоктування” включень другої фази. Дослідження кінетичних коефіцієнтів кристалів проведені в інтервалі Т = 77-300 К і Н = 0,5-5 кЕ. Коефіцієнт Холла (RH) в досліджуваних кристалах майже не залежить від температури, що вказує на виродження електронного газу. Електропровідність (σ) кристалів має металічний характер, що обумовлено зменшенням рухливості електронів (μН) при збільшенні Т. Термо-ерс (α) збільшується з ростом температури, що обумовлено зменшенням виродженості електронного газу.
Ключові слова: напівмагнітний напівпровідник, кристал, кластер, електропровідність.

П.О. Генцарь, О.І. Власенко

Оптичні дослідження сильнолегованих твердих розчинів n-Ge_1-xSi_x

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України пр. Науки 41, м. Київ-28, 03028, E-mail:gentsar@isp.kiev.ua

В даній роботі проведено дослідження (рентгенографічний аналіз, еліпсометричні вимірювання при різних кутах падіння світла, спектри відбивання в діапазоні 2 – 25 мкм; спектри електровідбивання в діапазоні 2,5 – 3,8 еВ по електролітичній методиці) сильнолегованих твердих розчинів n-Ge_1-xS_ix з концентрацією електронів N = 10¹⁹ – 10²⁰ см^-3 із складом розчину х в діапазоні 0,6<х< 0,8. Виявлено, що ефективна маса густини станів      та        для зразків із даним складом розчину практично співпадають із обчисленими значеннями на основі припущення про лінійні залежності ефективної маси густини станів         та      від складу розчину х. Залежність сигналу електровідбивання ( ) від безрозмірного нахилу зон досліджених зразків показала, що в приповерхневій області напівпровідника наявне вбудоване електричне поле величиною 2•108 В/м. Визначені фізичні параметри та параметри області просторового заряду досліджених зразків. Основними механізмами уширення оптичних спектрів (спектри відбивання в діапазоні 2 – 25 мкм; спектри електровідбивання в діапазоні 2,5 – 3,8 еВ) зразків n-Ge_1-xSi_x із даним складом розчину х є розсіювання на заряджених домішках і на випадковому потенціалі, що виникає із-за флюктуацій складу розчину х.

М.Л. Ковальчук¹, М.Г. Колісник², О.В. Копач², В.Н. Балазюк², Є.С. Никонюк³,
М.Д. Раранський², В.М. Склярчук², А.І. Раренко², В.П. Салань⁴, І.В. Докторович²

Фізико-хімічні та фізичні властивості кристалів і гетероструктур
на базі радіаційностійких напівпровідників групи

¹Інститут термоелектрики, 58029, вул. Науки 1, м. Чернівці, Україна, mlkov@mail.ru
²Чернівецький національний університет ім. Ю.Федьковича, 58012, вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, Україна, microel-dpt@chnu.edu.ua
³Національний університет водного господарства та природокористування, 33028, вул. Соборна 11, м. Рівне, Україна
⁴Дрогобицький державний педагогічний університет ім. І.Франка, 82100, вул. І.Франка 24, м. Дрогобич, Україна

В роботі приведені спосіб одержання, фізико-хімічні, структурні, оптичні параметри та електрофізичні властивості напівпровідникових кристалів радіаційностійкої групи In₂Hg₃Te₆, InGaHg₂CdTe₆, InGaHg₂MnTe₆. Представлені результати досліджень вольт-амперних характеристик, спектральної характеристики чутливості, струмової монохроматичної чутливості на робочій та власній довжині хвилі випромінювання, нелінійності енергетичної характеристики чутливості, швидкодії фотодіодів Шотткі на базі In₂Hg₃Te₆, а також показана висока стійкість їх фотоелектричних параметрів до іонізуючого g- та b-опромінення.
Ключові слова: напівпровідники, кристали, радіаційностійкі, фізичні властивості, фотоприймачі, фотодіоди Шотткі.

С.І. Яремій

Вплив іонної імплантації на мікротвердість монокристалів ГГГ

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка,
57, 76000 Івано-Франківськ, Україна, e-mail:sofiya.yaremiy@rambler.ru, тел: +(03422) 59-60-80

В роботі досліджено динаміку зміни величини мікротвердості монокристалів ГГГ, імплантованих іонами Не+. На основі проведеного моделювання процесу іонної імплантації та рентгенодифрактометричних досліджень приповерхневих шарів іонно-імплантованих монокристалів ГГГ запропоновано механізм зміни величини мікротвердості. Показано, що незначна кількість дефектів в іонно-імплантованому шарі приводить до зростання величини мікротвердості монокристалів.
Ключові слова: мікротвердість, гадоліній-галієвий гранат, імплантація, профіль деформації, профіль аморфізації.

Б.К. Остафійчук¹, В.М. Жировецький², Б.К. Котлярчук², М.І. Мойса², Д.І. Попович ^2,3, А.С. Середницький²

Дослідження процесів формування нанопорошкового ZnO та його властивості

¹Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна
²Інститут прикладних проблем механіки і математики імені Ярослава Підстригала, вул. Наукова 3б, м. Львів, 79601, Україна, E-mail:popovych@iapmm.lviv.ua
³Національний університет “Львівська політехніка”, вул. С.Бандери, 12, м. Львів, 79000, Україна

У роботі представлено результати досліджень аналізу механізму формування нанопорошкового ZnO, одержаного з допомогою імпульсної лазерної реактивної технології ( мкм, с). Одержані якісні і кількісні характеристики дисперсного і хімічного складів та структурні параметри сформованого нанопорошкового ZnO в залежності від енергії випаровуючого лазерного імпульсу, його тривалості та тиску газу в реакційній камері. Проведені експериментальні дослідження особливостей фотолюмінесценції як вихідного нанопорошкового ZnO (d~40(60 нм), так і легованого домішками Zn, Cu, Mn, Al, Ti, Cr, V (~1-2 ат.%). Для вихідного ZnO при кімнатній температурі спостерігалась інтенсивна ультрафіолетова ( нм, УФЛ) та жовто-оранжева люмінесценції ( нм, ЖОЛ) і слабке випромінювання в зеленій області спектру ( нм, ЗЛ). Легування оксиду цинку Аl, Mn і V веде до помітного підвищення інтенсивності як ЖОЛ так і ЗЛ, що може бути ефективно використано для підвищення чутливості реєстрації газів.
Ключові слова: нанопорошкові оксиди,кластерорутворення, люмінесценція, лазерний відпал, газові сенсори.

К.Ю. Крикун, Г.С. Хрипунов, Г.І. Копач, Н.А. Ковтун

Кристалічна структура, оптичні та електричні властивості плівок оксидів індію та олова

Національний технічний університет «Харківській політехнічний інститут» 21, вул. Фрунзе, Харків 61002, Україна E-mail:orcsin@gmail.com

В роботі представлено результати досліджень структурних, оптичних та електричних властивостей плівок оксидів індію та олова, отриманих методом нереактивного магнетронного напилення при температурі осадження 300 ^оС. Отримані прозори електроди мають критерій якості 4,7•10^-2 Ом^-1, який відповідає кращім світовим аналогам. Встановлено, що температура осадження визначає концентрацію кисню в шарах ІТО.
Ключові слова: ITO, широкозонний вироджений напівпровідник, магнетрон, коефіцієнта прозорості, поверхневий електроопір, е.р.с. Холла.

Д.М. Фреїк¹, І.М. Ліщинський¹, П.М. Литвин², В.В. Бачук¹, Р.І. Никируй¹, М.Я. Гриджук¹

Топологія поверхні і процеси росту нанокристалічних структур PbTe на сколах слюди-мусковіт

¹Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:fcss@pu.if.ua
²Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лсшкарьова НАН України, пр.. Науки, 41, Київ-28, 03028, Україна, E-mail:plyt@isp.kiev.ua

У роботі наведено результати дослідження атомно-силовою мікроскопією топологічних особливостей формування епітаксійних плівок плюмбум телуриду, вирощених із парової фази у методі гарячої стінки на сколах (0001) слюди-мусковіт марки СТА при температурах осадження Tп=(350-630)K, товщиною до 10 мкм. Встановлено, що процеси росту плівок здійснюються за механізмом «пара-кристал» без коалесценції із переважаючою квазіпаралельною орієнтацією (111) [ ] PbTe паралельно до (0001) [ ] слюди з утворенням ростових дефектів упаковки і мікродвійників.
Ключові слова: наноструктури, телурид свинцю, процеси росту.

Р.Я. Михайльонка, Г. Кьольпін

Будова, структура, зв’язок та фазовий перехід легованих азотом тонких плівок Ge₂Sb₂Te₅

Кафедра хімії матеріалів, Рейн-Вестфальський технічний університет Аахена, вул. Коперника 16, D-52074 м.Аахен, Німеччина, E-mail:mix_ruslan@mail.ru

В роботі на основі експериментальних даних та теоретичних розрахунків було встановлено, що плівки Ge₂Sb₂Te₅, леговані азотом (далі NGST) дуже швидко окислюються на повітрі. Зростання вмісту азоту у сполуці NGST призводить до підвищення температури кристалізації і збільшення часу до початку кристалізації, а також до порушення близького порядку у аморфних плівках і до подрібнення зерен у кристалічних плівках, яке не залежить від тривалості відпалу. Плівки NGST є енергетично нестійкими, а атоми азоту у кубічній гратці GST можуть заміщати атоми Те між Ge i Te або вкорінюватися в октаедричні порожнини між Ge i Te.
Ключові слова: тонкі плівки, Ge₂Sb₂Te₅, азот, легування, структура, фазовий перехід, фазозмінні матеріали, оптичні диски, DVD.

Л.В. Дехтярук

Розмірний гальваномагнітний ефект у мультишарах з полікристалічною структурою

Харківський державний технічний університет будівництва та архітектури, вул. Сумська, 40, м. Харків, 61002, Україна, E - mail: dekhtyaruk@mail.ru

З використанням квазікласичного наближення у рамках модифікованої моделі Маядаса і Шацкеса теоретично проаналізована залежність питомої провідності (питомого опору) багатошарової плівки (БП), яка складається з полікристалічних шарів металу різної товщини та з різною ступінню концентрації дефектів в об’ємі шарів металу, від відношення товщин сусідніх шарів та величини магнітного поля, яке ортогональне інтерфейсам зразка. Отримані загальний та асимптотичні вирази для провідності мультишару і показано, що в області слабкого магнітного поля опір БП немонотонним чином залежить від відношення товщин шарів. В області сильного магнітного поля питомий опір багатошарового зразка осцилює зі зміною магнітного поля, причому амплітуда осциляцій визначається ступінню шорсткостей інтерфейсів та структурою шарів металу. Проведений докладний числовий розрахунок питомого опору БП від відношення товщин сусідніх шарів металу та величини магнітного поля при різних значеннях параметрів, які описують структуру зразка, об’ємну та інтерфейсну релаксацію носіїв заряду.
Ключові слова: багатошарова полікристалічна плівка, модель Маядаса та Шацкеса, гальваномагнітний осциляційний ефект.

Г.А. Ільчук¹, В.В. Кусьнеж¹, П.Й. Шаповал¹, Ф.І. Цюпко¹, В.О. Українець¹, А.М. Коструба², Р.Ю. Петрусь¹

Плівки CdS, одержані хімічним поверхневим осадженням: створення та властивості

¹Національний університет „Львівська політехніка”, вул. С.Бандери 12, Львів 79013, Тел. (032) 258-27-75, E-mail:gilchuk@polynet.lviv.ua
²Львівська комерційна академія, кафедра хімії і фізики, вул. У.Самчука 9, Львів 79011, Інститут фізичної оптики, вул. Драгоманова 23, Львів, 79011

Досліджено хімічне поверхневе осадження (ХПО) плівок CdS з розчину солі CdSO₄ на скляні та покритії In₂O₃ ⁺ SnO₂ (ІТО) скляні підкладки. Отримані достатньо однорідні плівки CdS_хім з товщинами 30-100 нм, які можна застосувати як вікна при створенні сонячних комірок. Проводиться порівняння якості плівок CdSхім від особливостей модифікації способу їх осадження. Досліджено морфологію, структурні та оптичні властивості плівок CdS_хім.
Ключові слова: плівки CdS_хім, хімічне поверхневе осадження, морфологія та структура тонких плівок.

І.М. Будзуляк¹, І.І. Григорчак², Р.В. Ільницький¹, Л.С. Яблонь¹

Лазерна стимуляція інтеркаляційних процесів у низькорозмірних структурах

¹Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна E-mail:l_yablon@yahoo.com, тел: +(03422) 59-61-82
²Національний університет “Львівська політехніка”, вул. Бандери, 12, Львів, Україна

У роботі представлені дослідження впливу лазерного опромінювання на інтеркаляційні процеси в структурах графіту і тальку. Встановлено, що в результаті опромінювання концентраційна залежність кінетичних параметрів літієвої інтеркаляції в тальку, згідно аналізу діаграм Найквіста, істотно змінюється у бік збільшення опору стадії перенесення заряду. В графіті лазерне опромінювання істотно знижує опір стадії перенесення заряду в інтеркалаті C, а в інтеркальованому дрібнодисперсному графіті, в результаті зменшення міжшарової відстані, очищає його від домішкових фаз. Отримані результати представляють інтерес з прикладної точки зору при формуванні накопичувачів електричної енергії.
Ключові слова: інтеркаляція, діаграми Найквіста, дрібнодисперсний графіт, тальк, лазерне опромінення

Я.В. Зауличний¹, О.О. Фоя¹, В.М. Гунько², В.І. Зарко², І.Ф. Миронюк³, Т.В. Гергель³, В.Л. Челядин³

Вплив розміру наночастинок пірогенного кремнезему на енергетичний стан валентних електронів

¹Інститут проблем матеріалознавства НАН України, вул. Крижанівського, 3, м. Київ, 03680 e-mail: zaulychnyj@ipms.kiev.ua
²Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України, вул. Генерала Наумова, 17 , м. Київ, 03164 e-mail: vlad_gunko@ukr.net
³Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, e-mail: myrif@rambler.ru

Методом рентгенівської емісійної спектроскопії досліджений вплив розміру наночастинок пірогенного кремнезему на його електронну структуру. Зменшення розміру наночастинок SiO₂ з 56,8 до 5,6 нм обумовлює зростання Лапласового тиску від 220 до 2240 атм. Дія Лапласового тиску приводить до зближення атомів кремнію в радіальному напрямку наночастинок, зменшення кута Si–О–Si і зростання довжини силоксанового зв’язку Si–О. При цьому реєструється енергетичне звуження OKα та SiLα емісійних смуг та їх зміщення в напрямку зниження енергії. З’ясовано, що енергетичний перерозподіл цих станів пов’язаний із утворенням Siрd + Ор слабких взаємодій π-типу. Структурна перебудова поверхні наночастинок та зниження енергії незв’язуючих станів валентних електронів знижує адсорбційну спроможність пірогенного кремнезему щодо молекул води.
Ключові слова: пірогенний кремнезем, електронна структура, Лапласовий тиск, силоксановий зв’язок, OKα та SiLα емісійні смуги.

Б.П. Яцишин¹, Д.М. Фреїк²

Термоелектричні властивості аморфних тонких плівок Sc-Fe-Ge

¹Прикарпатський національний університет імені Василя.Стефаника, 76025, Україна, м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка, 57,
фізико-хімічний інститут, кафедра фізики і хімії твердого тіла, е-mail: ecofizbo@lac.lviv.ua.
²Львівська комерційна академія, 79008, Україна, Львів, вул. Туган-Барановського, 10, кафедра хімії та фізики

Наведені результати досліджень термоелектричних властивостей тонких плівок Sc_xFe₅Ge_95-x (x = 0 - 15) у діапазоні температур 77-750 К. Проведено порівняння експериментальних даних з розрахованими по модифікованій формулі Мотта величинами термо-е.р.с.

Є.М. Сов’як¹, Ю.І. Черноморець¹, І.І. Григорчак², М.В. Токарчук^1,2

Статистична теорія електродифузійних, кінетичних процесів переносу іонів в системі "електроліт - електрод" з врахуванням електромагнітних процесів

^1Інститут фізики конденсованих систем НАН України, вул. Свєнціцького 1, м. Львів
²Національний університет "Львівська політехніка" вул. Ст. Бандери 12, м. Львів

Запропоновано статистичну теорію опису електродифузійних процесів в системі електроліт-електрод з врахуванням електромагнітних процесів, використовуючи метод нерівноважного статистичного оператора Д.Зубарєва. Отримано самоузгоджену систему узагальнених електродифузійних кінетичних рівнянь переносу, узгоджених з усередненими рівняннями Максвела для електромагнітних полів у системі електроліт – електрод.

І.Ф. Миронюк, В.Л. Челядин, В.О. Коцюбинський, І.Ю. Костів, І.І. Григорчак, У.Я. Джура

Електрохімічна інтеркаляція іонів літію в гідроксид магнію

1Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, e-mail:myrif@rambler.ru, тел: +38 0342 59-60-29
2Національний університет «Львівська Політехніка», вул. Степана Бандери, 12, м. Львів, 79013 e-mail:ivangr@rambler.ru

Вивчена електрохімічна інтеркаляція іонів літію в матеріал катоду гальванічного джерела, сформованого на основі дисперсного гідроксиду магнію з частинками нанометричного масштабу. Дослідні зразки Mg(OH)₂ відрізнялися між собою за розмірами частинок, формою та структурними параметрами. Їх одержували методом осадження, використовуючи у якості магнійвмісного прекурсора кристалогідрат MgCl₂ • 6Н₂О та сіль NaMgF₃ . З’ясовано, що струмоутворюючий процес у таких джерелах базується на впровадженні іонів літію в структурні канали гідроксиду магнію та заміщенні ними протонів гідроксильних груп. Виявлений вплив морфологічного стану частинок гідроксиду магнію на струмогенеруючий процес. При розряді джерела до напруги 1,5 В номінальну питому енергетичну ємність, рівну 872 мА • год • г^-1, демонструє тільки катодний матеріал на основі пластинчастих частинок. Питома енергетична ємність джерел з катодами на основі тонких пластівчастих та сформованих із них трубчастих частинок Mg(OH)₂ значно нижча і становить відповідно 344 мА • год • г^-1 та 229 мА • год • г^-1. Низька енергетична спроможність катодів, виготовлених із даних матеріалів, пов’язана саме з морфологією частинок гідроксиду магнію, яка обумовлює невигідну їх орієнтацію по відношенню до аноду. Першочергове зв’язування іонів Li⁺ кислими хемосорбованими карбоксильними групуваннями на розвиненій поверхні пластівчастих та трубчастих частинок сприяє утворенню пасивуючого літієвого покриття, яке приводить до стрімкого зменшення електрорушійної сили гальванічного джерела.
Ключові слова: електрохімічна інтеркаляція, катодні матеріали, гідроксид магнію, оксид магнію, морфологія частинок, шарувата структура, імпеданс, питома енергетична ємність.

О.А. Єрмоленко, Г.В. Корніч

Молекулярно-динамічне моделювання нормального бомбардування об’ємних поліетилену та пентацену низькоенергетичними іонами аргону

Запорізький національний технічний університет, вул. Жуковського, 64, Запоріжжя, Україна, 69063

Досліджується бомбардування об’ємних кристалів поліетилену та пентацену іонами аргону з енергією 100 еВ за допомогою молекулярно-динамічного моделювання із використанням багаточастинкового потенціалу для ковалентних зв’язків. Використовувалися мішені з поліетилену з наявністю та без загнутих ланцюжків на поверхні. Визначено кількість, різновиди та моменти вильоту розпилених молекул. Отримано кутові розподіли розпилених молекул та зворотнорозсіяних іонів. Обговорюються зміни в атомічній структурі мішеней.
Ключові слова: молекулярно-динамічне моделювання, багаточастинкові потенціали, поліетилен, пентацен, об’ємний кристал, нормальне бомбардування, розпилення.

В.Ф. Зінченко¹, О.В. Стамікосто¹, І.В. Стоянова¹, Н.М. Бєлявіна², Н.М. Компаніченко³

Взаємодія у системах LnF³ (Ln-La, Sm, Dy)-SrS

¹Фізико-хімічний інститут ім. О.В. Богатського НАН України, 86 Люстдорфська дорога, 65080, Одеса, Україна, тел: 80-487-662398; Fax: 80-487-659602,e-mail:vfzinchenko@ukr.net
²Київський національний університет ім. Тараса Шевченка, 64, вул. Володимирська, 01003, Київ, Україна, тел: 80-442-662335; Fax: 80-442-208285,e-mail:belmar@mail.univ.kiev.ua
³Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В. І. Вернадського НАН України, проспект Палладіна, 32/34, 03680, Київ-142, Україна, тел.:(8044)-424-34-61, Fax: (8044)-424-35-70; e-mail: omelchuk@ionc.kar.net

Встановлено склад продуктів взаємодії у системах LnF3 (Ln-La,Sm,Dy)-SrS, основними серед яких є SrF₂ та тверді розчини на його основі. Виявлено суттєвий гіпсохромний зсув піків 4f-4f електронних переходів у досліджуваних системах порівняно із системами LnF₃-Ln₂S₃. Обговорюються можливі механізми взаємодії між компонентами систем.
Ключові слова: сульфофториди лантанідів, обмінні реакції, тверді розчини, спектри дифузного відбиття.

О.Г. Миколайчук¹, М.В. Мороз¹, В.Ф. Орленко², Д.І. Олексин², В.М. Мороз²

Т-х діаграма стану в областях формування скла системи Ag-Ge-S

1 Львівський національний університет ім. Івана Франка, вул. Кирила і Мефодія 8а, Львів, 79005, Україна, E-mail:riv018@i.ua
2 Національний університет водного господарства та природокористування, вул. Соборна 11, м. Рівне, 33000, Україна

Досліджено рівноважний Т-х простір сплавів системи Ag–Ge–S в областях формування скла. Прогнозується поділ області склоутворення в ділянці Ag₂S–GeS–GeS2 на три частини за ознакою відмінностей у структурі скла.
Ключові слова: діаграма стану, склоподібний стан.

С.В. Габєлков, Р.В. Тарасов, М.С. Полтавцев, Ю.П. Курило, Ф.В. Белкін

Еволюція фазового складу при термічному розкладанні гідрооксиду цирконію

ННЦ «Харківський фізико-технічний інститут», Академічна 1, 611018, Харків-108, Україна, e-mail:gabelkov@kipt.kharkov.ua

Термічне розкладання аморфного гідрооксиду цирконію Zr(OH)₄ , який отримано осадженням з розчину його нітрату гідрооксидом амонію, проходить у дві стадій в температурних інтервалах 20-360⁰С и 360-500⁰С відповідно. Аморфний оксид цирконію є продуктом розкладання гідрооксиду. Визначено дифракційні дані аморфних гідрооксиду й оксиду цирконію. Кристалізація аморфного оксиду цирконію проходить в інтервалі температур 500-800⁰С з утворенням тільки тетрагональної фази, яка має розміри областей когерентного розсіювання 44±5 нм. Тетрагональний оксид цирконію цілком переходить у моноклінний при 800-900⁰С.
Ключові слова: аморфний оксид цирконію, гідрооксид, керамічні матеріали, кристалізація, термічне розкладання, фазовий склад.

Л.Й. Межиловська, Н.І. Дикун, Л.В. Туровська

Механізми акцепторного легування натрієм термоелектричного плюмбум телуриду PbTe:Na

Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76025, e-mail:freik@pu.if.ua

Запропоновано кристалоквазіхімічні формули для механізмів легування Na кристалів PbTe, що чинить акцепторну дію: утворення нейтральних комплексів із міжвузловим Натрієм і вакансій Плюмбуму та наявність антиструктурних дефектів у катіонній підгратці, а також утворення нейтральних комплексів і вакансій Телуру, що частково іонізуються. Розраховано залежності концентрації дефектів і холлівської концентрації носіїв заряду від вмісту легуючої домішки та величини відхилення від стехіометричного складу у базовому матеріалі.
Ключові слова: плюмбум телурид, легування, кристалоквазіхімія, точкові дефекти.

Г.Я. Бабущак

Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості чистих і легованих киснем кристалів ZnSe

Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

Визначено домінуючі точкові дефекти при двотемпературному відпалі кристалів ZnSе у парі цинку. Розглянуто механізми самолегування Селеном кристалів n-ZnSе та Цинком кристалів р-ZnSе. Проведено порівняльний аналіз самолеговних та легованих Оксисеном кристалів ZnSе.
Ключові слова: цинк селенід, точкові дефекти, квазіхімічні рівняння, кристалоквазіхімічні формули, легування, самолегування.

Г.Я. Бабущак¹, Н.В. Сташко¹, А.В. Лисак¹, Н.Д. Фреїк², П.В. Жуковскі³

Самоактивовані кисневі комплекси та дефектна підсистема у чистому і легованому міддю цинк селеніді

¹Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua
²Івано-Франківська державна гімназія №1, вул. Калуське шосе,1, Івано_Франківськ, 76008, Україна
³Люблінський технічний університет, 20-618 Люблін, Польща E-mail:mario@

Запропоновані кристалоквазіхімічні формули чистих і легованих міддю кристалів ZnSe, що містять самоактивований кисень для випадку утворення комплексів SA(I) – Cu(I), SAL(II) – Cu(II), III – Cu(III). Розраховано залежності концентрації дефектів, холлівської концентрації носіїв струму від вмісту легуючої домішки Cu для різних значень концентрації фонового кисню, як у стехіометричному цинк селеніді, так і n- та p-ZnSe. Визначено роль кисню і міді у формуванні електронної підсистеми кристалів цинк селеніду та реалізації у них термодинамічних p-n – переходів.
Ключові слова: цинк селенід, кисневі комплекси, кристалоквазіхімічні формули.

Ю.Ю. Обедзинська, П.М. Фочук, О.Е. Панчук, І.М. Юрійчук

Електричні властивості монокристалів CdTe при високих температурах

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, 58012, Україна, тел. (0372) 584745 Е-mail: fochuk@chnu.cv.ua

Вперше проведено високотемпературні вимірювання електропровідності та ефекту Холла CdTe, помірно легованого Арсеном, під тиском пари Cd в температурному інтервалі 470-1170 К. Аналіз отриманих результатів показує, що As в CdTe за вказаних умов виявляє акцепторну дію, утворюючи центри AsTe. Математична обробка експериментальних результатів на основі теорії квазіхімічних реакцій в твердих тілах Крегера дозволила промоделювати ізотерми питомої електропровідності зразків CdTe.
Ключові слова: Кадмій Телурид, Арсен, ефект Холла, точкові дефекти, високотемпературні вимірювання, моделювання.

В.В. Kукуєва

Квантово-хімічне дослідження елементарних реакцій на поверхні кремнезему в
процесі інгібірування ланцюгового горіння

Академія пожежної безпеки ім. Героїв Чорнобиля, 180034, м.Черкаси вул. Онопрієнко, 8, тел. 80504161451, e-mail:kukueva@yahoo.com

Шляхом неемпіричних квантово-хімічних розрахунків в базисному наборі 6-31G** проведено дослідження елементарних реакцій, що відбуваються в процесі інгібірування ланцюгового горіння хімічно активними речовинами. Показано, що в процесі деструкції досліджуваних молекул утворюються радикали, що можуть зв’язувати активні центри полум’я, і, таким чином, впливати на загальну швидкість поширення полум’я. Доведено, що з поверхні кремнезему активні інгібувальні компоненти легше підлягають деструкції ніж в процесі розкладу ізольованої молекули вогнегасної речовини.
Ключові слова: поверхневі сполуки, квантово-хімічні розрахунки, адсорбція, кластери, інгібітори горіння.

А.І. Трипольський, П.Е. Стрижак

Вплив фрактальної розмірності нанесених металевих каталізаторів на кінетику реакції гідрування ацетонітрилу

Інститут фізичної хімії ім. Л. В. Пісаржевського НАН України Україна, 03028 Київ, проспект Науки, 31, E-mail:pstrizhak@hotmail.com, tripolski@ukr.net

В роботі вивчено вплив морфології нанесених каталізаторів на деякі кінетичні параметри гетерогенно-каталітичного процесу. Встановлено взаємозв’язок предекспоненціального множника константи швидкості лімітуючої стадії реакції та фрактальної розмірності розподілу активного компоненту на поверхні носія. Отримані закономірності проілюстровані на прикладі гетерогено-каталітичного гідрування ацетонітнрилу на нанесених перехідних металах.
Ключові слова: каталізатор, фрактальна розмірність, кінетика, розподіл активного компоненту, дисперсність.

О.М. Верста-Ядлош

Визначення CH-кислотних властивостей 3-метил-4-[фенілгідразонометин]-хіноліній-перхлоратів

Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника

Визначено CH-кислотні властивості синтезованих нещодавно фенілгідразонових похідних четвертинних солей хінолінію з метою встановлення їх значень рН та рКа та виявлення впливу замісників у хіноліновому ядрі на ці показники.
Ключові слова: солі хінолінію, лепідиній перхлорати, фенілгідразони, гідразонометинхіноліни, хінолін, діазометиндигідрохіноліни.

Г.М. Окрепка, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.І. Гнатів

Застосування водних розчинів HNO₃–HBr для хімічного полірування монокристалів Cd1-xZnxTe

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки 41, м. Київ, e-mail:okrepka@isp.kiev.ua

У відтворюваних гідродинамічних умовах з використанням установки для хіміко-динамічного полірування досліджено взаємодію твердих розчинів Zn_0,04Cd_0,96Te, Zn_0,1Cd_0,9Te і Zn_0,2Cd_0,8Te з травильними композиціями HNO₃–HBr. Встановлено залежність швидкості розчинення вказаних матеріалів від співвідношення компонентів травника, а також від складу твердого розчину. Визначено концентраційні межі розчинів, які можна застосовувати для полірування поверхні монокристалів твердих розчинів Cd_1-xZn_xTe.
Ключові слова: хімічне травлення, тверді розчини, швидкість розчинення, травник, хіміко-динамічне полірування.

Ю.К. Івашина, Г.О. Івашина, О.В. Немченко

Оцінка величини сегрегацій водню на дислокаціях в танталі

Херсонський державний університет вул. 40 років Жовтня, 27, м. Херсон, 73000, тел.: 32-67-68 E-mail:baloow@ksu.ks.ua

На основі дослідження впливу пластичної деформації на фазове перетворення в системі Та-Н виділено складову пониження температури початку виділення гідридної фази, обумовлену переходом частини водню на дислокації, і відповідну концентрацію водню, пропорційну і близьку до 0,1% ат.
Ключові слова: виділення гідриду, дислокації, сегрегації водню.

Т.С. Мисакович, Р.Я. Стеців

Дослідження карбонатних комплексів уранілу у водних розчинах та їх адсорбції на поверхні силікатів

Інститут фізики конденсованих систем НАН України, вул. Свєнціцького 1, 79011 Львів, Україна, тел. 2761054, E-mail:mtaras@icmp.lviv.ua

Використовуючи квантово-хімічні розрахунки в рамках методу ab-initio досліджено структуру карбонатних комплексів уранілу у водних розчинах та їх адсорбцію поверхні SiO₂. На основі розрахованих даних проаналізовано зміни вихідних структур при комплексоутворенні та адсорбції, знайдено розподіл зарядів в комплексах та енергії адсорбції.
Ключові слова: квантово-хімічні розрахунки, адсорбція, ураніл.

А.О. Шийчук, Г.О. Сіренко

Вплив структури алюмосилікатів на спектральні характеристики адсорбованих молекул барвника катіонний синій 41

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76025, Україна

Робота присвячена змінам у спектрах барвника Вasic Вlue 41, викликаними сорбцією на алюмосилікатних поверхнях. Досліджено дев’ять сорбентів: бентоніт, монтморилоніт, каолін, фулерова земля, інфузорна земля, силікат алюмінію, оксиди алюмінію з кислою і основною поверхнею, силікагель. Встановлено, що фулерова земля, бентоніт, монтморилоніт і силікат алюмінію добре сорбують барвник і викликають візуально видимі зміни кольору. Решта сорбентів гірше сорбують барвник і не викликають помітних змін кольору.
Ключові слова: адсорбція, глини, бентоніт, монтморилоніт, каолін, фулерова земля, інфузорна земля, силікат алюмінію, оксид алюмінію, силікагель, барвник катіонний синій 41.

А.І. Євтушенко, Г.В. Лашкарьов, В.Й.Лазоренко, В.А. Карпина, В.Д. Храновський

ZnO-детектори ультрафіолетового випромінювання (огляд)

Інститут проблем матеріалознавства імені І. М. Францевича НАН України, вул. Кржижанівського, 3, 03680, Київ, Україна Е-mail: a.ievtushenko@ipms.kiev.ua

Представлено інформацію про основні властивості ZnO, технології його осадження та прототипи детекторів ультрафіолетового випромінювання на його основі. Розглянуто різні типи детекторів, технології та методи їх створення. Проаналізовано вплив властивостей плівок ZnO на характеристики детекторів на їх основі. Наведено проблеми, що постають при створенні детекторів на основі ZnO та можливі шляхи розв’язання цих проблем.
Ключові слова: ZnO, детектор, технологія.

С.П. Новосядлий, О.Б. Фрик

Техніко-економічний аналіз субмікронної технології формування структур великих інтегральних схем

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна

Розроблена методика техніко-економічного аналізу технологічного процесу виготовлення кристалів субмікронних великих інтегральних схем (ВІС). Отримані та проаналізовані вирази для собівартості кристалу і пластини в залежності від параметрів технологічного процесу, його технологічних обмежень та прецизійності обладнання. В рамках автоматизованого робочого місця (АРМ) атестації технологічного маршруту для випуску спецвиробів розроблена програма вартісного аналізу.
Ключові слова: інтегральні схеми (ІС), субмікронні структури, собівартість пластин, придатність кристалу.

О.М. Гетманець², М.М. Пеліхатий¹, Ю.Ф. Щапов¹

Процеси формування профілів концентрації атомів віддачі при іонному бомбардуванні шаруватих структур у зовнішньому електричному полі

¹Харківський національний університет ім. В.Н. Каразіна, Харків, 61077, E-mail:sun@univer.kharkov.ua
²Харківська державна зооветеринарна академія, Харків, 62341, ХДЗВА, E-mail:zoovet@zoovet.kharkov.ua

Досліджуються процеси імплантації атомів поверхневих металевих плівок у напівпровідникову підкладку при іонному бомбардуванні структури метал-напівпровідник у зовнішнім електричному полі. Показано, що величина й напрямок зовнішнього поля впливають на профіль концентрації атомів віддачі, що дає можливість керувати процесами формування профілів впроваджених домішок у напівпровіднику.
Ключові слова: металеві плівки, напівпровідники, атоми віддачі, імплантація.

Г.О. Сукач, В.О. Манько

Напрямки та шляхи формування та корекції передаточних характеристик тонкоплівкових оптичних фільтрів

Державний університет інформаційно-комунікаційних технологій 7, Солом’янська вул., 03110, Київ, Україна, E-mail:manko_kiev@mail.ru

В статті розглядаються методи створення, формування та корекції передаточних характеристик оптичних фільтрів на тонких плівках, які передбачають внесення певного рівня оптичних втрат у визначений конкретний оптичний шар та зміну показника заломлення вибраного оптичного шару. Запропоновані методи дозволяють при незначному підвищенні рівня втрат отримати практично плоску передаточну характеристику в смузі пропускання, а також змінити період передаточної характеристики в потрібну сторону. На додаток до цього розглянуто способи формування передаточних характеристик за рахунок вибору кількості оптичних плівок та показників їх заломлення.
Ключові слова: оптичний фільтр, тонкі плівки, показник заломлення, втрати, корекція.

А.А. Ащеулов, Д.Д. Величук

Технологічні особливості анізотропних термоелектричних модулів на основі антимоніду кадмію

Інститут термоелектрики м. Чернівці Україна, AshcheulovAA@rambler.ru

Запропонована серійна технологія уніфікованих анізотропних термоелектричних модулів на основі монокристалів CdSb і направлено закристалізованих евтектик CdSb-MeSb, де метал Ме – Ni, Cr, Co, Mn, використовуваних як датчики неселективного випромінювання різних контрольно-вимірювальних, електронних і теплометричних пристроїв.
Ключові слова: термоелектричні модулі, оптикотермоелемент.

А.В. Бєсов¹, Н.А. Долгов², І.Й. Перкатюк³

Фізико-механічні властивості плазмових покриттів із порошків кобальт-хромових сплавів

¹Інститут проблем матеріалознавства ім. І.Н.Францевича НАН України, вул. Крижанівського З, м. Київ, 03680, Україна,
²Інститут проблем міцності ім. Г.С.Писаренко НАН України, вул. Тимирязівська 2, м. Київ, 01014, Україна,
³Прикарпатський національний університет ім. В.Стефаника, вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, 76025, Україна.

Одержана багатофакторна модель визначення міцності плазмонапиленого покриття в залежності від технологічних факторів його нанесення.
Ключові слова: плазмові покриття, кобальт - хромовий сплав, граничний стан покриття.

О.І. Денисенко¹, В.І. Цоцко², І.М. Спиридонова³, Б.Г. Пелешенко²

Формування поля температур тонкої стрічки під впливом руху
по її поверхні дисперсної фази двофазного струменя

¹Національна металургійна академія України, пр. Гагаріна, 4, м. Дніпропетровськ, 49600, Україна,
²Дніпропетровський державний аграрний університет, вул. Ворошилова, 25, м. Дніпропетровськ, 49600, Україна, 3Дніпропетровський національний університет, пров. Науковий, 13, м. Дніпропетровськ, 49050, Україна E-mail:dsaupelesh@mail.ru

Методами аналітичного і чисельного моделювання досліджувалася динаміка формування поля температур у тонкій металевій стрічці під впливом дисперсної фази переміщуваного по її поверхні плоского двофазного високошвидкісного струменя. На прикладі алюмінію досліджені умови формування на поверхні і динаміка руху в товщу стрічки фронту розплаву. Отримані результати можуть бути використані при формуванні металокомпозитних і антикорозійних шарів на металевих стрічках, а також для розрахунку параметрів циклічності при багаторазовому впливові на її поверхню дисперсної фази двофазного струменя.
Ключові слова: поле температур, алюміній, мікрочастинка, дисперсна фаза, тонка стрічка.

Л.Т. Струтинська, В.Я. Михайловський

Отримання каталітичних структур для проникних напівпровідникових термоелементів

Інститут термоелектрики НАН та МОН України, м. Чернівці, Головпошта, а/с 86, 58002, тел.(03722) 4-55-32, E-mail:anatych@inst.cv.ua

Представлено результати досліджень розподілу температур у каталітичних джерелах тепла для проникних термоелементів. Виявлено особливості нанесення активних компонентів каталізатора на пористі носії та умови отримання регульованого розподілу активних компонентів і досягнення максимальної повноти згоряння газового палива у пористих каталітичних структурах проникних термоелементів.
Ключові слова: проникний термоелемент, каталізатор, активний компонент, пористий носій.

Г.О. Сіренко, Л.В. Базюк

Залежність фізико-механічних властивостей композитного
матеріалу від параметрів розподілу волокон за довжинами

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

Порівняно залежність показників фізико-механічних властивостей композитного матеріалу на основі політетрафторетилену від параметрів числового та об’ємного (масового) розподілу Вейбулла та гамма–розподілу вуглецевих волокон. Показано, що міцність при розтягу, відносне подовження при розриві та питома ударна в’язкість зразків композиту на основі політетрафторетилену залежать від параметрів розподілу вуглецевих волокон за довжинами та технології отримання композиції.
Ключові слова: композит, ароматичний поліамід, графіт, зносостійкість, параметри гамма-розподілу.