ФХТТ, Т.7, №3, 2006

Анотації

Д.М. Фреїк, В.М. Чобанюк, Л.І. Никируй

Напівпровідникові тонкі плівки – сучасний стан (огляд)

Фізико-хімічний інститут Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76025, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua

Розглянуто та проаналізовано основні аспекти перспективного напрямку мікроелектроніки – тонкоплівкового напівпровідникового матеріалознавства. Особлива увага приділена прикладним питанням: систематизовано основні методи вирощування та дослідження структурних властивостей, акцентовано увагу на фізико-хімічних властивостях, класифіковано найбільш важливі напрямки практичного застосування.
Ключові слова: напівпровідник, тонкі плівки, методи вирощування, мікроелектроніка.

Н.В. Юркович¹, Г.Т. Горват¹, І.Й. Росола¹, І.М. Миголинець¹, В.Р. Романюк³, В.Ю. Лоя², А.А. Мосьпак¹

Концентраційні залежності оптичних властивостей модифікованих структур типу (X-Te,Bi,Pb)

¹Ужгородський національний університет, Україна
²Інститут електронної фізики НАН України, Україна
³Інститут фізики напівпровідників НАН України

Одержано тонкоплівкові градієнтні структури (Х-Bi, Pb, Te) методом термічного випаровування у вакуумі. Досліджено вплив введеного модифікатора на оптичні властивості. По мірі збагачення шарів модифікатором (Bi, Pb, Те), край поглинання зміщується в довгохвилеву область спектру, зменшується значення показника заломлення на визначеній довжині хвилі (λ = 1 мкм) і збільшується степінь іонності зв’язків. Визначено оптичні параметри плівок на довжині хвилі (λ = 0,6328 мкм еліпсометричним і спектрофотометричним методами.
Ключові слова: тонкоплівкові градієнтні структури, край власного поглинання, дисперсія, оптичні параметри.

Л.І. Никируй, О.В. Ільків

Домішкове розсіювання у легованих талієм кристалах телуриду свинцю (PbTe:Tl)

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76025, E-mail:lyubomyr@mail.ru

Досліджено внесок домішкового розсіювання у кристалах телуриду свинцю, легованого акцепторною домішкою талію у сумарне розсіювання. Визначено характер поведінки рівня Фермі у легованому PbTe:Tl.
Ключові слова: PbTe:Tl, механізми розсіювання, енергія Фермі, домішкове розсіювання.

О.А. Парфенюк, М.І. Ілащук, К.С. Ульяницький, І.В. Ніколаєвич

Рівноважні властивості напівізолюючих кристалів CdTe:V

Чернівецький національний університет вул.Коцюбинського, 2., м. Чернівці, 58012, Україна тел: 380(3722) 4-68-77; E-mail:p_ebox@mail.ru

Досліджено рівноважні характеристики напівізолюючих ((σ=(4,3 10^-9 -1,1 10^-10 )Ом^-1 см^-1) кристалів CdTe:V, вирощених вертикальним методом Бріджмена. Концентрація домішки в розплаві була рівною = (1 10¹⁸-1 10²⁰) см^-3. Провідність більшості кристалів носила змішаний характер. Енергія активації робочих рівнів знаходилася в межах: EC=-(0,76-0,86) еВ для зразків n- типу і EV=+(0,76-0,78) еВ – для матеріалу p- типу. Після термообробки при 1073 К і різному тиску пари Cd кристали залишаються високоомними, але швидкість встановлення рівноваги залежить від умов охолодження напівпровідника після відпалу.
Ключові слова: Телурид кадмію, ванадій, рівноважні властивості, відпал.

Б.К. Остафійчук, І.П. Яремій, В.І. Кравець, С.Я. Клюка, С.І. Яремій

Вплив кристалічної структури епітаксійних плівок ЗІГ на профілі деформації

Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, 76000 Івано-Франківськ, Україна, тел: +(03422) 59-60-75

В роботі проведено аналіз трансформації кристалічної ґратки епітаксійних плівок ЗІГ різної товщини. Показано, що елементарна комірка плівок ЗІГ є ромбоедрично деформована, а ступінь деформації суттєво залежить від товщини плівки. Досліджено вплив ступеня деформації плівок ЗІГ на процеси дефектоутворення при імплантації іонами В+ та профілі деформації.
Ключові слова: ферит-гранатові плівки, іонна імплантація, профілі деформації, кристалічна гратка.

Г.О. Сукач¹, В.В. Кидалов², А.С. Ревенко²

Про один механізм конвертації поверхневих шарів GaAs у GaN у результаті нітридизації

¹Державний університет інформаційно-комунікаційних технологій
²Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідта, 4, Бердянськ 71100, Україна.

У роботі представлено аналіз механізму конвертації поверхневих шарів підкладки GaAs у сполуку GaN у результаті нітридизації. Розглянуто вплив технологічних умов нітридизації (температури підкладки GaAs і потоку атомів азоту, що падають на підкладку) на параметри тонких плівок GaN, що формуються на поверхні GaAs. Запропоновано математичну модель, що описує дифузію атомів азоту всередину підкладки GaAs та їх взаємодію з атомами підґратки миш'яку.
Ключові слова: механізм kick-out, нітридизація, GaN/GaAs.

Р.І. Бігун

Вплив субмоношарових сурфактантних підшарів германію на перенос заряду в тонких полікристалічних плівках золота

Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Драгоманова,50, Львів, 79005

Вивчено структуру і електропровідність тонких плівок золота. Показано, що субмоношарові сурфактантні підшари германію (масова товщина 2 нм) прискорюють металізацію плівок золота. Згідно з результатами структурних досліджень, попередньо нанесений на підкладку підшар германію сприяє формуванню більш дрібнодисперсних плівок золота. Результати електричних вимірів пояснено в рамках існуючих модельних уявлень про класичний та внутрішній розмірні ефекти.
Ключові слова: тонкі металеві плівки, класичний та внутрішній розмірний ефект, поверхневе та міжкристалітне розсіювання носіїв струму.

Л.В. Дехтярук

Вплив дифундуючого шару домішок на осциляційну залежність коефіцієнта поглинання звукової енергії у тонких шарах металу

Сумський державний університет, вул. Р. – Корсакова, 2, м. Суми, 40007, Україна, E-mail:dekhtyaruk@mail.ru

Теоретично проаналізовано залежність коефіцієнта поглинання поздовжньої звукової хвилі від часу дифузійного відпалювання у тонкій монокристалічній пластині, на одну із поверхонь якої нанесено ультратонкий дифундуючий шар домішок іншого металу. Аналіз зміни величини проведено у рамках моделей Фукса і Фальковського. Показано, що зміна коефіцієнта поглинання після дифузійного відпалювання дозволяє дослідити сам процес дифузії, визначити ефективну глибину проникання атомів домішок у тонкий зразок і, відповідно, оцінити коефіцієнт об’ємної дифузії.
Ключові слова: об’ємна дифузія, коефіцієнт об’ємної дифузії, акустоелектронний осциляційний розмірний ефект, моделі Фукса та Фальковського.

Б.С. Дзундза¹, Г.Д. Матеїк², Ю.В. Кланічка¹

Післяконденсаційні процеси рекристалізації мозаїчних плівок PbTe на слюді

¹Кафедра фізики і хімії твердого тіла Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, вул. Галицька, 201, Івано-Франківськ, 76008, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua
²Кафедра фізики і новітніх технологій Івано-Франківського національного технічного університету нафти і газу вул. Карпатська 15, Івано-Франківськ, 76000, Україна

Досліджено зміну питомого опору ρ мозаїчних плівок PbTe від часу t їх витримки у вакуумі. Запропоновано аналітичну і електротехнічну моделі для обрахунку опору плівок. Показано, що зміна ρ(t) пов’язана із процесами рекристалізації. Визначено залежність лінійних розмірів зерен мозаїки від часу відпалу.
Ключові слова: тонкі плівки, телурид свинцю, питомий опір, рекристалізація, електротехнічна модель.

Л.О. Матвеєва¹, О.Ю. Колядіна¹, І.М. Матіюк¹, О.М. Міщук²

Структурна досконалість і електронні параметри сульфідованої поверхні арсеніду галію

¹Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки, 45, м. Київ, 03028, Україна, E-mail:matveeva@isp.kiev.ua
²Національна академія наук України

З використанням модуляційної (електровідбивання) і Оже-спектроскопії, електронографії встановлено, що при хімічному сульфідуванні поверхні GaAs в розчині Na₂S × 9H₂O на ній з’являється плівка Ga₂S₃, збільшується вигин зон, а в спектрах електровідбивання спостерігаються зміщення і розщеплення піків та високоенергетичні осциляції. Результати пояснюються виникненням внутрішніх механічних напружень в гетеросистемі Ga₂S₃ – GaAs, вбудованого електричного поля та перебудовою поверхневих електронних станів на межі поділу плівка-підкладка, що приводить до поверхневого квантування носіїв заряду.
Ключові слова: арсенід галію, електровідбивання, сульфідна пасивація, електронні параметри, механічні напруження.

З.І. Захарук, Ю.П. Стецько, І.М. Раренко, М.Л. Ковальчук, О.В. Галочкін, Є.В. Рибак

Вирощування, кристалічна і композиційна структура варізонних епітаксій них шарів CdxHg1-xTe та CdxMnyHg1-x-yTe

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. М. Коцюбинського 2, м. Чернівці, Україна, E-mail:microel@chnu.cv.ua

В даній роботі описана технологія, дослідження структурної досконалості та розподілу елементного складу в варізонних структурах (ВЗС) Cd_xHg_1-xTe та Cd_xMn_yHg_1-x-yTe, вирощених, відповідно, на підкладках CdTe і Cd_1-yMn_yTe. Вміст Mn в варізонних структурах Cd_xMn_yHg_1-x-yTe залежить від складу підкладок Cd_1-yMn_yTe, а атоми ртуті під час дифузії в підкладку в основному заміщують Cd. Використання підкладок Cd_1-yMn_yTe дає можливість одержувати структурно досконалі ВЗС з меншою концентрацією точкових і лінійних дефектів ніж у ВЗС на підкладках з CdTe.
Ключові слова: варізонні структури, тверді розчини, підкладки Cd_1-xMn_xTe, композиційний профіль ВЗС, епітаксійний шар, структурна досконалість.

О.Б. Кондрат

Електронні стани на межі поділу аморфно-кристалічного гетеропереходу Ge₃₃As₁₂Se₅₅ – p-Si

Ужгородський національний університет, вул. Волошина, 54, Ужгород, 88000, Україна тел. (03122)33020; E-mail:kon_alex@gala.net

Методом, що базується на методі лінійної комбінації атомних орбіталей і псевдопотенціалу, здійснено розрахунок енергетичної діаграми гетероструктури аморфна плівка Ge₃₃As₁₂Se₅₅ – кристалічний p-Si. Показана можливість використання даного теоретичного підходу для врахування станів на межі поділу та оксидних шарів. Проведено співставлення результатів розрахунку з експериментальними даними.
Ключові слова: гетероструктура, енергетична діаграма, межа поділу, поверхневі стани, оксидні шари.

В.П.Махній¹, М.Ф.Павлюк², Ю.І.Семенишин²

Структурні властивості гетерошарів селеніду кадмію, отриманих методом ізовалентного заміщення

¹Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012, Чернівці, Україна, E-mail:oe-dpt@chnu.edu.ua
²Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Галицька 201, 58012, Івано-Франківськ, Україна, E-mail: pavlyuk@pu.if.ua

Проведено порівняльний аналіз мікроструктури, Х-променевих топограм та кривих гойдання гетерошарів селеніду кадмію, отриманих ізовалентним заміщенням на монокристалічних підкладинках CdSe i ZnSe.
Ключові слова: селенід кадмію, ізовалентне заміщення, структура, Х-промені.

М.А. Рувінський¹, Б.М. Рувінський²

Електропровідність і флуктуації товщини квантового напівпровідникового дроту

¹Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, м.Івано-Франківськ, 76000, Україна,
²Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу, вул. Карпатська, 15, м.Івано-Франківськ, 76000, Україна, bruvinsky@gmail.com

Визначено час релаксації, рухливість електронів і статичну електропровідність, зумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту. Для невиродженої статистики носіїв струму при достатньо низьких температурах (Т) рухливість електронів un ( T1/2. У граничному випадку сильного магнітного поля Н, напрямленого вздовж осі дроту, рухливість визначається множником Н -1/2. Показано, що розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є важливим для електропровідності достатньо тонкого і чистого дроту при низьких температурах. Чисельні розрахунки проведено для дроту з GaAs.
Ключові слова: квантовий напівпровідниковий дріт, гауссівські флуктуації товщини, рухливість, статична електропровідність, GaAs.

Б.М. Рувінський¹, М.А. Рувінський²

Енергетичний спектр акустичних фононів у прямокутному квантовому дроті GaAs

¹Івано-Франківський національний технічний університет нафти і газу, вул. Карпатська, 15, м.Івано-Франківськ, 76000, Україна, bruvinsky@gmail.com
²Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, м.Івано-Франківськ, 76000, Україна,

Розглянуто акустичні коливання в моделі прямокутного квантового дроту з вільною поверхнею. Розраховано дисперсійні криві обмежених акустичних фононів для гібридних "ширинних" і "товщинних" мод в прямокутному дроті GaAs. Крім дисперсії фазової швидкості, характерним для гібридних мод є наявність одночасно поздовжніх і поперечних компонент вектора зміщень. Визначено енергетичний спектр акустичних фононів для різних поперечних розмірів дроту з GaAs.
Ключові слова: квантовий прямокутний дріт, обмежені акустичні фонони, енергетичний спектр, GaAs.

Б.К. Котлярчук¹, І.Ф. Миронюк³, Д.І. Попович^1,2, А.С. Середницький¹

Одержання нанопорошкових окисних матеріалів та дослідження їх люмінесцентних властивостей

¹Інститут прикладних проблем механіки і математики імені Ярослава Підстригача вул. Наукова 3б, м. Львів, 79601, Україна, E-mail:popovych@iapmm.lviv.ua
²Національний університет “Львівська політехніка” вул. С.Бандери, 12, м. Львів, 79000, Україна 3Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

У роботі запропоновано спосіб одержання складних нанопорошкових матеріалів та бар’єрних структур на їх основі методом імпульсного лазерного реактивного випромінювання металічних мішеней матеріалів. Це дає змогу ефективно продукувати нанопорошок із середньогеометричним діаметром до 5-10 нм і питомою поверхнею більше 80-190 м²/г при продуктивності до 50 г/год. Проведені дослідження фотолюмінісцентних властивостей нанопорошкових матеріалів ZnO і TiO₂ (в т.ч. після лазерного відпалу) з метою вивчення можливості створення на їх базі газових сенсорів. Вивчено вплив адсорбції молекулярних газів O2, H₂ і CO на зміну інтенсивності фотолюмінісценції нанопорошкового ZnO. На основі проведених досліджень запропоновано спосіб детектування розпізнавання та оцінки концентрації газу в аналізованому середовищі. З метою підвищення селективності методу пропонується аналізувати радикало-рекомбінаційне люмінесцентне свічення, спектральні характеристики якого визначаються заданим поверхневим станом гранул нанопорошку та хімічним складом аналізованого газу.
Ключові слова: нанопорошкові оксиди, люмінесценція, лазерний відпал, газові сенсори.

В.Ф. Зінченко, О.В. Стамікосто, С.О. Тарасенко, С.Б. Мєшкова, І.В. Березовська, Є.В. Тімухін

Синтез у сольових розтопах та оптичні властивості апатитів складу Eu_xSr_10-x(PO₄)₆F₂

Фізико-хімічний інститут ім. О.В. Богатського НАН України, 86 Люстдорфська дорога, Одеса, 65080, Україна, Тел: 380-482-618225; Е-mail: vfzinchenko@ukr.net

Методами рентгенівського дифракційного аналізу, спектроскопії дифузного відбиття та люмінесцентної спектроскопії досліджено процеси синтезу європій-вмісних стронцієвих фтороапатитів у розтопі NaCl-KCl при 700 та 870ºС. Встановлено ідентичність структури фаз, утворюваних при частковому заміщенні Sr на Eu(II) та Eu(III). Зразки європій-стронцієвих фтороапатитів виявляють певні особливості оптичного поглинання та люмінесценції завдяки 4f-5d- та 4f-4f- електронним переходам у іонах Eu²⁺ та Eu³⁺ відповідно. Співвідношення між інтегральними інтенсивностями смуг люмінесценції якісно відповідає концентраціям валентних форм Eu(II) та Eu(III) у апатиті. Показано також можливість синтезу (Eu,Sr)ФАП шляхом обмінної сорбції у сольовому розтопі.
Ключові слова: європій-стронцієві фтороапатити, синтез, сольові розтопи, фазовий склад, оптичні властивості

В.А. Куліченко¹, С.А. Неділько², О.Г. Дзязько², О.Г. Зенькович²

Фазоутворення та киснева нестехіометрія в системі La-Sr-Ni-O

¹Київський національний університет будівництва та архітектури, Повітрофлотський пр-т, 31 м. Київ, E-mail:toed@mail.ru
²Київський національний університет імені Тараса Шевченка, хімічний факультет, вул. Володимирська, 64, м. Київ, E-mail:dziazko@univ.kiev.ua

Одержано нестехіометричні композиції загального складу La_3-xSr_xNi₂O_7-δ де 0≤x≤2. Показано, що при заміщенні La³⁺ на Sr²⁺ в фазі Руддлесдена-Поппера (ФРП) Lan-1La₂Ni_nO_3n+1 n=2 (La₃Ni₂O₇) відбувається перехід до ФРП n=1 (La₂NiO₄) та виділенням NiO. Досліджено вплив кисневої не стехіометрії на резистивні властивості складних оксидних композицій.
Ключові слова: фази Руддлесдена-Поппера (ФРП), заміщений нікелат лантану, киснева нестехіометрія.

Д.М. Фреїк, В.В. Прокопів, У.М. Писклинець, І.В. Горічок, В.Б. Ваньчук

Кристалохімічні моделі точкових дефектів у CdTe:Ge

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна, Е-mail: freik@pu.if.ua

На основі теорії квазіхімічних реакцій проведено аналіз дефектного стану кристалів CdTe:Ge в умовах високотемпературної рівноваги точкових дефектів з врахуванням обмеженої розчинності домішки германію. Одержано температурні залежності концентрації точкових дефектів, вільних носіїв заряду та розчинності германію в матеріалі. Теоретичний розрахунок достатньо добре узгоджується з експериментальними залежностями цих же величин для досліджуваного діапазону температур відпалу.
Ключові слова: кадмію телурид, високотемпературний відпал, легування, дефектна структура, розчинність.

І.В. Рогозін

Діаграми рівноваги власних дефектів і відхилення від стехіометрії нітриду галію та оксиду цинку

Бердянський державний педагогічний університет, 71100, м. Бердянськ, вул.. Шмідта, 4 тел. (06153) 71583, rogozin@bdpu.org

Проведено термодинамічний аналіз складу власних дефектів у GaN та ZnO. Розглянуто причини, що визначають схильність GaN та ZnO до монополярного типу провідності. Запропоновано метод, що дозволяє ефективно керувати відхиленням від стехіометрії даних сполук.
Ключові слова: GaN, ZnO, власні дефекти.

Л.Й. Межиловська, В.М. Бойчук, В.В. Борик

Механізми утворення твердих розчинів у системі PbTe-MnTe₂

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Галицька, 201, м. Івано-Франківськ, 76008, Україна

На основі антиструктури PbTe запропоновано кристалоквазіхімічні формули твердих розчинів у системі PbTe-MnTe₂: для механізмів заміщення вакансій Плюмбуму (А) і вкорінення іонів Мангану у тетраедричні порожнини щільної упаковки атомів Телуру (В). Показано, що домінуючим механізмом утворення твердих розчинів є заміщення іонами катіонних вакансій.
Ключеві слова: плюмбум телурид, манган (IV) телурид, тверді розчини, точкові дефекти, кристалоквазіхімічні формули.

С.А. Курта¹, О.Ю. Закржевський¹, О.С. Курта²

Вивчення дегідрохлорування хлорорганічних відходів на границі розділу фаз

¹Прикарпатський університет ім. В. Стефаника, кафедра органічної і аналітичної хіміі, м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка 57, 76025, E-mail:kca@arte-fact.net, zahar_au@rambler.ru
²Національний університет “Львівська політехніка”, м. Львів, вул. С. Бандери, 12

Стаття присвячена вивченню утилізації хлорорганічних відходів виробництва 1,2-дихлоретану, головним чином умовам переробки відходів. На сьогоднішній день всі хлорорганічні відходи виробництва 1,2-дихлоретану спалюються. В роботі досліджено метод утилізації, який оснований на лужному дегідрохлоруванні хлорорганічних відходів та послідуючою сополімеризацією з ненасиченою фракцією С5-С9.
Ключові слова: хлорорганічні відходи, ненасичена фракція С5-С9, 1,2-дихлоретан, 1,1,2-трихлоретан, вінілхлорид, вініліденхлорид, сополімеризація.

Л.Й. Межиловська¹, Г.Я. Бабущак¹, П.В. Жуковскі²

Кристалоквазіхімічні формули і точкові дефекти нестехіометричного цинк селеніду

¹Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна, E-mail:freik@pu.if.ua
²Люблінський технічний університет, 20-618 Люблін, Польща E-mail:mario@elektron.pol.lublin.pl.

Розраховано залежність концентрації дефектів і холлівської коецентрації від ступеня відхилення від стехіометрії та коефіцієнтів диспропорціювання дефектів. Запропонованр кристалоквазіхімічні формули для нестехіометричних n- i p-ZnSe за умови існування однозарядних та двозарядних вакансій та міжвузлових атомів цинку і селену відповідно.
Ключові слова: цинк селенід, точкові дефекти, кристалоквазіхімічні формули.

Д.М. Фреїк¹, О.В. Ткачик¹, І.М. Іванишин²

Фізико-хімічні властивості і кристалоквазіхімічні формули твердих розчинів p-SnTe-Sb₂Te₃(Bi₂Te₃)

¹Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул.Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, E-mail:freik@pu.if.ua
²Івано-Франківський державний медичний інститут, вул. Галицька 2, м. Івано-Франківськ, E-mail:Ivan_Ira@rambler.ru

Приведено фазові діаграми рівноваги систем p-SnTe-Sb₂Te₃ і p-SnTe-Bi₂Te₃ та залежність фізико-хімічних властивостей від складу для гомогенних областей на основі р-SnTe. Запропоновано кристалоквазіхімічні формули для різних механізмів утворення твердих розчинів. Показано, що за умови одночасного існування дво- і чотиризарядних вакансій Стануму домінуючими механізмами є заміщення атомами Стибію (Бісмуту) вакансій Стануму [V_Sn^2-]  і [V_Sn^4-] та комплексоутворення [Sb(Bi)_i⁸⁺ - V_Sn^2- ]⁺ з наступним виділенням фаз Sb₂Te₃ (Bi₂Te₃) відповідно.
Ключові слова: станум телурид, стибій і бісмут телуриди, тверді розчини, точкові дефекти, кристалоквазіхімічні формули.

Л.В. Носач, Є.П. Воронін

Адсорбційне модифікування високодисперсного кремнезему нелеткими органічними сполуками в умовах газового дисперсійного середовища

Інституті хімії поверхні НАН України 03164, Київ, вул. Генерала Наумова, 17 тел. 422-96-27, E-mail:e.voronin@bigmir.net

Досліджено адсорбційне модифікування високодисперсного кремнезему полімерами та нелеткими органічними сполуками в умовах газового дисперсійного середовища. Показано, що такий метод є більш ефективним ніж рідкофазний метод імпрегнації. Виявлено, що визначальним фактором, який обумовлює процес модифікування дослідженими сполуками, є сольватація молекул модифікатора.
Ключові слова: високодисперсний кремнезем, біологічно-активні сполуки, адсорбційне модифікування, агрегування, імпрегнація, сольватація, ІЧ-спектроскопія.

Г.О. Сіренко¹, М.Б. Квич¹, В.І. Кириченко²

Відновлення міді в поверхневих шарах металізованого карбонового волокна

¹Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76000, Україна
²Хмельницький національний університет, вул.Інститутська, 11, м.Хмельницький, 29016, Україна

Досліджено зміни в кристалічній структурі поверхневих шарів при покритті карбонових волокон міддю, яке здійснювалося в процесі металізації за модифікованою формальдегідною та цинковою технологіями. Встановлено, що вміст міді у покритті мідь-оксиди міді можна збільшити за рахунок двошарового покриття почергово цинковим та модифікованим формальдегідним способами.
Ключові слова: карбонове волокно, металізація, хімічне покривання, міднення.

П.П. Горбик, В.В. Левандовський, Р.В. Мазуренко, С.М. Махно, О.В. Кондратенко, О.О. Чуйко

Вплив високодисперсного діоксиду кремнію на властивості полімерних композитів системи поліхлортрифторетилен – йодид срібла

Інститут хімії поверхні Національної академії наук України, вул. Генерала Наумова, 17, м. Київ, 03164, E-mail:dvdrusik@ukr.net

Проведено експериментальні дослідження властивостей полімерних композиційних матеріалів низькорозмірних систем ПХТФЕ – AgI та ПХТФЕ – AgI-SiO₂ з вмістом 0-100% AgI і SiO₂ до 0,5 %: електрофізичних в надвисокочастотному діапазоні; теплофізичних (теплоємність, температурний коефіцієнт лінійного розширення). Показано, що внесення в систему легуючих домішок нанорозмірного SiO₂ веде до значних змін надмолекулярної структури полімера.

Л.Ю. Островська¹, A.В. Васін², A.В. Русавський², A.Н. Назаров², В.С. Лисенко²,В.П. Красовський³

Вплив термічної обробки на адгезію розплава олова до поверхні плівок аморфного карбіду кремнію

¹Інститут надтвердих матеріалів ім В.М. Бакуля НАН України, вул Автозаводська, 2, Київ, 04074,
²Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки, 42, Київ, 03028,
³Інститут проблем матеріалознавства НАНУ ім. І.М. Францевича НАН України, вул. Кржижанівського, 3 Київ, 03142,

Проведено порівняльний аналіз впливу температури вакуумного відпалу плівок аморфного карбіду кремнію a-SiС та a-SiС:H на їх структуру та змочуваність розплавом олова. Плівки зі складом, близьким до стехіометрічного, були отримані двома методами: реактивним магнетронним розпиленням кремнію в атмосфері Ar-CH₄ (a-SiС:H) та іоно-плазмовим осадженням з використанням модифікованого вакуумно-дугового джерела з карбіду кремнію (a-SiС). Капілярні властивості поверхні вивчали методом лежачої краплі в інтервалі температур від 250 до 7000С у вакуумі 1,0-3 Па. Аналіз структури плівок проводили з використанням Фур’є спектроскопії та спектроскопії комбінаційного розсіювання світла. Показано, что зміни змочуваності та підвищення адгезії рідкого олова до поверхні плівок внаслідок термовідпалу узгоджуються із змінами їх структури та хімічного стану поверхні. Для a-SiС плівок спостерігається упорядкування міжатомних зв’язків та утворення нанокристалітів карбіду кремнію. Для a-SiС:H плівок спостерігається видалення водню, який пасивує поверхню, кластеризація вільного аморфного вуглецю, та видалення його з поверхні при підвищенні температури.

В.І. Дворук, М.В. Кіндрачук, О.В. Герасимова

Визначення поверхневої енергії металів при абразивному зношуванні

Національний авіаційний університет, пр-т Комарова, 1, Київ, 03058, Україна, тел. (044) 406-77-73, E-mail:m_kindrachuk@ukr.net

Розроблено метод визначення поверхневої енергії металів при абразивному зношуванні на основі енергетичного підходу. Проведена оцінка працездатності запропонованого метода
Ключові слова: Абразивне зношування, зносостійкість, поверхнева енергія, міцність, деформація, дефекти кристалічної будови.

Т. Бохцар, П. Фракс

Порівняння результатів вимірювання електричних розрядів, досліджених методами акустичної емісії і оптичної спектрофотометрії

Технічний університет в Ополє, Польща

Основною даної роботи є дослідження електричних розрядів – повне дослідження явищ, які їх супроводжують, для того щоб ми могли фактично знати їх форми і визначити місце їх знаходження в різних типах систем ізоляції. Крім того, виникає необхідність корелювати результати вимірювання електричних розрядів, отриманих за допомогою різних діагностичних методів, для того, щоб отримати повну інформацію про ізоляцію. В статті представлені результати вимірювань і досліджень оптичних і акустичних сигналів, які випускаються розрядами в системі точка - точка на повітрі.

Штефан Вольний

Вплив температури и вологості на значення головної константи часу паперово-масляної ізоляції, визначеної при використанні моделі Дебайя

Технічний університет Ополе, вул. Сосновського 31, 45-272 Ополе, Польща. E-mail:swolen@po.opole.pl

В статті приведені результати дослідження зразків паперово-масляної ізоляції, визначені за методом вимірювання струму електричної поляризації. Дослідження були проведені в системі власної конструкції, де була можливість регулювання і контролю температури і вологості мінерального ізоляційного масла. Зразки електротехнічного паперу відрізнялися один від другого ступінню старіння. На основі вимірювання струму поляризації при застосуванні моделі Дебая визначено значення головної константи часу досліджуваної ізоляції і значення R и C в схемі заміщення. Проведено аналіз впливу температури, вологості и ступеня старіння зразків паперово-масляної ізоляції на відповідні значення із моделі.

Й. Баламуцький¹, П. Чарнецький¹, T. Готсалк¹, А. Марендзяк¹, І. Рангелов², Й. Вілк¹, З.В. Ковальський¹

Профілометричне, SEM і AFM дослідження титану і стальної поверхні мікро- і наношорсткості індукованої пучком нейтралізованих іонів криптону як перша стадія фрактального аналізу

¹ Технологічний університет Вроцлава, вул. З. Янішевського 11-17, 50-372, Вроцлав, Польща
² Кассельський університет, вул. Генріха Плетта 40, 34132, Кассель, Німеччина Факс:+48 (071) 328 35 04; E-mail:zbigniew.wojciech.kowalski@pwr.wroc.pl

В цій статті описано вплив опромінювання іонам криптону полікристалічного 99,5% титану і неіржавіючої сталі (зроблено в Польщі) 1H18N9T на результуючу поверхневу шорсткість і топографію, перевірено скануючим електронним і атомно-силовим мікроскопом, також як і за допомогою профілографії, це надало можливість нам вивчати зовнішні морфології в різних шкалах, це, можливо, буде важливо в фрактальному аналізі поверхні яка була піддана бомбардуванню іонами.

Т. Бохцар, М. Лоренс

Частотний аналіз калібрувальних сигналів, які вимірюють за методом Hsu-Нільсена

Технічний університет в Ополє, Польща

В даній роботі досліджується ідея калібрування для вимірювання пульсів акустичної емісії (AE), вироблюваних частковими розвантаженнями (Фунти) в ізоляції енергетичних побутових приладів, використовуючи метод Hsu-Нільсена. Він також представляє результати аналізів, зроблених в часовій і частотні області вимірювальних пульсів AE, вироблюваних Hsu-Нільсена, калібруючого джерела. Вимірювання і аналіз пульсів AE виконувалися на кришці розподільчої ємності трансформатора.

A. Ціхонь¹, Ш. Борукі²

Вплив фізико-хімічних параметрів трансформаторного масла на частотно-часові характеристики акустично емісійних сигналів, що генеруються частковими розвантаженнями

¹Технічний університет Ополе, факультет радіотехніки і автоматизації,
²Інститут електричної енергетики, вул. Сосновського 31, 45-272 Ополе, Польща. E-mail: acichy@po.opole.pl

В статті подано результати вимірювання акустичної емісії (AE), що генерується частковими розвантаженнями (ЧР) в маслах змінюючи фізико-хімічні параметри. Вимірювалися частотно-часові характеритики сигналів AE, виміряних ЧР, що генеруються в специфічних маслах. Для виміряних сигналів AE, що генеруються ЧР, сигнал описаний в частотній області, були визначені, спектри амплітуди малювалися і були визначені спектрограми енергії та амплітуди спектрів густини.

Г.О. Сіренко, О.В. Кузишин

Зношування твердих тіл при наявності на їх поверхнях наноплівок мастильних матеріалів: залежність товщини плівок мінеральних олив від навантаження і температури

Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, 76000, Україна

Приведені розрахунки товщин мастильних плівок чотирьох мінеральних олив – вазелінової (медичної), індустріальної-20, компресорної-12М, авіаційної МС-20 – та залежності їх від температури і навантаження
Ключові слова: граничне тертя, гідродинамічний ефект, наноплівка, в’язкість, мастильний шар, кульовий контакт, температура.