ФХТТ, Т.5, №1, 2004

Анотації

В.Г. Литовченко

Алмазоподібні вуглецеві плівки – основа створення електронних приладів нового покоління
(огляд)

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
пр. Науки, 45, м. Київ, 03028, Україна

Підсумовано області використання алмазоподібних плівок: надвисокочастотні гострійні транзисторні, тиристорні та інші структури дискретної та інтегральної електроніки стабільні в умовах жорсткої радіації, механічних та електричних перевантажень. Розроблено технологічне устаткування для одержання алмазних /А/ та АПП плівок, формування гострійних матриць, проведена підготовча робота по виготовленню плоских гострійних дисплеїв та інше.
Ключові слова: високоефективні емісійні структури, радіаційно стійкі мікроелектронні системи, плоскі активні дисплеї, стабільні перетворювачі сонячної енергії, магніточутливі структури, сенсори радіації в широкому діапазоні спектра.

Г.О. Сукач¹, О.В. Бушма¹, Ю.М. Гаврилюк², Д.О. Оліференко²

Визначення температури перегріву активної області напівпровідникових випромінювачів із потенціальними бар'єрами

¹Державний університет інформаційно-комунікаційних технологій,
вул. Солом'янська, 7, м. Київ, 03110, Україна
²Інститут економіки та нових технологій,
вул. Пролетарська, 24/37, м. Кременчук, 39600, Україна

У роботі наведено методи і пристрої для визначення температури перегріву активної області світлодіодів DT_АО в процесі їхньої експлуатації при живленні імпульсним струмом. Розглянуто контактні і безконтактні методи визначення DT_АО: проаналізовані їхні переваги та недоліки. Значна увага приділена електролюмінесцентним методам контролю DT_АО приладів оптоелектроніки з p-n-переходами в процесі їх експлуатації. Висвітлено переваги цих методів у порівнянні з відомими.
Ключові слова: світлодіоди, температура перегріву, бар‘єрні структури.

Т.Д. Мельниченко, В.М. Різак, Т.М. Мельниченко, В.І. Феделеш

Параметри теорії вільного об’єму напівпровідникових стекол в системах Ge-As(Sb)-S та Cd-As

Ужгородський національний університет,
вул. Волошина 54, м. Ужгород, 88000, Україна, E-mail:ipk@univ.uzhgorod.ua

За даними про пружні сталі розраховано параметри теорії флуктуаційного вільного об’єму (максимальний внутрішній тиск р_im, об’єм флуктуаційної мікропорожнини V_h, частка флуктуаційного вільного об’єму f_g, енергія утворення мікропорожнини E_h) для стекол в системах Ge-As(Sb)-S та Cd-As. Розглядається залежність пружних сталих і параметрів теорії флуктуаційного вільного об’єму досліджуваних стекол від нелінійності сил взаємодії між кінетичними одиницями і величини середнього координаційного числа Z_ср. Звертається увага на зв’язок параметрів теорії флуктуаційного вільного об’єму з характеристиками бозонного піку в КР спектрах.
Ключові слова: халькогенідні стекла, критична деформація, середньоквадратичні зміщення, внутрішній тиск, вільний об’єм.

С.Н. Григоров, В.М. Косевич, С.М. Космачев, А.В. Таран

Кристалізація аморфних плівок селеніду індію при відпалі

Національний технічний університет „Харківський політехнічний інститут”,
вул. Фрунзе 21, Харків, 61002, (0572) 400-092, E-mail:sngrigorov@kpi.kharkov.ua

Проведено електронно-мікроскопічне дослідження кристалізації аморфних плівок селеніду індію, осаджених на поверхню скла та на поверхню відколу кристалів KCl при кімнатній температурі. Спостерігалися фазові і структурні перетворення в плівках, що відбуваються в процесі їхнього відпалу у вакуумній камері при різних температурах, при відпалі електронним пучком безпосередньо в колоні електронного мікроскопа, а також після тривалої витримки відпалених плівок при кімнатній температурі.

М.А. Глауберман, О.А. Кулініч, В.В. Єгоров, Н.А. Каніщева, В.В. Козел

Вплив структурних дефектів у приповерхневих шарах кремнію на перетворювальні властивості інжекційно-інверсійної магніточутливої структури

Навчально-науково-виробничий центр при Одеському національному університеті ім. І.І. Мечникова,
вул. Маршала Говорова 4, м. Одеса, 65063, Україна, E-mail:mag@farlep.net

За допомогою сучасних методів дослідження визначено вплив структурних недосконалостей, домішкового складу і неоднорідностей легування на основні параметри відповідальні за чутливість інжекційно-інверсійної магніточутливої структури. Досліджувались пластини вихідного монокристалевого кремнію, а також структури оксид-кремній. Встановлено, що у більшості випадків основними домішками в вихідному кремнії, а також у пластинах кремнію, після зняття оксиду, є кисень і вуглець. Кисень при цьому проявляє електричну активність і, таким чином, впливає на параметри структурних дефектів, які, в свою чергу, впливають на рухливість і магніточутливі властивості досліджуваної структури.
Ключові слова: дефекти, кремній, кисень, магніточутлива структура, рухливість.

Р.К. Савкіна¹, О.Б. Смірнов¹, С.О. Юр’єв²

Про кореляцію між акустично стимульованим відгуком та ступенем структурної досконалості твердих розчинів Cd_xHg_1-xTe

¹Інститут фізики напівпровідників ім.В.Є. Лашкарьова НАН України,
м.Київ, E-mail:tenet@alfa.semicond.kiev.ua ²Державний університет “Львівська політехніка”, м. Львів

Досліджена акустично стимульована зміна концентрації електронів та спектрів комбінаційного розсіювання світла для твердих розчинів n-Cd_xHg_1-xTe. Встановлено кореляцію між величиною ефектів та ступенем структурної досконалості матеріалу.
Ключові слова: Cd_xHg_1-xTe, ультразвук, дислокації.

Н.П. Клочко¹, Н.Д. Волкова², Г.І. Копач¹, В.І. Шкалето¹

Дослідження впливу буферного шару сульфіду кадмію на властивості системи Mo/CuInSe₂/CdS

¹Національний технічний університет "Харьківський політехнічний інститут"
вул. Фрунзе, 21, 61002, Харків, Україна
²Національний аерокосмічний університет "Харківський авіаційний інститут"
вул. Чкалова, 17, 61070, Харків, Україна fax: 00-38-0572-400-601, E-mail:kopach@kpi.kharkov.ua

Шляхом вивчення впливу хімічно осадженого з розчину шару сульфіду кадмію (CdS) на структуру та електричні властивості системи Mo/CIS/CdS, в якій плівка диселеніду міді та індію (CIS), що виконує функцію базового шару фотоелектричного перетворювача, виготовлена за допомогою електрохімічного нанесення, показано, що за умов нормальних температур CdS виступає в якості хімічного буфера, який захищає базовий шар від атмосферного впливу. Разом з тим, після відпалу структури Mo/CIS/CdS в інертній атмосфері при 400⁰С, а на повітрі вже при 300⁰С захисні властивості CdS втрачаються, що експериментально виявляється у вигляді зруйнування р-n-переходу всередені плівки CIS.
Ключові слова: сульфід кадмію, буферний шар, фотоелектричний перетворювач, електрохімічне нанесення.

Л.С. Монастирський, А.М. Брода, О.Й. Мельник

Вплив імпульсної дії на динаміку температурних полів в надгратці поруватого кремнію

Львівський національний університет ім. І. Франка,
вул. Драгоманова 50, м. Львів, 79005, Україна, E-mail:monastyr@wups.lviv.ua

Досліджено імпульсне поширення тепла в класичних надгратках поруватого кремнію. Неявним числовим методом розраховано температурні профілі в надгратці, створені дією імпульсних лазерних і електронних променів. Показано можливість ефективного застосування теплоізоляційних властивостей поруватого кремнію і використання температурних профілів для дослідження нелінійної термостимульованої дифузії в надграткових об’єктах.
Ключові слова: надгратка, поруватий кремній, термостимульована дифузія.

О.І. Нестеренко

Вплив послідовної появи фаз на кінетику руху міжфазних границь в багатофазному дифузійному шарі

Український державний хіміко-технологічний університет,
пр. Гагаріна, 8, м. Дніпропетровськ, 49005, E-mail:ugxtu@dicht.dp.ua

Вирішена задача про еволюцію структури та складу багатофазного дифузійного шару з урахуванням послідовної появи нових фаз. В розглянутому випадку лімітуючим процесом є не дифузія, а процес обміну на зовнішній поверхні металу. Цей процес призводить до порушення закону параболічного росту фаз. Проаналізована кінетика росту фаз.
Результати комп’ютерного моделювання процесу азотування заліза знаходяться в добрій відповідності з результатами експерименту.
Ключові слова: дифузія, фаза, міжфазна взаємодія, структура, склад, міжфазна границя еволюція шарів фаз.

Д.М. Фреїк, В.В. Прокопів, У.М. Писклинець, М.І. Белей

Донорна і акцепторна дія талію у кристалах CdTe:Tl

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

За умови донорної дії талію у CdTe при низьких концентраціях носіїв струму (~10¹⁶см^-3) і акцепторної при високих (~10¹⁷см^-3) пояснено експериментальні залежності n_x від температури відпалу та парціального тиску пари кадмію. Розраховано залежність концентрації дефектів та реалізацію n-p-переходу у кристалах CdTe:Tl від технологічних факторів.
Ключові слова: телурид кадмію, дефекти, квазіхімія, константи рівноваги.

Ю.М. Богдановський, В.М. Мищишин

Масоперенос в системі тверде планарне джерело бору-пластина кремнію діаметром 300 мм

Національний університет „Львівська політехніка”,
вул. Ст. Бандери, 12, м. Львів, 79013, тел. 398627, 398565

Розглянуто механізм переносу газоподібного В₂О₃ в інертному середовищі азоту від твердих планарних джерел бору на основі алюмоборосилікатних сполук до пластин кремнію великого діаметра порядку 300 мм і більше. В температурному інтервалі 850-1100⁰С розраховано розподіл концентрацій В₂О₃ в проміжку між джерелом і пластиною кремнію, визначено коефіцієнти дифузії молекул В₂О₃ в атмосфері азоту. Показано, що при використанні розроблених планарних джерел бору концентрація В₂О₃ біля поверхні кремнію перевищує 90% концентрації В₂О₃ на поверхні джерела вже через 60 с, що набагато менше, ніж мінімальна тривалість технологічного процесу легування пластин кремнію бором.
Ключові слова: дифузія, кремнієва технологія, тверді планарні джерела бору та фосфору.

Я.С.Буджак

Екранування домішкових атомів носіями струму та його вплив на властивості кристалів

Національний університет “Львівська політехніка”,
вул С.Бандери 12, м. Львів-13, Україна, 79013

В роботі показано вплив ефекту екранування на коефіцієнт ефекта Зеебека та концентрацію носіїв струму в кристалах. Вияснена умова делокалізації валентних електронів домішкових атомів в умовах слабої взаємодії міжйонізованими домішками та умова виникнення домішкової енергетичної зони.
Ключові слова: ефект екранування, домішкові атоми, концентрація вільних носіїв.

Б.К. Остафійчук, І.М. Будзуляк, І.М. Гасюк, І.А. Косско*

Особливості елементного складу поверхні монокристалів Іn₄Se₃, підданих лазерній обробці

Прикарпатський університет ім. Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76025, Україна,
*Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії наук України, Чернівецьке відділення

За допомогою методу Оже-електронної спектроскопії досліджено елементний склад поверхні монокристалів Іn₄Se₃ у залежності від величини струму зондуючого електронного пучка і густини енергії імпульсного лазерного опромінення. Встановлені оптимальні режими роботи Оже-мікрозонда, при яких отримані реальні дані про елементний склад поверхні зразків Іn₄Se₃ без її пошкодження (струм зонда 0,3-0,4 мкА, діаметр зонда 200 мкм, прискорюючи напруга 10 кВ, збільшення не більше x 70). Показано, що при густині енергії лазерного випромінювання у діапазоні 2-6 Дж/см² проходить десорбція атомів кисню і вуглецю із поверхні зразків Іn₄Se₃, а при густині енергії випромінювання 8-10 Дж/см² така десорбція здійснюється і з неопроміненої частини зразка на границі із опроміненою ділянкою.
Ключові слова: поверхня, лазерна обробка, Іn₄Se₃.

А.В. Кучук^1,3, A. Піотровска¹, K. Голашевска¹, Р. Якела², О.С. Литвин³, В.П. Кладько³, А.А. Корчовий³, Н.B. Осадча³

Дослідження термічної стабільності плівок Ta-Si на підкладинках GaAs

¹Інститут електронних технологій,
Aл. Лотнікув 32/46, 02-668, Варшава, Польща, тел. (0-22) 5487875,
²Інситут фізики Польської Aкадемії Hаук,
Aл. Лотнікув 32/46, 02-668, Варшава, Польща
³Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
03028, Київ-28, пр. Науки 41; тел: (044) 265-59-40, E-mail:olytvyn@isp.kiev.ua

Робота присвячена дослідженню термічної стабільності та причин термічної деградації контактів Ta-Si на монокристалічному GaAs, одержаних методом високочастотного магнетронного розпилення і підданих швидкому термічному відпалу в діапазоні температур від 400^oС до 800^oС. Дослідження проводились з використанням взаємодоповнюваних методів аналізу складу і структури, а саме мас - спектрометрії вторинних іонів, резерфордівського зворотного розсіяння іонів, рентгенофазного аналізу, атомнo-силoвої мікроскопії, а також вимірювання питомого опору плівок за допомогою чотирьохзондового методу.
Показано, що плівки Ta-Si, володіючи аморфною структурою відразу після осаждення, стабільні до 600^oС і можуть бути використані як в якості омічних і бар’єрних контактів, так і антидифузійних шарів. Відпал при температурах понад 600^oС приводить до кристалізації плівок з утворенням полікристалічних фаз силіцидів танталу, що в свою чергу сприяє міграції атомів Ga і As з підкладинки до поверхні і розмиттю границі розділу метал-напівпровідник. Все це приводить до втрати досліджуваними плівками бар’єрних властивостей.
Ключові слова: контакт Ta-Si / GaAs, антидифузійний шар, швидкий термічний відпал, кристалізація, рентгенофазний аналіз, атомно-силова мікроскопія, мас - спектрометрія вторинних іонів, питомий опір.

А.В. Крамар, Н.К. Крамар, С.В. Мельничук, П.І. Мельник¹

Спектр внутрішноцентрових переходів на домішкових іонах 3d-групи у PbI₂

Чернівецький Національний університет ім. Юрія Федьковича,
вул. Коцюбинського 12, м. Чернівці, 58000, Україна Е-mail:kramar@itf.cv.ukrtel.net
¹Прикарпатський університет ім. Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76025, Україна

Методами теорії кристалічного поля з урахуванням міжконфігураційної взаємодії розраховані спектри частот внутрішноцентрових переходів на домішкових атомах у шаруватому напівпровідниковому кристалі PbI₂.
Ключові слова: шаруватий кристал, дийодид свинцю, домішки перехідних елементів, спектри поглинання, теорія кристалічного поля.

Я.П. Салій , І.М. Фреїк

Електротехнічна модель електропровідності тонких полікристалічних плівок PbTe

Прикарпатський університет ім. Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76025, Україна

Запропоновано нову модель опису розмірного ефекту в тонких полікристалічних напівпровідникових плівках. Вважається, що плівка складається з зерен, які мають дві області – внутрішнє ядро і оболонку (поверхневий зеренний шар) – з різними електрофізичними властивостями. В рамках моделі вдалося розділити внески в питомий опір полікристалічних плівок PbTe зерномежового і власного об’ємного розсіювання.

Г.П.Чуйко, Н.М. Чуйко, О.В.Дворник

Густини станів та ефективні маси в межах узагальненої моделі Кілдал (на прикладі Cd₃P₂)

Херсонський державний технічний університет, факультет кібернетики, лабораторія теорії твердого тіла,
Бериславське шосе, 24, 73008, Херсон, Україна, тел. +380-0552-326922,E-mail:olga_dvortnik@mail.ru

У межах узагальненої моделі Кілдал для кристалів з центром симетрії вперше формалізуються залежності густини станів та ефективних мас носіїв від енергії для актуальних зон (зона провідності s-типу та три валентні зони p-типу). Отримані замкнені алгоритми та вирази для розрахунків зазначених залежностей, в яких фігурують лише параметри узагальненої моделі Кілдал. Числові розрахунки густин станів виконані для фосфіду кадмію (Cd₃P₂), перспективного лазерного матеріалу, для якого також вперше розраховані значення ефективних мас електронів, а також важких, легких та спін-відщеплених дірок (m*/m0 = 0,048 та 0,664, 0,155, 0,169 відповідно). Розрахункова енергетична залежність ефективної маси електронів добре співпадає з експериментальними оцінками.
Ключові слова: зонна структура, густини станів, ефективні маси, сполуки A₃^IIB₂^V, фосфід кадмію.

В.В. Хомяк, В.О. Гречко, С.В. Білічук, Л.М. Мазур

Отримання плівок CdO методом реактивного магнетронного розпилення та дослідження їх властивостей

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, 58012, Україна, Тел. 584873, E-mail:semicon@chnu.cv.ua

У даній роботі досліджено технологічні умови отримання тонких плівок CdO методом реактивного магнетронного розпилення. Визначено вплив температури підкладки при осадженні та подальшого відпалу на повітрі на оптичні і електричні властивості отриманих плівок. Були отримані тонкі плівки CdO з низьким значенням питомого електричного опору і досить високим пропусканням у видимій області спектру сонячного випромінювання. Ці плівки можуть бути використані у високоефективних фотоелектричних приладах.
Ключові слова: оксид кадмію, тонкі плівки ,реактивне магнетронне напилення, температура підкладки, температура відпалу, фізичні властивості.

Калитчук І.В., Кланічка В.М.

Розсіювання носіїв заряду в плівках n-PbS

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
Фізико-хімічний інститут,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, E-mail:pcss@mail.ru,

Зроблено аналіз залежності холлівської рухливості носіїв заряду від товщини в епітаксій них плівках n-PbS, вирощених методом гарячої стінки на сколах (111) монокристалів BaF₂. Здійснено розрахунок рухливості носіїв заряду при розсіюванні на поверхні плівок і дислокаціях невідповідності.
Ключові слова: плівки, сульфід свинцю, рухливість, механізми розсіювання.

І.М. Смоленський

Техноекологічні аспекти фотодеградації твердих полімерних матеріалів
(огляд)

Івано-Франківський національний технічний університет нафти й газу,
вул. Карпатська, 15, м. Івано-Франківськ, 76019, Україна E-mail:ismolensky@ifdtung.if.ua

На основі існуючих теорій окисно-деструкційних фотопроцесів вперше виділені основні техногенно-екологічні аспекти фотоокиснювальної деградації (ФОД) твердих полімерів у ракурсі завдань екологічного матеріалознавства, розроблені багатомодульна концепція УФ-радіаційної атмосферостійкості та загальна формально-кінетична модель ФОД полімерних матеріалів (ПМ) у комплексному поєднанні усіх етапів екологохімічних і фотофізичних процесів. На прикладі поліамідів (ПА) у контексті сучасної “зеленої” фотохімії запропоновані структурно-функціональні блок-схеми імпактного техноекологічного моніторингу виробничо-експлуатаційних процесів та методи спрямованої “фотоутилізації” конкретних ПМ, а також розроблені швидкісні методи кінетичного контролю (W_O2, SE_k, Y_t), які рекомендовані для використання в режимі часових дифузійно-кінетичних (g_i , ELA_r , ELA_k) чи фізико-механічних (К_p, К_E, К_M) та інгредієнтно-колористичних (K_Col, MLR_p) критеріїв оцінки ФОД.
Ключові слова: концепція атмосферостійкості, кінетично-дифузійні критерії, фотодеградація, поверхня полімеру.

П.М. Фочук, О.Е. Панчук, Л.П. Щербак

Природа домінуючих точкових дефектів у кристалах CdTe: область насичення Cd

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, 58012, Україна,
тел: +380 (372) 58-47-45, E-mail:fochuk@chnu.cv.ua

Проведено високотемпературні вимірювання (ВТВ) ефекту Холла нелегованого CdTe, вирощеного методом Бріджмена та ТНМ (Traveling Heater Method). Встановлено, що в температурному діапазоні 600-900^oС домінуючим власним донорним дефектом є Cd_i²⁺ з ентальпією утворення ~2,1 еВ. Моделювання дефектної структури нелегованого CdTe показало задовільне узгодження з експериментом.
Ключові слова: телурид кадмію; високотемпературні вимірювання; ефект Холла; точкові дефекти; дефектна структура; моделювання.

О.І. Аксіментьєва, О.І. Конопельник, А.М. Українець, М.Я. Гриців, Г.В. Мартинюк

Анізотропія провідності та перколяційні явища в плівкових композитах спряжених поліаміноаренів з полівініловим спиртом

Львівський національний університет імені Івана Франка
вул. Драгоманова,50, Львів, 79005

Вивчено електричні властивості композитів полівінілового спирту (ПВС) з електропровідними полімерами (поліанілін, політолуїдин, поліметоксіанілін), одержаними методом полімеризації аміноаренів в матриці ПВС. Показно, що концентраційна залежність електропровідності композитів має перколяційний характер зі значенням «порогу» перколяції на рівні 1,7-2,8 об.%. В досліджених композитах виявлена значна анізотропія провідності, ступінь якої зростає зі збільшенням вмісту електропровідного полімеру. На основі вивчення температурної залежності провідності показано, що за наявності ПВС ефективна енергія активації провідності композиту близька до визначеної для поліаміноарену і становить 0,47±0,01 еВ.
Ключові слова: поліаміноарени, полівініловий спирт, композити, електропровідність, поріг перколяції, анізотропія провідності.

Д.М. Фреїк, А.М. Дмитрів, П.В. Жуковскі*, Л.Й. Межиловська

Атомні дефекти і фізико-хімічні властивості твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe з участю кисню при відпалі

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
вул. Галицька,201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua
*Люблінський технічний університет, 20-618 Люблін, Польща
E-mail:mario@elektron.pol.lublin.pl

Методом кристалоквазіхімії досліджено дефектну підсистему у твердих розчинах Cd_1-xMn_xTe при наявності у них неконтрольованої домішки кисню. Встановлено тип провідності твердого розчину при відпалі у парах кадмію і телуру.
Ключові слова: телурид кадмію, твердий розчин, дефекти, сфалерит, відпал, кисень.

О.Т. Колодяжний, Л.А. Фролова, Н.П. Макарченко, О.М. Прокопенко

Дослідження лужного гідролізу хлориду кобальту

Український хіміко-технологічний університет,
пр. Гагаріна, 8, м. Дніпропетровськ-5, 49005, Україна,
тел.: (0562) 47-46-70;факс: (0562) 47-33-16, E-mail:ugxtu@dicht.dnepropetrovsk.ua

Досліджено систему СоCl₂-NaOH-Н₂O методами залишкових концентрацій Тананаєва, потенціометрії, виміру оптичної густини, виміру електропровідності. З'ясовано, що реакція взаємодії між СоCl₂ і NaOH складається з двох стадій з утворенням спочатку основної солі і потім гідроксиду. Осад Со(OH)2 не захоплює луг з розчину. У розчинах з концентрацією 0,545 моль\л і 0,1195 моль\л утвориться основна сіль складу – Со(OH)_1,8Cl_0,2, в більш розведених розчинах (менш 0,1 моль/л) – Со(OH)_3,8Cl_0,05.
Ключові слова: гідроліз, метод залишкових концентрацій, гідроксид, основна сіль.

В.М. Бойчук

Фізико-хімічні властивості і атомні дефекти у твердому розчині PbTe-TlTe

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника,
вул. Галицька, 201, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

Запропоновані моделі та механізми утворення атомних дефектів у твердих розчинах PbTe-TlTe. Показано, що за умови реалізації різних зарядових станів іонів талію при заміщенні вакансій свинцю чи добудови катіонної підгратки у PbTe проявляється донорна або акцепторна дія відповідно. При механізмі одночасного заміщення і вкорінення талію в основну матрицю переважає зростання концентрації електронів.
Ключові слова: дефекти, кристалоквазіхімія, телурид свинцю, телурид талію.

Г.О. Сіренко, Л.Я. Мідак

Вплив твердого мастила і технологічних параметрів на антифрикційні та інші механічні властивості композиційного матеріалу на основі політетрафторетилену та карбонового волокна

Прикарпатський університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

Методами математичного планування експерименту та пошуку оптимальних рішень досліджено вплив вмісту твердого мастила дисульфіду молібдену та технологічних параметрів (вмісту спеціального карбонового волокна та часу його попереднього подрібнення) при фіксованому значенні часу змішування композиції на антифрикційні та інші механічні властивості композиційних матеріалів на основі політетрафторетилену та карбонового волокна.
Ключові слова: композиційний матеріал, політетрафторетилен, карбонове волокно, тертя, зношування, тверде мастило, час змішування композиції, час попереднього подрібнення.

Д.М. Фреїк, Р.Я. Михайльонка, В.М. Кланічка

Методи вимірювання теплопровідності напівпровідникових матеріалів
(огляд)

Фізико-хімічний інститут при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail: freik@pu.if.ua

T Боцар, С Вольни

Визначення впливу факторів, які могли б вплинути на відновлення результатів вимірювань AE імпульсами, що виробляються PDs

Технічний університет Ополе, Польща

У статті наведено детальні результати статистичного аналізу використання параметричних тестувань придатності добавки до визначеного впливу розміщення шару ізолятора між електродами пробоєм іскри багатоточковим PDs-моделюванням на площині на відновлення результатів.

І.С. Погребова, Т.М. Пилипенко, Р.І. Юрченко

Вплив четвертинних солей піридину на пластичність та корозійно-електрохімічну поведінку маловуглецевої сталі у розчині сірчаної кислоти

Національний технічний університет України „КПІ”,
проспект Перемоги, 37, м. Київ, 03056, Україна

Досліджено корозійно-механічне руйнування сталі 08 КП у 3 моль•л^-1 розчині H₂SO₄ в присутності деяких четвертинних солей піридину. Виявлено взаємозв’язок між захисними властивостями досліджених сполук та їх впливом на зміну пластичності сталі при її травленні в розчині сірчаної кислоти. Виявлено сполуки, що ефективно інгібують корозійно-механічне руйнування сталі та висловлено припущення про механізм їх захисної дії.
Ключові слова: пластичність, корозійна стійкість, четвертинні солі піридину, травлення, інгібітори, наводнювання, кислотна корозія, маловуглецева сталь, сірчана кислота.

В.Ф. Лоскутов, М.М. Бобіна, Т.В. Лоскутова

Мікропористість ніобійхромового карбідного покриття

Національний технічний університет України “КПІ”,
пр. Перемоги 37, м. Київ, E-mail:ulvasha@zeos.net

А.М. Ніколенко, М.В. Кіндрачук, Є.А. Сисун, А.О. Корнієнко

Аналіз технології подрібнення крихких матеріалів

Інститут радіофізики та електроніки ім. О.Я. Усикова НАН України
вул. академіка Проскури, 12, Харків, 61085, Україна

Досліджено можливості застосування методів математичного планування експериментів до розв’язання задач аналіза технологій подрібнення крихких матеріалів. Репрезентовано рекомендації з визначення множин факторів та функцій відгуку а також методи їх задання. Розглянену методику застосовано до досліджень процесу подрібнення свинцево-боро-силікатного скла.
Ключові слова: крихкі матеріали, подрібнення, оптимізація технології, математичне планування експерименту.