ФХТТ, Т.9, №2, 2008

Анотації

Д.М. Фреїк

Особливості транспортних явищ у тонких напівпровідникових плівках халькогенідів свинцю (огляд)

Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна, e-mail:freik@pu.if.ua

У статті зроблено короткий огляд робіт, присвячених дослідженню класичного розмірного ефекту у плівках халькогенідів свинцю із різною структурною завершеністю. Розглянуто вплив міжфазних та міжзеренних меж а також дислокацій невідповідності на механізми перенесення та рухливість носіїв заряду в рамках характеристичних довжин, дифузного розсіювання і моделі Петріца.
Ключові слова: тонкі плівки, халькогеніди свинцю, транспортні явища, механізми розсіювання.

Я.П. Салій

Комп’ютерне моделювання утворення і дифузії дефектів у твердих тілах

Кафедра фізики і хімії Прикарпатського національного університету ім. В.Стефаника, Івано-Франківськ, 76000, Україна

Дослідження динаміки кристалічних дефектів зднійснюють нарівні з експериментальними і теоретичними також методами комп’ютерного моделювання процесів. Нерівноважні точкові дефекти утворюються, наприклад, при радіаційному опроміненні або швидкому охолодженні нагрітих зразків, вони зумовлюють міграцію власних і домішкових атомів.
Ключові слова: модлювання, дефекти, дифузія.

Д.М. Фреїк, О.І. Ільків, Л.І. Никируй, О.М. Возняк, В.Ф. Пасічняк

Механізми розсіювання носіїв заряду у легованих напівпровідникових кристалах A^IVB^VI

Фізико-технічний факультет Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна, E-mail:intelect@pu.if.ua

Досліджено вплив легування домішками ІІІ групи Періодичної таблиці елементів на механізми розсіювання носіїв заряду у кристалах халькогенідів свинцю. Визначено концентраційні те температурні межі домінування розсіювання носіїв на йонізованій донорній домішці індію та акцепторній домішці талію. Аналіз здійснено на основі базових принципів варіаційного підходу у розв’язанні рівняння Больцмана та кейнівського закону дисперсії.
Ключові слова: напівпровідники кристали A^IVB^VI, домішки, талій, індій, механізми розсіювання, рухливість носіїв заряду, варіаційний підхід.

Д.М. Фреїк, Б.С. Дзундза, В.М. Чобанюк, І.М. Ліщинський, О.Л. Соколов

Кінетичні коефіцієнти в області міжфазних меж тонких плівок халькогенідів свинцю у двошаровій моделі Петріца

Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:fcss@pu.if.ua

Досліджено вплив поверхні на електричні параметри свіжовирощених плівок халькогенідів свинцю n- і р-типу провідності. Результати пояснено у рамках двошарової моделі Петріца.
Ключові слова: халькогеніди свинцю, тонкі плівки, епітаксія, неоднорідності, модель Петріца.

Д.М. Фреїк, Ю.В. Кланічка, Я.С. Яворський, Л.В. Туровська, Г.Д. Матеїк

Механізми взаємодії кисню із тонкими плівками халькогенідів свинцю

Фізико-хімічний інститут, фізико-технічний факультет, кафедра фізики і хімії твердого тіла Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:fcss@pu.if.ua

Досліджено залежність електричних параметрів полікристалічних плівок халькогенідів свинцю різної товщини (d=(20-250) нм) від тиску кисню (Po₂=10^-4 - 104 Па). Виявлено два різних механізми акцепторної взаємодії кисню із поверхнею тонких плівок. Запропоновано кристалохімічні механізми адсорбції кисню, пов’язані із заміщенням халькогену, а також вкоріненням у тетрапорожнини щільної упаковки атомів свинцю кристалічної гратки основної матриці.
Ключові слова: тонкі плівки, халькогеніди свинцю, кисень, адсорбція, кристалохімічні механізми.

Д.М.Фреїк, Р.І. Никируй, М.А. Лоп’янко, М.Я. Гриджук

Параметри газодинамічного потоку пари халькогенідів свинцю у циліндричному каналі

Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, вул. Галицька, 201, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

Наведено аналітичні вирази для розрахунку основних параметрів газодинамічного потоку пари у циліндричній камері та розраховано їх профілі для халькогенідів свинцю у залежності від геометричних розмірів камери, градієнта температури, вздовж її стінок, природи матеріалу та температури його випарування.
Ключові слова: газодинамічний потік, халькогеніди свинцю, параметри пари.

Д.М. Фреїк¹, В.В. Прокопів¹, І.В. Горічок¹, У.М. Писклинець²

Вплив відхилення від стехіометрії на дефектну підсистему кристалів CdTe:Cd

1Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна, e-mail:freik@pu.if.ua
2Івано-Франківський державний медичний університет, вул. Галицька, 2, Івано-Франківськ, 76000, Україна

Проведено розрахунок концентрацій вільних носіїв заряду і точкових дефектів у монокристалах кадмій телуриду в залежності від вмісту надстехіометричного Кадмію методом термодинамічних потенціалів. Встановлено тип домінуючих точкових власних дефектів, що визначають електричні властивості матеріалу.
Ключові слова: термодинамічний потенціал, точкові дефекти, кадмій телурид.

Д.М. Фреїк¹, Г.Я. Бабущак¹, П.В. Жуковскі², В.І.Левченко³

Кристалохімія дефектів та механізми самолегування у кристалах цинк селеніду

¹Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, вул. Галицька, 201, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua
²Люблінський технічний університет, 20-618 Люблін, Польща E-mail:mario@elektron.pol.lublin.p,
³Об’єднаний інститут фізики твердого тіла і напівпровідників НАН Білорусі вул. П. Бровки, 19, м. Мінськ, 220072, Білорусь.

Запропоновано кристалоквазіхімічні формули самолегованих кристалів n-ZnSе:Sе та р-ZnSе:Zn. Визначено залежність концентрації домінуючих точкових дефектів, концентрації вільних носіїв та холлівської концентрації носіїв струму від величини відхилення від стехіометричного складу (α, β), Цинку у вузлах кристалічної гратки (γ) та у міжвузлях (ε), а також коефіцієнтів диспропорціювання міжвузлових атомів Цинку (δ) та вакансій Цинку (μ).
Ключові слова: цинк селенід, точкові дефекти, кристалоквазіхімічні формули, самолегування.

Л.Й. Межиловська¹, Г.Я. Бабущак¹, Н.Д. Фреїк², H.В. Сташко¹, І.Й. Перкатюк¹

Кристалохімічні моделі точкових дефектів і фізико-хімічні властивості напівпровідникових кристалів ZnS

¹Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, вул. Галицька, 201, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua
²Івано-Франківська державна гімназія №1, вул. Калуське шосе,1, Івано_Франківськ, 76008, Україна

Визначено домінуючі точкові дефекти при двотемпературному відпалі кристалів ZnS у парі цинку. Розглянуто механізми самолегування Сульфуром кристалів n-ZnS та Цинком кристалів р-ZnS. Проведено порівняльний аналіз самолеговних та легованих Оксисеном кристалів ZnS n-типу.
Ключові слова: цинк сульфід, точкові дефекти, квазіхімічні рівняння, кристалоквазіхімічні формули, легування, самолегування.

Д.М. Фреїк, В.В. Борик, Л.В. Туровська, Л.Д. Юрчишин, М.О. Шевчук

Моделі точкових дефектів і кристалохімічні механізми утворення твердих розчинів у системі PbTe-InTe

Фізико-хімічний інститут; фізико-технічний факультет; кафедра фізики і хімії твердого тіла Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, вул.Шевченка, 57, м.Івано-Франківськ, Україна, 76025, e-mail:freik@pu.if.ua

Запропоновано кристалоквазіхімічні формули твердих розчинів n (p)-PbTe-InTe для механізмів заміщення In катіонних вакансій, а також тетрапорожнин щільної упаковки атомів Телуру кристалічної структури плюмбум телуриду з врахуванням диспропорціювання зарядового стану Індію: . Розраховано залежності концентрації дефектів (N) і холлівської концентрації носіїв заряду (nH) твердих розчинів від вмісту InTe. На основі порівняння результатів експерименту та розрахунків зроблено висновки про природу і зарядовий стан домінуючих точкових дефектів.
Ключові слова: плюмбум телурид, тверді розчини, точкові дефекти, кристалохімія.

В.В. Прокопів (мол.)

Термодинаміка власних точкових дефектів у кристалах плюмбум телуриду

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна, e-mail:prk@tvnet.if.ua

Методом термодинамічних потенціалів розраховано концентрації точкових дефектів та вільних носіїв заряду в кристалах PbTe в залежності від технологічних факторів двотемпературного відпалу (температури відпалу Т, парціального тиску пари телуру ). Встановлено вид домінуючих дефектів у матеріалі n- та p-типу провідності.
Ключові слова: термодинамічний потенціал, точкові дефекти, плюмбум телурид.

Д.М. Фреїк, В.М. Бойчук, Н.І. Дикун, Р.І. Запухляк

Фізико-хімічні властивості і кристалохімія точкових дефектів твердих розчинів PbTe-CdTe

Фізико-технічний факультет, Фізико-хімічний інститут та науково-дослідна лабораторія „Термоелектричні матеріали” Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника і Інституту термоелектрики НАН і МОН України, вул. Шевченка,57, м.Івано-Франківськ, Україна, 76025, е-mail: freik@pu.if.ua

Виконано аналіз фізико-хімічних властивостей плюмбум телуриду і твердого розчину на його основі PbTe-CdTe. Запропоновано кристалоквазіхімічні формули n- і p-PbTe, а також твердих розчинів n-PbTe-CdTe та p-PbTe-CdTe. Розраховано залежності концентрації точкових дефектів, вільних носіїв і холлівської концентрації носіїв струму від характеру і величини відхилення від стехіометричного складу у плюмбум телуриді і хімічного складу твердих розчинів. На основі порівняння результатів розрахунків і експерименту зроблено висновок про домінуючі механізми утворення твердих розчинів.
Ключові слова: плюмбум телурид, точкові дефекти, кристалохімія, тверді розчини.

М.А.Рувінський¹, Б.М.Рувінський²

Акустичні фонони у прямолінійних смужках графену

¹ Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул.Шевченка, 57, м.Івано-Франківськ, 76000, Україна,
² Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу, вул.Карпатська, 15, м.Івано-Франківськ, 76000, Україна, bruvinsky@gmail.com

Розглянуто акустичні коливання в моделі двовимірної прямолінійної смужки графену. Розраховано дисперсійні криві обмежених акустичних фононів гібридних мод для різних ширин графенового квантового дроту.
Ключові слова: прямолінійний графеновий дріт, обмежені акустичні фонони.

Г.П. Чуйко, Д.М. Степанчиков

Геометричний метод визначення ефективних мас та густин станів в межах узагальненої моделі Кілдал

Херсонський національний технічний університет, кафедра загальної та прикладної фізики, лабораторія теорії твердого тіла, Бериславське шосе, 24, 73008, Херсон, Україна, тел: +38(0552)326922, e-mail:step_75@mail.ru

Описано новий геометричний підхід до визначення ефективних мас та густин станів в межах узагальненої моделі Кілдал. Метод апробовано для тетрагональних фосфідів кадмію та цинку (Cd₃P₂, Zn₃P₂), що належать до просторової групи . Поперечні та поздовжні ефективні маси визначалися безпосередньо через півосі відповідних ізоенергетичних поверхонь. Також розраховано ефективні маси густини станів та коефіцієнти анізотропії. Показано, що запропонований геометричний підхід дозволяє надійно визначати та класифікувати сингулярні точки функції густини станів. Отримані результати показали, що зона провідності обох матеріалів є майже ізотропною, тоді як валентна зона є суттєво анізотропною. Функція густини станів для зони важких дірок має специфічну особливість: ненульову границю у вершині.

І.В. Рогозін¹, О.В. Мараховський²

Теоретичний аналіз високотемпературної рівноваги власних точкових дефектів у бездомішковому нітриді галію

¹Бердянський державний педагогічний університет, 71118, Бердянськ, вул. Шмідта, 4 rogozin@bdpu.org
²Академія управління та інформаційних технологій, 71112, Бердянськ, вул. Урицького, 3

Проведено термодинамічний аналіз складу власних дефектів у GaN при температурі 1400 К. Дані розрахунку рівноважних діаграм власних точкових дефектів за схемою Шотткі добре погоджуються з експериментальними результатами. Показано, що постачальником електронів у бездомішковому n-GaN є вакансії азоту – , а основним компенсуючим центром вакансії галію – . Механізм компенсації у матеріалі р-типу зумовлений , а також комплексами за участю вакансій азоту.
Ключові слова: GaN, власні дефекти, компенсація.

Л.А. Дворіна, Ю.М. Макогон*, О.П. Павлова*, А.І. Стецун

Густина електронних станів тонкої плівки аморфного дисиліциду хрому

Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, вул. Кржижановського, 3, м. Київ - 142, 03680, Україна
* Національний технічний університет України “Київський політехнічний інститут”, Проспект Перемоги, 37, м. Київ – 56, 03056, Україна

На основі спектральної залежності коефіцієнта поглинання аморфного шару дисиліциду хрому, дослідженої в попередніх роботах, розрахована густина електронних станів. Одержані результати про густину електронних станів аморфного дисиліциду хрому добре корелюють із відомими даними про густину електронних станів монокристалу дисиліциду хрому.
Ключові слова: дисиліцид, електронні стани.

Л.А.Булавін, О.П.Дмитренко, М.М.Білий, М.П.Куліш, В.І.Попенко, Ю.І.Прилуцький, В.С.Стащук, О.Л.Павленко, О.Є.Погорєлов¹, Е.М.Шпилевський², П.Шарф³

Електронна та коливна структура плівок С₆₀ з металами

Київський національний університет імені Тараса Шевченка, в. Володимирська, 60, Київ, 03, Україна,
¹ Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України, б. Вернадського, 36, Київ, 03142, Україна.
² ДНЗ Інститут тепло- і масообміну ім. А.В.Ликова НАН Білорусії, Білорусія
³ Технічний університет Ілменау, Інститут фізики, PF 100565, Iльменау 98684, Німеччина, E-mail:schtirlitz@ukr.net, v.popenko@pershastudia.com

Досліджувалися спектри оптичної провідності, фотолюмінесценції, раманівського і рентгенівського дифракційного розсіяння плівок фулеритів С₆₀, легованих неперехідними (Ag, Cu) та перехідними (Ti) металами. Показано суттєвий вплив легування на вказані спектри, характер яких змінюється в залежності від типу інтеркальованих металів та їх концентрації. Наявність взаємодії між атомами і молекулами приводить до особливостей кристалічної структури і оптичних характеристик плівок, легованих металлами. Для атомів Ti поява такої взаємодії є наслідком гібридизації електронних станів, яка сприяє утворенню карбідних фаз.
Ключові слова: плівки С₆₀, інтеркаляція, оптична провідність, раманівське розсіяння, фотолюмінесценція.

С. А. Войтович¹, І. І. Григорчак¹, М. В. Матвіїв², М. М. Міцов³

Нові одно-та дублетно-матричні структури з нанообмеженою «гостьовою» геометрією для Mg++-інтеркаляційного струмоутворення

¹Національний університет „Львівська політехніка”, 79013, м. Львів, вул. С. Бандери, 12 e-mail : Ivangr@rambler.ru
²Львівський національний університет ім. Івана Франка, 79000, м. Львів, вул.Університетська,1
³Концерн “Гефра”, 95201 Братислава, Словаччина, Станічна 502

Синтезовано дублетноматричні ієрархічні структури – мезопористий вуглець- нанодисперсний шаруватий Bi₂Se₃, проведено інтеркаляцію магнію в наноструктури з одноматричною та дублетноматричною ізоляцією конфігурації, прананалізовано залежність зміни вільної енергії Гіббса реакції, диференціальної ємності від ступеня інтеркаляції магнієм побудовоно електричну еквівалентну схему цього процесу та проаналізовано взаємодію гість-господар в таких системах.
Ключові слова: цеоліт; селенід вісмута; інтеркалатні наноструктури; магнієва інтеркаляція.

В.Б. Боледзюк, А.В. Заслонкін, З.Д.Ковалюк, М.М. Пирля, С.П. Юрценюк.

Вплив відпалу на оптичні властивості шаруватих кристалів GaSe та InSe

Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення вул. І. Вільде, 5, Чернівці, Україна 58001. тел: 8 (+03722) 2-00-50, E-mail:chimsp@unicom.cv.ua

Одержано спектри пропускання монокристалічних зразків GaSe (e- модифікація) та InSe (γ-модифікація), які були піддані температурному відпалу в широкому температурному інтервалі. Виявлено немонотонні температурні залежності енергетичного положення екситонного максимуму Еекс та напівширини екситонної смуги Н. На основі уявлень про вплив деформаційного та внутрікристалічного потенціалу на перебудову енергетичного спектру шаруватого кристалу, пояснено зміщення DЕ_екс та DН при відпалі GaSe та InSe.
Ключові слова: шаруватий кристал, відпал, водень, вакуум, екситонний максимум, поглинання.

С.М. Данильченко², Т.Г. Калініченко¹, М.М. Колесник¹, Д.І. Курбатов¹, А.С.Опанасюк¹

Структура та електрофізичні властивості тонких плівок з’єднань ZnTe і ZnS

¹Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова,2, м. Суми, 40007. тел. 8 (0542)39-23-69
²Інститут прикладної фізики НАН України, вул. Петропавловська, 58, м. Суми, 40030e-mail:opanasyuk_sumdu@ukr.net

В роботі проведене комплексне дослідження структурних та електрофізичних характеристик плівок ZnTe, ZnS одержаних методом термічного випаровування у квазізамкненому об’ємі. Морфологія конденсатів вивчалася методами рентгеноспектрального та рентгенодифракційного аналізу, оптичної і растрової мікроскопії, електрофізичні властивості – шляхом вимірювання вольт-амперних характеристик (ВАХ) та залежностей провідність-температура. Це дозволило визначити основні характеристики плівок, такі як текстура, період кристалічної гратки, розміри кристалітів, питома провідність, енергія активації провідності, а також дослідити залежність цих параметрів від фізико-технологічних умов конденсації шарів. Встановлені оптимальні умови отримання однорідних конденсатів стехіометричного складу.
Ключові слова: ZnTe, ZnS, структура, період кристалічної гратки, стехіометрія, ВАХ, енергія активації.

В. Лісаускас, Б. Венгаліс, K. Шлюжине, В. Пирагас

Епітаксіальний ріст і нестехометрія за киснем тонких плівок магнетронно розпиленого провідного LANIO_3-Δ

Полупроводниковый Институт Физики, A. Goљtauto 11, LT-01108, Вильнюс, Литва, lisa@pfi.lt

Тонкі плівки LaNiO_3-D (d = 0.1÷0.2 µm) Були вирощені гетероепітаксійним магнетронним розпиленням на підібрані підклідки субстраты NdGaO3. Вміст кисню в плівках варіювався в широких межах ( d= 0÷0.5), відпалюючи при Tann = 700÷900 K в вакуумі або чистому кисні. Стійкість протии температури нестехіометричних плівок булла виміряна в широкому діапазоні температур (300÷1000 K). Перехід метал-ізолятор (M–I) спостерігався в плівказ з збільшенням d. Наявність композитно-залежного енергетичного кризесу було відзначене для бідних на кисень плівок з d> 0.25.

Р.І. Бігун, А.Я. Пастирський, Б.Р. Пенюх, З.В. Стасюк

Вплив сурфактантних підшарів германію на електропровідність свіжонанесених плівок срібла нанометрової товщини

Львівський національний університет імені Івана Франка вул. Драгоманова,50, Львів, 79005

В умовах надвисокого вакууму досліджено електропровідність плівок срібла, нанесених на поверхню скла та поверхню скла, покриту підшаром германію. Сурфактантні підшари германію (масова товщина 0.5-5,3 нм) прискорюють металізацію плівок срібла, що проявляється у зниженні товщини плівки срібла, при якій виникає поріг протікання струму через плівку (percolation threshold). Розмірні залежності питомого опору плівок пояснено у рамках сучасних модельних уявлень про класичний та внутрішній розмірні ефекти.
Ключові слова: тонкі металеві плівки, класичний та внутрішній розмірний ефект, поверхневе розсіювання носіїв струму.

І.І. Гнатів, З.Ф. Томашик, В.М. Томашик, І.Б. Стратійчук

Особливості хімічного травлення монокристалів CdTe та Cd_1-xZn_xTe травильними розчинами H₂O₂–HBr–H₂O

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки 41, м. Київ, e-mail:hnativ@isp.kiev.ua

У відтворюваних гідродинамічних умовах з використанням установки для хіміко-динамічного полірування вперше вивчено кінетику і досліджено механізм фізико-хімічної взаємодії монокристалічних зразків кадмій телуриду та твердих розчинів Cd_1-xZn_xTe з травильними розчинами H₂O₂–HBr–H₂O. Встановлено склади поліруючих і неполіруючих травильних композицій та показано вплив вмісту цинку в складі твердого розчину Cd_1-xZn_xTe як на швидкість, так і на характер хімічного розчинення напівпровідникового матеріалу.
Ключові слова: хімічне травлення, тверді розчини, кадмій телурид, травник, швидкість розчинення, хіміко-динамічне полірування.

Т.Р.Татарчук, Н.Б.Гаманюк, Д.В.Процький

Вплив катіонного розподілу на кристалохімічні параметри шпінельних твердих розчинів літій-цинкових феритів

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
Інститут природничих наук вул.Галицька, 201, Івано-Франківськ, 76008

На основі рентґенівських досліджень, даних хімічного фазового аналізу встановлено кристалохімічний склад твердих розчинів літій-цинкових феритів Zn_yLi_0,5-0,5yFe_2,5-0,5yO₄. Показано, що при вмісті від 7,14 дo 4,44 aт.% Літій стабілізує обернену шпінельну структуру, а Цинк (від 5,43 дo 14,29 aт.%) сприяє її нормалізації. Досліджено, що параметр комірки в системі Li_0,5Fe_2,5O₄ - ZnFe₂O₄ змінюється від 0,833 дo 0,844 нм, ступінь оберненості – від 1 до 0, аніонний параметр – в межах 0,3788 - 0,3857. Розраховано тетра- та октаедричні відстані з використанням методу Пуа.
Ключові слова: ферит, шпінель, катіонний розподіл, тетраедрична відстань, октаедрична відстань, аніонний параметр.

В.К. Савчук ¹, Б.К. Котлярчук ¹, Р.І. Лесюк ²

Новий прогрес лазерних технологій для проектування напівпровідникових наноструктур

¹Лабораторія Лазерних технологій в матеріалознавстві, Інститут прикладних проблем механіки і математики. вул. Наукова, 3Б. 79060, м. Львів.
²Національний університет “Львівська політехніка”, вул. Бандери, 12, м.Львів.

При виготовлені наноструктур надзвичайно важливим питанням є подолання принципових обмежень існуючих технології при їх формування та розробка нових методів для виготовлення таких наноструктур. Оскільки, співвідношення «вартість/ефективність» є основною ринковою перепоною для поступу нанотехнологій і створення майбутньої елементної бази наноелектроніки, ми зробили спробу розробити ефективну, дешеву та конкурентноздатну технологію, що дозволить виготовляти наноструктури на основі тонких плівок напівпровідникових сполук А^IIВ^VI. Представлено основні досягнення в формуванні наноструктур та проблеми пов’язані з виготовленням таких наноструктур на основі тонких плівок напівпровідникових сполук А^IIВ^VI, що були вирощені методом Імпульсного Лазерного Напилення.

Г.В.Лашкарьов¹,В.Й.Лазоренко¹,В.А.Карпина¹, В.Д.Храновський¹, А.І.Євтушенко¹, I.В.Блонський², I.М.Дмитрук², П.I.Коренюк², В.А.Батурін³, А.Ю.Карпенко³, A.Я.Данько⁴, А.Т.Будников⁴, М.Годлевський⁵

Фотолюмінісценція плівок ZnS збуджена фемтосекундним лазером

¹Інститут проблем матеріалознавства Національної Академії Наук України, вул. Кржижановского 3, 03680, Київ, Україна, gvl35@ipms.kiev.ua
²Інститут фізики Національної Академії Наук України, пр. Науки 46, 03650, Київ, Україна, blon@iop.kiev.ua
³Інститут прикладної фізики Національної Академії Наук України, вул. Петропавловська 58, 40030, Суми, Україна, baturin@ipflab.sumy.ua
⁴НТК "Інститут монокристалів" НАН України, пр. Леніна, 60, 61001, Харків, Україна, danko@isc.kharkov.ua
⁵Інститут фізики Польської Академії Наук, ал. Лотникув 32/46, 02-668, Варшава, Польша

Фотолюмінесценція плівок ZnO, осаджених на різні підкладки чотирма технологічними методами включаючи магнетронне розпилення та PEMOCVD, була досліджена при кімнатній температурі при збудженні фемтосекундним лазером сапфір:Ті. Виявлено вплив текстури плівки на спектр фотолюмінесценції. Досліджено вплив відпалу на ультрафіолетову та зелену фотолюмінесценцію. Найбільш інтенсивна ультрафіолетова екситонна фотолюмінесценція була виявлена в плівках ZnO осаджених на SiN_x/Si підкладки.

Р.В. Конакова, В.В. Мілєнін, Р.А. Редько, С.М. Редько

Особливості випромінювальної рекомбінації фосфіду індію при мікрохвильовій та магнітопольовій обробках

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України Пр. Науки 41, 03028, Київ, Україна, e-mail:re_rom@ukr.net

Проведено дослідження впливу мікрохвильового випромінювання (2,45 ГГц, 7,5 Вт/см²) та слабкого магнітного поля (В=0,44 Тл) на трансформацію дефектної структури пористого фосфіду індію та гомоепітаксійної плівки, вирощеної на por-InP. Показано, що впливи НВЧ на магнітопольової обробки на рекомбінаційні властивості та на спектр дефектних станів напівпровідника є якісно подібними. Обговорюється можливий нетепловий механізм зміни випромінювальної рекомбінації InP під дією НВЧ випромінювання.
Ключові слова: люмінесценція, мікрохвильове опромінювання, домішково-дефектний склад.

В.В.Кідалов¹, А.С. Ревенко¹, Г.О.Сукач², А.Б.Богословська³, Ю.І.Яценко¹

Властивості структур GaNAs та GaN, отриманих нітридизацією поруватих підкладок GaAs

¹Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідта, 4, м. Бердянськ, 71100, Україна
² Державний університет інформаційно-комунікаційних технологій, Солом’янська, 7, 03110, Київ, Україна
³ Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України, Пр. Науки, 45, Солом’янська, 7, 03028, Київ, Україна

У статті представлено результати експериментальних досліджень люмінесцентних властивостей тонких плівок потрійних сполук GaN_xAs_1-x, отриманих шляхом нітридизації поруватих підкладок GaAs. Визначено можливість керування концентрацією миш’яку та азоту у сполуці GaNAs завдяки оптимізації технологічних параметрів його відпалу у збуджених атомах азоту. Отримані результати є цікавими у аспекті використання підкладки GaAs кристалографічної орієнтації (111) для подальшого формування бінарної сполуки GaN кубічної модифікації. Показано можливість зміни енергетичного положення близькокрайової смуги люмінесценції сполуки GaN_xAs_1-x від 2.63 еВ до 2.44 еВ при зміні величини концентрації миш’яку від 1 до 10%. Визначено залежність типу кристалічної ґратки плівок GaN від ступеню поруватості підкладки por-GaAs/GaAs(111). Показано, що використання підкладок GaAs із величиною поруватості 30% сприяє отримання плівок GaN кубічної модифікації. Наявність характерного піку 3.42 еВ пов’язується із присутністю кристалітів гексагональної модифікації GaN у матриці кубічного GaN.
Ключові слова: кубічний GaN, GaNAs, поруватий GaAs, нітридизація.

І.М.Спиридонова, Н.В.Карпенко

Фосфіди заліза та потрійні фази на їх основі

Дніпропетровський національний університет 72, пр. Гагарина, м. Дніпропетровськ, 49050 karpenko230875@yandex.ru

Досліджена морфологія та мікромеханічні властивості фосфідів заліза і потрійних фаз на основі фосфідів Fe₃P та Fe₂P. Показано, що додавання у сплави Fe-P бору у межах 0,3-1%В призводить до кристалізації сплавів по метастабільній діаграмі стану. Встановлено, що легування бором підвищує пластичність фосфідів.
Ключові слова: фосфід, евтектика, борофосфід, мікроструктура, мікромеханічні властивості.

О.Г. Сіренко¹, Н.І. Джуренко¹, О.В. Кузишин², О.В. Шийчук², Г.О. Сіренко²

Рослинні оливи як мастильні матеріали для металевих поверхонь: ІЧ-спектральний аналіз ріпакової олії, олій горішків карпатського та сибірського кедру

¹Національний ботанічний сад ім. М.М. Гришка Національної Академії Наук України, вул. Тімірязєвська, 1, Київ, 01014, Україна
²Прикарпатський національний університет імені В. Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна

Розглянуто доцільність використання рослинних олив у якості мастильних матеріалів для металевих поверхонь. Досліджено ІЧ-спектри рослинних олив у порівнянні з ріпаковою олією. Наведені результати дослідження ІЧ-спектрів кедрової олії з двох гір Карпат у порівнянні з кедровою олією з гір Алтаю.
Ключові слова: ІЧ-спектроскопія, кедрова олія, рослинна олива.

О.В. Кузишин¹, О.Г. Сіренко², Л.Я. Мідак¹, Г.О. Сіренко¹

Критерії оцінки розподілу мікронерівностей на поверхні твердого тіла

¹Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника,
вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76025, Україна
²Національний ботанічний сад ім. М.М. Гришка Національної Академії Наук України, вул. Тімірязєвська, 1, Київ, 01014, Україна

  Приводяться моделі шорсткої поверхні твердого тіла. На прикладі стрижневої моделі мікронерівностей на поверхні за їх формою І і ІІ та двома способами формування поверхні (схема 1 і 2) за «лотерейною грою» та за таблицею випадкових чисел при розподілі мікронерівностей встановлені кореляційні звязки між статистичними характеристиками поверхні, які впливають на її властивості. Показано, що в обох випадках за схемою 2 дискретний розподіл має аґреґативний (плямистий) характер. Приведений приклад переходу від дискретного до неперервного розподілу мікронерівностей за нормальним законом Ґауса. Ключові слова: критерій, шорсткість, поверхня, розподіл мікровиступів