ФХТТ, Т.9, №1, 2008

Анотації

Б.К. Остафійчук, І.Ф. Миронюк, В.О. Коцюбинський, В.Д. Глуханюк, В.Л. Челядин, Н.І. Нагірна

Сонячні елементи на основі сенсибілізованих барвниками напівпровідників (огляд)

Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна E-mail:v_kotsuybynsky@mail.ru

В статті зроблено короткий огляд принципів роботи сенсибілізованих барвниками сонячних елементів (СБСЕ) та матеріалів, які застосовуються в них. Фотоелектрохімічні системи на основі нанокристалічних широкозонних оксидних напівпровідників, сенсибілізованих барвниками різних типів, володіють значним економічним потенціалом і можуть стати комерційно-вигідним способом перетворення і використання сонячної енергії. Переваги фотоелектрохімічних концептів над існуючими елементами – відсутність необхідності використання високочистих матеріалів, застосування дешевих технологічних процесів і екологічно безпечних речовин. Технологія СБСЕ є гнучкою у виборі матеріалу для кожного з компонентів комірки, що відкриває широкі можливості оптимізації її роботи. Інтенсифікація досліджень в даному напрямку дає підстави очікувати подальшого підвищення коефіцієнту корисної дії СБСЕ та оптимізації їх експлуатаційних характеристик. Ключові слова: фотовольтаїка, сонячні елементи, фотосенсибілізація, діоксид титану.

Б.К. Остафійчук, І.М. Будзуляк, І.П.Яремій, Л.С.Яблонь

Структурні перетворення в La,Ga-заміщених ФҐП, обумовлені дією лазерного опромінення

Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна e-mail l_yablon@yahoo.com

У роботі представлені результати досліджень структури приповерхневих шарів La, Ga-заміщених ферит-ґранатових плівок, імплантованих іонами фтору з енергією 90 кеВ, дозами 2•10¹³, 6•10¹³ та 1•10¹⁴ іон/см², підданих лазерному опроміненню як з імплантованої, так і з неімплантованої сторін. Обчислено профілі відносної зміни міжплощинної відстані при даних дозах опромінення та різній геометрії опромінення; визначено домінуючі механізми впливу лазерного опромінення на поведінку радіаційних дефектів. Встановлено залежності кристалічної структури імплантованих ФҐП від геометрії лазерного опромінення.

Ключові слова: ферит-гранатові плівки; іонна імплантація, радіаційні дефекти, лазерне опромінення.

Б.К. Остафійчук, І.М. Гасюк, Б.Я. Депутат, І.П. Яремій, Л.С. Кайкан, Т.В. Грабко

Рентгеноструктурні дослідження літій-залізної шпінелі , допованої іонами алюмінію

Фізико-технічний факультет Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна, E-mail:bdeputat@rambler.ru

Досліджено структурні особливості і фазовий склад твердих розчинів заміщення , виготовлених за керамічною технологією. Показано вплив способу охолодження на структурні властивості, катіонний розподіл і фазовий склад. Виявлено фазовий перехід типу «порядок-розупорядкування», існування областей насичення шпінелі, зменшення сталої ґратки зі збільшенням ступеня заміщення.

Ключові слова: шпінель, рентгеноструктурний аналіз, керамічна технологія, допування алюмінієм.

Б.К. Остафійчук, І.Ф. Миронюк, О.Д. Магомета, Л.С. Яблонь, І.І. Будзуляк, Б.І. Рачій

Дослідження термохімічних перетворень в процесі одержання і модифікації нанопористого вуглецю

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна

Методами диференціально-термічного (ДТА) та термогравіметричного аналізу (ТГ) досліджені хімічні реакції та фізичні перетворення, що відбуваються під впливом тепла у некарбонізованих (кісточки абрикоса, сливи, вишні, шкаралупа кокоса) і карбонізованих (вугілля із кісточок абрикоса, сливи, кокоса, вишні, відходів льону та фенолформальдегідні смоли ) матеріалах. Зокрема, за допомогою ТГ можна прослідкувати за термічною зміною маси досліджуваних зразків. Показано, що для некарбонізованих матеріалів втрата маси внаслідок їх нагрівання в температурному інтервалі 20-900 ⁰C з швидкістю 10 ⁰C/хв становить 85-90 %, а для карбонізованих - 40-45 % від загальної маси зразка. Поглинання тепла в інтервалі температур 70-180 ⁰C пов’язане з виділенням сорбованих форм води, а виділення тепла в інтервалі 170-770 ⁰C з обгаром вуглецевого матеріалу.

Ключові слова: нанопористий вуглець, диференціальний термічний аналіз, термогравіметрія.

І.Ф. Миронюк, В.Л. Челядин, Р.В. Ільницький, В.О. Коцюбинський, У.Я. Джура

Синтез, будова та електрохімічні властивості рентгеноаморфного H²TiO³

Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, e-mail:myrif@rambler.ru, тел: +(0342) 59-60-29

Із залученням сучасних методів діагностики, а саме інфрачервоної спектроскопії, спектроскопії комбінаційного розсіювання світла, рентгеноелектронної спектроскопії, дериватографічного аналізу, рентгенодифрактометрії, електронної мікроскопії, досліджена будова та морфологія нанорозмірних частинок рентгеноаморфного H₂TiO₃ синтезованого в результаті розділених процесів - солянокислотного гідролізу TiCl₄ і поліконденсації утвореного гідроксидхлориду титану Ті(ОН)₃Cl ініційованої NaOH. З’ясовано, що в основі атомної будови дослідних зразків Н-титанату, одержаних за різних технологічних умов, містяться координаційні октаедри [TiO₆] та тетраедри [TiO₄]. Найбільшу абсорбційну ємність при електрохімічній інтеркаляції атомів літію у матеріал-«господар» демонструє Н-титанат, що має шарувату будову.

Ключові слова: рентгеноаморфний Н-титанат, діоксид титану, анатаз, рутил, інфрачервона спектроскопія, координаційне кисневе оточення титану, електровалентність титану, рентгеноелектронна спектроскопія, електрохімічна інтеркаляція.

І.М. Будзуляк

Структурні перетворення в бінарних напівпровідниках в полі дії лазерного випромінювання

Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна e-mail ivan_budzulyak@yahoo.com

У роботі досліджувався вплив імпульсного лазерного опромінення на структурну досконалість бінарних напівпровідників PbTe, CdSb, CdTe. Показано, що структурні перетворення відбуваються стрибком при відповідних значеннях густини енергії в імпульсі, а різноманітність перетворень визначається властивостями напівпровідників, зокрема, в PbTe різке зростання густини дислокацій на 1,5-2 порядки має місце при густині енергії випромінювання в 3 Дж/см², регулярна сітка тріщин формується при 7 Дж/см², а відокремлення тонких шарів матеріалу при 9 Дж/см². В монокристалах CdSb такі шари утворюються при густині енергії 11 Дж/см², в СdTe даний ефект не проявляється. В монокристалах СdTe і PbTe зафіксований інтенсивний рух дислокацій, обумовлений лазерним опроміненням; в СdTe дислокації рухаються до включень і макротріщин, при цьому біля тріщин густина дислокацій є мінімальною.

Ключові слова: лазерне опромінення, структурна досконалість, дислокації.

О.В. Копаєв

Магнітне впорядкування в структурі нікелевих феритів

Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаніка, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна E-mail:iskander.vened@rambler.ru

Проведено аналіз факторів, які впливають на величину ефективного магнітного поля на ядрах заліза у фериті. Розроблено статистичну модель ефективного поля в октаедричній підгратці. З'явилася можливість коректувати розподіл катіонів при розрахунках і оцінювати ступінь магнітного порядку в структурі ферита.

Б.К. Остафійчук, М.В. Беркещук, І.І. Будзуляк, О.Д. Магомета

Вплив лазерного опромінення на електрохімічні властивості активованого вуглецевого матеріалу, легованого Mn

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна

Досліджено вплив лазерного опромінення на електрохімічні параметри активованого вуглецевого матеріалу (АВМ), легованого марганцем. Показано, що лазерне опромінення АВМ імпульсами YAG-лазера з частотою f=56-60 Гц і енергією в імпульсі в межах 0,01-0,02 Дж/см² призводить до покращення характеристик відповідних електрохімічних конденсаторів (ЕК), при цьому оптимальним є використання АВМ легованого 0,5 мас. % марганцем.

Ключові слова: електрохімічний конденсатор, активований вуглецевий матеріал, лазерне опромінення.

В.І. Мандзюк, І.Ф. Миронюк, Б.К. Остафійчук, У.Я. Джура

Вплив лазерного опромінення на термодинамічні властивості електрохімічної системи Li / SiO₂ – С

Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна

Досліджено вплив лазерного опромінення на термодинаміку процесу електрохімічної інтеркаляції іонів літію у нанокомпозит С - діоксид кремнію. Показано, що при вибраних однакових параметрах опромінення (енергія в імпульсі, тривалість імпульсу, час слідування імпульсів), оптимальний час опромінення щодо покращення питомих енергетичних параметрів системи становить 2 хв. Основною причиною зниження ступеня інтеркаляції є зменшення питомої поверхні досліджуваних матеріалів, зумовлене дією лазерного опромінення.

Ключові слова: електрохімічна інтеркаляція, карбоаеросилогель, карбосилікагель, ступінь інтеркаляції, лазерне опромінення, питома ємність, питома енергія.

Б.К. Остафійчук, Б.І. Рачій, І.І.Будзуляк, О.Д. Магомета

Одержання і електричні властивості нанопористого вуглецю із скоролупи кокоса

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна

В даній роботі досліджені електричні властивості активованого вуглецевого матеріалу (АВМ), отриманого з різних видів вихідної сировини. Показано, що термічна доактивація чистого АВМ в потоці повітря призводить до покращення характеристик суперконденсаторів (СК).

Ключові слова: суперконденсатор, активований вуглецевий матеріал.

В.А. Ромака^1,2, Ю.В. Стадник³, Д. Фрушарт⁴, Я. Тобола⁵

Особливості зонної структури та механізмів електропровідності напівпровідникового твердого розчину TiCo1-xCuxSb

¹Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я. Підстригача НАН України, вул. Наукова, 3-б, 79060, Львів, Україна;
²Національний університет “Львівська політехніка”, вул. Кн. Романа, 1, 79005, Львів, Україна, Е-mail:vromaka@polynet.lviv.ua;
³Львівський національний університет ім. І.Франка, вул. Кирила і Мефодія, 6, 79005, Львів, Україна;
⁴Лабораторія кристалографії Національного центру наукових досліджень, BP 166, 38042 Гренобль, Франція;
⁵Науково-технологічний університет Гірничо-металургійної академії, 30-059 Краків, Польща.

Розраховано зонну структуру, розподіл електронної густини (DOS) та досліджено температурні і концентраційні залежності питомого електроопору, коефіцієнту термо-ЕРС та магнітної сприйнятливості напівпровідникового твердого розчину TiCo_1-xCuxSb в температурному інтервалі 80 ÷ 380 К. Експериментально виявлено передбачений розрахунками перехід провідності діелектрик-метал (перехід Андерсона).

Ключові слова: напівпровідник, донорна домішка, рівень Фермі, електропровідність.

Л.В.Костик¹, Я.М.Захарко¹, О.В.Цвєткова¹, А.П.Лучечко¹, М.Р. Панасюк²

Глибокі рівні захоплення в кристалах Gd₃Ga₅O₁₂ з домішкою хрому

¹Львівський національний університет імені Івана Франка,факультет електроніки. вул. Тарнавського, 107, м. Львів, 79017, Україна kostyk@electronics.wups.lviv.ua
²Львівський національний університет імені Івана Франка, Науково-технічний і навчальний центр низькотемпературних досліджень. вул. Драгоманова, 50, м. Львів, 79005, Україна

В температурному інтервалі 295-600 К досліджено спектри рентгено- (РЛ), фотолюмінесценції (ФЛ), збудження люмінесценції та термостимульовану люмінесценцію (ТСЛ) полікристалічних зразків гранату Gd₃Ga₅O₁₂ (GGG) при рентгенівському опроміненні. Досліджено спектральний склад ТСЛ, оцінено енергії активації пасток, що відповідають пікам ТСЛ. На основі отриманих результатів зроблено висновок, що пік ТСЛ 384 К зумовлений делокалізацією електронів з пасток Cr3+e з енергією активації ~ 0,96 еВ та обговорюється природа інших піків ТСЛ.

Ключові слова: рентгенолюмінесценція, термостимульована люмінесценція, гадоліній галієвий гранат, енергія активації.

П.Д. Мар’янчук, Е.В. Майструк

Вплив термообробки на дефектну підсистему кристалів Hg_1-xMn_xTe_1-yS_y

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. М. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, 58012, Україна, E-mail:emaistruk@list.ru

В інтервалі температур Т = 77 - 300 К і магнітних полів Н ≈ 0,5 - 6 кЕ досліджено кінетичні коефіцієнти кристалів Hg_1-xMn_xТe_1-ySy (0 < x ≤ 0,14; у = 0,01) до і після термообробки в парах компонент. Встановлено механізми перетворень, які відбуваються в дефектній підсистемі Hg_1-xMn_xТe_1-ySy в процесі термообробки кристалів в парах компонент.

Ключові слова: напівмагнітні напівпровідники, тверді розчини, термообробка, дифузія, кінетичні коефіцієнти, рухливість електронів, магнітоопір, дефектна підсистема, вакансії.

В.О. Зуєв, Л.М. Гориня , Г.О. Сукач

Поверхневий потенціал в кристалах CdP2

Державний університет інформаційно –комунікаційних технологій 03110, Київ, вул. Солом’янська, 7

Досліджена поверхнева фото-е.р.с. при високих рівнях світлового збудження кристалів CdP². Отримані значення поверхневого потенціалу при різних станах поверхні. Досліджено ефект фотопам’яті.

Ключові слова: поверхня, потенціал, фото-е.р.с., дифосфід кадмія, фотопам’ять.

О.М. Бордун, В.В. Дмитрук

Фотолюмінесценція Ві³⁺ в тонких плівках Y₃A_l5O₁₂:Bi

Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Університетська 1, м. Львів, 79000, Україна, тел. (0322) 964-679, e-mail:bordun@electronics.wups.lviv.ua

Досліджено спектри збудження і люмінесценції тонких плівок Y₃Al₅O₁₂:Bi. Встановлено, що люмінесценція зумовлена свіченням двох типів центрів, які пов’язані з іонами Ві³⁺ в додекаедричному та октаедричному кисневому оточенні. Свічення Ві³⁺ у положенні з точковою симетрією D² приводить до появи ультрафіолетової люмінесценції з максимумом 3,75 еВ, яка зумовлена переходом ³P₁ – ¹S₀. Свічення Ві³⁺ у положенні з точковою симетрією C_3i приводить до появи синьої люмінесценції з максимумом 3,15 еВ, яка пов’язується з переходом ³P₁ – ¹S₀.

Ключові слова: тонкі плівки, ітрій-алюмінієвий гранат, активація вісмутом, спектр люмінесценції.

М.С. Заяць, В.Г. Бойко, П.О. Генцарь, О.С. Литвин, М.В. Сопінський

Морфологія поверхні та оптичні властивості плівок AlN/n-Si(100)

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки 41, Київ-28, 03028, E-mail:gentsar@isp.kiev.ua

В даній роботі методом високочастотного реактивного магнетронного розпилення алюмінієвої мішені в газовій суміші Ar i N₂ (відповідно 1:3,5) отримані полікристалічні плівки AlN товщиною 0,5-1 мкм на підкладках із монокристалічного кремнію n-Si(100) з питомим опором 500 Ом•см. Досліджено морфологію поверхні та оптичні властивості плівок AlN/n-Si(100) (спектри відбивання в діапазоні 200-750 нм, еліпсометрія, спектри поглинання в діапазоні 2-25 мкм). Показано, що отримані плівки є оптично однорідними в широкому діапазоні довжин хвиль (ультрафіолетовий, видимий та інфрачервоний діапазони) і можуть ефективно використовуватись в тонкоплівковій технології для виготовлення сучасних мікро- і оптоелектронних приладів.

Я. Зауличний, Ю. Солонін, С. Звєзда, Е. Прилуцький

Рентгеноспектральне дослідження особливостей електронної структури багатостінних вуглецевих нанотрубок в залежності від їх діаметру та дефектності

Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України вул. Кржижанівського 3, Київ, 03680, e-mail:zvezda@ipms.kiev.ua

Методом ультрам‘якої рентгенівської емісійної спектроскопії досліджено особливості електронної структури багатостінних вуглецевих нанотрубок, одержаних різними методами з різними діаметрами. Виявлено, що звуження СKα-смуг нанотрубок при зменшенні їхнього діаметру зумовлено зниженням ступеня πpz -перекриття над поверхнею нанотрубок. Встановлено, що звуження емісійних смуг за рахунок великої кількості розірваних зв‘язків, що виникають після відмивання нанотрубок від каталізаторів, значно більше, ніж внаслідок зменшення діаметру нанотрубок. Визначено, що перекриття πpz-орбіталей стає нечутливим до зміни діаметру нанотрубок при товщинах, які перевищують 70 нм.

Ключові слова: нанотрубки, рентгенівська спектроскопія, емісійний спектр, валентний електрон.

Г.В. Коренкова¹, О.М. Щербатій², О.Х. Тадеуш¹, С.А. Неділько³, А.Й. Сенкевич², В.М. Уваров²

Електронна будова оксидів LnVO₄ (Ln = La, Sm, Gd)

1Південноукраїнський Державний педагогічний Університет ім. К.Д. Ушинського, 65091 Одеса, вул. Старопортофранківська, 26, т. 8(0482)7465033, E-mail:allforme@eurocom.od.ua
2Інститут металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України, 03680 Київ, бульв. Акад. Вернадського, 36. 3Київський Національний Університет ім.Т.Шевченка, 01033 Київ, вул. Володимирська, 62а.

Методом рентгенівської спектроскопії та за допомогою зонних розрахунків у LAPW- наближенні досліджено електронну структуру ортованадатів LnVO4 (Ln=La, Sm, Gd). Отриманні данні про зарядові та спінові характеристики атомів, а також про закономірності формування енергетичних зон валентних станів в оксидах LnVO4 (Ln=La, Sm, Gd).

Ключові слова: електронна будова, ванадат, рентгенівські спектри, розрахунки LAPW.

А.П. Науменко¹, Н.І. Березовська¹, М.М. Білий¹, О.В. Шевченко²

Аналіз коливань ґратки та комбінаційне розсіяння світла в тетрагональному діоксиді цирконію

¹Київський національний університет імені Тараса Шевченка, фізичний факультет, просп. Академіка Глушкова, 2, корп. 1, 03680, Київ, Україна ²Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАНУ, вул. Крижижанівського, 3, Київ, 031142, Україна

Досліджені нанокристалічні порошки та полікристалічні матеріали на основі стабілізованого ZrO₂ в тетрагональній фазі. Із залученням теоретико-групових методів побудовані форми нормальних коливань кристалічної гратки t-ZrO₂. На основі аналізу симетрії та форм основних фундаментальних коливань запропонована інтерпретація експериментально одержаних спектрів комбінаційного розсіяння світла у досліджених матеріалах.

М.В.Чекайло¹, В.О.Українець², Г.А.Ільчук², Ю.П.Павловський³, Р.Ю. Петрусь ², В.В.Кусьнеж ², Б.С.Вус ⁴

Диференціальний термічний аналіз шихти Se, Ag-Se, Sn–Se в процесі її нагрівання та синтезу сполук Ag₂Se, SnSe₂, Ag₈SnSe₆

¹Національний університет «Львівська політехніка», вул.С.Бандери, 12, м.Львів, 79013 1Кафедра органічної хімії,
²кафедра фізики,
³кафедра фізичної та колоїдної хімії,
⁴Кафедра електронних засобів інформаційно-комунікаційних технологій

З використанням методу диференціального термічного аналізу (ДТА) вперше комплексно досліджено процеси фазових перетворень (ФП), що супроводжують нагрівання шихти Ag-Sn–Se а також шихти селену (Se) та шихти бінарних складів Ag-Se, Sn-Se у стехіометричних співвідношеннях, що відповідають сполукам аргіродиту (Ag₈SnSe₆), Ag₂Se, SnSe₂. Ідентифіковано основні типи ФП і хімічних реакцій утворення сполук Ag₈SnSe₆, Ag₂Se, SnSe₂ та визначено їх характерні теплоти, температурні діапазони протікання реакцій. Дослідженням ДТА при охолоджені експериментально продемонстровано утворення сполук Ag₈SnSe₆, Ag₂Se.
Ключові слова: синтез, аргіродит Ag₈SnSe₆, диференціальний термічний аналіз, фазові переходи, ентальпія.

М.І. Теребінська, В.В. Лобанов

Дисоціативна адсорбція молекули води на нерелаксованих гранях (111) та (100) кристалічного силіцію

Інститут хімії поверхні НАН України, вул.. Ген. Наумова,17, 03164, Київ, Україна тел. (044)422-96-60, terebinska_m.i@bigmir.net

Методом функціонала густини виконані розрахунки рівноважних структур кластерів, що моделюють будову комплексів, утворення яких можливе при безпосередньому контакті молекули Н2О з атомарно чистими гранями (111) і (100) кристалічного силіцію. Показано, що молекула води адсорбується на поверхні силіцію виключно дисоціативно з вивільненням значної енергії.

Ключові слова: кластер, грані (111) і (100), дисоціація, поверхневі атоми.

Є.Є. Костенко, М.Й. Штокало, М.Г Христіансен, С.М. Іванова

Дослідження взаємодії Zr(IV) з твердофазнимреагентом сульфоназо ІІІ та його аналітичне застосування

Кафедра аналітичної хімії Національного університету харчових технологій, вул. Володимирська, 68, Київ, 01033, Україна, E-mail:kee@nuft.edu.ua

Досліджено комплексоутворення Zr(IV) з металохромним індикатором сульфоназо ІІІ (СФАЗ) у твердій фазі. Отримані кількісні характеристики складу і стійкості утворюваної сполуки. Результати використані для створення методики твердофазного спектрофотометричного визначення Zr(IV).швидкість, так і на характер хімічного розчинення напівпровідникового матеріалу.

Ключові слова: твердофазна спектрофотометрія, твердофазний барвник, комплексоутворення, сорбція, визначення мікрокількостей цирконію (ІV).

І.М. Микитин, С.А. Курта, О.С. Курта.

Характеристика та активність каталізаторів окислювального хлорування етилену різного походження

Кафедра органічної і аналітичної хімії інституту Природничих наук Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, вул. Б.Хмельницького, 2, м. Калуш, 77300 Україна е-mail: kca@arte-fact.net, mib80@mail.ru.

Проведено порівняльне дослідження характеристик та якості різних каталізаторів окислювального хлорування етилену в 1,2-дихлоретан. Використовуються каталізатори на основі γ-Al₂O₃ і CuCl₂ різної природи, що виробляються провідними фірмами світу: Енгельгард, Монтедісон, Рон-Пуленк, Джіон, Монтекатіні, BASF, COHDEA. Одержано результати по активності, селективності і технологічності каталізаторів на дослідно-лабораторній установці в промислових потоках реакційних етилену, хлористого водню і кисню.

Ключові слова: каталізатор, окислювальне хлорування, склад каталізатора, реактор, частинки, діаметр, конверсія, селективність, вихід 1,2-дихлоретану, 1,1,2-трихлоретан.

Ю.К Івашина, О.В. Немченко

Вплив сегрегацій водню на дислокаціях на амплітудну залежність внутрішнього тертя в системі Та-Н

Херсонський державний університет вул. 40 років Жовтня, 27, м. Херсон, 73000, тел.: 32-67-68, E-mail:baloow@ksu.ks.ua

Досліджено амплітудну залежність внутрішнього тертя (АЗВТ) у твердих розчинах водню в танталі в діапазоні концентрацій 0-5,5 ат. % Н. Виявлений складний, залежний від вмісту водню, характер зміни внутрішнього тертя (ВТ) в області амплітуд відносної деформації від 10^-5-10^-4. На основі аналізу АЗВТ виділено 4 складових ВТ. Дві з них, амплітудно-незалежний фон й мікропластична асимптота, не залежать від концентрації водню. Дві інші з ростом вмісту водню змінюються в протилежних напрямках, формуючи складну АЗВТ системи Та-Н у цілому. Запропоновано можливі механізми формування концентрацийно залежних складових ВТ на основі в’язкого гальмування дислокації водневою атмосферою й стопоріння зародками гідридної фази.

Ключові слова: внутрішнє тертя; амплітудна залежність; гідриди; Тантал; Водень; дислокації; сегрегації Водню.

Г.О. Сіренко, М.Б. Квич, Л.Я Мідак

Структура та фазовий склад поверхневих плівок карбонового волокна, омідненого в присутності PbS

Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна

Досліджено зміни в кристалічній структурі поверхневих шарів при покритті карбонових волокон міддю, яке здійснювалося в процесі металізації за модифікованою формальдегідною та цинковою технологіями в присутності PbS. Встановлено, що вміст міді у покритті мідь-оксиди міді можна збільшити за рахунок двошарового покриття почергово за цинковою та модифікованою формальдегідною технологіями в присутності PbS.

Ключові слова: карбонове волокно, металізація, хімічне покривання, міднення.

Л.І. Анатичук, В.Я. Михайловський, О.В. Чайковська

Напівпровідниковий термоелектричний генератор для автономних систем

Інститут термоелектрики НАН та МОН України, 58002, м.Чернівці, Головпошта, а/с 86, E-mail:anatych@inst.cv.ua

Представлено результати досліджень термоелектричного генератора для живлення електронних та електромагнітних пристроїв систем автоматики газових нагрівачів. Запропонована фізична модель генератора, наведено результати розрахунку та оптимізації основних параметрів двох варіантів термогенераторів.

Ключові слова: термоелектричний генератор, фізична модель, автономна система, теплообмінник.

В.П. Велещук¹, О.І. Власенко¹, О.В. Ляшенко², А. Байдулаєва¹, Б.К. Даулетмуратов¹

Акустична емісія та зміни люмінесцентних і електричних характеристик гетероструктур InGaN/GaN при струмовому навантаженні

¹Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України 03028, м.Київ, пр. Науки 45
²Київський національний університет імені Тараса Шевченка 03680, м. Київ, пр. Акад. Глушкова 2/1 E-mail:vvvit@ukr.net

В роботі виявлено кореляцію виникнення акустичної емісії та змін люмінесцентних і електричних характеристик гетероструктур InGaN/GaN при навантаженні постійним прямим струмом, що вказує на їх загальний механізм походження. Показано, що кількість джерел акустичної емісії в гетероструктурах при протіканні критичних густин постійного прямого струму залежить від температури та значно збільшується з ростом температури.

Ключові слова: акустична емісія, гетероструктура, InGaN/GaN, дефект.

В.М. Кичак, В.В. Стронський

Порівняльний аналіз показників надійності мажоритарних ланок на логічних елементах

Національний технічний університет, Хмельницьке шосе, 95, Вінниця, 21021, Україна

Інтегральна мікросхема ( ІМС ) умовно розділена на складові частини : логічний елемент, корпус, кристал, коло живлення. Складові частини відмов ІМС поділені на ті, що призводять до відмови логічного елемента ( ЛЕ ), або всієї ІМС.Запропоновано при розрахунках фізичним методом інтенсивностей відмов ЛЕ, кола живлення враховувати відмови провідників та зовнішніх виводів. З урахуванням цього уточнено значення інтенсивності відмов кристала ІМС, а також ймовірність безвідмовної роботи другої мажоритарної ланки. Знайдено вимогу до складових частин ймовірностей безвідмовної роботи за допомогою якої проводиться порівняльний аналіз мажоритарних ланок. Наведено таблиці з початковими даними і розрахунками інтенсивностей відмов та ймовірностей безвідмовної роботи складових частин ІМС і мажоритарних ланок.

Ключові слова: інтегральна мікросхема, логічний елемент, мажоритарна ланка, ймовірність безвідмовної роботи, інтенсивність відмов, площа, дефекти.

В.І. Цоцко¹, І.М. Спиридонова², Б.Г. Пелешенко¹, О.І. Денисенко³

Розподіл температури одновимірного зразка в умовах місцевої термообробки

¹Дніпропетровський державний аграрний університет, вул. Ворошилова, 25, м. Дніпропетровськ, 49600, Україна, E-mail:dsaupelesh@mail.ru,
²Дніпропетровський національный університет, пров. Науковий, 13, м. Дніпропетровськ, 49050, Україна
³Національна металургійна академія України, пр. Гагаріна, 4, м. Дніпропетровськ, 49600, Україна

В умовах лінійного зростання і наступного лінійного зменшення температури поверхні одновимірної моделі досліджено температурне поле в глибині металічних зразків. Результати розрахунку застосовані до низьковуглецевих сталей. Аналітично отримані розподіли температур в зразках при нагріванні і охолодженні оброблюваної поверхні в заданому інтервалі температур. В широкому діапазоні проаналізовано вплив швидкості охолодження поверхні на температурне поле в зразках. Вивчена динаміка температур поверхневих шарів зразків. Отримані результати можуть бути використані в процесах місцевої термообробки деталей, при дифузійному насиченні поверхневого шару, а також для розрахунку параметрів термоциклічної обробки.

Ключові слова: місцева термообробка, швидкість охолодження, рівняння теплопровідності, температурне поле.

О.М. Берегова, А.І. Костржицький, Т.В. Чебан

Оксидні плівки на поверхні сталі та їхня роль у формуванні адгезійного контакту при осадженні конденсаційних покриттів

Одеська національна академія харчових технологій, кафедра фізичної та колоїдної хімії, м. Одеса, вул. Канатна, 112, тел. (0482) 29-11-63, 29-11-31, E-mail:kapitoskay@rambler.ru

Пояснюється механізм формування контакту, що визначається температурним режимом конденсації і технологічними параметрами процесу. Проведено теоретичні розрахунки і їх експериментальна перевірка показала, що у випадку звичайного термовакуумного напилювання попередній прогрів сталі у вакуумі в атмосфері залишкових газів визначає формування оксидної плівки, що відповідає структурі (-Fe₂O₃).

Ключові слова: корозія, покриття, поруватість, іонне осадження.

О.В. Шалигін

Модельна оцінка захисних властивостей катодних плівок-покриттів для конструкційних матеріалів

Одеська національна академія харчових технологій, Вул. Канатна 112, м. Одеса, 65039, тел. (0482) 29-11-31

Вивчено захисні властивості різних матеріалів плівок-покриттів. Визначення локальних електрохімічних показників здійснено за допомогою електродного зонду. Розраховано струми корозійних процесів, що розвиваються в порах. Розраховано масові втрати матеріалу основи. Ці результати порівняно з результатами гравіметричних випробувань. Було здійснено порівняння захисних властивостей цих покриттів. Запропоновано модельні лабораторні випробування матеріалів покриттів і основ.

Ключові слова: захисні вакуум-конденсовані плівки, вивчення локальних корозійних процесів, методологія вивчення захисних властивостей плівок-покриттів.

П.С. Кособуцький¹, А. Моргуліс², О.П. Кушнір³

Закономірності прояву псевдобрюстерівської кутової умови в еліпсометричних спектрах одноплівкових структур сталої товщини

¹Національний університет «Львівська політехніка», вул. С.Бандери 12, Львів, 79646 Україна E-mail:petkosob@polynet.lviv.ua, тел:+(032)238-96-34
²Міський університет м. Нью-Йорк, 199 Chambers street, New York, NY 10007, США E-mail:askmath@yahoo.com
³Львівський державний аграрний університет, , вул. В.Великого 1, Дубляни, Львівська обл. , 80381, Україна E-mail: o-p-ku@yandex.ru

Робота присвячена дослідженню закономірностей еліпсометричних кривих сталої товщини одноплівкової структури. Показано, що характерні для поляризаційних кутів і зміни зумовлені проявом псевдобрюстерівської кутової умови.

M. Шипляк¹, A. Кікінеші², Д. Беке², K. Сангунні³

Аморфний наномультишаровий халькогенід для фотоніки

¹Інститут фізики і хімії твердого тіла, Ужгородський університет, вул. Підгірна, 46, Ужгород, 88000, Україна, тел. +38 031 22 32485, E-mail:sse@univ.uzhgorod.ua
²Інститут фізики, Дебреценський університет, Бем тер., 18/а, Дебрецен, 4026, Угорщина, тел. +36 52 415222, E-mail:kiki@tigris.unideb.hu
3Відділення фізики, Індійський науковий інститут, Бангалоре, Індія, E-mail: sangu@physics.iisc.ernet.in

Вивчено цілий ряд наношарових структур з аморфних халькогенідних матеріалів, які складаються з стопки 1-10 нм товстих підшарів (Se, Te, AsSe, SeTe, As₂S₃, SiO_x, Sb, Bi), вирощені циклічним вакуумним тепловим напиленням з парової фази на підкладках із спеціального скла, сапфіру, кремнію. Ефективна взаємна дифузія і композиційна або фазова зміна в прийнятних інтервалах часу може стимулюватися в цих структурах лазерним випромінюванням, іонними пучками, імпульсами струму, тоді як початкові структури стійкі в нормальних умовах навколишнього середовища. Головний результат цих стимулювальних технологій, – добре локалізована зміна оптичних і електричних параметрів (коефіцієнт пропускання, коефіцієнт заломлення, провідність, питома провідність), які у свою чергу можуть використовуватися для оптичного запису, поверхневого формування рисунка, пристроїв пам'яті.