PCSS, V.4, N3, 2003

Abstracts

З.Д. Ковалюк, В.Б. Орлецький, О.М. Сидор, В.В. Нетяга

Дослідження електричних та оптичних властивостей бар'єрів Шоткі In/p-CuInSe₂

Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення,
вул. І. Вільде, 5, м. Чернівці, 58001, Україна,
тел: 8 (+03722) 2-00-50, E-mail: chimsp@unicom.cv.ua

Бар’єри Шоткі виготовлені шляхом термічного напилення індію на монокристали СuInSe₂ р-типу. Обговорюються температурні залежності вольт-амперних характеристик, спектри фотовідклику та інтерпретовано механізми проходження струму досліджуваних діодів. Показано, що отримані поверхнево-бар’єрні структури є перспективними для створення фотоперетворювачів сонячного випромінювання.
Ключові слова: СuInSe₂, бар’єр Шоткі, вольт-амперні характеристики, фотовольтаїчний ефект.

З. Руткунуне, А. Грігоніс, А. Реза¹, Й.Г. Бабонас¹, А. Йотойтіс

Формування багатошарових структур на силіконовій поверхні після протравлення в плазмі

Каунаський технологічний університет,
вул. Стьюдента, 50, м. Каунас, 3031, Литва,
¹Інститут фізики напівпровідників,
вул. Гостаута, 11, м. Вільнюс, 2600, Литва

В роботі проводиться аналіз поверхні кремнію після плазмового випромінювання CF₄, CF₄+H₂, CF₂Cl₂. Еліпсометричні вимірювання показали утворення багатошарових структур на поверхні кремнію через плазмове випромінювння. Їхні оптичні параметри були змінені до 2 mm по глибині. Оптична відповідність сильно залежить від тривалості офорту в плазмі CF₂Cl₂ і варіювання від чистої поверхні кремнію до зразків що має нерегулярне інтерференційне зображення в діелектричних спектрах функції. Малі відхилення можна моделювати як відносно тонкі і прозорі шари (30-50 nm), утворені як SiO₂ або іншими матеріалами, подібними до CH, SiF_x, оптичні параметри яких і значення e є близьким до нього. Полімеризація на поверхні кремнію є ефективною в плазмі CF₄+H₂ і стає інтенсивнішою, коли концентрація H₂ зростає. 4-шарова структура утворюється на поверхні, коли кремній знаходиться в плазмі CF₄ + 20%H₂. Вуглець же є домінуючим у першому шарі. Коефіцієнт заломлення і товщина цього шару інтенсивно варіюється, поки переважають границі CF_x і C-CF_x. Границі Si-F_x і Si-C превалювали у другому глибшому шарі. Третій шар є кремнієм, ушкодженим через іонне бомбардування. Коефіцієнт заломлення рівний 4,63.

Г.С. Байцар, О.Г. Миколайчук, Б.П. Яцишин¹

Структура опромінених тонких плівок РЗМ-перехідний метал-напівпровідник

Львівський національний університет ім. Ів. Франка, кафедра фізики металів,
вул. Університетська 1, Львів-центр, 79000, Україна, тел. 794-763
¹Львівська комерційна академія, кафедра хімії та фізики,
вул. Туган-Барановського 10, Львів, 79008, Україна,
тел 797-627, E-mail: ecofizbo@ lac.lviv.ua

Досліджено зміну структури та електропровідності тонких аморфних і закристалізованих плівок рідкоземельний метал (РЗМ: Sc, Y)- перехідний метал (ПМ: Fe, Co, Ni)-напівпровідник (НП: Ge) при опроміненні електронами з енергією 75  кеВ з дозою до 10²⁰ е^-/см² та g-опроміненні з дозою 2·10³Гp. Зміна діапазонів термічної стабільності плівок обумовлена порушеннями ближнього порядку розміщення атомів у аморфних сплавах та зростанням дефектності в закристалізованих.
Ключові слова: тонкі плівки, рідкоземельні матеріали, опромінення електронами і g-квантами, структура, електропровідність.

Б. Андрієвський, А. Патрин

Питома електропровідність кристала Nd:KGd (WO₄)₂ при постійному і змінному струмі

Кошалінський технічний університет,
вул. Партизанів 17, м. Кошалін, 75-411, Польща

Вимірювання питомої електропровідності при постійному та змінному струмі і термічно вимушеному струмі деполяризації (ТВДС) були виконані для кристалу Nd легованого KGd(WO₄)₂ в інтервалі 250-400 K. Малий максимум подібний аномалії ТВДС спектру при 330 К характеризується енергією активації 1,68 еВ можливо зв’язана із структурними дефектами легованого Nd³⁺ іонами. Реверсивний характер малої аномалії температурної залежності діелектричної сталої e(T) при 330 К показує також, що відбувається слабке структурне перетворення в кристалі.

В.П. Махній, М.Д. Раранський, О.М. Сльотов, І.В. Ткаченко

Вплив типу домішкових дефектів на структурні властивості дифузійних шарів селеніду цинку

Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича,
вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, 58012, (03722)44221, E-mail: oe-dpt@chnu.cv.ua

Досліджено структурні і люмінесцентні властивості шарів, отриманих термодифузією ізовалентних домішок Mg i Te у монокристали бездомішкового селеніду цинку. Запропоновано модель дефектоутворення, яка адекватно пояснює отримані експериментальні результати.
Ключові слова: селенід цинку, легуюча домішка, крива гойдання, спектр фотолюмінесценції.

Р.Я. Михайльонка, В.М. Кланічка, В.М. Шперун, В.І. Потяк

Термоелектричні властивості та дефектна підсистема твердого розчину телурид свинцю – йодид цезію

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E- mail: freik@pu.if.ua

Досліджено залежність питомої електропровідності (s), коефіцієнта термо-е.р.с. (a), коефіцієнта теплопровідності (k), питомої термоелектричної потужності (a²s), термоелектричної добротності (Z) та безрозмірної термоелектричної добротності (ZТ) твердого розчину PbTe-CsI від складу. Визначено склади, що характеризуються оптимальними значеннями термоелектричних параметрів. Запропоновано кристалоквазіхімічний опис дефектної підсистеми основної матриці твердого розчину.
Ключові слова: телурид свинцю, йодид цезію, атомні дефекти, термоелектричні властивості.

Б.K. Котлярчук, Д.I. Попович, В.K. Савчук, A.С. Середницький

Опромінення імпульсним лазером тонких плівок ZrO₂ для використання у приладах мікроелектроніки

Інститут прикладних проблем механіки і математики,
вул. Наукова, 3б, Львів, 79601, Україна,
Тел.: +380 (322) 65-46-52, Факс: +380 (322) 63-70-88, E-mail: vikosav@yahoo.com

Головна мета цієї роботи – дослідити зв’язок між основними коефіцієнтами параметрів опромінення і термодинамічних умов, які визначають властивості тонких плівок ZrO₂, утворених імпульсним лазером на різних підкладинках без подальшого відпаду. Досліджено структурні, електричні і оптичні властивості вирощених плівок, як функції температури опромінення підкладинки і атмосферного тиску фону. На підставі одержаних результатів розроблено метод виготовлення систем тонких плівок для використання в приладах мікроелектроніки, розроблених на основі плівок ZrO₂. Крім того, виміряно основні властивості виготовлених систем.

М.А. Рувінський¹, Б.К. Остафійчук¹, Б.М. Рувінський²

Вплив флуктуацій товщини на електропровідність квантового напівпровідникового дроту

¹Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна
²Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу,
вул. Карпатська, 15, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail: ruvinsky@il.if.ua

Отримано вирази для часу релаксації і рухливості електронів та статичної електропровідності квантового напівпровідникового дроту, які визначаються випадковим полем, зумовленим гауссівськими флуктуаціями товщини дроту. Розглянуто вплив сильного квантуючого магнітного поля, напрямленого вздовж довжини дроту. У невиродженому випадку і низьких температурах рухливість електронів u_n~T^1/2.
Ключові слова: гауссівські флуктуації, квантовий напівпровідниковий дріт, час релаксації, рухливість, статична електропровідність.

Є.П. Ковальчук¹, З.В. Стасюк, М.М. Козак

Робота виходу полімерних матеріалів на основі аніліну

Львівський національний університет імені Івана Франка,
¹хімічний факультет вул. Кирила і Мефодія 8,
факультет електроніки, вул. Драгоманова 50, м. Львів, 79005,Україна;
тел. 964-784; E-mail: stasyuk@wups.lviv.ua

Методами контактної різниці потенціалів та порогу зовнішнього фотоефекту визначено роботу виходу тонких плівок полімерів на основі поліаніліну, нанесених на платинові та паладієві підкладки. Дослідження проведені у високому вакуумі у скляних відпаяних експериментальних приладах.
Ключові слова: електропровідні полімери, тонкі плівки , робота виходу.

І.П. Яремій

Рентгенодифрактометричне дослідження приповерхневих шарів монокристалічних плівок ЗІГ, імплантованих іонами В⁺

Прикарпатський університет ім. В. Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, Україна

Досліджено зміни в кристалічній структурі приповерхневих шарів плівок залізо-ітрієвого гранату (ЗІГ) товщиною 2,9 мкм, імплантованих іонами В+ з енергією 80 кеВ в інтервалі доз 1·10¹⁴-1·10¹⁵см^-2. Встановлено, що в межах доз 1·10¹⁴см^-2–1·10¹⁵см^-2, профілі відносної зміни міжплощинної відстані змінюються від монотонно-спадного при D=1·10¹⁴см^-2 до немонотонного при D>3·10¹⁴см^-2, що пов’язано з різною швидкістю росту з дозою складових профілів, які описують зміни міжплощинної відстані в іонно-імплантованому шарі за рахунок ядерних та електронних енергетичних втрат.
Ключові слова: залізо-ітрієвій гранат, іонна імплантація, ядерні та електронні енергетичні втрати, профіль відносної зміни міжплощинної відстані.

В.Г. Охрем, А.А. Ащеулов¹, О.А. Охрем¹

Замкнуті термоелектричні струми та поперечна термо-е.р.с. в електроізольованому зонально-неоднорідному середовищі

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, 58012, Україна E-mail: oe-dpt@chnu.com.ua
¹Інститут термоелектрики НАН і МОН України,
А/с 86, Головпошта, Чернівці, 58002, Україна

Розраховано розподіл температури та електричного потенціалу в зонально-неоднорідному середовищі, в якому мають місце замкнуті термоелектричні струми. Знайдено і проаналізовано вираз для поперечної термо-ерс.
Ключові слова: замкнуті струми, термоерс, зонально-неоднорідне середовище, рівняння теплопровідності, розподіл потенціалу.

І.І. Григорчак

До питання про природу та механізми процесу інтеркалювання

Національний університет “Львівська політехніка”,
вул. С. Бандери, 12, Львів, Україна

Запропонований підхід до описання процесу інтеркалювання з позицій узагальненої теорії масопереносу. Виділені специфічні особливості, які відрізняють інтеркаляцію від подібних явищ. Методами імпедансної спектроскопії визначено характер зміни дифузійного опору та опору стадії перенесення заряду при впровадженні катіонів літію і магнію в халькогеніди індію і галію. Для цих же матеріалів-“господарів” виявлено явища затримки початку входження KNO₂ і NaNO₂ і стадійного впорядкування останнього при термічно експозиційному способі проведення процесу.
Ключові слова: інтеркаляція, гостьовий компонент, матеріал – господар, стадійне впорядкування, імпедансна спектроскопія, масопередача.

І.І. Григорчак

Вплив інтеркалювання молекулярним фтором і воднем на властивості шаруватого тальку

Національний університет “Львівська політехніка”,
вул. С. Бандери, 12, Львів, Україна

Отримано сполуки інтеркалювання шаруватого тальку з воднем та фтором. Встановлено, що наводнення підвищує електропровідність вихідного матеріалу, а фторування її понижує. Виявлено області аномальної дисперсії в інтервалах частот 20-40 кГц для всіх досліджуваних зразків та в 2-8 МГц тільки для тальку, інтеркальованого воднем. Побудовані діаграми Коул-Коула та з’ясований характер релаксаційних процесів.
Ключові слова: інтеркаляція, гостьовий компонент, матеріал-господар, діелектрична проникливість, діаграми Коул-Коула.

І.М. Черненко, К.В. Часовський, Ю.С. Тарасенко

Структурні властивості плівок оксидів олова і цинку

Дніпропетровський національний університет,
вул. Наукова 13, м. Дніпропетровськ, 49050, Україна

Отримано плівки SnO, SnO₂, ZnO реактивним магнетронним розпиленням. На установці ДРОН-2.0 у Со К_a випромінюванні рентгенофазовим аналізом визначені структура і переважна орієнтація отриманих плівок.
Ключові слова: мішень, магнетрон, розпилення, тигель , текстура.

A.Р. Челядинський^a, В.Ю. Явід^a, С.Н. Якубеня^a, П. Жуковські^b

Азот як центр анігіляції точкових дефектів в імплантованому кремнії

^aБілоруський державний університет, кафедра фізики напівпровідників,
пр. Ф. Скаріна 4, 220050, Мінськ, Білорусь
^bЛюблінський технічний університет, Факультет електричної інженерії, Польща

За допомогою двокристального Х-променевого спектрометра та методу EПР досліджено накопичення радіаційних дефектів у кремнії, імплантованому іонами N+ з енергією 150 кеВ при високій (20 мA cм^-2) та низькій (0,05 мA cм^-2) густині струму іонів. При високій густині струму іонів радіаційні дефекти накопичуються аж до аморфизації при дозі до 1·10¹⁵cм^-2. При низькій густині струму іонів крива зміни параметра гратки має перемінний характер і аморфизація шару не досягається аж до дози іонів 1,4·10¹⁶cм^-2. Процеси захоплення атомів азоту вакансіями та їх зміщення Уоткінса розглядаються як додатковий канал анігіляції радіаційних дефектів. При високій густині струму іонів і при високорівневій іонізації в імплантованому шарі зміщення Уоткінса подавлюється.

П.Г. Литовченко¹, В.П. Тартачник¹, В.Я. Опилат¹, С.О. Каневський¹, І.В. Петренко¹, О.П.Шахов², Р.К. Савкіна³, О.Б. Смірнов³, С.І. Круковський⁴

Деградація Al_xGa_1-xAs/GaAs гетеростуктур у g-полі Co<sup>60

1</sup>Інститут ядерних досліджень НАН України,
пр. Науки 47, м. Київ, 03028, Україна
²Інститут фізики НАН України,
пр. Науки 42, м. Київ, 03028, Україна
³Інститут фізики напівпровідників НАН України,
пр. Науки 45, м. Київ 03028, Україна
⁴НВП “Карат” ЗАТ “Електрон”,
вул. Стрийська 202, м. Львів,79000, Україна E-mail: tenet@alfa.semicond.kiev.ua

Досліджено вплив g-опромінення на електролюмінісценцію світлодіодних структур на основі n⁺-n-p-Al_xGa_1-xAs. Проаналізовано перехідні процеси, які відбуваються при введенні та виведенні гетероструктури з активної зони. Встановлено, що залишкова деградація інтенсивності свічення діодів обумовлена радіаційностимульованим утворенням стійких при кімнатних температурах асоціацій точкових дефектів в підсистемі арсену. Зроблені попередні висновки про механізми, які обумовлюють довготривалі релаксаційні явища, стимульовані дією g-опромінення.
Ключові слова: Al_xGa_1-xAs, світлодіоди, g-опромінення, деградація.

Б.П. Бахматюк¹, Р.В. Ільницький², В.І. Мандзюк², І.Ф. Миронюк², Б.К. Остафійчук²

Термодинамічні закономірності та кінетика електрохімічного впровадження літію в цеолітові структури

¹Національний університет “Львівська політехніка”,
вул. С. Бандери, 12, Львів, 79000, Україна
²Прикарпатський університет ім. В. Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна

В роботі подані експериментальні результати процесів інтеркаляції літію в цеоліти структурою ZSM-5 та фожазит та їх інтерпретація на основі сучасних уявлень електрохімії. Проведено аналіз розрядних характеристик матеріалів та перспективи їх використання в якості катодів для електрохімічних джерел живлення.
Ключові слова: інтеркаляція, цеоліт, енергія Гіббса, ентропія, питома ємність, імпедансна спектроскопія, коефіцієнт дифузії, опір стадії перенесення заряду.

А.О. Дружинін, І.П. Островський, Н.С. Лях

Магнітоопір ниткоподібних кристалів Ge-Si

НУ “Львівська політехніка”, НДЦ “Кристал”,
вул. Котляревського 1, Львів, 79013,
тел. (0322) 721632, E-mail: druzh@polynet.lviv.ua

Досліджено поведінку магнітоопору в діапазоні полів 0-14 Тл, а також вплив температури та деформації на величину і характер від’ємного магнітного опору (ВМО) в ниткоподібних кристалах твердого розчину Ge_xSi_1-x (х = 0,01-0,05) р-типу провідності, легованих бором до концентрацій, що відповідають близькості до переходу метал–діелектрик. Встановлено, що магнітоопір істотно залежить від рівня легування та деформації зразків в області низьких температур і описується теорією квантових поправок. У слабких магнітних полях в температурному діапазоні 7-10 К виявлено ВМО, який зумовлений провідністю по делокалізованих станах верхньої зони Хаббарда.
Ключові слова: ниткоподібний кристал, перехід метал-діелектрик, магнітоопір, енергія активації, коефіцієнт тензочутливості.

О. Малік, В. Гримальський

Моделювання фізичних властивостей та експериментальних результатів для віртуального p-i-n діода на основі структури метал-ізолятор-кремній

Національний інститут астрофізики, оптики та електроніки, факультет електроніки,
P.O. 51 та 216, Пуебло, ZP 72000, Пуе, Мексика,
Teл/Факс +52-222-247 05 17; E-mail: amalik@inaoep.mx

Вивчення фізичних процесів в конденсаторах ізолятор-напівпровідник (МІН) вказує на новий шлях використання цього відомого приладу як високочутливого оптичного датчика з гігантським внутрішнім підсиленням вхідного сигналу. Теоретично досліджено та експериментально розроблено нові CMOS оптичні датчики з структурою метал-ізолятор-напівпровідник. Фізичні властивості цих датчиків описуються з моделлю МІН конденсатора, де враховано існування збідненого на електрони шару, інверсного шару дірок обмеженої глибини, і можливої зміни властивостей шару n-напівпровідника. Між двома квазірівноважними модами виникає тимчасова дворівнева діагональна напруга. Цей тимчасовість використовується як для зберігання так і для зняття показів вхідного оптичного сигналу для кількісних вимірювань слабкого інфрачервоного випромінювання. Запропонована проста процедура зняття показів зчитування інтегрованої інформації з істотним підсиленням. На зчитуванні інформації опір шару n-напівпровідника сильно змінюється і структура MIS поводиться як віртуальний p-i-n-діод з подвійним переходом носіїв в n-шарі. Підсилення (або поточний коефіцієнт перетворення) визначається співвідношенням часів інтеграції і зчитування і рівне біля 10⁴-10⁵ при великих зовнішніх навантаженнях (>10кОм) та досягає значення 10⁶ при невеликих навантаженнях (~100 кОм). Теоретична модель пояснює поведінку датчика через накопичення термо- та фотогенерованих носіїв. Чисельне моделювання добре узгоджується з експериментальними дослідженнями запропонованих датчиків.

В.А. Андрющенко, В.Н. Антонов, Л.В. Бекеньов

Архітектура й електронна структура К-фази

Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України,
бул. Акад. Вернадського, 36, ГСП, Київ-142, 03680, Україна

Змодельовано атомно-кристалічну структуру антиперовскіту Fe_4-уAl_уC_х нестехіометричного складу з урахуванням можливості заміни атомів вуглецю в октаедричних порах на вакансії, а також заміщення атомів алюмінію, які знаходяться у вершинах паралелепіпеду, атомами заліза. Проведено розрахунки електронної будови і проаналізовано магнітні властивості модельних антиперовскітів, які близькі за структурою до реальних антиперовскітних кристалів.
Ключові слова: кристалічна структура, антиперовскіт, магнітні властивості.

І.В. Калитчук

Неоднорідності хімічного складу і електричних параметрів у тонких плівках сульфіду свинцю із участю кисню

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail: freik@pu.if.ua

Досліджено хімічний склад плівок та його розподіл за товщиною при витримці плівок на повітрі. Вивчено кінетику і профілі ефективних та локальних значень електричних параметрів тонких плівок n-типу. Запропоновані моделі фізико-хімічних процесів взаємодії плівок із киснем, що пояснюють одержані експериментальні результати.
Ключові слова: сульфід свинцю, тонкі плівки, дефекти, гаряча стінка.

А.М. Яцура

Амфотерна поведінка вісмуту у легованих плівках PbSe<Se>:Bi

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника, фізичний факультет, кафедра фізики твердого тіла,
вул. Галицька 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

Запропоновано механізми утворення дефектів у легованих вісмутом і насичених селеном епітаксійних плівках селеніду свинцю, вирощених з парової фази. Підтверджено амфотерну поведінку вісмуту – донорний характер у катіонній підгратці Bi_Pb⁺ і акцепторну дію у аніонній Bi_Se^-. Визначено константи рівноваги і ентальпії утворення дефектів.
Ключові слова: плівки, селенід свинцю, легування, дефекти, вісмут.

Л.Й. Межиловська, А.М. Дмитрів, М.А. Лоп’янко

Домішково-дефектна підсистема сфалеритної структури у легованих хлором кристалах телуриду кадмію

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

Методом кристалоквазіхімії досліджено механізми утворення точкових дефектів та їх розташування у кристалах CdTe:Cl при відпалі у парах кадмію і телуру. Показано, що при відпалі p-CdTe:Cl у парах кадмію (високі тиски кадмію р_Cd) одержують матеріал з електронною провідністю як за механізмом заповнення вакансій кадмію, так і його вкорінення у октаедричні порожнини підгратки телуру. Відпал p-CdTe:Cl у парах телуру (низькі тиски р_Cd) також дає матеріал з електронною провідністю, яка обумовлена антиструктурними дефектоми заміщення телуром кадмію.
Ключові слова: телурид кадмію, відпал, дефекти, сфалерит, легування.

Л.Т. Струтинська, В.Я. Михайловський

Використання фазових модифікаторів для підвищення активності Co-Cr каталізаторів у процесі окислення газоподібних вуглеводнів

Інститут термоелектрики НАН України та Міністерства освіти і науки України
Головпошта. а/с 86, м. Чернівці, 58002, Україна,
тел.(03722) 44422, E-mail: anatychuk@ite.cv.ua

З метою підвищення активності і тривалості роботи Co-Cr каталізаторів проведено їх модифікацію іонами Sr, Ca, Ba, Fe, Pd. Головною функцією Sr в змішаній Co-Cr шпінелі є стабілізація активної фази каталізатора шляхом зниження швидкості її відновлення. З’ясовані особливості механізму дезактивації оксидних каталізаторів в умовах роздільної подачі реагентів. Визначено метод гальмування процесу дезактивації оксидних каталізаторів у дифузійних джерелах тепла шляхом періодичного переміщення зони окислення в об’ємі каталізатора.
Ключові слова: глибоке окислення, каталізатор, газоподібні вуглеводні, модифікуючі добавки, дезактивація.

І.М. Смоленський

Концепція композиційної атмосферостійкості та пріоритетні методи “фотоутилізації” полімерів

Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу,
вул. Карпатська 15, м. Івано-Франківськ, 76019, Україна E-mail: ismolensky@ifdtung.if.ua

На основі аналізу теорій окисно-деструкційних фотопроцесів на прикладі поліамідів вперше розроблені багатомодульна концепція УФ-радіаційної атмосферостійкості та загальна модель фотоокиснювальної деградації (ФОД) полімерних матеріалів (ПМ) у комплексному поєднанні усіх етапів екологохімічних і фотофізичних процесів ФОД, а в контексті принципів сучасної “зеленої” фотохімії запропоновані пріоритетні методи спрямованої “фотоутилізації” твердих ПМ.
Ключові слова: концепція атмосферостійкості, поверхня поліаміду, “зелена” фотохімія.

В.М. Мороз, А.І. Щурок, О.Г. Миколайчук, М.В. Бялик, В.Ф. Орленко, Д.І. Олексин, М.В. Мороз

Система Ag-Sn-Se. Особливості структури Т-х простору

Український державний університет водного господарства та природокористування,
вул. Соборна, 11, Рівне, 33000, Україна, Е-mail:Solidus@rstu.rv.ua

Описується Т-х простір системи лідження сплавів методами фізико-хімічного аналізу. В підсолідусній ділянці простору, в частині Ag-Sn-Se в -Ag, при ~ 824 К має місце зміна способу поділу системи на підсистеми як результат перебігу частині Ag-Sn-SnSe-Ag₈SnSe₆-Ag₂Se-Ag, побудований по результатах експериментального досAg-z-фаза-SnSe-Ag₈SnSe₆-Ag₂Se оборотної хімічної реакції витіснення.
Ключові слова: фази, рівновага, діаграма стану.

Д.М. Фреїк, В.М. Бойчук, Г.Д. Матеїк

Фізико-хімічні властивості і атомні дефекти у кристалах телуриду свинцю, легованих талієм

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

На основі аналізу залежностей „склад-властивості” у системі PbTe-Tl запропоновані можливі кристалоквазіхімічні механізми утворення дефектів: заповнення талієм вакансій телуру (антиструктурні дефекти); вкорінення талію; утворення комплексу „вакансія телуру – міжвузловий атом талію”.
Ключові слова: телурид свинцю, дефекти, легування.

В.М. Томашик*, О.С. Чернюк, В.І. Гриців, З.Ф. Томашик*, Н.В. Кусяк

Розчинення GaSb у розчинах системи H₂O₂-HCl-CH₃COOH

Житомирський педагогічний університет ім. І. Франка,
вул. В. Бердичівська, 40, Житомир, Україна; E-mail: chernuk@ukr.net
*Інститут фізики напівпровідників ім.. В.Є. Лашкарьова НАН України,
пр. Науки, 41, Київ, Україна; E-mail: tomashyk@isp.kiev.ua

Побудовано поверхню рівних швидкостей розчинення (діаграма Гібса) і вивчений механізм хімічної взаємодії GaSb з розчинами системи H₂O₂-HCl-CH₃COOH. Показано, що основним окисним агентом є хлор і, можливо, хлорвмісні сполуки, що утворюються при взаємодії компонентів травильної композиції. Встановлено, що процес розчинення GaSb у зазначених розчинах визначається переходом у розчин сполук стибію, причому одночасно протікає як хімічне окисно-відновне, так і електрохімічне розчинення. Розчини системи H₂O₂-HCl-CH₃COOH можуть бути основою для розробки поліруючих травильних композицій з невеликою швидкістю розчинення GaSb.
Ключові слова: хімічне травлення, напівпровідникові сполуки A^ІІІВ^V, GaSb.

Д.М. Фреїк, В.В. Прокопів, У.М. Писклинець

Атомні дефекти та їх компенсація у чистому і легованому телуриді кадмію

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна

На основі аналізу квазіхімічних реакцій, а також запропонованої методики визначення коефіцієнтів компенсації визначено переважаючі атомні дефекти у кристалах CdTe, CdTe:In, CdTe:Cl при відпалі у широкому діапазоні тисків парів кадмію 1-10⁵ Па.
Ключові слова: телурид кадмію, легування, дефекти, компенсація.

В.О. Надточій, М.М. Голоденко, А.З. Калімбет, Д.С. Москаль

Структурні зміни у приповерхневому шарі Ge під дією лазерного імпульсу

Слов'янський державний педагогічний університет,
вул. Ген. Батюка, 19, м. Слов'янськ, Донецька обл., 84116, Україна, E-mail: slavgpi@slav.dn.ua

Досліджувалась дія лазерного імпульсу тривалістю 40  нс, довжиною хвилі 0,694  мкм і енергією 650 мДж на поверхню (112) монокристалічного Ge. Числовим методом за неявною схемою розв’язано рівняння теплопровідності для вказаних умов опромінювання. Згідно з розрахунками відбувається зріз заднього фронту імпульсу внаслідок поглинання в парі. Під дією значного реактивного тиску (біля 1  ГПа) і температури на глибині біля кількох мікронів у центрі плями спостерігались короткі дислокаційні петлі.
Ключові слова: напівпровідник, лазерний промінь, дислокації, реактивний тиск, хвилі розплаву.

О.О. Васильєва, В.В. Виставкіна

Мікроструктура та властивості литих Nd-Fe-B-С магнітів, легованих міддю

Запорізький державний університет,
вул. Жуковського 66, Запоріжжя, 69063, Україна, тел: 061-644-546, E-mail: vvv@zsu.zp.ua

В роботі досліджено вплив термічної обробки та легування міддю на мікроструктуру сплавів системи Fe-Nd-B-C. Розглянуто механізми підвищення магнітожорстких характеристик. Металографічно встановлено, що після відпалу при температурі 950^oC протягом однієї години усередині зерен основної магнітної фази типу Fe₁₄Nd₂B з’являються дисперсні включення. Показано, що при підвищені температури відпалу коерцитивна сила зростає, а потім різко зменшується. Встановлено, що коерцитивна сила магнітів, отриманих із сплавів Fe-Nd-B-C, легованих міддю, має вищі значення порівняно з коерцитивною силою для магнітів, виготовлених із сплавів без додавання міді. Отже, додавання міді до Nd-Fe-B-C сплавів є перспективним для виробництва висококоерцитивних магнітів.
Ключові слова: постійні магніти, мікроструктура, параметри гратки, залишкова індукція, коерцитивна сила.

С.П. Новосядлий, Р.І Запухляк

Конструкторсько-технологічні особливості формування субмікронних структур адресних схем пам’яті

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника, фізичний факультет,
вул. Галицька 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

В даній статті приведені схемотехніка, структура і технологія формування топології напівпровідникових запам’ятовуючих пристроїв адресного типу та викладені методи підвищення її швидкодії і радіаційної стійкості з використанням елементів субмікронної технології великих інтегральних схем.
Ключові слова: запам’ятовуючий пристрій, нагромаджувач, елемент пам’яті, кеш-пам’ять, пам’ять з прямою адресною вибіркою, субмікронна технологія, швидкодія.

Ю.Г. Сухенко, О.А. Литвиненко, О.І. Некоз, В.Ю. Сухенко

Кавітаційна стійкість неметалевих конструкційних матеріалів

Український державний університет харчових технологій вул. Володимирська, 68, м. Київ-33, 01033, Україна

Наведено результати досліджень неметалевих конструкційних матеріалів для експлуатації в умовах кавітаційно-ерозійного зношування. Показано, що полімерні і керамічні матеріали перспективні для виготовлення вузлів технологічного обладнання, призначеного для оброблення харчових середовищ в гідродинамічних кавітаційних апаратах (ГКА).
Ключові слова: кавітація, зносостійкість, полімери, керамічні матеріали.

О.М. Доній, А.А. Кулініч, О.М. Янов, О.О. Рябініна

Комп'ютерне моделювання структуроутворення при кристалізації металів та сплавів

С.М. Данильченко, В.О. Покровський, В.М. Богатирьов, Л.Ф. Суходуб, Б. Сулкио-Клефф

Дослідження локалізації карбонатів в мінералі кісткової тканини методами рентгеноструктурного аналізу та температурно-програмованої десорбційної мас-спектрометрії

І.В. Маслов

Аналіз обмежень на застосування частотної модуляції сигналів в оптоелектронних системах неруйнівного контролю